JPS58162091A - 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ素子及びその製造方法Info
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- JPS58162091A JPS58162091A JP4602782A JP4602782A JPS58162091A JP S58162091 A JPS58162091 A JP S58162091A JP 4602782 A JP4602782 A JP 4602782A JP 4602782 A JP4602782 A JP 4602782A JP S58162091 A JPS58162091 A JP S58162091A
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- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信用光源として有用な半導体レーザ素子に
関し、特に発＊ｇ値が小さく又モード制御の可能な埋め
込みへテロ構造の半導体レーザ素子に関するものである
。
関し、特に発＊ｇ値が小さく又モード制御の可能な埋め
込みへテロ構造の半導体レーザ素子に関するものである
。
埋め込み形半導体レーデ素子は、発振闇値が低く且つ発
振モードも制御し易い等の特徴を有することから、光通
信用光源として広く用いられている。この埋め込み形半
導体レーザ素子は、活性層となる結晶層の上下左右を活
性層よりも禁制帯幅が大きく屈折率は小さい結晶層によ
り取り囲み、活性層の両側の埋め込み層にはＰ％接合の
逆方向特性を利用した電流狭窄構造を設けたものが一般
的である。従って、このレーザ素子の性能は活性層の導
波路としての特性と、埋め込み層の電流阻止特性でほぼ
決定され、一般的には活性層の厚さと幅を小さくし、埋
め込み層中のＰ％接合の逆耐圧を大きくすることが望ま
しい。この目的のために様々な構造の埋め込み形半導体
レーザ素子が開発されてきたが、上記２つの点を両立さ
せることは困難であった。
振モードも制御し易い等の特徴を有することから、光通
信用光源として広く用いられている。この埋め込み形半
導体レーザ素子は、活性層となる結晶層の上下左右を活
性層よりも禁制帯幅が大きく屈折率は小さい結晶層によ
り取り囲み、活性層の両側の埋め込み層にはＰ％接合の
逆方向特性を利用した電流狭窄構造を設けたものが一般
的である。従って、このレーザ素子の性能は活性層の導
波路としての特性と、埋め込み層の電流阻止特性でほぼ
決定され、一般的には活性層の厚さと幅を小さくし、埋
め込み層中のＰ％接合の逆耐圧を大きくすることが望ま
しい。この目的のために様々な構造の埋め込み形半導体
レーザ素子が開発されてきたが、上記２つの点を両立さ
せることは困難であった。
例えば！Ｊ１図及び第２図に示すように、Ｐ形１ｎＰ基
板１上に順次Ｐ形１ｎＰバッファ層２ 、 Ｇａ１ｎＡ
ｚＰ活性層３及び筒形ＩルＰクラット層４を形成した後
進メサ形エツチングを行ない、活性層３を埋め込む従来
の埋め込み形半導体レーザ素子においては、微分量子効
率を高くするために活性層３の側面は抵抗率の高いＰ形
Ｉ％Ｐ結晶層６，９で埋め込む必要があるので、電流狭
窄用Ｐ％接合は第１図に示すようにＰ形Ｉ亀Ｐ結晶層６
下に３形１ｎＰ結晶層５を設けて活性層３より下側に形
成するか、或は、第２図に示すようにＰ形ＩＭＰ結晶層
９上に露形１１ＬＰ結晶層１０とＰ形ＩＭＰ結晶層１１
す設けて活性層５よりシ側に形成しなければならない。
板１上に順次Ｐ形１ｎＰバッファ層２ 、 Ｇａ１ｎＡ
ｚＰ活性層３及び筒形ＩルＰクラット層４を形成した後
進メサ形エツチングを行ない、活性層３を埋め込む従来
の埋め込み形半導体レーザ素子においては、微分量子効
率を高くするために活性層３の側面は抵抗率の高いＰ形
Ｉ％Ｐ結晶層６，９で埋め込む必要があるので、電流狭
窄用Ｐ％接合は第１図に示すようにＰ形Ｉ亀Ｐ結晶層６
下に３形１ｎＰ結晶層５を設けて活性層３より下側に形
成するか、或は、第２図に示すようにＰ形ＩＭＰ結晶層
９上に露形１１ＬＰ結晶層１０とＰ形ＩＭＰ結晶層１１
す設けて活性層５よりシ側に形成しなければならない。
第１図の構造によれば、Ｐ形半導体用のオーミック電極
７．ｐ形ＩＭＰ基板ｊ 、 ｐ ＮｅＩｎＦ ／（７７
７層２．ｐ形Ｉ％Ｐ結晶層６．語形１％Ｆクラッド層４
、Ｓ形半導体用のオーミック電極８の経過で漏れ電流が
流れるが、その値は高電流駆動時においても極めて小さ
い、従って高出力動作可能な半導体レーデが得られるが
、電流狭窄用の算形１ｎＰ結晶層５を活性層３よりも下
側に形成しなければならないので、活性層３は逆台形メ
サ構造のくびれ部分近くに設けることはできず、活性層
３の幅はある程度以上狭くすることができない、そのた
め、基本横モードで発振するレーザ素子が得難いという
欠点がある。
７．ｐ形ＩＭＰ基板ｊ 、 ｐ ＮｅＩｎＦ ／（７７
７層２．ｐ形Ｉ％Ｐ結晶層６．語形１％Ｆクラッド層４
、Ｓ形半導体用のオーミック電極８の経過で漏れ電流が
流れるが、その値は高電流駆動時においても極めて小さ
い、従って高出力動作可能な半導体レーデが得られるが
、電流狭窄用の算形１ｎＰ結晶層５を活性層３よりも下
側に形成しなければならないので、活性層３は逆台形メ
サ構造のくびれ部分近くに設けることはできず、活性層
３の幅はある程度以上狭くすることができない、そのた
め、基本横モードで発振するレーザ素子が得難いという
欠点がある。
また、第２図の構造によれば、電流狭窄用の話形ＩＭＰ
結晶層１０は活性層Ｓより上方に位置するので、活性層
Ｓｖ逆台形メ夛構造のくびれ部分近くに位置させること
ができ、活性層３の幅を充分に狭くすることができる。
結晶層１０は活性層Ｓより上方に位置するので、活性層
Ｓｖ逆台形メ夛構造のくびれ部分近くに位置させること
ができ、活性層３の幅を充分に狭くすることができる。
しかし、このような構造によると、ある程度大きな電流
で駆動された場合、オーミック電極７．２形１ｎＦ基板
１１Ｐ形ＩＭＰバッファ層２．Ｐ形Ｉ％Ｐ結晶層９１％
形１ｎＰ結晶層１０９％形Ｉ％Ｐクラッド層４．オーミ
ック電極８の経路で流れる漏れ電流が増加するために光
出力が飽和し、高出力動作の半導体レーザ素子が得られ
ないという欠点がある。
で駆動された場合、オーミック電極７．２形１ｎＦ基板
１１Ｐ形ＩＭＰバッファ層２．Ｐ形Ｉ％Ｐ結晶層９１％
形１ｎＰ結晶層１０９％形Ｉ％Ｐクラッド層４．オーミ
ック電極８の経路で流れる漏れ電流が増加するために光
出力が飽和し、高出力動作の半導体レーザ素子が得られ
ないという欠点がある。
本発明はこのような従来の欠点を改善したものであり、
その目的は、活性層を逆台形メサ構造のくび、れ部分近
くに設けて活性層幅を狭くするとともに、埋め込み結晶
層を形成した後に活性層の位置する部分を除いて活性層
の下の位置まで結晶表面よりプロトン等の荷電粒子を照
射して活性層の側面の結晶層を高抵抗化させて電流を流
れにくくすることにより、基本横モードでの発振及び高
出力動作を可能とすることにある。以下実施例について
詳細に説明する。
その目的は、活性層を逆台形メサ構造のくび、れ部分近
くに設けて活性層幅を狭くするとともに、埋め込み結晶
層を形成した後に活性層の位置する部分を除いて活性層
の下の位置まで結晶表面よりプロトン等の荷電粒子を照
射して活性層の側面の結晶層を高抵抗化させて電流を流
れにくくすることにより、基本横モードでの発振及び高
出力動作を可能とすることにある。以下実施例について
詳細に説明する。
１８３図は本発明実施例の要部素子断面図であり、８１
図及び第２図と同一符号は同一部分を示し、１２はＰ形
又は魯形のＩＭＰ又はＧ＠１％ＡｚＰ層から成る埋め込
み層、１ｓはプロトン照射高抵抗領域である。
図及び第２図と同一符号は同一部分を示し、１２はＰ形
又は魯形のＩＭＰ又はＧ＠１％ＡｚＰ層から成る埋め込
み層、１ｓはプロトン照射高抵抗領域である。
本実施例の半導体レーザ素子は、同図に示すようにＰ形
ＩＭＰ基板１上に順次形成されたＰ形１ｎＰバッファ層
２ 、 Ｇｇｌ＊ＡｐＰ活性層３及び製形ＩＭＰクラッ
ド層４を逆メチ形にエツチングして、活性層５が下端の
くびれ部分近くに位置する逆台形メサ構造を形成しであ
る。また、この逆台形メチ構造はＰ形又は算形のＩ％Ｐ
又はＧｇ１％ＡｔＰ層から成る埋め込み層１２で埋め込
まれている。そして、活性層３上方の逆台形メチ構造上
に活性層３の幅と同一か或はそれより狭い幅を有するス
トライプ状のオーミック電極８が形成され、このストラ
イプ状電極下の領域を除く逆台形メサ構造及び埋め込み
層１２を含む活性層Ｓよりも深い領域がプロトン照射高
抵抗領域１５となっている。即ち、活性層３と接する埋
め込み層１２の領域が活性層３の一部の領域を含めて高
抵抗化されている。
ＩＭＰ基板１上に順次形成されたＰ形１ｎＰバッファ層
２ 、 Ｇｇｌ＊ＡｐＰ活性層３及び製形ＩＭＰクラッ
ド層４を逆メチ形にエツチングして、活性層５が下端の
くびれ部分近くに位置する逆台形メサ構造を形成しであ
る。また、この逆台形メチ構造はＰ形又は算形のＩ％Ｐ
又はＧｇ１％ＡｔＰ層から成る埋め込み層１２で埋め込
まれている。そして、活性層３上方の逆台形メチ構造上
に活性層３の幅と同一か或はそれより狭い幅を有するス
トライプ状のオーミック電極８が形成され、このストラ
イプ状電極下の領域を除く逆台形メサ構造及び埋め込み
層１２を含む活性層Ｓよりも深い領域がプロトン照射高
抵抗領域１５となっている。即ち、活性層３と接する埋
め込み層１２の領域が活性層３の一部の領域を含めて高
抵抗化されている。
上記構造において、Ｐ形Ｉ％Ｐバッファ層２及び島形Ｉ
ＭＰクラッド層４は活性層３より低屈折率で且つ禁制帯
幅が大きく、埋め込み層１２は活性層５より低屈折率に
なっている。この実施例では埋め込み層１２を単層で構
成したが、活性層３に接する領域が活性層３より低屈折
率になれば多層構造にしても良い。またが活性層３より
禁制帯幅な大きくして電流閉じ込め作用をもたせても良
い。尚、活性層３及び埋め込み層１２のＧαＩｎＡｚＰ
４元混晶の格子定数はＩ％Ｐ単結晶の格子定数に合致
させておこのような構造の半導体レーザ素子を製造する
には、まずＰ形Ｉ％Ｐ基板１上に液相成長法あるいは気
相成長法等により、Ｐ形Ｉ％Ｐバッファ層２゜Ｇｇ１％
ＡＩＦ活性層３．原形Ｉ％Ｐクラッド層４の順で各結晶
層を形成し、次にその表面にスパッタ法。
ＭＰクラッド層４は活性層３より低屈折率で且つ禁制帯
幅が大きく、埋め込み層１２は活性層５より低屈折率に
なっている。この実施例では埋め込み層１２を単層で構
成したが、活性層３に接する領域が活性層３より低屈折
率になれば多層構造にしても良い。またが活性層３より
禁制帯幅な大きくして電流閉じ込め作用をもたせても良
い。尚、活性層３及び埋め込み層１２のＧαＩｎＡｚＰ
４元混晶の格子定数はＩ％Ｐ単結晶の格子定数に合致
させておこのような構造の半導体レーザ素子を製造する
には、まずＰ形Ｉ％Ｐ基板１上に液相成長法あるいは気
相成長法等により、Ｐ形Ｉ％Ｐバッファ層２゜Ｇｇ１％
ＡＩＦ活性層３．原形Ｉ％Ｐクラッド層４の順で各結晶
層を形成し、次にその表面にスパッタ法。
ＣＶＤ法等とフォトエツチング技術によりＳｉｎ！膜。
Ａｔ、Ｏａ膜あるいは５ＬｓＮ４膜などの適当な幅のス
トライプ状薄膜を形成する。
トライプ状薄膜を形成する。
次にこのストライプ状薄膜をマスクとして利用してＰ形
Ｉ％Ｐバッファ層２が現れるまで又はそれ以上メサエッ
チングを行ない、逆台形メチ構造を形成する。
Ｉ％Ｐバッファ層２が現れるまで又はそれ以上メサエッ
チングを行ない、逆台形メチ構造を形成する。
次に、上記工程で結晶の取りさられた部分に何らかの結
晶成員法により埋め込み層１２を形成し、逆台形メチ構
造を埋め込む、この後、活性層３の幅と同一か或は狭い
幅を有するストライプ状電極８、例えばＡｓ −Ｇｇ−
Ｎｉ合金電極を活性層５上方の逆台形メチ構造上面（％
形ＩＭＰクラッド層４上面）に形成し、このストライプ
状電極８をマスクとして利用してプロトン等の荷電粒子
を活性層３下面より深く照射し、高抵抗領域１３を形成
する。
晶成員法により埋め込み層１２を形成し、逆台形メチ構
造を埋め込む、この後、活性層３の幅と同一か或は狭い
幅を有するストライプ状電極８、例えばＡｓ −Ｇｇ−
Ｎｉ合金電極を活性層５上方の逆台形メチ構造上面（％
形ＩＭＰクラッド層４上面）に形成し、このストライプ
状電極８をマスクとして利用してプロトン等の荷電粒子
を活性層３下面より深く照射し、高抵抗領域１３を形成
する。
次に、２形半導体用のオーミック電極７例えばＡｍ−ｆ
ｉｎ合金電極を形成した後、第３図の紙面に垂直方向に
嘴開、エツチング等の手段で切断して適当な間隔の共振
器を形成する。
ｉｎ合金電極を形成した後、第３図の紙面に垂直方向に
嘴開、エツチング等の手段で切断して適当な間隔の共振
器を形成する。
〈具体例〉
液相成長法を用いてＩＭＰ ／ Ｇａ１％ＡＪＦ、Ｐ糸
材料により以下のような半導体レーザ素子を製造した。
材料により以下のような半導体レーザ素子を製造した。
ｐａｒ％Ｐバッファ層２
不純物濃度１ ｘｌｏ”ｃｍ−’、 厚す２〜５ｐｙｘ
活性層５ Ｐ形Ｇａ１ｖｂＡｚＰ ４元混晶層、幅１．５．＃ｊｌ
ｌ、厚さ０．２μ罵譜形Ｉ襲Ｐクラッド層４ 不純物濃度５ｘ１０ ｃ講、厚さ１．５μ諺埋め込み層
１２ Ｐ形Ｉ％Ｐ結晶層、不純物濃度２ｘ１０ｃｍ高抵抗領域
１３ 抵抗率１×１０９Ω・Ｃ７Ｉ１．深さ；素子表面から２
．０μ肩、方法；約１０”ト−：Ｘ （ＤＱＳｅ） （
ｃｗｓ、−２） （７） ７” ＣＩ ） ＶＷＡ射 オーミック電極８ 幅１．５戸罵のＡ賢−〇ａ−Ｎｉ合金電極このレーザ素
子（共振器長２００μｌ１Ｋ）に対し、室温にて、パル
ス幅１声ｓｅｃ 、繰り返し周波数５ＫＩｈのパルス電
源から０〜４Ａの電流を流したところ、１５ｔｍＡでレ
ーザ発振を開始し、光出力は飽和することなく単調に増
加し、５Ａで５００ＩｌｌＷの光出力を得ることができ
た。このとき、遠視野像を観測したところ、電流値が大
きくなった場合においても基本横モードで発振している
ことが確認された。
活性層５ Ｐ形Ｇａ１ｖｂＡｚＰ ４元混晶層、幅１．５．＃ｊｌ
ｌ、厚さ０．２μ罵譜形Ｉ襲Ｐクラッド層４ 不純物濃度５ｘ１０ ｃ講、厚さ１．５μ諺埋め込み層
１２ Ｐ形Ｉ％Ｐ結晶層、不純物濃度２ｘ１０ｃｍ高抵抗領域
１３ 抵抗率１×１０９Ω・Ｃ７Ｉ１．深さ；素子表面から２
．０μ肩、方法；約１０”ト−：Ｘ （ＤＱＳｅ） （
ｃｗｓ、−２） （７） ７” ＣＩ ） ＶＷＡ射 オーミック電極８ 幅１．５戸罵のＡ賢−〇ａ−Ｎｉ合金電極このレーザ素
子（共振器長２００μｌ１Ｋ）に対し、室温にて、パル
ス幅１声ｓｅｃ 、繰り返し周波数５ＫＩｈのパルス電
源から０〜４Ａの電流を流したところ、１５ｔｍＡでレ
ーザ発振を開始し、光出力は飽和することなく単調に増
加し、５Ａで５００ＩｌｌＷの光出力を得ることができ
た。このとき、遠視野像を観測したところ、電流値が大
きくなった場合においても基本横モードで発振している
ことが確認された。
以上説明したように、本発明に依れば、活性層の側面を
より低屈折率な結晶層で形成すると共にプロトン等の荷
電粒子照射によって高抵抗領域としたものであり、充分
な光閉じ込めが可能であるとともに埋め込み層を通して
の漏れ電流を極めて少なくすることが可能となる。また
、活性層の位置を逆台形メチ構造のくびれ部分の近くに
位置させたので活性層の幅を狭くすることができ、基本
横モード発振可能な半導体レーザ素子が容易に得られる
利点がある。なお、第３図から判るように本発明におい
ては結晶上面のストライプ状電極８の幅は狭くなるので
、この部分での接触抵抗を軽減するためにはＰ形基板を
用いたレーザ素子とし、ストライプ電極を原形結晶上に
形成することが望ましい、しかし、ル形基板によるレー
ザ素子にも応用可能であることは勿論のことである。ま
た、ＩＭＰ ／ Ｇｘｌ＊１ｋｚＰ系以外の結晶材料、
たとえばＧａＭル／ ＧａＡｅ 、 ＧｇＡｌｌ５Ｐ
／ ＧｇＩｎＦ等も当然使用可能である。
より低屈折率な結晶層で形成すると共にプロトン等の荷
電粒子照射によって高抵抗領域としたものであり、充分
な光閉じ込めが可能であるとともに埋め込み層を通して
の漏れ電流を極めて少なくすることが可能となる。また
、活性層の位置を逆台形メチ構造のくびれ部分の近くに
位置させたので活性層の幅を狭くすることができ、基本
横モード発振可能な半導体レーザ素子が容易に得られる
利点がある。なお、第３図から判るように本発明におい
ては結晶上面のストライプ状電極８の幅は狭くなるので
、この部分での接触抵抗を軽減するためにはＰ形基板を
用いたレーザ素子とし、ストライプ電極を原形結晶上に
形成することが望ましい、しかし、ル形基板によるレー
ザ素子にも応用可能であることは勿論のことである。ま
た、ＩＭＰ ／ Ｇｘｌ＊１ｋｚＰ系以外の結晶材料、
たとえばＧａＭル／ ＧａＡｅ 、 ＧｇＡｌｌ５Ｐ
／ ＧｇＩｎＦ等も当然使用可能である。
１１１図及び第２図は従来の半導体レーザ素子の断面図
、第５図は本発明実施例の素子断面図である。 １はｐｅｅｒ％Ｐ基板、２はＰ形Ｉ％Ｐバッファ層、３
はＧａ１ｎＡｚＰ活性層、４は原形１ｓＦ クラｌ：／
Ｆ層、５．１０は原形１ｎＰ結晶層、６，９．１１は
ｐ形ＩルＰ結晶層、７，８はオーミック電極、１２は埋
め込み層、１５はプロトン照射高抵抗領域である。 特許出願人 日本電信電話公社
、第５図は本発明実施例の素子断面図である。 １はｐｅｅｒ％Ｐ基板、２はＰ形Ｉ％Ｐバッファ層、３
はＧａ１ｎＡｚＰ活性層、４は原形１ｓＦ クラｌ：／
Ｆ層、５．１０は原形１ｎＰ結晶層、６，９．１１は
ｐ形ＩルＰ結晶層、７，８はオーミック電極、１２は埋
め込み層、１５はプロトン照射高抵抗領域である。 特許出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- （１） 半導体結晶基板上に形成された逆台形メサ構
造のくびれ部分付近に設けられ上下がより低屈折率で禁
制帯幅の大きな半導体結晶で挾まれた活性層と、該活性
層に接する領域が該活性層より低屈折率な半導体結晶か
ら成る埋め込み層と、前記活性層上方の前記逆台形メサ
構造上面に形成され前記活性層と同一幅か又はそれより
狭い幅を有するストライプ状電極とを具備し、該ストラ
イプ状電極下方の領域を除く素子表面から少なくとも前
記活性層下面までの領域が荷電粒子照射により高抵抗化
されていることを特徴とする半導体レーザ素子。 偉）上下がより低屈折率で且つ禁制帯幅の大きな半導体
結晶で挾まれた活性層をくびれ部分付近に設けた逆台形
メサ構造を半導体結晶基板上に形成し、次いで前記活性
層をそれより低屈折率な半導体結晶層で埋め込み、次い
で前記活性層上方の前記逆台形メチ構造上に前記活性層
と同一幅か又はそれより幅の狭いストライブ状電極を形
成し、次いで該ストライブ状電極をマスクとして少なく
とも前記活性層下面まで荷電粒子照射を行なって該領域
を高抵抗化する工程を含むことを特徴とする半導体レー
ザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4602782A JPS58162091A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4602782A JPS58162091A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162091A true JPS58162091A (ja) | 1983-09-26 |
Family
ID=12735557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4602782A Pending JPS58162091A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162091A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281389A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Canon Inc | 半導体レ−ザ |
| JPS63236383A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4865882A (ja) * | 1971-12-02 | 1973-09-10 | ||
| JPS531482A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor injection type laser |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP4602782A patent/JPS58162091A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4865882A (ja) * | 1971-12-02 | 1973-09-10 | ||
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| JPS63236383A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
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