JPS5816245Y2 - 超高周波半導体装置用バイアス回路 - Google Patents
超高周波半導体装置用バイアス回路Info
- Publication number
- JPS5816245Y2 JPS5816245Y2 JP14436278U JP14436278U JPS5816245Y2 JP S5816245 Y2 JPS5816245 Y2 JP S5816245Y2 JP 14436278 U JP14436278 U JP 14436278U JP 14436278 U JP14436278 U JP 14436278U JP S5816245 Y2 JPS5816245 Y2 JP S5816245Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- ultra
- bias circuit
- frequency semiconductor
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は超高周波半導体装置用バイアス回路に関し、特
に大直流電流を供給可能な超高周波高出力半導体装置用
バイアス回路に関する。
に大直流電流を供給可能な超高周波高出力半導体装置用
バイアス回路に関する。
超高周波トランジスタ等を含む超高周波集積回路装置に
おいて、誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ
導体を通じて超高周波半導体素子にバイアスを給電する
場合、主電送線路に他端が高周波的短絡の四分の一波長
マイクロス） ＩＪツブ線路を接続し、該高周波の短絡
面から直流バイアスを供給することが行なわれる。
おいて、誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ
導体を通じて超高周波半導体素子にバイアスを給電する
場合、主電送線路に他端が高周波的短絡の四分の一波長
マイクロス） ＩＪツブ線路を接続し、該高周波の短絡
面から直流バイアスを供給することが行なわれる。
この場合、超高周波素子の動作周波数帯のインピーダン
スに影響を与えないようにバイアス回路の四分の一波長
線路はできるだけ高い特性インピーダンスの線路を用い
るため、ストリップ導体の幅は主線路のそれに比べて非
常に狭くなり、電流容量が大きくとれなかった。
スに影響を与えないようにバイアス回路の四分の一波長
線路はできるだけ高い特性インピーダンスの線路を用い
るため、ストリップ導体の幅は主線路のそれに比べて非
常に狭くなり、電流容量が大きくとれなかった。
特に高出力素子では大きな直流バイアス電流を必要とす
るためバイアス回路の四分の一波長線路の直流電流容量
の低さは問題であった。
るためバイアス回路の四分の一波長線路の直流電流容量
の低さは問題であった。
本考案の目的は前記欠点を除去した超高周波半導体装置
用バイアス回路を提供することにある。
用バイアス回路を提供することにある。
本考案によれば、超高周波半導体素子に直流バイアスを
供給する。
供給する。
誘電体基板上に形成されたマイクロス） ＩＪランプ体
の上部に直流電気抵抗を下げるように半田を付け、動作
周波数帯の信号が通過する主マイクロストリップ線路の
ストリップ導体には半田を付けないことを特徴とする超
高周波半導体装置用バイアス回路が得られる。
の上部に直流電気抵抗を下げるように半田を付け、動作
周波数帯の信号が通過する主マイクロストリップ線路の
ストリップ導体には半田を付けないことを特徴とする超
高周波半導体装置用バイアス回路が得られる。
第１図は本考案の÷実施例である超高周波半導体装置用
バイアス回路の平面図であり、第２図は第１図ＡＫおけ
る縦断面図である。
バイアス回路の平面図であり、第２図は第１図ＡＫおけ
る縦断面図である。
第１図において、誘電体３を用いた５０Ωマイクロスト
リツフ線路で構成された、超高周波トランジスタ素子側
につながれるバイアス回路の第一の端子２は、直流ブロ
ック用のチップコンデンサ６を通してバイアス回路の第
二の端子１につながれ、該バイアス回路の第一の端子２
には、ストリップ導体の上部が半田で被われた直流バイ
アスを供給するための四分の一波長マイクロストリップ
線路５が並列に接続されている。
リツフ線路で構成された、超高周波トランジスタ素子側
につながれるバイアス回路の第一の端子２は、直流ブロ
ック用のチップコンデンサ６を通してバイアス回路の第
二の端子１につながれ、該バイアス回路の第一の端子２
には、ストリップ導体の上部が半田で被われた直流バイ
アスを供給するための四分の一波長マイクロストリップ
線路５が並列に接続されている。
四分の一波長マイクロストリップ線路５の半田を付けた
端子１１はチップコンデンサ１０により高周波的に接地
面８に短絡されている。
端子１１はチップコンデンサ１０により高周波的に接地
面８に短絡されている。
接地面８はビス９によりストリップ線路の誘電体基板裏
面の接地面と電気的に接続されている。
面の接地面と電気的に接続されている。
チップコンデンサ６は半田４により、チップコンデンサ
１０は半田７および１１により固定されている。
１０は半田７および１１により固定されている。
第２図において、誘電体１３、接地面２３、ストリップ
導体２２からマイクロストリップ線路が構成され、スト
リップ導体２２のＬには半田１５が付げられている。
導体２２からマイクロストリップ線路が構成され、スト
リップ導体２２のＬには半田１５が付げられている。
このような本考案によれば、超高周波半導体素子に直流
バイアスを供給するマイクロストリップ導体の上部に、
直流電気抵抗を下げるように半田を付け、動作周波数帯
の信号が通過する主マイクロストリップ線路のストリッ
プ導体には半田を付けないため高周波特性を大きく変え
ずに直流電流容量を大きくできる特徴を有し、特に大き
な直流バイアス電流を必要とする高出力素子においてそ
の効果は顕著になる。
バイアスを供給するマイクロストリップ導体の上部に、
直流電気抵抗を下げるように半田を付け、動作周波数帯
の信号が通過する主マイクロストリップ線路のストリッ
プ導体には半田を付けないため高周波特性を大きく変え
ずに直流電流容量を大きくできる特徴を有し、特に大き
な直流バイアス電流を必要とする高出力素子においてそ
の効果は顕著になる。
第１図は本考案の一実施例であるところの超高周波半導
体装置用バイアス回路の平面図であり、第２図は第１図
中のＡにおける断面図である。 図にオイて、２は超高周波トランジスタ幸子側につなが
れるバイアス回路の第一の端子、１はバイアス回路の第
二の端子、３および１３（ｉ誘電体、６および１０はチ
ップキャパシタ、５はストリップ導体上に半田を付けた
四分の一波長マイクロストリップ線路、１１は四分の一
波長線路の端子、８は接地面、９はビス ４．γおよび
１５は半田、２２はストリップ導体、２３は裏面接地面
である。
体装置用バイアス回路の平面図であり、第２図は第１図
中のＡにおける断面図である。 図にオイて、２は超高周波トランジスタ幸子側につなが
れるバイアス回路の第一の端子、１はバイアス回路の第
二の端子、３および１３（ｉ誘電体、６および１０はチ
ップキャパシタ、５はストリップ導体上に半田を付けた
四分の一波長マイクロストリップ線路、１１は四分の一
波長線路の端子、８は接地面、９はビス ４．γおよび
１５は半田、２２はストリップ導体、２３は裏面接地面
である。
Claims (1)
- 超高周波半導体素子に直流バイアスを供給する誘電体基
板表面に形成されたマイクロストリップ導体の上部に直
流電気抵抗を下げるように半田を付けたことを特徴とす
る超高周波半導体装置用バイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14436278U JPS5816245Y2 (ja) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | 超高周波半導体装置用バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14436278U JPS5816245Y2 (ja) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | 超高周波半導体装置用バイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5561301U JPS5561301U (ja) | 1980-04-25 |
| JPS5816245Y2 true JPS5816245Y2 (ja) | 1983-04-02 |
Family
ID=29122904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14436278U Expired JPS5816245Y2 (ja) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | 超高周波半導体装置用バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816245Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-10-20 JP JP14436278U patent/JPS5816245Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5561301U (ja) | 1980-04-25 |
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