JPS58162072A - 光−抵抗値変換素子 - Google Patents

光−抵抗値変換素子

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Publication number
JPS58162072A
JPS58162072A JP57045857A JP4585782A JPS58162072A JP S58162072 A JPS58162072 A JP S58162072A JP 57045857 A JP57045857 A JP 57045857A JP 4585782 A JP4585782 A JP 4585782A JP S58162072 A JPS58162072 A JP S58162072A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
porometer
stem
thermistor
resistance value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57045857A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Umetsu
梅津　正雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chino Corp
Original Assignee
Chino Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chino Works Ltd filed Critical Chino Works Ltd
Priority to JP57045857A priority Critical patent/JPS58162072A/ja
Publication of JPS58162072A publication Critical patent/JPS58162072A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の分野 この発明は、サーミスタボロメータのような光−抵抗値
変換素子に関するものである。
（２）従来技術 第１図で示すように、サーミスタボロメータ１は、検出
素子１１と、補償素子１２とを直列に接続し。
電圧子Ｅを印加し、その中点の電圧を演算増幅器環より
なる測定回路２ｔ−介して！！す出している。
そして、このようなサーミスタボロメータ１は。
第２図、第３図で示すように、ステム３の中央部に検出
素子１１．透光板４を介して周辺部に補償素子１２ヲ設
け、透光用窓材６を有するキャップ５内に画素子１１　
、１２を収納している。
このように、ステム３．キャップ５よりなる収納体内に
２つの素子１１　、１２を平面的に位置させると、収納
体ケースが大きくなってしまい、スベーへを多くと君、
またケーへも特殊品となシ・ヘトの上昇を招いていた。
特に、２素子、３素子以上のもので大きな問題であった
。
（３）発明の目的 この発明の目的は９以上の点に鑑み、小型化を図っ九サ
ーミスタボロメータのような光−抵抗値変換素子を提供
することである。
（４）発明の実施例 ９４図は、この発明の一実施例を示す構成説明図である
。
図、において、　　ＩＦ！、サーミスタボロメータを示
し３はステム、５は窓材６ｔ−有するキャップで、ステ
ム３．キャップ５で収納体を構成し、ステム３に保持具
７を設け、その上に光−抵抗値変換素子としてのサーミ
スタボロメータの検出素子１１を設け、その下部のステ
ム３上にサーミスタボロメータの補償素子１２を設け、
各素子１１　、１２の出力は。
リード線８．ビン９を介して取シ出せるようになってい
る。
第５図は、他の実施例を示し、第４図と同一符号は同一
構成要素を示し、第４図の例では検出素側に設けるよう
構成している。
このように、検出素子、補償素子を上下方向に配設して
、水平方向のスペースの削減を図っているので、小形の
ケースで済み、しかも近接配置させることができるので
、いっそう補償精度が向上する０ （５）発明の要約 以上述べたように、この発明は、検出素子と補償素子と
を上下に配置し、収納体に収納し九ことを特徴とする光
−抵抗値変換素子である。
（６）発明の効果 水平方向の場所はとらないので、収納体ケースの小型化
、標準化が可能で安価なものとなシ、又。
画素子を近接配置できるので、いっそう補償精度が向上
する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明に係る回路図、第２図、第３図は従
来例を示す構成説明図、第４図、第５図はこの発明の一
実施例を示す構成説明図である。 １・・・サーミスタボロメータ、１１・・・検出素子、
１２・・・補償素子、３．５・・・収納体 特許出願人　株式会社　千野製作所

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、検出素子と補償素子とを上下に配置し、収納体に収
    納したことを特徴とする光−抵抗値変換素子。 ２　補償素子を検出素子の裏側に設けるようにしたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光−抵抗値変
    換素子。
JP57045857A 1982-03-23 1982-03-23 光−抵抗値変換素子 Pending JPS58162072A (ja)

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JPS58162072A true JPS58162072A (ja) 1983-09-26

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5506442A (en) * 1993-11-25 1996-04-09 Nec Corporation Variable-capacitance device and semiconductor integrated circuit device having such variable-capacitance device
JP2022511262A (ja) * 2018-08-23 2022-01-31 レイセオン カンパニー ピクセルごとの暗基準ボロメータ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5660325A (en) * 1980-05-19 1981-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Infrared ray detector

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5660325A (en) * 1980-05-19 1981-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Infrared ray detector

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5506442A (en) * 1993-11-25 1996-04-09 Nec Corporation Variable-capacitance device and semiconductor integrated circuit device having such variable-capacitance device
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