JPS60134241A - 縮少型投影露光装置 - Google Patents
縮少型投影露光装置Info
- Publication number
- JPS60134241A JPS60134241A JP58243314A JP24331483A JPS60134241A JP S60134241 A JPS60134241 A JP S60134241A JP 58243314 A JP58243314 A JP 58243314A JP 24331483 A JP24331483 A JP 24331483A JP S60134241 A JPS60134241 A JP S60134241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- semiconductor substrate
- light
- light source
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は縮少型投影露光装置の改良に係るものである。
近年、特に半導体製造工程において微細パターン化が進
むにつれ集積度も一段と高くなりフォトレジストのパタ
ーン形成方法も従来から使われているいわゆるコンタク
ト式露光装置や投影式露光装置のようにフォトマスクを
使って半導体基板にパターンを一括露光する方式から、
フォトマスク置を使って直接ウェハー上へ１チツプづつ
露光する方法が用いらｔするようになってきた。
むにつれ集積度も一段と高くなりフォトレジストのパタ
ーン形成方法も従来から使われているいわゆるコンタク
ト式露光装置や投影式露光装置のようにフォトマスクを
使って半導体基板にパターンを一括露光する方式から、
フォトマスク置を使って直接ウェハー上へ１チツプづつ
露光する方法が用いらｔするようになってきた。
この縮少型投影露光装置を用いるとパターン精度や位置
精度は大巾に向上し、従来の露光装置が持っていた欠点
は解消したが、ここで新たな問題点が発生する事が判っ
た。
精度は大巾に向上し、従来の露光装置が持っていた欠点
は解消したが、ここで新たな問題点が発生する事が判っ
た。
すなわちこれまでの露光装置は露光量を決定するのに光
源部に受光体を設け、光源のフラッキ劣化による光量の
バラツキを検出しこれを時間で補正する機構を有してい
たが、縮少型投影露光装置でも同一の機構を採用してい
る。
源部に受光体を設け、光源のフラッキ劣化による光量の
バラツキを検出しこれを時間で補正する機構を有してい
たが、縮少型投影露光装置でも同一の機構を採用してい
る。
ところが従来の装置では露光には光源の大部分の波長を
使用していたのに対して縮少型投影露光装置では光源の
１〜２波長成分しか露光に使用しないため従来の光景補
正機構では露光にバラツキを生じる事が判った。
使用していたのに対して縮少型投影露光装置では光源の
１〜２波長成分しか露光に使用しないため従来の光景補
正機構では露光にバラツキを生じる事が判った。
これは光源として一般に使用されている高圧水銀灯の波
長成分の光量比が時間とともに変化するのに対し、受光
体はフィルターによりあらかじめ姑搭Ｆ＃昼のを薔ψ萌
（−’ｉＰアム入シのＩＥ蜜ｆ立−イ設ｄ十されている
ためである。
長成分の光量比が時間とともに変化するのに対し、受光
体はフィルターによりあらかじめ姑搭Ｆ＃昼のを薔ψ萌
（−’ｉＰアム入シのＩＥ蜜ｆ立−イ設ｄ十されている
ためである。
また投影レンズ系は使用とともに強力は光源によろくも
シを生じ、光源部で測定した光量と半導体基板上へ投影
される光量に差を生じるようになる。
シを生じ、光源部で測定した光量と半導体基板上へ投影
される光量に差を生じるようになる。
本発明はこの火照を無くシ、先貸の正して補正がなされ
るように考えられたものでたとえば受光体を半導体基板
を設置する面に置くことにょシ投影光学系を通過した光
量を自動的忙測定し偏差の少ない露光を行なう事ができ
る方法を提供するものである。
るように考えられたものでたとえば受光体を半導体基板
を設置する面に置くことにょシ投影光学系を通過した光
量を自動的忙測定し偏差の少ない露光を行なう事ができ
る方法を提供するものである。
以下図面をもとに本発明を具体的に説明する。
第１図は従来の縮少型投影露光装置の受光体設置部を示
す。この方法では光源部の波長成分の光量比の変化や投
影光学系の変化に対して補正が正、シく行なわれないた
め、第２図に示すような寸法巾のロフト間バラツキとな
って現われる。尚、第１図で２は受光体、３は投影レン
ズである。
す。この方法では光源部の波長成分の光量比の変化や投
影光学系の変化に対して補正が正、シく行なわれないた
め、第２図に示すような寸法巾のロフト間バラツキとな
って現われる。尚、第１図で２は受光体、３は投影レン
ズである。
蘂３図は本発明の一実施例を示す縮少型投影露光装置の
受光体設置部を示す。
受光体設置部を示す。
本実施例では露光に先立ち投影光学系の下に受光体２′
が設置され、光景を測定し補正全行なった後受光体は投
影光学系外に動き露光すべき半導体基板が半導体基板設
置台４上に設置される。尚、１は光源、３は投影レンズ
である。
が設置され、光景を測定し補正全行なった後受光体は投
影光学系外に動き露光すべき半導体基板が半導体基板設
置台４上に設置される。尚、１は光源、３は投影レンズ
である。
実験によれば、通常測定は１時間おき程度でよく１０ッ
ト作業においてスループットを下げる事はない。
ト作業においてスループットを下げる事はない。
第４図に本実施例を適用した時の寸法＋１３バラツキを
示すが従来の半分程度となっている。
示すが従来の半分程度となっている。
第５図は本発明の他の実施例を示す縮少型投影露光装置
の受光体設置部を示す。
の受光体設置部を示す。
本実施例では半導体基板５の上に投影された光景を反射
光として受光体２′に測定し修生導体基板ごとに補正を
行なう。
光として受光体２′に測定し修生導体基板ごとに補正を
行なう。
本実施例の利点は半導体基板の表面状態、フォトレジス
トの状態によって変化する必要光量を適切に補正できる
点である。
トの状態によって変化する必要光量を適切に補正できる
点である。
以上詳細に説明したように本発明の方法によｔｌば刻々
に変化する光源及び投影光学系に対応した適切な露光が
行なわれるため縮少型投影露光装置の限界解像力である
１μパターンでもそのバッノΦが最少に押えられる。
に変化する光源及び投影光学系に対応した適切な露光が
行なわれるため縮少型投影露光装置の限界解像力である
１μパターンでもそのバッノΦが最少に押えられる。
第１図は従来の縮少型投影露光装置の受光体設置部を示
す図、第２図は従来の装置を使つた半導体基板上の寸法
巾の偏差を示す図、第３図は本発明の一実施例を示す縮
少型投影露光装置の受光体設置部を示す図、第４図は第
３図の一実施例の縮少型投影露光装置を使った半導体基
板上の寸法中偏差を示す図、第５図は本発明の他の実施
例を示す縮少型投影露光装置の受光体設置部を示す図で
ある。 尚、図において、１・・・・・・光源、２．２’・・・
・・・受光体、３・−・・・・投影レンズ、４・・・・
・・半導体基板設置台、５・・・・・・半導体基板上示
す〇−１０５’、０ もψ２ 篤 、３２ 名 ４ 図 １ Ｓ図
す図、第２図は従来の装置を使つた半導体基板上の寸法
巾の偏差を示す図、第３図は本発明の一実施例を示す縮
少型投影露光装置の受光体設置部を示す図、第４図は第
３図の一実施例の縮少型投影露光装置を使った半導体基
板上の寸法中偏差を示す図、第５図は本発明の他の実施
例を示す縮少型投影露光装置の受光体設置部を示す図で
ある。 尚、図において、１・・・・・・光源、２．２’・・・
・・・受光体、３・−・・・・投影レンズ、４・・・・
・・半導体基板設置台、５・・・・・・半導体基板上示
す〇−１０５’、０ もψ２ 篤 、３２ 名 ４ 図 １ Ｓ図
Claims (1)
- 露光量を露光に使用する投影光学系を通過した光量を自
動的に測定し、補正することを！徴とする縮少型投影露
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243314A JPS60134241A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 縮少型投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243314A JPS60134241A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 縮少型投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134241A true JPS60134241A (ja) | 1985-07-17 |
Family
ID=17101988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58243314A Pending JPS60134241A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 縮少型投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134241A (ja) |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP58243314A patent/JPS60134241A/ja active Pending
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