JPS5816506A - 抵抗体の形成方法 - Google Patents
抵抗体の形成方法Info
- Publication number
- JPS5816506A JPS5816506A JP11354981A JP11354981A JPS5816506A JP S5816506 A JPS5816506 A JP S5816506A JP 11354981 A JP11354981 A JP 11354981A JP 11354981 A JP11354981 A JP 11354981A JP S5816506 A JPS5816506 A JP S5816506A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- resistance value
- thermal spraying
- forming
- set resistance
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、抵抗体の形成方法に関し、更に詳しくは、溶
射により、設定抵抗値に対して高抵抗値側から徐々に抵
抗値を下げていくことにより、精度よく、且つ、容易に
抵抗体を形成する方法に関する。
射により、設定抵抗値に対して高抵抗値側から徐々に抵
抗値を下げていくことにより、精度よく、且つ、容易に
抵抗体を形成する方法に関する。
従来、抵抗体を形成するには、次のような方法が採られ
ている。即ち、樹脂製又はＷ＆製の基板、或いは金属コ
ア基板等を使用して、この基板上に、先ず、樹脂をバイ
ンダーとしてカーーン勢の導電性粒子を混合した樹脂型
抵抗ペースト、及びガラスをバインダーとして酸化ルテ
ニウム（Ｒｕｎｇ ）等の導電性粒子を混合した抵抗ペ
ースト（ガ２ス７リットタイグ）から成る抵抗インクを
用い、スクリーン印刷法によシ厚膜抵抗体を形成する。
ている。即ち、樹脂製又はＷ＆製の基板、或いは金属コ
ア基板等を使用して、この基板上に、先ず、樹脂をバイ
ンダーとしてカーーン勢の導電性粒子を混合した樹脂型
抵抗ペースト、及びガラスをバインダーとして酸化ルテ
ニウム（Ｒｕｎｇ ）等の導電性粒子を混合した抵抗ペ
ースト（ガ２ス７リットタイグ）から成る抵抗インクを
用い、スクリーン印刷法によシ厚膜抵抗体を形成する。
次、いで、該抵抗体を焼成し、所望の抵抗値を有する抵
抗体を得るために、トリミングを施して抵抗体の抵抗値
Ｔｈｌ！整する。
抗体を得るために、トリミングを施して抵抗体の抵抗値
Ｔｈｌ！整する。
この方法では、抵抗インクを選択することにより、或い
は抵抗体の縦横比を調節することにより、理論的には予
め所望の抵抗値を有する抵抗体の設計を行なうことが可
能である。しかしながら、実際には種々の要因により、
例えば抵抗ペーストのロフト間のバラツキによる抵抗イ
、ンクのシート抵抗値の変動、温度や湿度による抵抗イ
ンクの粘度の変動、或いはスクリーン印刷時におけるス
クリーン張力、スキージの摩耗度合、スキージ速度によ
る抵抗体膜厚の変動等により、形成される抵抗体の抵抗
値は設計値とずれてしまう。又、これらの要因を可及的
にコントロールしたとしても、所望の抵抗値の±１０％
以内の範囲・にある抵抗体を形成するには、非常な困難
が伴うものである。従って、この方法では、通常±２０
％乃至±３０％の範囲のバラツキを有する抵抗体が形成
されることになる。
は抵抗体の縦横比を調節することにより、理論的には予
め所望の抵抗値を有する抵抗体の設計を行なうことが可
能である。しかしながら、実際には種々の要因により、
例えば抵抗ペーストのロフト間のバラツキによる抵抗イ
、ンクのシート抵抗値の変動、温度や湿度による抵抗イ
ンクの粘度の変動、或いはスクリーン印刷時におけるス
クリーン張力、スキージの摩耗度合、スキージ速度によ
る抵抗体膜厚の変動等により、形成される抵抗体の抵抗
値は設計値とずれてしまう。又、これらの要因を可及的
にコントロールしたとしても、所望の抵抗値の±１０％
以内の範囲・にある抵抗体を形成するには、非常な困難
が伴うものである。従って、この方法では、通常±２０
％乃至±３０％の範囲のバラツキを有する抵抗体が形成
されることになる。
電子回路中に存在する抵抗体は、所望の抵抗値を有する
ことが望ましく、形成された抵抗体が設計値と異なる場
合には、通常トリミングを施して抵抗値を調整する。か
かるトリミングの例を、第１図に示した。トリミングは
、第１図に示すように、電極１に支持されている抵抗体
２を、所望の抵抗値を得るために、該抵抗体の抵抗値を
モニターしながら、その中間部を端から削っていくこと
によシ施されるものである。しかしながら、この方法は
、その工程が繁雑であシ、かかる処理によシミ流雑音が
低下するという問題点を有している。
ことが望ましく、形成された抵抗体が設計値と異なる場
合には、通常トリミングを施して抵抗値を調整する。か
かるトリミングの例を、第１図に示した。トリミングは
、第１図に示すように、電極１に支持されている抵抗体
２を、所望の抵抗値を得るために、該抵抗体の抵抗値を
モニターしながら、その中間部を端から削っていくこと
によシ施されるものである。しかしながら、この方法は
、その工程が繁雑であシ、かかる処理によシミ流雑音が
低下するという問題点を有している。
又、トリミングを施した抵抗体は、切シ欠き部３を有す
るために、抵抗体中間部４は、電流密度が−＜なシ、異
常発熱、するという問題点をも有している。このために
、ｆｌｃ２図に示したようなトップハツト形状部分５を
取シ付けて過熱を防ぐ等の工夫を要し、更に工程が繁雑
になる。
るために、抵抗体中間部４は、電流密度が−＜なシ、異
常発熱、するという問題点をも有している。このために
、ｆｌｃ２図に示したようなトップハツト形状部分５を
取シ付けて過熱を防ぐ等の工夫を要し、更に工程が繁雑
になる。
現実には、トリミング処理を避けるためにす最初から安
全性を見込んで、抵抗体の面積を過大に設計しているの
が実情である。このため基板上に占める抵抗体の面積比
率が増加することになり好ましくない。
全性を見込んで、抵抗体の面積を過大に設計しているの
が実情である。このため基板上に占める抵抗体の面積比
率が増加することになり好ましくない。
本発明は、上記した問題点を解決せんとしてなされたも
のであり、その目的は、所望の抵抗値を有する抵抗体を
、精度よく、且り簡単な工程で形成する方法を提供する
にある。本発明者らは、高抵抗値側から徐々に設定抵抗
値に近づけていくことにより、精度よく抵抗体を形成出
来る′ことを見出し、本発明を完成させるに至った。
のであり、その目的は、所望の抵抗値を有する抵抗体を
、精度よく、且り簡単な工程で形成する方法を提供する
にある。本発明者らは、高抵抗値側から徐々に設定抵抗
値に近づけていくことにより、精度よく抵抗体を形成出
来る′ことを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明の抵抗体の形成方法は、基板上に、設定抵
抗値よりも高い抵抗値を有する抵抗体を溶射によ多形成
し、次いで、該抵抗体上に、更に溶射を施して、徐々に
設定抵抗値に近づけることを特徴とするものである。
抗値よりも高い抵抗値を有する抵抗体を溶射によ多形成
し、次いで、該抵抗体上に、更に溶射を施して、徐々に
設定抵抗値に近づけることを特徴とするものである。
以下において、本発明について更に詳しく説明する。
本発明方法は、まず、基板上に設定抵抗値よシも高い一
抵抗値を有する抵抗体、即ち、設計値よシも表面積又は
断面積を小さくした導電路の狭い抵抗体を、溶射によ多
形成する。
抵抗値を有する抵抗体、即ち、設計値よシも表面積又は
断面積を小さくした導電路の狭い抵抗体を、溶射によ多
形成する。
次いで、設定抵抗値に近づ杖るために、次に掲げるよう
な方法を用いて徐々に抵抗値を下げていき、所望の抵抗
体を得るものである。尚、抵抗値を徐々に下げていく際
に、精度を向上させるために抵抗値をモニターしなから
溶射を施すことが好ましい。
な方法を用いて徐々に抵抗値を下げていき、所望の抵抗
体を得るものである。尚、抵抗値を徐々に下げていく際
に、精度を向上させるために抵抗値をモニターしなから
溶射を施すことが好ましい。
（１）設定抵抗値よシも高い抵抗値を有する抵抗体を形
成する際に使用する抵抗体材料、よシも、高い抵抗値を
有する抵抗体材料を使用して、同一条件で溶射を施し、
設定抵抗値に近づける方法。
成する際に使用する抵抗体材料、よシも、高い抵抗値を
有する抵抗体材料を使用して、同一条件で溶射を施し、
設定抵抗値に近づける方法。
（２）同一の抵抗体材料を使用して、高抵抗値を有する
抵抗体を形成する際の溶射条件よりも、例えば溶射装置
の走査速度を速くすることによシ、或いは溶射装置への
、抵抗体材料の供給量を少なくすることによシ、１度の
溶射による抵抗体材料の付着量を少なくして、設定抵抗
値に近づける方法。
抵抗体を形成する際の溶射条件よりも、例えば溶射装置
の走査速度を速くすることによシ、或いは溶射装置への
、抵抗体材料の供給量を少なくすることによシ、１度の
溶射による抵抗体材料の付着量を少なくして、設定抵抗
値に近づける方法。
（３）溶射の際に使用する！スフ／臂ターンが、高抵抗
値を有する抵抗体を形成する際のものよりも、より広い
抵抗体表面積を有するものであり、それｔ−順次よシ広
いものに替えていくごとによフ、設定抵抗値に近づける
方法。
値を有する抵抗体を形成する際のものよりも、より広い
抵抗体表面積を有するものであり、それｔ−順次よシ広
いものに替えていくごとによフ、設定抵抗値に近づける
方法。
これらの方法は、それぞれ単独で用いてもよいが、２種
以上を組み合わせて用いても差し支えない。これらの方
２法は、すべて、設定抵抗値よりも高い抵抗値を有する
抵抗体に対し、その抵抗値をより緩慢に下降させていく
ためのものである。この下降をゆるやかにする程、得ら
れる抵抗体の精Ｉｆは向上する。
以上を組み合わせて用いても差し支えない。これらの方
２法は、すべて、設定抵抗値よりも高い抵抗値を有する
抵抗体に対し、その抵抗値をより緩慢に下降させていく
ためのものである。この下降をゆるやかにする程、得ら
れる抵抗体の精Ｉｆは向上する。
本発明において使用される溶射装置は、通常、抵抗体を
形成することが出来るものであれば何でもよく１例えば
、ｆ２．ｅマ溶射装置、ガス溶射装置等が挙けられる。
形成することが出来るものであれば何でもよく１例えば
、ｆ２．ｅマ溶射装置、ガス溶射装置等が挙けられる。
又、本発明において使用される抵抗体を形成するための
材料は、通常抵抗体材料として用いられているものでお
れば何ても使用可゛能であ夕、金属或いは七ランツク等
の粉末である。これらには、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金、
Ｆｅ愈０ｍ、Ｍｏ５ｉ１等が挙げられ、これらから選ば
れた１種もしくは２８１以上のものが用いられる。
材料は、通常抵抗体材料として用いられているものでお
れば何ても使用可゛能であ夕、金属或いは七ランツク等
の粉末である。これらには、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金、
Ｆｅ愈０ｍ、Ｍｏ５ｉ１等が挙げられ、これらから選ば
れた１種もしくは２８１以上のものが用いられる。
本発明方法によｉ得られる抵抗体は、その形成時に、抵
抗値をモニターしながら徐々に溶射を施すために、設定
抵抗値に対して精度の高い抵抗値を有する抵抗体が得ら
れる。又、従来のようにトリ、％ングを施す必要がない
ために、工程が簡便にな夛、且つ、切削部分がないため
異常発熱部分を有さない等の利点を有している。
抗値をモニターしながら徐々に溶射を施すために、設定
抵抗値に対して精度の高い抵抗値を有する抵抗体が得ら
れる。又、従来のようにトリ、％ングを施す必要がない
ために、工程が簡便にな夛、且つ、切削部分がないため
異常発熱部分を有さない等の利点を有している。
以下、実施例において、本発明を更に具体的に説明する
。
。
実施例１
アルξす製絶縁基板上に、所定の形状を有するスリット
のついたアルミニウム薄板製のマスクを配置し、Ｎｉ
−Ｃｒ合金粉末を、グ２．ｅマ溶射装置ヲ用イテ、３４
Ｖ、８００Ａ、粉末供給量３０ｒ／ｍｉｎ、及び走査速
度・３５０ ｗｍ／ ｓｅｃ ・の条件で４秒間溶射を
施したところ、実質抵抗値２４Ωを有する抵抗体が得ら
れた。
のついたアルミニウム薄板製のマスクを配置し、Ｎｉ
−Ｃｒ合金粉末を、グ２．ｅマ溶射装置ヲ用イテ、３４
Ｖ、８００Ａ、粉末供給量３０ｒ／ｍｉｎ、及び走査速
度・３５０ ｗｍ／ ｓｅｃ ・の条件で４秒間溶射を
施したところ、実質抵抗値２４Ωを有する抵抗体が得ら
れた。
次に、Ｎｉ−Ｃｒ合金ｚｏｗｔ＊及びＦｅ１Ｏ＠８０ｗ
ｔ％ から成る混合粉末を使用して、同一条件で、４回
溶射を施したところ、設定抵抗値１６Ωを有する抵抗体
が得られ次。
ｔ％ から成る混合粉末を使用して、同一条件で、４回
溶射を施したところ、設定抵抗値１６Ωを有する抵抗体
が得られ次。
実施例２
アルミナ製絶縁基板上に、所定の形状を有するスリット
一ついたアルミニウム薄板製のマスクを配置し、Ｍ６Ｓ
ｉｌ ２０ ｗｔチ及びＦｔ４０ｓ ８０ ｗｔ％から
成る粉末を、グ２）ｅマ溶射装置を用いて、３２Ｖ、７
５０Ａ、粉末供給量２４ ｆ／ｍｉｎ 、及び走査速
度３００ ｍｌ ｓｅｃの条件で８秒間溶射を施したと
ころ、実質抵抗値１４ＫＱｔ−有する抵抗体が得られた
。
一ついたアルミニウム薄板製のマスクを配置し、Ｍ６Ｓ
ｉｌ ２０ ｗｔチ及びＦｔ４０ｓ ８０ ｗｔ％から
成る粉末を、グ２）ｅマ溶射装置を用いて、３２Ｖ、７
５０Ａ、粉末供給量２４ ｆ／ｍｉｎ 、及び走査速
度３００ ｍｌ ｓｅｃの条件で８秒間溶射を施したと
ころ、実質抵抗値１４ＫＱｔ−有する抵抗体が得られた
。
次に、同一材料を使用して、プラズマ溶射装置の走査速
度を４００■／ｓｅｃ ＆′Ｃ変えて、５回溶射を繰
夕返したところ、設定抵抗値１０にΩを有する抵抗体が
得られ次。
度を４００■／ｓｅｃ ＆′Ｃ変えて、５回溶射を繰
夕返したところ、設定抵抗値１０にΩを有する抵抗体が
得られ次。
以上のことから明らかなように、本発明方法によれば、
設定抵抗値に対して精度の高い抵抗体ｄｉ容易に形成出
来るものである。
設定抵抗値に対して精度の高い抵抗体ｄｉ容易に形成出
来るものである。
第１図は、スクリーン印刷法により形成し比抵抗体に、
トリミングを施した場合の概念図、第２図は、第１図の
抵抗体に、トッグノ・ット全形成した場合の概念図であ
る。 １＝・電極、２・・・抵抗体、３・・・切多欠き部、４
・・・抵抗体中間部、５・・・１７１７１７１部。 第１図 ２ 第２図 第１頁の続き ０発 明 者 松本博 川崎市幸区小向東芝町１番地東 京芝浦電気株式会社トランジス ター工場内
トリミングを施した場合の概念図、第２図は、第１図の
抵抗体に、トッグノ・ット全形成した場合の概念図であ
る。 １＝・電極、２・・・抵抗体、３・・・切多欠き部、４
・・・抵抗体中間部、５・・・１７１７１７１部。 第１図 ２ 第２図 第１頁の続き ０発 明 者 松本博 川崎市幸区小向東芝町１番地東 京芝浦電気株式会社トランジス ター工場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板上に、設定抵抗値よりも高−抵抗値を有する
抵抗体を溶射により形成し、次いで、該抵抗体上に、更
に溶射【施して、徐々に設定抵抗値に近づけることを特
徴とする抵抗体の形成方法。 ２ 設定抵抗値に近づける方法が、設定抵抗値よりも高
い抵抗・値Ｙ１：有する抵抗体を形成する際に使用する
抵抗体材料よ夕も、高い抵抗値を有する抵抗体材料を使
用することである特許請求の範囲第１項記載の抵抗体の
形成方法。 ３、 設定抵抗値に近づける方法が、一度の溶射による
抵′抗体材料の付着量を少なくすることである特許請求
の範囲第１項記載の抵抗、体の形成方法。 ４ 設定抵抗値に近づける方法が、溶射の際に使用する
マスク／母ターンの抵抗体表面積を広くすることである
特許請求の範囲第１項記載の抵抗体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11354981A JPS5816506A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 抵抗体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11354981A JPS5816506A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 抵抗体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816506A true JPS5816506A (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=14615115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11354981A Pending JPS5816506A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 抵抗体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816506A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694865A2 (en) | 1994-07-18 | 1996-01-31 | Wacom Co., Ltd. | Position detector |
| EP0740265A2 (en) | 1995-04-27 | 1996-10-30 | Wacom Co., Ltd. | Position sensing method for the use in coordinate input apparatus |
| EP0743612A1 (en) | 1995-05-18 | 1996-11-20 | Wacom Co., Ltd. | Coordinate detecting device, and information detecting method therefor |
| US5748110A (en) * | 1995-04-13 | 1998-05-05 | Wacom Co., Ltd. | Angular input information system relative to a tablet for determining an incline angle of a pointer or stylus |
| KR20110110006A (ko) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP11354981A patent/JPS5816506A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694865A2 (en) | 1994-07-18 | 1996-01-31 | Wacom Co., Ltd. | Position detector |
| US5748110A (en) * | 1995-04-13 | 1998-05-05 | Wacom Co., Ltd. | Angular input information system relative to a tablet for determining an incline angle of a pointer or stylus |
| EP0740265A2 (en) | 1995-04-27 | 1996-10-30 | Wacom Co., Ltd. | Position sensing method for the use in coordinate input apparatus |
| US5675130A (en) * | 1995-04-27 | 1997-10-07 | Wacom, Co., Ltd. | Position sensing method for use in coordinate input apparatus |
| EP0743612A1 (en) | 1995-05-18 | 1996-11-20 | Wacom Co., Ltd. | Coordinate detecting device, and information detecting method therefor |
| KR20110110006A (ko) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US20110240221A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| US9021984B2 (en) * | 2010-03-30 | 2015-05-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
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