JPS58159326A - 半導体用パタ−ン転写方式 - Google Patents
半導体用パタ−ン転写方式Info
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- JPS58159326A JPS58159326A JP57041636A JP4163682A JPS58159326A JP S58159326 A JPS58159326 A JP S58159326A JP 57041636 A JP57041636 A JP 57041636A JP 4163682 A JP4163682 A JP 4163682A JP S58159326 A JPS58159326 A JP S58159326A
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- Japan
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- mercury
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明Ｏ技術分野〕
仁の発明は半導体用パターン転写方式にかかり、特に転
写のための露光用の光が単一まえは複数の夫々が定まっ
た波長に強度のピーク値を用いる転写方式における露光
調節の改良Ｋ１１ｌｌする。
写のための露光用の光が単一まえは複数の夫々が定まっ
た波長に強度のピーク値を用いる転写方式における露光
調節の改良Ｋ１１ｌｌする。
現在一般に使用されている半導体用パターン転写方式に
お叶る転写装置で、焼付用光源として超高圧水釧灯が用
いられている。このような装置には露光エネルギのコン
トロール機構がついているが、そのコントロール方式は
次の式（ＯＫ４とづいている。
お叶る転写装置で、焼付用光源として超高圧水釧灯が用
いられている。このような装置には露光エネルギのコン
トロール機構がついているが、そのコントロール方式は
次の式（ＯＫ４とづいている。
１！１＝ＩＸｔ （１）ココでｇｔｔ露
光エネルギ、Ｉは光の強度、象は露光時間を示す。実際
の使用においては、予め基準となる無光時間管設定して
おき、使用中は光強度を常に検知しておき、水銀灯のゆ
らぎ、劣化などによって光強度が変化した場合には露光
時間を自動的に変更され、露光エネルギを一定に保つ手
段がとられている。を友、光強度の検知は３００〜５０
０ｎｍの波長だけを透過させる光フィルタが付属してい
るフォトディテクタが一般に用いられている。
光エネルギ、Ｉは光の強度、象は露光時間を示す。実際
の使用においては、予め基準となる無光時間管設定して
おき、使用中は光強度を常に検知しておき、水銀灯のゆ
らぎ、劣化などによって光強度が変化した場合には露光
時間を自動的に変更され、露光エネルギを一定に保つ手
段がとられている。を友、光強度の検知は３００〜５０
０ｎｍの波長だけを透過させる光フィルタが付属してい
るフォトディテクタが一般に用いられている。
叙上の装置によって４．０μ専の線幅を有するフォトマ
スクパターンを用い、従来の露光エネルギコ／トロール
手段によって露光し、しかるべき現惨処理を施したのち
それＫよって形成され九感光膜パターンの線幅を測定し
たところ、水銀灯ＡＫよるものけ４．０２μ簿、同ＢＫ
よるもの＃ｉ３．６８μ肩、同ＣＫよる奄のは３．９５
μ罵というようＫばらつきの多い不安定な結果を得た。
スクパターンを用い、従来の露光エネルギコ／トロール
手段によって露光し、しかるべき現惨処理を施したのち
それＫよって形成され九感光膜パターンの線幅を測定し
たところ、水銀灯ＡＫよるものけ４．０２μ簿、同ＢＫ
よるもの＃ｉ３．６８μ肩、同ＣＫよる奄のは３．９５
μ罵というようＫばらつきの多い不安定な結果を得た。
なお、夫々の露光時間け、水銀打入を１．０とすると同
Ｂ＃ｉ０．８１．同Ｃは０．９２であった。（この露光
時間は合計されたエネルギが水銀灯ムを１．０としたと
き、同Ｂ＃ｉ１．２３、同Ｃけ１．０８であることから
きめられたものである。）〔発明の目的〕 この発明祉畝上の背景技術の欠点を改良し、常に一定な
露光エネルギを印加し感光膜パターンに得られるパター
ンの線径を一定表らしめる半導体用パターン転写方式を
提供する。
Ｂ＃ｉ０．８１．同Ｃは０．９２であった。（この露光
時間は合計されたエネルギが水銀灯ムを１．０としたと
き、同Ｂ＃ｉ１．２３、同Ｃけ１．０８であることから
きめられたものである。）〔発明の目的〕 この発明祉畝上の背景技術の欠点を改良し、常に一定な
露光エネルギを印加し感光膜パターンに得られるパター
ンの線径を一定表らしめる半導体用パターン転写方式を
提供する。
この発明の半導体用パターン転写方式は、露光光の各゛
、に／−り値の強度ｔｅ％１１定し、感光剤の感光特性
によって一定の露光エネルギを与えるための露光時間ｔ
えは光強度を演算回路部で算出し露光時を具備したこと
を崎黴とする。
、に／−り値の強度ｔｅ％１１定し、感光剤の感光特性
によって一定の露光エネルギを与えるための露光時間ｔ
えは光強度を演算回路部で算出し露光時を具備したこと
を崎黴とする。
次にこの発明を達成した経緯と実施例につき詳細に説明
する。
する。
すでに述べたように１一般に光強度の検知は３００〜５
００ ｎｍの波長だけが透過するような光フィルタが付
属しているフォトディテクタによっていたが、実際の水
銀灯の光はどんな波長域においても一定というわけでな
く、次の第１図に示すように１ある定った波長の輝線が
数本発生しているのである。
００ ｎｍの波長だけが透過するような光フィルタが付
属しているフォトディテクタによっていたが、実際の水
銀灯の光はどんな波長域においても一定というわけでな
く、次の第１図に示すように１ある定った波長の輝線が
数本発生しているのである。
また、輝線毎の強度は水銀灯により差異を生ずるのが普
通である。さらに、使用する感光剤によってもすべての
波長において一定の感光特性を示すものではなく、第２
図に示すように波長によ抄感度が異なる。このような状
況において、上述のような露光エネルギのコントロール
を施し九場合、感光剤が感光する丸めの実効エネルギに
変動が生じ、梢密な廁光エネルギのコントロールができ
危い。
通である。さらに、使用する感光剤によってもすべての
波長において一定の感光特性を示すものではなく、第２
図に示すように波長によ抄感度が異なる。このような状
況において、上述のような露光エネルギのコントロール
を施し九場合、感光剤が感光する丸めの実効エネルギに
変動が生じ、梢密な廁光エネルギのコントロールができ
危い。
以下にその実例をあげる。なお、実使用にあたつては３
５０８１ｍ以下を清新するようなフォトマスク會使用し
、また第２図に示す分光感度を有する感光剤を用い九の
で、ここでは水銀灯の輝線のうち、３６５に１１１ （
ｌｆ！ ）、４０５１＆＋１１（ｈ ＠ ）、４３６８
ｍ（ｇ線）の３本のみに注目しえ。次の第１表に実際に
使用した３本の水銀灯の１鐘、１１ｇ線およびそれらを
合計した強度を示す。
５０８１ｍ以下を清新するようなフォトマスク會使用し
、また第２図に示す分光感度を有する感光剤を用い九の
で、ここでは水銀灯の輝線のうち、３６５に１１１ （
ｌｆ！ ）、４０５１＆＋１１（ｈ ＠ ）、４３６８
ｍ（ｇ線）の３本のみに注目しえ。次の第１表に実際に
使用した３本の水銀灯の１鐘、１１ｇ線およびそれらを
合計した強度を示す。
第１表
ところで感光剤の分光感度によりｉ線、ｈ線、ｇ緩での
感度は夫々０．フ、０９，０３である。これらを各々の
輝線０強ｆＫかけ合わせ、感光剤が実効的に受光する強
度の合計を求めると第２表のようｋなる。
感度は夫々０．フ、０９，０３である。これらを各々の
輝線０強ｆＫかけ合わせ、感光剤が実効的に受光する強
度の合計を求めると第２表のようｋなる。
（以下余白）
第２表
そこで、従来のように光のエネルギを合計した場合と、
畝上の如くして光のピーク値の強度から実効的な光のエ
ネルギを比較すると第３表に示されるように相違が認め
られる。
畝上の如くして光のピーク値の強度から実効的な光のエ
ネルギを比較すると第３表に示されるように相違が認め
られる。
第３表
友だし上表において灯、水銀打入を１．０として比較値
によって示している。
によって示している。
そこで、まず方法としては第３図に示すように１感光剤
の分光感度を予め測定し、水銀灯の各輝線に相当すゐ相
対感度を演算回路に入力しておく。
の分光感度を予め測定し、水銀灯の各輝線に相当すゐ相
対感度を演算回路に入力しておく。
次に露光直前に水銀灯の各輝線の強度を測定し、これら
のデータを演算回路で計算し、露光エネルギが一定値に
なるような露光時間を設定する。演算式は次の（Ｕ）弐
による ８ｏ、） ΣＩｊ８ｊ 上式でｔは露光時間、Ｅは標準露光エネルギ値、Ｉｊ＃
ｉある輝線の強度、５ＪＦｉＩｊの波長に対応する感光
剤の相対感度を夫々示す。また、畝上の３個の水銀灯に
ついて、上記式（ｉ＋） Ｋよって各輝線の強度と感光
剤の感光特性を考慮して露光エネルギを比較（水銀打入
を１．０として）するとすでに掲げた第３表に示すよう
に水銀灯Ａ：Ｂ：ＣＦｉ１．０：１．０９： １．０７
となる。これＫもとづいて露光時間を水銀灯ムを１．０
とすると同Ｂは０．９１、同Ｃは０．９４となった。第
３表に示すように従来の方式に比して大幅に相違する値
であり、実用の結果はフォトマス像処理の後に感光膜パ
ターンに得られ九−幅は水銀灯ＡＫよるものが４．０２
μ罵、同１１ｃよるものが４０４μ凰、同ＣＫよるもの
が４．００μ肩となりきわめて良好な均一性が得られた
。
のデータを演算回路で計算し、露光エネルギが一定値に
なるような露光時間を設定する。演算式は次の（Ｕ）弐
による ８ｏ、） ΣＩｊ８ｊ 上式でｔは露光時間、Ｅは標準露光エネルギ値、Ｉｊ＃
ｉある輝線の強度、５ＪＦｉＩｊの波長に対応する感光
剤の相対感度を夫々示す。また、畝上の３個の水銀灯に
ついて、上記式（ｉ＋） Ｋよって各輝線の強度と感光
剤の感光特性を考慮して露光エネルギを比較（水銀打入
を１．０として）するとすでに掲げた第３表に示すよう
に水銀灯Ａ：Ｂ：ＣＦｉ１．０：１．０９： １．０７
となる。これＫもとづいて露光時間を水銀灯ムを１．０
とすると同Ｂは０．９１、同Ｃは０．９４となった。第
３表に示すように従来の方式に比して大幅に相違する値
であり、実用の結果はフォトマス像処理の後に感光膜パ
ターンに得られ九−幅は水銀灯ＡＫよるものが４．０２
μ罵、同１１ｃよるものが４０４μ凰、同ＣＫよるもの
が４．００μ肩となりきわめて良好な均一性が得られた
。
なお、上記実施例においては弧線、ｈ線、ｇ線のみ考慮
したが、使用する感光剤によって上記３線にこだわるも
ので表い。また、実験例では露光時間を変更する方式を
用い九が、露光時間は一定とｉ〜、水銀灯の入力電力を
変更して１１を変更する方式としてもよいことは（ｌｉ
）からも明瞭である。
したが、使用する感光剤によって上記３線にこだわるも
ので表い。また、実験例では露光時間を変更する方式を
用い九が、露光時間は一定とｉ〜、水銀灯の入力電力を
変更して１１を変更する方式としてもよいことは（ｌｉ
）からも明瞭である。
この発明によれば水銀灯の発光特性のばらつきによる発
光エネルギの差を消去するように１予め水銀灯の各輝線
毎の強度を一定し、感光剤の分光感度をもとに露光時間
を設定するので、常に一定した露光エネルギを感光ＩＮ
Ｋ印加できる。これＫより常に一定した線幅の感光膜パ
ターンを得ることができ、半導体製造Ｋ１１ｌ著な利点
がある。
光エネルギの差を消去するように１予め水銀灯の各輝線
毎の強度を一定し、感光剤の分光感度をもとに露光時間
を設定するので、常に一定した露光エネルギを感光ＩＮ
Ｋ印加できる。これＫより常に一定した線幅の感光膜パ
ターンを得ることができ、半導体製造Ｋ１１ｌ著な利点
がある。
第１図は水銀灯のスペクトル強度を示す線図、第２１１
１Ｈ感光剤の分光感度の一例を示す線図、第３図はこの
発明の詳細な説明する丸めのフローチャートを示す図で
ある。 ｔ 露光時間 ｌ 標準露光エネルギ値 Ｉｊ ある輝線の強度 代理人 弁理士 井 上 −男
１Ｈ感光剤の分光感度の一例を示す線図、第３図はこの
発明の詳細な説明する丸めのフローチャートを示す図で
ある。 ｔ 露光時間 ｌ 標準露光エネルギ値 Ｉｊ ある輝線の強度 代理人 弁理士 井 上 −男
Claims (1)
- 霧光用の光としである定うた単一または複数の波長に強
度のピーク値を有する光を用いるパターン転写装置によ
って半導体基板主面の感光剤層にマスクパターンを転写
させる半導体用パターン転写方式において、党の各ピー
ク値の強度をＩＩＩ定し、使用される感光剤につき予め
測定された感光特性データとＫより一定の露光エネルギ
を与えるための露光時間または光強度を演算回路部にて
算出し露光時間または光強度にフィードバックし調節す
る機構を具備し九ことを特徴とする半導体用ノ（ターン
転写方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041636A JPS58159326A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体用パタ−ン転写方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041636A JPS58159326A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体用パタ−ン転写方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159326A true JPS58159326A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12613810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041636A Pending JPS58159326A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体用パタ−ン転写方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159326A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5856067A (en) * | 1994-12-20 | 1999-01-05 | Alcatel Italia S.P.A. | Contact photolithographic process for realizing metal lines on a substrate by varying exposure energy |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP57041636A patent/JPS58159326A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5856067A (en) * | 1994-12-20 | 1999-01-05 | Alcatel Italia S.P.A. | Contact photolithographic process for realizing metal lines on a substrate by varying exposure energy |
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