JPS58166609A - 複合誘電体 - Google Patents
複合誘電体Info
- Publication number
- JPS58166609A JPS58166609A JP57049449A JP4944982A JPS58166609A JP S58166609 A JPS58166609 A JP S58166609A JP 57049449 A JP57049449 A JP 57049449A JP 4944982 A JP4944982 A JP 4944982A JP S58166609 A JPS58166609 A JP S58166609A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- composite dielectric
- composite
- capacitance
- polymer material
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複合誘電体に関し、更に詳しくはＴ ｉ、０
２系誘電体セラミック粉末と絶縁性高分子材料とからな
るマイクロ波用複合誘電体に関するものである。
２系誘電体セラミック粉末と絶縁性高分子材料とからな
るマイクロ波用複合誘電体に関するものである。
近年、マイクロ波領域における通信の発達に伴ない、マ
イクロ波回路の集積化が図られている。
イクロ波回路の集積化が図られている。
従来、集積化用の基板、いわゆるマイクロ波用基板（Ｍ
ＩＣ，基板）には、誘電体材料と１て四フッ化エチレン
樹脂、ポリスチレン樹脂などの両面に銅張りしたものが
用いられ、この銅板にエツチング加工などを行なって回
路を形成してした。そして回路構成の一部として樹脂の
誘電率を利用するケースがある。しかしながら本来樹脂
の誘電率が２〜３であるため、たとえば共振回路を形成
するような場合、樹脂の誘電率が小さいと導電パターン
の形状を太きくしなければならず、小形化への障害とな
っていた。したがって、さらに大きな誘電率を有するマ
イクロ波基板の出現が要求されていた。
ＩＣ，基板）には、誘電体材料と１て四フッ化エチレン
樹脂、ポリスチレン樹脂などの両面に銅張りしたものが
用いられ、この銅板にエツチング加工などを行なって回
路を形成してした。そして回路構成の一部として樹脂の
誘電率を利用するケースがある。しかしながら本来樹脂
の誘電率が２〜３であるため、たとえば共振回路を形成
するような場合、樹脂の誘電率が小さいと導電パターン
の形状を太きくしなければならず、小形化への障害とな
っていた。したがって、さらに大きな誘電率を有するマ
イクロ波基板の出現が要求されていた。
一部、誘電体セラミックのマイクロ波通信機器への応用
展開が進み、マイクロ波帯で高いＱ値を持ち、かつ温度
安定性のすぐれた材料の開発が行われている。しかしな
がら、セラミックを穿孔したり、切断したりするような
加工を施こそうとすると、セラミックがもともと硬いた
め加工が難かしく、また欠けたり、割れたりするという
欠点がある。
展開が進み、マイクロ波帯で高いＱ値を持ち、かつ温度
安定性のすぐれた材料の開発が行われている。しかしな
がら、セラミックを穿孔したり、切断したりするような
加工を施こそうとすると、セラミックがもともと硬いた
め加工が難かしく、また欠けたり、割れたりするという
欠点がある。
したがって、本発明は樹脂が有する柔軟性とマイクロ波
誘電体セラミックのすぐれた電気特性を利用したマイク
ロ波用複合誘電体を提供せんとするものである。
誘電体セラミックのすぐれた電気特性を利用したマイク
ロ波用複合誘電体を提供せんとするものである。
また本発明は、マイクロ波領域で高いｑ値を持ち、比誘
電率が一般の高分子材料にくらべて大きいマイクロ波用
複合誘電体を提供せんとするものである。
電率が一般の高分子材料にくらべて大きいマイクロ波用
複合誘電体を提供せんとするものである。
さらに本発明は、マイクロ波誘電体セラミックにくらべ
て柔軟性にすぐれ、加工容易性を有するマイクロ波用複
合誘電体を提供せんとするものである。
て柔軟性にすぐれ、加工容易性を有するマイクロ波用複
合誘電体を提供せんとするものである。
すなわち、本発明の要旨とするところは、Ｔ ｉ０２系
誘電体セラミック１０〜７０容量チ、好ましくは３０〜
５０容量チおよび絶縁性高分子材料９０〜３０容量チ、
好ましくは７０〜５０容量−からなるマイクロ波用複合
誘電体である。
誘電体セラミック１０〜７０容量チ、好ましくは３０〜
５０容量チおよび絶縁性高分子材料９０〜３０容量チ、
好ましくは７０〜５０容量−からなるマイクロ波用複合
誘電体である。
本発明の複合誘電体を構成するもののうち、Ｔ １０２
系材料ハフ ＧＨｚニおけるｑが５ｏｏｏ、比誘電率
が１０４、比誘電率の温度特性が一９００ｐｐｍ１０Ｃ
のものである。
系材料ハフ ＧＨｚニおけるｑが５ｏｏｏ、比誘電率
が１０４、比誘電率の温度特性が一９００ｐｐｍ１０Ｃ
のものである。
また、絶縁性高分子材料としては、四フッ化エチレンの
単独または共重合体などの含フツ素系重合体が特に好ま
しいが、その他ポリエチレンあるいはポリオレフィン系
重合体のような誘電損の小さい重合体を用いることがで
きる。これらのうちでは、特に四フッ化エチレンの単独
重合体が好ましい。また使用できる共重合体としては、
四フッ化エチレンとエチレン、プロピレン、６フツ化フ
ロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、３フツ化
エチレンなどとの共重合体を例示できる。
単独または共重合体などの含フツ素系重合体が特に好ま
しいが、その他ポリエチレンあるいはポリオレフィン系
重合体のような誘電損の小さい重合体を用いることがで
きる。これらのうちでは、特に四フッ化エチレンの単独
重合体が好ましい。また使用できる共重合体としては、
四フッ化エチレンとエチレン、プロピレン、６フツ化フ
ロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、３フツ化
エチレンなどとの共重合体を例示できる。
誘電体セラミックと絶縁性高分子材料の混合比は、一般
ニｌＯ：９０〜７０ ：３０１７）容量比の範囲から選
択されるが、かかる範囲が好ましい理由は次のとおりで
ある。つまり、誘電体セラミックが１０容量−未満、絶
縁性高分子材料が９０容量チを越えると、比誘電率の増
加が見られず複合化した効果が得られなくなる。また誘
電体セラミックが７０容量チを越え、絶縁性高分子材料
が３゜容量−未満になると、誘電体セラミックの量が多
くなるため、絶縁性高分子材料と混合しても均質な複合
誘電体が得られなくなる。したがって柔軟性がなくなり
、加工性も悪くなる。
ニｌＯ：９０〜７０ ：３０１７）容量比の範囲から選
択されるが、かかる範囲が好ましい理由は次のとおりで
ある。つまり、誘電体セラミックが１０容量−未満、絶
縁性高分子材料が９０容量チを越えると、比誘電率の増
加が見られず複合化した効果が得られなくなる。また誘
電体セラミックが７０容量チを越え、絶縁性高分子材料
が３゜容量−未満になると、誘電体セラミックの量が多
くなるため、絶縁性高分子材料と混合しても均質な複合
誘電体が得られなくなる。したがって柔軟性がなくなり
、加工性も悪くなる。
本発明の複合誘電体を製造するには、前記絶縁性高分子
材料および誘電体セラミックをいずれも粉末状で均一に
混合した上、高分子材料の成形条件下で成形する。たと
えば、ポリ四フッ化エチレンの場合、混合粉末を約１０
０〜７００１’ｆ／ｃ＋＃の圧力下に圧縮成形した後、
約３３０〜４２０°Ｃの温度で焼成して成形体とする。
材料および誘電体セラミックをいずれも粉末状で均一に
混合した上、高分子材料の成形条件下で成形する。たと
えば、ポリ四フッ化エチレンの場合、混合粉末を約１０
０〜７００１’ｆ／ｃ＋＃の圧力下に圧縮成形した後、
約３３０〜４２０°Ｃの温度で焼成して成形体とする。
以下にこの発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例
Ｔ ｉ Ｏ□からなる誘電体セラミック粉末（８０メツ
シユパス）と四フッ化エチレン樹脂粉末ヲ第１表に示す
比率で均一に混合し、この混合原料を４００に９／ｄの
圧力下で圧縮成形後、３８０６Ｃの温度で３時間加熱焼
成して、直径５６閣、高さ８０１ｍ１１１の円柱状複合
誘電体を得た。
シユパス）と四フッ化エチレン樹脂粉末ヲ第１表に示す
比率で均一に混合し、この混合原料を４００に９／ｄの
圧力下で圧縮成形後、３８０６Ｃの温度で３時間加熱焼
成して、直径５６閣、高さ８０１ｍ１１１の円柱状複合
誘電体を得た。
得られた複合誘電体について、摂動法による誘電体共振
器法で８．５ ＧＨＺ における比誘電率、ｑ値を測
ミし、また１ＭＨｚ で比誘電率の温度特性を測定し
た。、測定結果は第１表に合わせて示す。
器法で８．５ ＧＨＺ における比誘電率、ｑ値を測
ミし、また１ＭＨｚ で比誘電率の温度特性を測定し
た。、測定結果は第１表に合わせて示す。
第 １ 表
第１表中、試料番号ｌはこの発明範囲外のものであり、
それ以外はすべてこの発明範囲内のものである。
それ以外はすべてこの発明範囲内のものである。
第１表から明らかなように、本発明による複合誘電体は
マイクロ波で大きな比誘電率を有し、ｑも高い値を示す
。
マイクロ波で大きな比誘電率を有し、ｑも高い値を示す
。
また、本発明にかかる複合誘電体は柔軟性を有しており
、穿孔加工、切削加工が簡単であり、たとえばマイクロ
波用基板として用いた場合表面と裏面との導通処理も簡
単に行えるという利点を有する。
、穿孔加工、切削加工が簡単であり、たとえばマイクロ
波用基板として用いた場合表面と裏面との導通処理も簡
単に行えるという利点を有する。
特許出願人 ダイキン工業株式会社（ほか１名）代理
人 弁理士所用 葆 （ほか２名）３７一
人 弁理士所用 葆 （ほか２名）３７一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＴｌＯ２系誘電体セラミック１０〜７０容量チと絶
縁性高分子材料９０〜３０容量チとからなる複合誘電体
。 ２、 Ｔ ｉｏ ２系誘電体セラミックの７ＧＨｚにお
けるＱが８０００、比誘電率が１０４である特許請求の
範囲第１項記載の複合誘電体。 ３、絶縁性高分子材料が四フッ化エチレンの単独または
共重合体である特許請求の範囲第１項記載の複合誘電体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049449A JPS58166609A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049449A JPS58166609A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166609A true JPS58166609A (ja) | 1983-10-01 |
Family
ID=12831443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57049449A Pending JPS58166609A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166609A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170103A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ |
| JPS60185403A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板 |
| JPS61128412A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-16 | 株式会社村田製作所 | 複合誘電体およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-03-27 JP JP57049449A patent/JPS58166609A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170103A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ |
| JPS60185403A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板 |
| JPS61128412A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-16 | 株式会社村田製作所 | 複合誘電体およびその製造方法 |
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