JPS58161765A - 真空蒸着法 - Google Patents
真空蒸着法Info
- Publication number
- JPS58161765A JPS58161765A JP4242882A JP4242882A JPS58161765A JP S58161765 A JPS58161765 A JP S58161765A JP 4242882 A JP4242882 A JP 4242882A JP 4242882 A JP4242882 A JP 4242882A JP S58161765 A JPS58161765 A JP S58161765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- moo3
- base plate
- vacuum
- vapor deposition
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低温で蒸１ｉ１ｒｔ行なう真空蒸着法に関する
ものである。
ものである。
従来の真空蒸着法は、蒸着Ｔぺ當元素【母材としテＣｒ
Ｌ ｌｉ−加熱し、／Ｘ／（７−”ＴｏｒｒＮ／Ｔｏｒ
ｒ ＠７Ａ度の蒸気圧が得らｎる温度に維持して蒸着【
行なうものである。ところで、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｕｓ、Ｍｏ
は融点か高く、蒸発し細い元素であって上記の蒸気圧【
ＪＩる＆：はそれｆれ３３コロ〜弘デ００°Ｋ（Ｔｃ）
、参σ１０〜Ｊ”ｆＡσ’Ｋ （Ｒｅ） 、ａｔｊｒ４
〜！ｒ２４０°Ｋ（Ｕ＠）。
Ｌ ｌｉ−加熱し、／Ｘ／（７−”ＴｏｒｒＮ／Ｔｏｒ
ｒ ＠７Ａ度の蒸気圧が得らｎる温度に維持して蒸着【
行なうものである。ところで、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｕｓ、Ｍｏ
は融点か高く、蒸発し細い元素であって上記の蒸気圧【
ＪＩる＆：はそれｆれ３３コロ〜弘デ００°Ｋ（Ｔｃ）
、参σ１０〜Ｊ”ｆＡσ’Ｋ （Ｒｅ） 、ａｔｊｒ４
〜！ｒ２４０°Ｋ（Ｕ＠）。
ＳＳｔ←→ｔｔＪ０Ｋ（Ｍｏ）の高温に加熱Ｔる必要が
ある。蒸気圧は加熱温度に対してほぼ指数１４１＆的に
かわるから、温度が上記の温度かられずかに８かっても
蒸気圧は極端に低Ｆし、実用上蒸着が進行しない。した
かつて、上記従来の真空蒸着法は、上記元素ｔ−１ＩＡ
着Ｔる方法として１母材ｆ：長時間高温に紬持するため
の消費電力が大きく１また高温にｍ１目れた母材からの
強い輻射熱による基板、装置への愚影響が見られるなど
の欠点を有していたＯ 本尭見は、こわらの欠点を除責Ｔるために低温で蒸発し
易い酸化物【用い、その蒸気を水素ガスで還元して純粋
な元素な蒸着させるもので、以Ｆ図面について詳細に説
明する。
ある。蒸気圧は加熱温度に対してほぼ指数１４１＆的に
かわるから、温度が上記の温度かられずかに８かっても
蒸気圧は極端に低Ｆし、実用上蒸着が進行しない。した
かつて、上記従来の真空蒸着法は、上記元素ｔ−１ＩＡ
着Ｔる方法として１母材ｆ：長時間高温に紬持するため
の消費電力が大きく１また高温にｍ１目れた母材からの
強い輻射熱による基板、装置への愚影響が見られるなど
の欠点を有していたＯ 本尭見は、こわらの欠点を除責Ｔるために低温で蒸発し
易い酸化物【用い、その蒸気を水素ガスで還元して純粋
な元素な蒸着させるもので、以Ｆ図面について詳細に説
明する。
ｌｌ１ｍは本発明の一実施例【示Ｔ図であって、Ｍｏ０
ａ７ｆ母材としてＭｏｆ蒸着Ｔる場合【示している。図
においてｌはるつぼ、２は母材であるＭＯＯＡ ％ ｇ
はヒーター、４はＩｌ軸したＭｏＯ島の蒸気・５は水嵩
ガス吹き込み用ノズル、６は基板、７はＭｏの着層展、
８は真空容器である。
ａ７ｆ母材としてＭｏｆ蒸着Ｔる場合【示している。図
においてｌはるつぼ、２は母材であるＭＯＯＡ ％ ｇ
はヒーター、４はＩｌ軸したＭｏＯ島の蒸気・５は水嵩
ガス吹き込み用ノズル、６は基板、７はＭｏの着層展、
８は真空容器である。
真空蒸Ｎ【行うには、まず真空容器８０内ａで、ルツぼ
ｌ ＆： 入ｎ ｅ Ｍｏ ｏ、 ｌ ｆ ？： −ａ
８で１２０°にニ加熱Ｔる。こｎでＭｏｂ、はＩｍ
脅して１ｘｔｏ−”Ｔｏｒｒ程度の蒸気となる。この状
−のところにノズルＳ艙辿して水素ガス【吹き込む◎こ
れによってＭｏｂ、蒸気と水素ガスの間で Ｍｏｂ、 ＋ ＪＨ，−＋ Ｍｏ−）−ＪＨ，０な
る反応が進み、Ｍｏが生じ基板６の１１！面に蒸着して
Ｍｏの蒸Ｎ換７か形ｇ７Ｅれる◎ ｌ！たＩＩＪ図は本発明の別の実施例を示Ｔ図である。
ｌ ＆： 入ｎ ｅ Ｍｏ ｏ、 ｌ ｆ ？： −ａ
８で１２０°にニ加熱Ｔる。こｎでＭｏｂ、はＩｍ
脅して１ｘｔｏ−”Ｔｏｒｒ程度の蒸気となる。この状
−のところにノズルＳ艙辿して水素ガス【吹き込む◎こ
れによってＭｏｂ、蒸気と水素ガスの間で Ｍｏｂ、 ＋ ＪＨ，−＋ Ｍｏ−）−ＪＨ，０な
る反応が進み、Ｍｏが生じ基板６の１１！面に蒸着して
Ｍｏの蒸Ｎ換７か形ｇ７Ｅれる◎ ｌ！たＩＩＪ図は本発明の別の実施例を示Ｔ図である。
この図の参照符号で第１ＷＪと同一のものは同−桝ｔ＆
要素【示Ｔ０この図において、１６．１６は放電電極、
１７は水素プラズマである。
要素【示Ｔ０この図において、１６．１６は放電電極、
１７は水素プラズマである。
この実施例においては、曹ず真空容＠８の中で、ルー）
Ｇｆｌ＆：入ｔＬＸ：ＭＯＯ，Ｉｔ−？ニー＃−ｍｌで
ｔｚｏＯＫに加熱する。こｎでＭｏへは蒸発して／ Ｘ
／ ｆ”Ｔｏｒｒ編度のａｍとなる。この状態のとこ
ろにノズル６を通して水嵩ガス配状き込み、ざらに二枚
の電極ｔｏ、ｔａの間に１００σＶ前後の電圧をかける
０これによって水素ガスが放電し、プラズマ１フが形ｔ
ｃｒれる◎プラズマ中の水素ガスは反応性が強化されて
おり、ＭＯＯ，蒸気との間で、ＭＯ０１１＋ ＪＨＩ
→Ｍ ｏ ＋ Ｊ Ｈｚ Ｏなる反応が進んでＭｏが生
じ、基板６の！！面に当蒸着ＩＩ？となって析出■る。
Ｇｆｌ＆：入ｔＬＸ：ＭＯＯ，Ｉｔ−？ニー＃−ｍｌで
ｔｚｏＯＫに加熱する。こｎでＭｏへは蒸発して／ Ｘ
／ ｆ”Ｔｏｒｒ編度のａｍとなる。この状態のとこ
ろにノズル６を通して水嵩ガス配状き込み、ざらに二枚
の電極ｔｏ、ｔａの間に１００σＶ前後の電圧をかける
０これによって水素ガスが放電し、プラズマ１フが形ｔ
ｃｒれる◎プラズマ中の水素ガスは反応性が強化されて
おり、ＭＯＯ，蒸気との間で、ＭＯ０１１＋ ＪＨＩ
→Ｍ ｏ ＋ Ｊ Ｈｚ Ｏなる反応が進んでＭｏが生
じ、基板６の！！面に当蒸着ＩＩ？となって析出■る。
上記フラスマ形ｗＬ＆：あたってＭｏｂａｇ気がプラズ
マ化Ｔる可能性も高く、その場合の反応性はざらに高く
なって着層速度の同上につながる。
マ化Ｔる可能性も高く、その場合の反応性はざらに高く
なって着層速度の同上につながる。
上記二つの実施例はＭｏの蒸着【行なう場合であるが、
本発明はＴｃ、ｈｅ、Ｕｓの蒸着も対象とする。この場
合は、それぞれＴｃ、０． 、Ｗｅ、０． 、ＯｓＯ。
本発明はＴｃ、ｈｅ、Ｕｓの蒸着も対象とする。この場
合は、それぞれＴｃ、０． 、Ｗｅ、０． 、ＯｓＯ。
【母材とし、かつ／Ｘ＃７−”Ｔｏｒｒ〜／ Ｔｏｒｒ
ノ蒸気圧【得るためにもつぼ温ｉｔ−それぞれ３Ｓ０
〜参σσ’Ｋ （Ｔｃ＠ ｇ ） 、４４００”１００
０Ｋ （Ｂｅ、鳴）、ｚｏｏ〜ａｇｏ°Ｋ （Ｏｓ０４
） Ｃ保テＧｆ Ｊ： イｏ ＩＡ 発ＩＩ ノ水素ガ
ス吹き込みはＭｏの場合と同一である。
ノ蒸気圧【得るためにもつぼ温ｉｔ−それぞれ３Ｓ０
〜参σσ’Ｋ （Ｔｃ＠ ｇ ） 、４４００”１００
０Ｋ （Ｂｅ、鳴）、ｚｏｏ〜ａｇｏ°Ｋ （Ｏｓ０４
） Ｃ保テＧｆ Ｊ： イｏ ＩＡ 発ＩＩ ノ水素ガ
ス吹き込みはＭｏの場合と同一である。
以上説明したように本発明による真空Ａ着法では、低い
温度で蒸着が行なわれるから、加熱電力の節約、輻射熱
による基板、装置への悪影響の防止に有効である。
温度で蒸着が行なわれるから、加熱電力の節約、輻射熱
による基板、装置への悪影響の防止に有効である。
易１図は本発明の一冥施例ｅ示す説明図、第１図は本発
明の別の実施例【示Ｔ説明図である＠ｌ・・・・・・る
つぼ、ト・・・・・ＭＯＯＩ 、 Ｂ−・・・・・ヒー
ター、４・・・・・・蒸発したＭｏＯ，蒸気、ｂ・・・
・・・水素ガス吹き込み用ノズル、６・・・・・・基板
、フ・・・・・・Ｍｏ蒸蒸着、８・・・・・・真空容器
、ｌδ・・・・・・放電ＩＩ誦、１７・・山・水素プラ
ズマ。 出−人日本電信ｍ話公社 第１図 ６ 第２図
明の別の実施例【示Ｔ説明図である＠ｌ・・・・・・る
つぼ、ト・・・・・ＭＯＯＩ 、 Ｂ−・・・・・ヒー
ター、４・・・・・・蒸発したＭｏＯ，蒸気、ｂ・・・
・・・水素ガス吹き込み用ノズル、６・・・・・・基板
、フ・・・・・・Ｍｏ蒸蒸着、８・・・・・・真空容器
、ｌδ・・・・・・放電ＩＩ誦、１７・・山・水素プラ
ズマ。 出−人日本電信ｍ話公社 第１図 ６ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 真空中で元素Ｔｃ、凡ｅ、Ｏｓ、Ｍｏのうちのいず
れかのもののＭ１ヒ物【加熱蒸発せしめ−これに水素ガ
ス【吹き込んで酸化物【還元し１上記元素【純物質の形
で基板上に蒸着せしめること【特徴とＴる真空蒸着法。 ２ 吹き込んだ水素ガスを電気的に励起して放電プラズ
マ【生ぜしめ、酸化物の還元【促進Ｔることｔ′特黴と
Ｔる特＃ｔ’ｆｉ求の範囲１１７項記載の真空蒸ｊ！１
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4242882A JPS58161765A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 真空蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4242882A JPS58161765A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 真空蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161765A true JPS58161765A (ja) | 1983-09-26 |
Family
ID=12635785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4242882A Pending JPS58161765A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 真空蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161765A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217339A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing thin tungsten film |
| JPS53142928A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-13 | Siemens Ag | Preparation of heattproof metal thin film |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP4242882A patent/JPS58161765A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217339A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing thin tungsten film |
| JPS53142928A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-13 | Siemens Ag | Preparation of heattproof metal thin film |
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