JPH0869712A - 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子部品用配線板 - Google Patents
樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子部品用配線板Info
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- JPH0869712A JPH0869712A JP20347294A JP20347294A JPH0869712A JP H0869712 A JPH0869712 A JP H0869712A JP 20347294 A JP20347294 A JP 20347294A JP 20347294 A JP20347294 A JP 20347294A JP H0869712 A JPH0869712 A JP H0869712A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 −
Ｍｎ系の誘電体セラミックスと有機高分子樹脂を混合し
てなる樹脂−セラミックス複合材を用いて電子部品用配
線板を構成する。 【効果】ギガヘルツ帯の高周波領域において高誘電率、
低ｔａｎδ（高Ｑ）特性を有し、かつ優れた成形性、寸
法精度を有する基板を得ることができ、その結果、電子
機器、情報通信機器の小型化等への貢献は極めて大であ
る。
Ｍｎ系の誘電体セラミックスと有機高分子樹脂を混合し
てなる樹脂−セラミックス複合材を用いて電子部品用配
線板を構成する。 【効果】ギガヘルツ帯の高周波領域において高誘電率、
低ｔａｎδ（高Ｑ）特性を有し、かつ優れた成形性、寸
法精度を有する基板を得ることができ、その結果、電子
機器、情報通信機器の小型化等への貢献は極めて大であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に高周波領域での使
用に好適な樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた
電子部品用配線板に関する。
用に好適な樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた
電子部品用配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報通信の手法として無線通信がある
が、ＩＮＳ（高度情報化社会）への移行とともに無線通
信は使用周波数帯がますます高周波帯域に移行してい
る。特に発展が期待されている衛星放送、衛星通信、
又、携帯電話、自動車電話等の移動体通信にはギガヘル
ツ（ＧＨｚ）帯の高周波が使用されている。
が、ＩＮＳ（高度情報化社会）への移行とともに無線通
信は使用周波数帯がますます高周波帯域に移行してい
る。特に発展が期待されている衛星放送、衛星通信、
又、携帯電話、自動車電話等の移動体通信にはギガヘル
ツ（ＧＨｚ）帯の高周波が使用されている。
【０００３】そのため、これらの送受信機に使用される
回路基板の材料はＧＨｚ帯に於いて高周波伝送特性が優
れた（誘電損失が小さい）ものでなければならない。
回路基板の材料はＧＨｚ帯に於いて高周波伝送特性が優
れた（誘電損失が小さい）ものでなければならない。
【０００４】ここで、誘電損失は周波数と基板の誘電率
εr と誘電正接（以下ｔａｎδと記載する）の積に比例
することより、誘電損失を小さくするためには基板のｔ
ａｎδを小さくしなければならない。又、基板中では電
磁波の波長が１／√εr に短縮されるため、誘電率εr
が大きい程基板の小型化が可能である。
εr と誘電正接（以下ｔａｎδと記載する）の積に比例
することより、誘電損失を小さくするためには基板のｔ
ａｎδを小さくしなければならない。又、基板中では電
磁波の波長が１／√εr に短縮されるため、誘電率εr
が大きい程基板の小型化が可能である。
【０００５】以上のことから高周波領域で使用される小
型の電子機器、情報機器に用いる回路基板としては、誘
電率εr が高く、かつｔａｎδが小さい材料特性が要求
されている。
型の電子機器、情報機器に用いる回路基板としては、誘
電率εr が高く、かつｔａｎδが小さい材料特性が要求
されている。
【０００６】このような回路基板の材料としては、無機
材料として誘電体セラミックス、有機材料としてフッ素
樹脂等が用いられている。さらに、有機材料と無機材料
の複合体として熱硬化性樹脂とチタン酸バリウム等の誘
電体セラミックスを混合してなる複合基板も用いられて
いる（例えば特開平１−２４５０５３号、特開平４−３
０７７８８号公報等参照）。
材料として誘電体セラミックス、有機材料としてフッ素
樹脂等が用いられている。さらに、有機材料と無機材料
の複合体として熱硬化性樹脂とチタン酸バリウム等の誘
電体セラミックスを混合してなる複合基板も用いられて
いる（例えば特開平１−２４５０５３号、特開平４−３
０７７８８号公報等参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記誘電体
セラミックスからなる基板は、誘電率、ｔａｎδの特性
は優れているが寸法精度、加工性に難点があり、脆いた
め欠けや割れが生じやすいという問題点があった。
セラミックスからなる基板は、誘電率、ｔａｎδの特性
は優れているが寸法精度、加工性に難点があり、脆いた
め欠けや割れが生じやすいという問題点があった。
【０００８】他方、樹脂等の有機材料からなる基板は、
成形性及び加工性に優れｔａｎδも小さいという利点は
あるが、誘電率が小さいという問題があつた。
成形性及び加工性に優れｔａｎδも小さいという利点は
あるが、誘電率が小さいという問題があつた。
【０００９】このため、近年、両者の利点を有する基板
を得るため、チタン酸バリウム等の誘電体セラミックス
を有機高分子樹脂と混合した複合基板が提案されてい
る。しかしながら従来の複合基板は、誘電体セラミック
スに比べ寸法精度、加工精度が改善され、また有機基板
に比べ誘電率が改善されているものの、ギガヘルツ帯の
高周波領域に於いて、誘電率は３程度と低く、ｔａｎδ
は５０×１０-4程度と高く、いずれも不十分であった。
を得るため、チタン酸バリウム等の誘電体セラミックス
を有機高分子樹脂と混合した複合基板が提案されてい
る。しかしながら従来の複合基板は、誘電体セラミック
スに比べ寸法精度、加工精度が改善され、また有機基板
に比べ誘電率が改善されているものの、ギガヘルツ帯の
高周波領域に於いて、誘電率は３程度と低く、ｔａｎδ
は５０×１０-4程度と高く、いずれも不十分であった。
【００１０】
【発明の目的】そこで本発明は、ギガヘルツ帯の高周波
領域に於いて、４以上の高い誘電率と１４×１０-4以下
の小さいｔａｎδを有するとともに、成形性及び加工性
に優れ、小型機器への対応が容易な樹脂−セラミツク複
合体を用いた電子部品用配線板を提供することを目的と
する。
領域に於いて、４以上の高い誘電率と１４×１０-4以下
の小さいｔａｎδを有するとともに、成形性及び加工性
に優れ、小型機器への対応が容易な樹脂−セラミツク複
合体を用いた電子部品用配線板を提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、高誘電率、低ｔａｎδ（高Ｑ値）のＢａ
Ｏ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｍｎ系の誘電
体セラミック粉末と有機高分子樹脂を混合、成形して樹
脂−セラミックス複合材を構成した。
決するために、高誘電率、低ｔａｎδ（高Ｑ値）のＢａ
Ｏ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｍｎ系の誘電
体セラミック粉末と有機高分子樹脂を混合、成形して樹
脂−セラミックス複合材を構成した。
【００１２】また、本発明は、上記樹脂−セラミックス
複合材により電子部品用配線板を形成したものである。
なお、本発明における電子部品用配線板とは、電子部品
を搭載するための回路基板や多層基板、あるいは半導体
素子を収納するための半導体パッケージ用基板等を意味
する。
複合材により電子部品用配線板を形成したものである。
なお、本発明における電子部品用配線板とは、電子部品
を搭載するための回路基板や多層基板、あるいは半導体
素子を収納するための半導体パッケージ用基板等を意味
する。
【００１３】ここで、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −
Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｍｎ系の誘電体セラミック粉末とは、Ｂａ
Ｏ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 からなる系にＭ
ｎを添加することを特徴とする誘電体磁器組成物であ
る。
Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｍｎ系の誘電体セラミック粉末とは、Ｂａ
Ｏ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 からなる系にＭ
ｎを添加することを特徴とする誘電体磁器組成物であ
る。
【００１４】具体的には、組成式がｘＢａＯ・ｙＮｄ2
Ｏ3 ・ｚＴｉＯ2 ・ｗＢｉ2 Ｏ3 式中 ０．１１０≦ｘ≦０．１７０ ０．１２０≦ｙ≦０．１８５ ０．６３０≦ｚ≦０．７１０ ０．０２０≦ｗ≦０．０９０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１ で示される主成分に対し、Ｍｎを０．００３〜０．３重
量％の範囲で含有させたことを特徴とする誘電体磁器組
成物である。
Ｏ3 ・ｚＴｉＯ2 ・ｗＢｉ2 Ｏ3 式中 ０．１１０≦ｘ≦０．１７０ ０．１２０≦ｙ≦０．１８５ ０．６３０≦ｚ≦０．７１０ ０．０２０≦ｗ≦０．０９０ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１ で示される主成分に対し、Ｍｎを０．００３〜０．３重
量％の範囲で含有させたことを特徴とする誘電体磁器組
成物である。
【００１５】そして、Ｍｎを添加することによってｔａ
ｎδ（Ｑ値）を大幅に改善するとともに誘電率をも更に
向上させ、しかも誘電率の温度依存性が小さく且つ安定
するという効果を得ることができる。
ｎδ（Ｑ値）を大幅に改善するとともに誘電率をも更に
向上させ、しかも誘電率の温度依存性が小さく且つ安定
するという効果を得ることができる。
【００１６】ここで、Ｍｎ量を０．００３〜０．３重量
％としたのは、０．００３重量％未満、あるいは０．３
重量％を越えるとｔａｎδが大きくなり、Ｍｎ添加の効
果が認められないためである。
％としたのは、０．００３重量％未満、あるいは０．３
重量％を越えるとｔａｎδが大きくなり、Ｍｎ添加の効
果が認められないためである。
【００１７】この誘電体セラミックは、焼成温度１２０
０〜１６００℃程度での完全焼成を行うことが好まし
く、焼成後粉砕して粉末を作成する。この時の平均粒径
は、３〜１２５μｍが好ましい。これは、平均粒径が１
２５μｍより大きいと基板の表面が粗くなり回路形成が
難しくなるためであり、逆に平均粒径が３μｍより小さ
いと樹脂との混練性が低下するためである。そして、得
られた誘電体セラミック粉末を有機高分子樹脂と混合す
れば良い。
０〜１６００℃程度での完全焼成を行うことが好まし
く、焼成後粉砕して粉末を作成する。この時の平均粒径
は、３〜１２５μｍが好ましい。これは、平均粒径が１
２５μｍより大きいと基板の表面が粗くなり回路形成が
難しくなるためであり、逆に平均粒径が３μｍより小さ
いと樹脂との混練性が低下するためである。そして、得
られた誘電体セラミック粉末を有機高分子樹脂と混合す
れば良い。
【００１８】一方、有機高分子樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノ−ル樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹
脂、不飽和ポリエステル、ビスマレイド系ポリイミド樹
脂（ＢＴ）、シアネ−ト樹脂、熱硬化型ポリフェニレン
エ−テル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰ
Ｏ）等の熱硬化性樹脂とフッ素系樹脂、ポリオレフイン
系ポリマ−、アクリル樹脂、ポリアセタ−ル樹脂等の熱
可塑性樹脂があり、ポリエチレンフタレ−ト（ＰＢ
Ｔ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカ−ボネ−ト（Ｐ
Ｃ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ボリスチレン、ポリペプ
チド、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化
ビニル、ポリアクリレ−ト（ＰＭＭＡ）、ポリアミド
（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタレ−ト（ＰＢＴ）、ポ
リスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンサルフアド
（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）等
を用いる。
樹脂、フェノ−ル樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹
脂、不飽和ポリエステル、ビスマレイド系ポリイミド樹
脂（ＢＴ）、シアネ−ト樹脂、熱硬化型ポリフェニレン
エ−テル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰ
Ｏ）等の熱硬化性樹脂とフッ素系樹脂、ポリオレフイン
系ポリマ−、アクリル樹脂、ポリアセタ−ル樹脂等の熱
可塑性樹脂があり、ポリエチレンフタレ−ト（ＰＢ
Ｔ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカ−ボネ−ト（Ｐ
Ｃ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ボリスチレン、ポリペプ
チド、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化
ビニル、ポリアクリレ−ト（ＰＭＭＡ）、ポリアミド
（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタレ−ト（ＰＢＴ）、ポ
リスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンサルフアド
（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）等
を用いる。
【００１９】また、誘電体セラミック粉末と有機高分子
樹脂の混合重量比は、セラミック粉末１０〜９５重量％
と有機高分子樹脂が９０〜５重量％とする。これは、誘
電体セラミック粉末の混合比が１０重量％未満であると
基板としての寸法安定性に欠け、誘電体セラミックの特
徴が発揮できずに誘電率が低くなるためである。逆に誘
電体セラミック粉末の混合比が９５重量％よりも多い
と、有機高分子樹脂の特徴が発揮できずに成形加工性が
低下し、ｔａｎδが低くならないためである。さらに、
以上の理由により好ましくはセラミック粉末５０〜８５
重量％と有機高分子樹脂５０〜１５重量％の混合重量比
が良い。
樹脂の混合重量比は、セラミック粉末１０〜９５重量％
と有機高分子樹脂が９０〜５重量％とする。これは、誘
電体セラミック粉末の混合比が１０重量％未満であると
基板としての寸法安定性に欠け、誘電体セラミックの特
徴が発揮できずに誘電率が低くなるためである。逆に誘
電体セラミック粉末の混合比が９５重量％よりも多い
と、有機高分子樹脂の特徴が発揮できずに成形加工性が
低下し、ｔａｎδが低くならないためである。さらに、
以上の理由により好ましくはセラミック粉末５０〜８５
重量％と有機高分子樹脂５０〜１５重量％の混合重量比
が良い。
【００２０】本発明の樹脂−セラミックス複合材の製造
方法は、まず混練機、又は加熱２本ロ−ル等を用いて有
機高分子樹脂を溶融、軟化させ、これに誘電体セラミッ
ク粉末を小量ずつ加えながら加熱混練する。この後、例
えば押出法、加熱プレス法、射出成形法、シートロール
法等により板状に成形すれば回路基板とすることができ
る。
方法は、まず混練機、又は加熱２本ロ−ル等を用いて有
機高分子樹脂を溶融、軟化させ、これに誘電体セラミッ
ク粉末を小量ずつ加えながら加熱混練する。この後、例
えば押出法、加熱プレス法、射出成形法、シートロール
法等により板状に成形すれば回路基板とすることができ
る。
【００２１】この基板に回路を形成する方法としては、
回路となる金属層を基板に付着させる無電解メッキ、又
は無電解メッキと電解メッキの組み合わせを用いる。ま
た、表面平滑性の良い金属箔を用いる場合は、高誘電
率、低損失（ｔａｎδが低い）の接着剤で接着する方法
が有効である。接着剤としてはフエノ−ル樹脂、エポキ
シ樹脂等の熱硬化性接着剤やビニル樹脂、アクリル樹脂
等の熱可塑性接着剤がある。さらに、熱可塑性樹脂の場
合、金属回路パタ−ンを基板に加熱圧着、転写する方法
も可能である。
回路となる金属層を基板に付着させる無電解メッキ、又
は無電解メッキと電解メッキの組み合わせを用いる。ま
た、表面平滑性の良い金属箔を用いる場合は、高誘電
率、低損失（ｔａｎδが低い）の接着剤で接着する方法
が有効である。接着剤としてはフエノ−ル樹脂、エポキ
シ樹脂等の熱硬化性接着剤やビニル樹脂、アクリル樹脂
等の熱可塑性接着剤がある。さらに、熱可塑性樹脂の場
合、金属回路パタ−ンを基板に加熱圧着、転写する方法
も可能である。
【００２２】
【作用】本発明によれば、ギガヘルツ（ＧＨｚ）帯にお
いて、４以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎ
δを有し、かつ優れた成形性、寸法精度を呈する樹脂−
セラミック複合体を提供することができる。
いて、４以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎ
δを有し、かつ優れた成形性、寸法精度を呈する樹脂−
セラミック複合体を提供することができる。
【００２３】
【実施例】実施例１ 有機高分子樹脂として、ポリオレフイン系ポリマーであ
るポリプロピレン（εr ＝２．８、ｔａｎδ＝１×１０
-4）をラボプラストミルにて２００℃で加熱溶融させ
る。その後、誘電体セラミツク粉末として、ＢａＯ−Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系にＭｎを０．１％含
有させた誘電体セラミック粉末（εr ＝１１０、ｔａｎ
δ＝４×１０-4、平均粒径１２５μｍ）を小量ずつ添加
しながら混練してポリオレフイン系ポリマーと誘電体セ
ラミツク粉末の混合物を作成した。更に混合物を２００
℃で熱間プレス成形し、厚さ２ｍｍで３６ｍｍ×５９ｍ
ｍの基板を作成した。
るポリプロピレン（εr ＝２．８、ｔａｎδ＝１×１０
-4）をラボプラストミルにて２００℃で加熱溶融させ
る。その後、誘電体セラミツク粉末として、ＢａＯ−Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系にＭｎを０．１％含
有させた誘電体セラミック粉末（εr ＝１１０、ｔａｎ
δ＝４×１０-4、平均粒径１２５μｍ）を小量ずつ添加
しながら混練してポリオレフイン系ポリマーと誘電体セ
ラミツク粉末の混合物を作成した。更に混合物を２００
℃で熱間プレス成形し、厚さ２ｍｍで３６ｍｍ×５９ｍ
ｍの基板を作成した。
【００２４】なお、混合比率は全体重量に対してポリオ
レフイン系ポリマーが４．７重量％、１３．０重量％、
２３．０重量％とした。
レフイン系ポリマーが４．７重量％、１３．０重量％、
２３．０重量％とした。
【００２５】それぞれの基板について、空洞共振器法に
より誘電率εr 、ｔａｎδ、損失Ｑを測定した。結果は
表１に示す通りである。
より誘電率εr 、ｔａｎδ、損失Ｑを測定した。結果は
表１に示す通りである。
【００２６】この結果より、樹脂混合比率を１３．０重
量％、２３重量％としたものは、ギガヘルツ帯に於いて
４以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを有
しており、従来の複合基板に比べて優れた特性を有して
いる。
量％、２３重量％としたものは、ギガヘルツ帯に於いて
４以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを有
しており、従来の複合基板に比べて優れた特性を有して
いる。
【００２７】一方、樹脂混合比率を４．７重量％とした
ものは、樹脂量が少ないためｔａｎδが低くならなかっ
た。
ものは、樹脂量が少ないためｔａｎδが低くならなかっ
た。
【００２８】
【表１】
【００２９】実施例２ 実施例１と同様にしてポリオレフイン系ポリマ−の混合
比率を１５重量％、３０重量％、５０重量％、７０重量
％、９０重量％の基板を作成した。又、比較例としてポ
リオレフイン系ポリマ−１００重量％の基板を作成し
た。それぞれ、実施例１とは異なる周波数で測定した結
果は、表２、表３に示す通りである。
比率を１５重量％、３０重量％、５０重量％、７０重量
％、９０重量％の基板を作成した。又、比較例としてポ
リオレフイン系ポリマ−１００重量％の基板を作成し
た。それぞれ、実施例１とは異なる周波数で測定した結
果は、表２、表３に示す通りである。
【００３０】この結果より、樹脂混合比率を３０重量
％、５０重量％としたものは、ギガヘルツ帯において４
以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを達成
していることがわかる。
％、５０重量％としたものは、ギガヘルツ帯において４
以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを達成
していることがわかる。
【００３１】一方樹脂混合比率を１５重量％としたもの
はｔａｎδが低くならず、また混合樹脂混合比率が７０
重量％以上では高い誘電率のものとはならなかった。
はｔａｎδが低くならず、また混合樹脂混合比率が７０
重量％以上では高い誘電率のものとはならなかった。
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】実施例３ 実施例１、２の誘電体セラミック粉末の組成を調整し、
Ｍｎを０．１％添加して誘電率εr ＝８９、ｔａｎδ＝
２．１３×１０-4に変更し、樹脂混合比率３０重量％の
基板を作成した。この基板についての測定結果を表４に
示す。
Ｍｎを０．１％添加して誘電率εr ＝８９、ｔａｎδ＝
２．１３×１０-4に変更し、樹脂混合比率３０重量％の
基板を作成した。この基板についての測定結果を表４に
示す。
【００３５】この実施例についても、ギガヘルツ帯に於
いて４以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδ
を有しており、本発明の目的を達成できることがわか
る。
いて４以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδ
を有しており、本発明の目的を達成できることがわか
る。
【００３６】ただし、実施例２の樹脂混合比率３０重量
％の例と比較すれば明らかなように、誘電体セラミック
粉末の誘電率、ｔａｎδが低くなると基板の誘電率、ｔ
ａｎδも低くなることがわかる。
％の例と比較すれば明らかなように、誘電体セラミック
粉末の誘電率、ｔａｎδが低くなると基板の誘電率、ｔ
ａｎδも低くなることがわかる。
【００３７】又、実施例２の樹脂混合比と誘電率、ｔａ
ｎδの関係からすれば、実施例３の組成において樹脂混
合比率を１５重量％としたものは、ギガヘルツ帯におい
て４以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを
達成できると推測できる。
ｎδの関係からすれば、実施例３の組成において樹脂混
合比率を１５重量％としたものは、ギガヘルツ帯におい
て４以上の高誘電率、１４×１０-4以下の低ｔａｎδを
達成できると推測できる。
【００３８】
【表４】
【００３９】また、以上の実施例では有機高分子樹脂と
してポリオレフィン系ポリマーを用いたが、他の樹脂を
用いても同様の結果であった。
してポリオレフィン系ポリマーを用いたが、他の樹脂を
用いても同様の結果であった。
【００４０】比較例 次に、比較例として、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −
Ｂｉ2 Ｏ3 のみでＭｎを含まない誘電体セラミック粉末
（εr ＝１０５、ｔａｎδ＝３×１０-4／１ＭＨｚ）を
用いて、実施例２と同様にポリオレフィンと混合して基
板を作成した。測定結果は表５に示す通りである。
Ｂｉ2 Ｏ3 のみでＭｎを含まない誘電体セラミック粉末
（εr ＝１０５、ｔａｎδ＝３×１０-4／１ＭＨｚ）を
用いて、実施例２と同様にポリオレフィンと混合して基
板を作成した。測定結果は表５に示す通りである。
【００４１】この結果より、Ｍｎを含まないＢａＯ−Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 のみの誘電体セラミッ
ク粉末を用いた複合基板は、ギガヘルツ帯において誘電
率４以上、ｔａｎδ１４×１０-4以下を達成することが
できなかった。
ｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 のみの誘電体セラミッ
ク粉末を用いた複合基板は、ギガヘルツ帯において誘電
率４以上、ｔａｎδ１４×１０-4以下を達成することが
できなかった。
【００４２】本発明実施例である表３の結果と比較する
と、例えば樹脂混合比が３０％の場合、表５の比較例で
は誘電率が２．５、ｔａｎδが２２×１０-4であるのに
対し、表３の本発明実施例では誘電率が７．２、ｔａｎ
δが８．２×１０-4と両者の差は顕著であり、特に本発
明実施例はｔａｎδを小さくできることがわかる。
と、例えば樹脂混合比が３０％の場合、表５の比較例で
は誘電率が２．５、ｔａｎδが２２×１０-4であるのに
対し、表３の本発明実施例では誘電率が７．２、ｔａｎ
δが８．２×１０-4と両者の差は顕著であり、特に本発
明実施例はｔａｎδを小さくできることがわかる。
【００４３】
【表５】
【００４４】なお、以上の実施例では電子部品用配線板
としてを回路基板の例のみを述べたが、この他に多層基
板や半導体素子収納パッケージ用基板等として用いるこ
ともできる。
としてを回路基板の例のみを述べたが、この他に多層基
板や半導体素子収納パッケージ用基板等として用いるこ
ともできる。
【００４５】また、本発明の樹脂−セラミックス複合材
は電子部品用配線板以外にもさまざまな用途に好適に利
用することができる。例えば、携帯電話等の各種電子機
器におけるケースを本発明の樹脂−セラミックス複合材
で形成することもでき、この場合ケースを回路基板と兼
用させれば、より小型化が可能となる。
は電子部品用配線板以外にもさまざまな用途に好適に利
用することができる。例えば、携帯電話等の各種電子機
器におけるケースを本発明の樹脂−セラミックス複合材
で形成することもでき、この場合ケースを回路基板と兼
用させれば、より小型化が可能となる。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ＢａＯ
−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3−Ｍｎ系の誘電体
セラミックスと有機高分子樹脂を混合して樹脂−セラミ
ックス複合材を構成したことによって、この複合体を用
いて電子部品用配線板を形成すれば、ギガヘルツ帯の高
周波領域において高誘電率、低ｔａｎδ（高Ｑ）特性を
有し、かつ優れた成形性、寸法精度を有する配線板を得
ることができる。その結果、電子機器、情報通信機器の
小型化等への貢献は極めて大である。
−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3−Ｍｎ系の誘電体
セラミックスと有機高分子樹脂を混合して樹脂−セラミ
ックス複合材を構成したことによって、この複合体を用
いて電子部品用配線板を形成すれば、ギガヘルツ帯の高
周波領域において高誘電率、低ｔａｎδ（高Ｑ）特性を
有し、かつ優れた成形性、寸法精度を有する配線板を得
ることができる。その結果、電子機器、情報通信機器の
小型化等への貢献は極めて大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 久満 京都府京都市山科区東野北井ノ上町５番地 の22 京セラ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ
3 −Ｍｎ系の誘電体セラミックスと有機高分子樹脂を混
合してなる樹脂−セラミックス複合材。 - 【請求項２】ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ
3 −Ｍｎ系の誘電体セラミックスと有機高分子樹脂を混
合した樹脂−セラミックス複合材からなる電子部品用配
線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20347294A JPH0869712A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子部品用配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20347294A JPH0869712A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子部品用配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869712A true JPH0869712A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16474714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20347294A Pending JPH0869712A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 樹脂−セラミックス複合材及びこれを用いた電子部品用配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0869712A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6686406B2 (en) | 2000-04-26 | 2004-02-03 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Dielectric ceramic, resin-ceramic composite material, electrical part and antenna, and manufacturing method thereof |
| US6749928B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-06-15 | Tdk Corporation | Electronic parts and method producing the same |
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-
1994
- 1994-08-29 JP JP20347294A patent/JPH0869712A/ja active Pending
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