JPS58161324A - 目合わせ露光装置 - Google Patents
目合わせ露光装置Info
- Publication number
- JPS58161324A JPS58161324A JP57043229A JP4322982A JPS58161324A JP S58161324 A JPS58161324 A JP S58161324A JP 57043229 A JP57043229 A JP 57043229A JP 4322982 A JP4322982 A JP 4322982A JP S58161324 A JPS58161324 A JP S58161324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- substrate
- fitted
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims abstract description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract 1
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は目合わせ露光装置の構造に関する。
従来、目合わせ露光装置は装置全体を恒温クリーン・ベ
ンチ内に設置するのが通例である。
ンチ内に設置するのが通例である。
しかし、上記従来技術では露光時にマスクあるいはウェ
ーハ等の被露光基板に光等の素子エネルギーが照射、吸
収され、各々温度上昇し熱膨張するために、パターン寸
法の肇化や目合わせずれをおこす欠点がある。
ーハ等の被露光基板に光等の素子エネルギーが照射、吸
収され、各々温度上昇し熱膨張するために、パターン寸
法の肇化や目合わせずれをおこす欠点がある。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、寸法り化や目
合わせずれのない目合わせ露光装置を提供することを目
的とする。
合わせずれのない目合わせ露光装置を提供することを目
的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、目
合わせ露光装置において、マスクに形成された電気抵抗
体に電流を流すために、マスク保持部等実質的にマスク
・パターンの露光時のパターンへの影響のない部位に1
mf極あるいけマイクロ波等電磁誘導加熱装置を具備す
ることを特徴とすること。あるいけ、si等の被露光基
板に電流を流すために、被露光基板保持台に電極あるい
けマイクロ波等電磁誘導加熱装置を具備することを特徴
とする。
合わせ露光装置において、マスクに形成された電気抵抗
体に電流を流すために、マスク保持部等実質的にマスク
・パターンの露光時のパターンへの影響のない部位に1
mf極あるいけマイクロ波等電磁誘導加熱装置を具備す
ることを特徴とすること。あるいけ、si等の被露光基
板に電流を流すために、被露光基板保持台に電極あるい
けマイクロ波等電磁誘導加熱装置を具備することを特徴
とする。
旬下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明を説、明するための目合わせ露光装置の
要部の断面図を模式的に示した図面である。
要部の断面図を模式的に示した図面である。
ウェーハ保持台1には上部に保持されたレジスト3を塗
布したSiウェーハ2に電流を通すため電極がウェーハ
両端に接触して設けられるか、あるいは、保持台1内に
はマイクロ波等電磁誘導加熱のためのヘッドが設けられ
る。ガラス基板4、・りDAM、パターン5、Sn 0
2基かちなる電気抵抗体膜乙によって構成ばれたマスク
の両端KVi、マスク保持台7,8が設置畜れ1.討マ
スク保持台には電気抵抗体膜乙に電流を通すための電極
がマスク表面の電気抵抗体6と接して設けられるか、あ
るいけ、マスク保持台内部あるいけその周辺の部位に電
気抵抗体膜6あるいはクロム−パターン膜5KW磁波誘
導が熱すするための電磁波誘導ヘッドが設はられる。9
はHgランプである。
布したSiウェーハ2に電流を通すため電極がウェーハ
両端に接触して設けられるか、あるいは、保持台1内に
はマイクロ波等電磁誘導加熱のためのヘッドが設けられ
る。ガラス基板4、・りDAM、パターン5、Sn 0
2基かちなる電気抵抗体膜乙によって構成ばれたマスク
の両端KVi、マスク保持台7,8が設置畜れ1.討マ
スク保持台には電気抵抗体膜乙に電流を通すための電極
がマスク表面の電気抵抗体6と接して設けられるか、あ
るいけ、マスク保持台内部あるいけその周辺の部位に電
気抵抗体膜6あるいはクロム−パターン膜5KW磁波誘
導が熱すするための電磁波誘導ヘッドが設はられる。9
はHgランプである。
このように、マスク、あるいはウェーハ基板等を加熱で
錠るようにすることにより、露光的の光等の1子線照射
や元々ウェーハ基板あるいけマスク基板が する図形歪
因子を制御することができ目合わせずれやパターン寸法
の変体のない目合わせ露光が可能となる幼芽がある。
錠るようにすることにより、露光的の光等の1子線照射
や元々ウェーハ基板あるいけマスク基板が する図形歪
因子を制御することができ目合わせずれやパターン寸法
の変体のない目合わせ露光が可能となる幼芽がある。
第1図は本発明を説明するだめの、目合わせ露光装置の
要部の断面図を模式的に示したものである。 1・・ウェーハi持台 2・・t)エーハ3・・レジ
スト 4・・マスク基板5・・クロム・パター
ン 6・・電気抵抗体膜7.8・・マスク支持台 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎
要部の断面図を模式的に示したものである。 1・・ウェーハi持台 2・・t)エーハ3・・レジ
スト 4・・マスク基板5・・クロム・パター
ン 6・・電気抵抗体膜7.8・・マスク支持台 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎
Claims (2)
- (1) マスクとsiの被露光基板とを目合わせする
目合わせ装置に於て、マスクに形成された電気抵抗体に
電流を流すためにマスク保持部等実質的にマスクΦパタ
ーンの露光時のパターンへの影響のない部位に電極ある
いけマイクロ波等電磁誘導加熱装置を具備することを特
徴とする目合わせ露光の装置。 - (2)マスクと被露光基板とを目合わせする目合わせ装
置に於て、si等の被露光基板に電流を流すために、被
露光基板保持台に電極あるいはマイクロ波等電磁誘導加
熱装置を具備することを特徴とする目合わせ露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57043229A JPS58161324A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 目合わせ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57043229A JPS58161324A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 目合わせ露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58161324A true JPS58161324A (ja) | 1983-09-24 |
Family
ID=12658077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57043229A Pending JPS58161324A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 目合わせ露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58161324A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01155622A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Canon Inc | X線露光方法およびこれに用いられるマスク |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP57043229A patent/JPS58161324A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01155622A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Canon Inc | X線露光方法およびこれに用いられるマスク |
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