JPS58154277A - 赤外線検出素子 - Google Patents
赤外線検出素子Info
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- JPS58154277A JPS58154277A JP57038902A JP3890282A JPS58154277A JP S58154277 A JPS58154277 A JP S58154277A JP 57038902 A JP57038902 A JP 57038902A JP 3890282 A JP3890282 A JP 3890282A JP S58154277 A JPS58154277 A JP S58154277A
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- infrared
- infrared ray
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- infrared detection
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Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
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- WDQNIWFZKXZFAY-UHFFFAOYSA-M fentin acetate Chemical compound CC([O-])=O.C1=CC=CC=C1[Sn+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WDQNIWFZKXZFAY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は赤外−検出菓子の改良に関するものである。
赤外線検出素子として、例え−元伝導形赤外鑵検出本子
があり、このものは入射した赤外線の強度に応じて素子
の抵抗が変化するｍＲを利用して赤外線を検出する雇子
である。この光＠４形赤外線検出卓子を動作させる電気
回路として第１図に示すようなものがある。第１図中、
［１１は光伝導形赤外線検出素子、Ｒ（ｌは七の抵抗値
、（２）はこの元伝４形赤外線検出本子１１１に直りＵ
に接続される負荷抵抗、Ｒｓはその抵抗値、（３）は上
記光伝導形赤外！検出素子（１１と負荷抵抗（２）と０
接続点″′燗が接続され、他端が出力端（５Ｊに接続５
さ、れたコンデンサ、０１ｄ（−１２）容竺値・３“）
１２上記光伝導臂赤外線−出一子（１１と負荷抵抗（２
）との直列接続され友両端に接続された直流電源、Ｅは
その嘔圧である。
があり、このものは入射した赤外線の強度に応じて素子
の抵抗が変化するｍＲを利用して赤外線を検出する雇子
である。この光＠４形赤外線検出卓子を動作させる電気
回路として第１図に示すようなものがある。第１図中、
［１１は光伝導形赤外線検出素子、Ｒ（ｌは七の抵抗値
、（２）はこの元伝４形赤外線検出本子１１１に直りＵ
に接続される負荷抵抗、Ｒｓはその抵抗値、（３）は上
記光伝導形赤外！検出素子（１１と負荷抵抗（２）と０
接続点″′燗が接続され、他端が出力端（５Ｊに接続５
さ、れたコンデンサ、０１ｄ（−１２）容竺値・３“）
１２上記光伝導臂赤外線−出一子（１１と負荷抵抗（２
）との直列接続され友両端に接続された直流電源、Ｅは
その嘔圧である。
−お、負荷抵抗（幻の抵抗値Ｒ−は、−一に１．光合に
はＲａ１Ｒ改、Ｒ（ｌが小さい場合にはＲｓ 、＞ Ｒ
ｄとなるように選ばれており、このｔｇＩｇの４気的出
力と１では、光伝導形赤外線検出梁子＋１１０内端の−
暴メ 電圧の変化分が取フ出δれるもやである。
はＲａ１Ｒ改、Ｒ（ｌが小さい場合にはＲｓ 、＞ Ｒ
ｄとなるように選ばれており、このｔｇＩｇの４気的出
力と１では、光伝導形赤外線検出梁子＋１１０内端の−
暴メ 電圧の変化分が取フ出δれるもやである。
しかるに、このように回路４ｒｆｃされたものにおいて
、従来では負＃抵抗（２）、コンデンサ（３）、直流４
諏（４）を、光伝導形赤外線検出虐子（１）とは別の外
部回路として城み立てているものであつ九。このため、
一つの装置とする場合には、光伝導形赤外線検出Ａ子ｉ
ｌｌの抵抗値Ｒ（Ｉｃ応じて抵抗値Ｒａを有する負荷抵
抗（２）を選ばなければならないという不便があり、ま
た、一般に光伝導形赤外線横出系子（１１は冷却して用
いるものが多く、この場合、外部回路として構成する負
荷抵抗（２）は皇温であるため回路の雑音が負荷抵抗（
２）から発生する熱雑音以下におさえられないという問
題があった。
、従来では負＃抵抗（２）、コンデンサ（３）、直流４
諏（４）を、光伝導形赤外線検出虐子（１）とは別の外
部回路として城み立てているものであつ九。このため、
一つの装置とする場合には、光伝導形赤外線検出Ａ子ｉ
ｌｌの抵抗値Ｒ（Ｉｃ応じて抵抗値Ｒａを有する負荷抵
抗（２）を選ばなければならないという不便があり、ま
た、一般に光伝導形赤外線横出系子（１１は冷却して用
いるものが多く、この場合、外部回路として構成する負
荷抵抗（２）は皇温であるため回路の雑音が負荷抵抗（
２）から発生する熱雑音以下におさえられないという問
題があった。
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、半導
体材料で作られる赤外線検出部と抵抗部とを、′ｌｌｌ
１４Ｊ４に的に接続し、かつ一体に組み込み、一つの卓
子として４１＆能するようにし、、、て使い易（、かつ
雑音が小さく、性能を良くすることを目的とするもので
ある。
体材料で作られる赤外線検出部と抵抗部とを、′ｌｌｌ
１４Ｊ４に的に接続し、かつ一体に組み込み、一つの卓
子として４１＆能するようにし、、、て使い易（、かつ
雑音が小さく、性能を良くすることを目的とするもので
ある。
以下に、本発明の一実施例を７４２図、第３図を用いて
説明する。第２図における回路構成は上記第１ｖＡに示
すものと同様であるが、この帛２図における赤外線検出
素子は、赤外線を構出する機能を有する赤外様検出部（
藷）と陽気抵抗の機能を有する負荷抵抗＜２）部（２ａ
）が一体に組み込まれたことを特徴とするものであり、
つまり第２図中点線で囲った部分が一つの素子としてｄ
Ａ［！することを特徴とするものである。
説明する。第２図における回路構成は上記第１ｖＡに示
すものと同様であるが、この帛２図における赤外線検出
素子は、赤外線を構出する機能を有する赤外様検出部（
藷）と陽気抵抗の機能を有する負荷抵抗＜２）部（２ａ
）が一体に組み込まれたことを特徴とするものであり、
つまり第２図中点線で囲った部分が一つの素子としてｄ
Ａ［！することを特徴とするものである。
そして、第２図における光伝導形赤外嫌検出Ａ子１１１
の具体的構造の一例を第３図に示す。第３図中（凰）は
赤外線を受光し、赤外縁を検出する赤外線検出部で、半
導体材料で作られ、その両肩に電極１６） （７）が接
続されたものである。（２ａ）はこの赤外線検出部と同
一の半導体材料で作られた負荷抵抗で、一端が電極（６
）に接続され、他噛が４ ｍ （５３に接続されておプ
、赤外線検出部に赤外線を照射したときに、赤外線によ
′ｂ抵抗値が変化しないように、例えば赤外線反射部材
等で覆われているものである。なお、赤外縁の照射によ
り抵抗１戚が変化しないものであれば、何ら赤外線反射
部材等で蝋う必要はなく、ま九赤外線検出部（１ａ）と
は別の半導体材料あるいは抵抗材料で作ってもよいもの
である。
の具体的構造の一例を第３図に示す。第３図中（凰）は
赤外線を受光し、赤外縁を検出する赤外線検出部で、半
導体材料で作られ、その両肩に電極１６） （７）が接
続されたものである。（２ａ）はこの赤外線検出部と同
一の半導体材料で作られた負荷抵抗で、一端が電極（６
）に接続され、他噛が４ ｍ （５３に接続されておプ
、赤外線検出部に赤外線を照射したときに、赤外線によ
′ｂ抵抗値が変化しないように、例えば赤外線反射部材
等で覆われているものである。なお、赤外縁の照射によ
り抵抗１戚が変化しないものであれば、何ら赤外線反射
部材等で蝋う必要はなく、ま九赤外線検出部（１ａ）と
は別の半導体材料あるいは抵抗材料で作ってもよいもの
である。
このように、赤外線検出部（−）と抵抗部（２ａ）とを
一体に組み込んだ赤外４１検出系子（２）においては。
一体に組み込んだ赤外４１検出系子（２）においては。
電機（［１） １７３間に直流電源（４１を接続し、電
極（旬にコンデンサ（３）の一端をｉ１４＊して出力を
取９出すようにすれば艮いものである。
極（旬にコンデンサ（３）の一端をｉ１４＊して出力を
取９出すようにすれば艮いものである。
したがって、赤外線検出部（−）と抵抗ＩＩ （ｋ）が
４ ｆｉ １６３〜（７３によって一体＆ｃｌｌｌみ込
まれた素子として使用できる几め、取扱いおよび装置に
組み込むのが容易であり、かつ赤外線検出部（ＩＪＬ）
（Ｄｇ抗値Ｒ（ｌ Ｋ応じ７を抵抗値Ｒ−を有した負荷
抵抗部（２ａ）を卓子製造時に組み込めるので、使う者
にとって何ら姐抗値Ｒ１とＲａとの関供を気にしな（て
すみ、使い物いものである。しかも、赤外線検出部（凰
）と抵抗部（２ａ）とが一体となっている几め、両者の
ｉｉ１置装境は同じであ〕、特に冷却されて使用される
場曾には、抵抗部（ｋ）による熱雑音が小さくなり、素
子としての性能が向上するものである。
４ ｆｉ １６３〜（７３によって一体＆ｃｌｌｌみ込
まれた素子として使用できる几め、取扱いおよび装置に
組み込むのが容易であり、かつ赤外線検出部（ＩＪＬ）
（Ｄｇ抗値Ｒ（ｌ Ｋ応じ７を抵抗値Ｒ−を有した負荷
抵抗部（２ａ）を卓子製造時に組み込めるので、使う者
にとって何ら姐抗値Ｒ１とＲａとの関供を気にしな（て
すみ、使い物いものである。しかも、赤外線検出部（凰
）と抵抗部（２ａ）とが一体となっている几め、両者の
ｉｉ１置装境は同じであ〕、特に冷却されて使用される
場曾には、抵抗部（ｋ）による熱雑音が小さくなり、素
子としての性能が向上するものである。
なお、上記実織例では赤外線検出系子を光伝導形赤外線
検出系子としたが、他の赤外線検出系子。
検出系子としたが、他の赤外線検出系子。
例えば光起電方形赤外１１ｄｉ出礒子等にも通用できる
ものである。
ものである。
この脅明は、以上に述べたように、半導体材料で作られ
る赤外＊検出部と抵抗部とを、電気的に接続し、かつ二
律に組込んだので、一つの素子として使用でき、使い易
く、シかも抵抗部における熟−音を抑制できるという効
果がある。
る赤外＊検出部と抵抗部とを、電気的に接続し、かつ二
律に組込んだので、一つの素子として使用でき、使い易
く、シかも抵抗部における熟−音を抑制できるという効
果がある。
＃Ｉ１図は従来の光伝導形赤外婦検出襦子を動作させる
場合に用いられる電気回路の構成図、第２図は本発明に
よる光伝導形赤外線検出系子の持つ機能を説明する図、
Ｎ３図は本発明による光伝導形赤外線検出襦子の構造の
一例を示す図である。 図において、（１１は赤外線検出卓子、（ｌａ） １１
赤外線検出部、（２）は負＃抵抗、（２＆）は負荷抵抗
部、（３）はコンデンサ、屯４）は直流電源、（５）
、 Ｌ６ＪパフＩは電極である。 なお、各図中、同一符号は同−ｔｆｃは相当部分を示す
。 第１図 手続補正書（自発） ２ 発明の名称 赤外線検出素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号
６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ６、補正の内容 （１）明細書中筒４頁第６行に「負荷抵抗（２）部」と
あるのを「負荷抵抗部」と訂正する。 （２）同第６頁第４行に「赤外線検出素子（２）」とあ
るのを「赤外線検出素子（１）」と訂正する。 以上
場合に用いられる電気回路の構成図、第２図は本発明に
よる光伝導形赤外線検出系子の持つ機能を説明する図、
Ｎ３図は本発明による光伝導形赤外線検出襦子の構造の
一例を示す図である。 図において、（１１は赤外線検出卓子、（ｌａ） １１
赤外線検出部、（２）は負＃抵抗、（２＆）は負荷抵抗
部、（３）はコンデンサ、屯４）は直流電源、（５）
、 Ｌ６ＪパフＩは電極である。 なお、各図中、同一符号は同−ｔｆｃは相当部分を示す
。 第１図 手続補正書（自発） ２ 発明の名称 赤外線検出素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号
６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ６、補正の内容 （１）明細書中筒４頁第６行に「負荷抵抗（２）部」と
あるのを「負荷抵抗部」と訂正する。 （２）同第６頁第４行に「赤外線検出素子（２）」とあ
るのを「赤外線検出素子（１）」と訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ＩＩ 赤外線を検出する４ＩＡｓ１を有し、半導体
＃科で作られた赤外−検出部と、この赤外線検出部と褌
、ｇ的に煉ａされ、かつ一体性−み込ま、れ几電気滋抗
の機能を有する抵抗部を備えた赤外線検出素子＠
７．、 ７．、、：（２）
抵抗部を半導体材料で構成したことを特徴とする特許
請求９範ａ第１項紀域の赤外−検出装置、 − （３） 抵抗部をａｐ、する半一体材料と赤外線検出
部を４成する半導体材料を岡−と１象こりを特徴とする
特許請求の範、即ＪＩＩ２項記載の赤外線検出素子。
、 ・ ・、（４）琳抗部を抵抗候
料で４成し次ことを特徴とする特ｆＦ＃ｌＩ求の範囲ｉ
１１項記戚の赤外線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038902A JPS58154277A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038902A JPS58154277A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 赤外線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154277A true JPS58154277A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12538120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57038902A Pending JPS58154277A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154277A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446987A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor position detector |
| JPH03263378A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-22 | Komatsu Ltd | 光導電素子およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329093A (en) * | 1976-08-28 | 1978-03-17 | Licentia Gmbh | Ic circuit |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57038902A patent/JPS58154277A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329093A (en) * | 1976-08-28 | 1978-03-17 | Licentia Gmbh | Ic circuit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446987A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor position detector |
| JPH03263378A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-22 | Komatsu Ltd | 光導電素子およびその製造方法 |
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