JPS58153942A

JPS58153942A - 電子写真用光導電部材

Info

Publication number: JPS58153942A
Application number: JP57036919A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; 茂白井; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Junichiro Kanbe; 純一郎神辺; Keishi Saito; 恵志斉藤; Yoichi Osato; 陽一大里; Teruo Misumi; 三角　輝男
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1982-03-08
Filing date: 1982-03-08
Publication date: 1983-09-13
Also published as: JPH0219947B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明−は、光（ζζで鉱広義の光で、紫外光線、可視
光線、赤外党線、Ｘ纏、ｒ鐘等を示す）ン）様な電磁液
に感受性のある光導電部材に関するＯ園体撮儂装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材中ｍｓｍ堆義置装おける光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（ＩＰ）
　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁液のスペク
トル％性に′ｖラッチングた徴収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、屑線の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
紘■体撮像装置においては、ｌＩ＆像を所定時間内に容
品に処理することができること等ＯＳ性が要求される０
殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真鋏置
内ＫＪｉ込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上
記の使用時にお叶る無全書性線重ｌ！な点である。

この様な点に立脚して最近注目されてｉる光導電材料に
アモルファスシリコン（Ｊｊｔｉｌｍ−８１と表記す）
があシ、例えｄ％独■公−嬉２７４６９６７号公報、Ｗ
ｉ４第４嬉５８７１１１号公報には電子写真用像形成部
材として、独■＊Ｈｆ１ｌｉ２１１３Ｂ４１１号公＠に
は光電変換読取装置への応用が記載されてｉる・画情ら、従来のａ−８１で構成され先光導電層を有する
光導電Ｓ＃は、＊抵抗値、光感度、ｊｔ応答性＠０電気
的、光学的、光導電的特性、及び使用職種特性の点、Ｉ
ＬＫは経時的安定性及び耐久性０点において、各々、個
々Ｋｔｔ４１性の陶土が計られているが総合的ａＳ性肉
上を図る上で更に改良される余地が存す今一が実情であ
る。

例えば、電子軍真用曽拳威１１＃に適用し良場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を一時に図ろうとすると従来にお
いてはその使用時において残留電位が残る場合が度々観
糊され、こ０＊０党導電部材は長時間繰返し使用し統轄
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、１１１ｇ
１１が生ずる所間ゴースト現象を発する橡になる等の不
都合な点が少なくなかっ九◎ 又、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合に峠、その
電気的、光導電的特性の改良を−る丸め（、水素原子或
い紘弗嵩鳳子中［嵩厘子等のハロゲン原子、及び電気伝
導渥の制御の丸めに硼素原子中燐原子勢が或いはその他
の４１性改良の丸めに他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有Ｏ
仕方如何によっては、形成し九層の電気的或いは光導電
的特性や耐圧性に間１１が生ずる場合があつえ〇即ち、例えば、形成し先光導電層中に党履射によって発
生し九ルト中中リアの該層中での寿命が充分でないこと
中暗部において、支持体側よシの電荷の注入の阻止が充
分でないこと、或いは、転写紙に極零されえ画ｆ／ａに
俗に「自ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によ
ゐと思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブ
レードを用いるとそのＪＩＩＩＩＫよると思われる。俗
Ｋ「白スジ」と鴛われている所閤Ｉｌｉ像欠陥が生じ九
ヤしていえ。又、多湿雰囲気中で使用し九）、或いは多
ｆ１１雰囲気中に最峙閏放置し走置ＩＩＫ使用すると儒
に大う画像のボケが生ずる場合が少なくなかった〇災には、層厚が士数声以上になると層形成用の真空堆積
型より取シ出し先後、空気中でＯ装置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に急緩が
生ずる勢Ｏ滉象を引起し勝ちになる。こＯＩＡ象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る勢、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点が黍る〇従ってａ−８ｉ材料
そのものの特性改良が園られる一方で光導電部材を設計
するＩＩＫ、上記し九様な問題の総てが解決される様に
工夫される必要がある◇ 本発明は上記の諸点に鎌み成されえもので、ａ−−８ｉ
Ｋ就て電子写真用像形成部材中固体撮像装置、胱堆装置
等に使用される光導電Ｓ＃としての適用性とその応用性
という観点から１活的に製雪研究検討をａ１九−像、シ
リコン息子を母本とし、水素原子（６）又はハロゲン原
子００ｏ％Ａずれか一方を少なくと１含有するアモルフ
ァス材料、ｆｉｇ水嵩水嵩化７フルフアスシリコンーゲ
／化アモルファスシリコン、或いはへ〇グン含有水素化
アモルファスシリコン〔以後これ畳の総称的表記として
ｒａ−８１（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光
導電層を有する光導電部材の層構成を以後ＫＩ！明され
る様な轡定化の下に設計されて作成され丸元導電部材は
実用上着しく優れ九畳性生示すにかりでなく、従来の光
導電部材と較べてみてもあらゆる点におｉて陵駕してい
ること、殊に電子写真用の光導電部材として着しく優れ
一＊＊性を有していることを見出し九点く基づ匹ている
。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定してお９、耐光疲労に著
しく長け、繰返し便用に際しても劣化現象を起さず耐久
性、耐温性に優わ、残留電位が全く又は殆んど一欄され
′＆い光導電部材を提供することを主える目的とするＯ
本発明の他の目的は、支持体上に毅妙られる層と支持体
とＯＳＩＳ戦中される層ｏ４層関Ｋｍｌける密着性に優
れ、構造配列的に数置で安定的であ）、層品質ｏｉｓｈ
党導電ｌｌ＃をＩｍ供することである◎ 本発明の他の目的は、電子軍真用像形成部材として適用
させ丸場合、静電像形成の丸め０１１電鵡履のＩＩＯ電
荷保持能力が充分子ｏり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れ良電子写真特性を有すｈ光導電Ｓ
＃を提供することである。

本尭＠Ｏ更に伽の目的は、長□−の使用に於ｉて画曽欠
随中画曽のボタが全くなく、ｌｌ１１１１Ｌが高く、ハ
ーフトーンが鮮ＩｊｌＫ出て且つ解像度の＾い、高品質
画像を得る仁とが答晶にできる電子写真用の光導電部材
を提供することである０本発明の更にもう１つの目的は
、高光感度性。

高８ＮＪｔ４１性及び高耐圧性を有する光導電薄材を提
供することでもある０本発明の光導電Ｓ材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を量体とし、好ましく嬬構成原子として水素原
子（６）又はハロゲン原子ＤＯＯいずれか一方を少なく
とも含有する非晶質材料で構成され、光導電性を有する
非晶質層とシリコン原子と　　　　　　　　　　　　　
　責素鳳子とを含む非晶質材料で構成され九票二の非晶
質層とを有し、前記第一〇非晶質層が、構成原子として
、層厚方向に不均一で連続的な分布状態で酸素原子が含
有されている第一０層領域向と、構成原子として、層厚
方向に連続的な分布状態で周期律表嬉鳳族に属する原子
が含有さに、・１″ 前記第一の非晶質層の真画下に内在してｉる第二の層領
域（至）とを有する事を特徴とする０上記し九様な層構
成を取る様にして設計され九本発明の光導電部材は、前
記し丸諸問題の総てを解決し得、極めて優れ九電気的、
光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子軍真用像形虞ＩＩ＃とじて適用させ九場合に
嬬、−像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的ｌｌ＃性が安定してお）高感度で、高８Ｎ比を有する
ものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度
が鳥く、ハーフトーンが鮮−に出て、且つ解像−の高い
、高品質の画像を安定して繰返し得る仁とができる０又
、本発明の光導電Ｓ＃は支持体上に形成される非晶質層
が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着１ｋＫ
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。

以下、ｒＩＡ面に従って、本発明の光導電部材に就て詳
１１ＡＫ＠明すゐ０Ｉ１１園は、本発明の嬉ｌの実施態様例の光導電部材０
層構成をｌ１ＩＩｊｌする丸めＫＩｉ式的に示しえ模式
的構虞閣である。

第１−に示す光導電部＃１００Ｆｉ、光導電部材用とし
て゛の支持体１０１の上に、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）から成
シ、光導電性を示す嬉−の非晶質層（１）１０２と、シ
リコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成される第二の非晶質層（厘）１０＠とを
有する。

第一の非晶質層（１）　１０２は、鋏層Ｏ金層域を占め
、構成原子として酸素原子を含有する第一の゛層領域Ｕ
　１ＧＢ、周期律表第厘族に属する原子（第ｆ族原子）
看含有する第二０層領域＠　１０４、及び第二の層領域
（２）１０４上に、酸素原子は含有しているが嬉厘族本
子は含有されてない層領域１０５とから成る層構造を有
する。

第一〇層領域−１０３Ｋ含有される酸素原子は骸層領域
＝ｔＯａＫ於いて層厚方向には連続的に分布し、その分
布状態紘不均−とされるが、支持体１０１の表面Ｋｍｌ
質的に平行な自白では連続的に且つ実質的に均一に分布
されるのが好ましいものである〇第１図に示す光導電部材１００は非晶質層（１）１０２
の表面儒ＯＳ分には嬉曹族原子が含有されない層領域１
Ｇ！＋が般社である０第二〇層領域＠１０４中に含有される嬉履族原子は、該
層領域１１）１０４Ｋｍいて層厚方向には連続的に分布
し、その９Ｆ２１１状態は均一でＴｏり、且つ支持体１
０１０表面に実質的に平行１に面内で唸連続的に且つ実
質的に均一に分布されるのが好ましいものである。

本発明の光導電す材に験いて社、縞−〇層領域ｔＯＩＫ
株鹸嵩原子の含有によって＾暗抵抗化と、非晶質層（１
）が直ＩＩＩ款けられる支持体との闘の冑が酸素原子を
含有する第一の層領域向１０８　Ｓ第履族鳳子を含有す
ｈ第二〇層領域＠１０４　、嬉履族息子の含有されてい
ない層領域１０１とを有し嬉−の層領域４０１１０３と
第二〇層領域＠１０４とが共有すゐ層領域を有する層構
゛遭の場合によ参棗好１に＃来が得られる０又、本ｇｊｈ鴫Ｏ光導電部材に於いては、第一の層領域
Ｋ）１０３に含有される酸素原子の数層領域０１０３　
Ｋ於ける層厚方向の分布状態は第１Ｋｔｊ諌第−〇層領
域Ｕ　１０３０設けられる支持体１０１又は他の層と０
１１着性及び接触性を嵐くする為に支持体１０１Ｘａ伽
の層との接合向側の方に分布濃度が轟くなる様にされる
◇嬉！には、上記第一０層領域０１０Ｂ中に含有される
酸素原子は、自由表面１０７側からの党蝋射に対して、
層領域１０５の高感度化を崗る為に、自由＃Ｉ両１０７
儒にに零となる様に厘−０層領域０１０３中に含有され
るのが好ましｉものである０菖二の層領域（至）１０４
中に含有される嬉膳族本子の分布状態は、層領域（ｌｌ
１Ｇ４に＆１／％て、その層厚方向に於いては、連続的
で均一であって、且つ支持体１０１　Ｏ表向に平行な面
内ＫｊＩｋいても連続的で均一とさ：１れる〇本発明において、嬉−の非晶質層（１）を構成する第二
の層領域（至）中に含有さ−れる周期律ｌＩ＆嬉履族に
属する原子として使用されるのは、Ｂ（硼素）　、　Ａ
＃　（アルきニウム）、Ｇ魯（オリクム）。

Ｉｎ　（インジウム）　、　Ｔｔ　（タリウム＞＊−’
ｅあり、殊に好適に用ｉられるのはＩＩ、Ｇａ″ｅＴｏ
るＯ本発明において、第二０層領域（２）中に含有され
る嬉−族原子の含有量としては、本発明の目的が効果的
に達成される様に所１１に従って適宜決められるが、過
電ｕ　（ＬＯ１％　ｌ！　Ｘ　１Ｇ’　ａｔｏｍｉｃ　
＄９１、好ましくはｏ、　ｓ〜Ｉ　Ｘ　１０’ａｔ・ｍ
魚・−１最遣には１〜３　Ｘ　１Ｇ　４　ａｔａａｋ−
とされるのが１１ましｉもので番るｏｊｌ−〇層領域Ｑ
中に含有される酸素原子の量に就ても形成される光導電
１１＃ＫＩ！求される特性に応じて所望に従って適宜決
められるが、過電の場合、Ｑ、Ｇ　Ｏ１〜＠　Ｏａｔ＠
ＷＡｉ＠−１好ましく　ｌｌ１Ｇ、０　Ｏｆｌ　〜２０
　ａｔｏｍｉｃ　ｆｋ、最適には０．００３〜１０ａｋ
ｍｂ＋−とされるのが望ましｉものである。

本ｇ＆羽の光導電部材に＊ｈ″Ｃは、嬉−〇層領域向に
は、酸素原子の含有によって、高暗＃に＃ＩＬ化と、第
一〇非晶質層（１）が直接設けられる支持させずに耐圧
性の一層の向上参貴泰奏勢が重点的に図られている。

殊に、１１１図に示す光導電部材１ＯＯＯ様に、第一の
非晶質層（１）１０ｍが、酸素原子を含有するい層領域
１０８とを有し、嬉−〇層領域向１０８七菖二〇層領域
＠１０４とが共有する層領域を有する層構造の鳩舎によ
り良好な結果が得られるＯ本実＠Ｏ光導電部材に於いて
は第一の非晶質層（１）の全層領域を構成し、酸素原子
の含有される第一〇層領域自社、１９には第一〇非晶質
層（１）０支持体との１着性の向上を図る目的Ｏ為に、
又、第一の非晶質層（１）の一部を構成し嬉履ｔａ子の
含有される第二の層領域（２）は、１つには、第二の非
晶質層（１）の自由１１ｍ儒よ勤蕾電処鳳を施され九際
、支持体側よ砂菖−の非晶質層（１）の内部に電荷が注
入されるのを阻止する目的の為に夫々、支持体と第一の
非晶質層（１）とが接金する層領域として、少なくとも
互いの１鶴を共有する構造で設けられる。

本発明の光導電部材に於いては、嬉厘族原子の含有され
る層領域＠紘、その設けられる目的が第一の非晶質層（
１）と支持体間に於ける、支持体側から第一の非晶質層
（１）中への電荷の注入防止を生えるもＯとする場合に
は、第一の非晶質層（！）の支持体側０方Ｋｌｉ力偏在
させる必要があるＯこの様な場合に於いては、嬉履族原子の含有されている
層領域＠Ｏ層層厚−と（第１−では層領域１０４０層厚
）、層領域＠Ｏ上に設けられえ、層領域（２）を除いた
部分の層領域（＠ＩＩＩでは層領域１０５）Ｏ層厚Ｔと
の関には、ｔｍ／（Ｔ　＋　ｍｓ　）≦０．４ＯＩＩＩｌ係が成立する様に第一〇非晶質層（１）を形
成するＯがＩＩ箇しく、より好壇しンは、上記し九関係
式の値が０．３５以下、最適にはｏ、Ｎ以下とされるの
が望ましい。

又、菖麿族原子の含有される層領域＠Ｏ層厚ｔｓとして
は、通常は３０ム〜５μ、好適には４０ム〜４ｓ、最適
には５０ム〜３ｓとされるのが望會しい４のである。

他方、前記層厚Ｔと層厚−との和（Ｔ＋ｔｓ）としては
、通常は１〜ｉｏ０１１　％好適には１−４０μ、最適
には２〜Ｓｏｓとされるのが望ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質層（夏）
妹、支持体側の方に偏在させて設けられる第鳳族原子の
含有される層領域（２）と、該層領域（２）を除い九残
りの部分であって、第扉族原子の含有されてない層領域
とで構成されるが、該嬉鳳族鳳子の含有されない層領域
の層厚Ｔは、形成される光導電部材Ｋｌ！求される特性
に従って層設計のＩＩＫ適宜決定される０本発＠に於い
て、層厚Ｔとしては、・□、・通常は０．１−９０μ、
好１、ｌ。

ましくは０．５〜８０声、剖最適に扛ｌ〜７０μとされ
るのが望ましいものである◇ ［２図乃至第１０ａｌｌＫｔｌ、本発明にお妙る光導電
部材の第一〇非晶質層（１）を構成する層領域向中に含
有される酸素原子の層厚方向の分布状部０Ｊ１１）Ｉｌ
ｌ的例が示される。

第２園乃至第１０図において、横軸性酸素原子の含有量
Ｃを、縦軸線、酸素原子の含有されている層領域ｆＤ４
ｔ）層厚を示し、−ｔａｕ支持体Ｏ昇画Ｏ位置を、ｔ！
紘支持体側とは反対側ＩＤＪＩＩ−の位置を示す。即ち
、酸素原子の含有されている層領域向はｔｌ儒よ）ｔ！
儒に向って層形成がなされる。

本発明においては、酸素原子の含有される層領域向は、
主Ｋａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）から成り、光導電性を示す
第一の非晶質層（１）の金層領域を占めている。

第２−には、層領域向中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状−の第１の典瀝例が示される〇嬉２ｔｌＡＫ示される例では、酸素原子の含有される層
領域Ｏが形成され為１１面と数層領域四〇表面とが接す
為昇−位置を烏よシｔ、の位置まで線、酸素原子の含有
鎖ＷＬＣがＣ１なる一定の値を４ｊ〕乍ら酸素原子が形
成される層領域向く含有され、位置ｔ、よ）濃度らよ）
界面位置ｔｖ　Ｋ　ＩＩる壇で徐々に連続的に減少され
ている。界面位置ｔ！において紘酸素鳳子Ｏ含有１１度
Ｃ線へとされるＯ第３図に示される例Ｋ＞いては、含有される酸素原子の
含有鎖ｆｃ社位置ｔ１より位置ｔ！に到る壜で濃度Ｃ４
かｂ徐々に連続的に減少して位置を管において１１度Ｃ
８となる様な分布状總を形成している。

第４図の場合には、位置ｔｌよシ位置ｔ２壇では酸素原
子の含有濃度Ｃはへと一定値とされ、位置ｔ、と位置ｔ
！との閏において、徐々に連続的に減少され、位置ｔ！
におｉで、含有濃度Ｃは実質的に零とされている◎ 第５図の場合には、酸素原子は位置１．より位置ｔｙＫ
到るまで、含有濃度らよ＊＊続的に徐々に減少され、位
置ｔ！において実質的に零とさ７れている。

第６図に示す例において社、酸素原子の含有濃度Ｃは、
位置１．と位置ｔ、関に・おいては、濃度Ｃ９と一定値
であり、位置ｔｙにおいては濃度Ｃ。

とされる。位置ｔ、と位置軸との岡で杜、含有濃度Ｃは
一次関数的に位置ｔ、より位置ｔｖＫｌＲｋまで減少さ
れて−る◎ 第７図に示される例におｉて絋、位置軸よ）位置ｔ４ま
では濃度Ｃ，，Ｏ一定値を取り、位置ｔ。

よ）位置ｔ！壇では―直Ｃｕより負度Ｃ１壜で一次関数
的に減少する分有状態とされている。

ａＳ−に示すｆｌｌにおいては、位置軸より位置ｔ！に
到るまで、酸素原子の含有１ｍ１ｌＬＣは濃度Ｃいよ）
零Ｋｊｌる様に一次ＩＩ数的に減少している０１１９図
においては、位置ｔｍより位置ｔ、に到る壇では酸素原
子の含有鎖ｌｌＩＣは、濃度ｅｌｌよｐ負度Ｃ１，壜で
一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置ｔ！とＯＭにお
いては、濃Ｉｔ　Ｏｎの一定値とされ九例が示されてい
る。

１１１０図に示される例においては、酸素原子の含有−
ｔｃは位置ｔｌにお−て濃ＩｔＣｎで６り、位置ｔ、に
到るまではこのａ度Ｃ□により初めはゆっくりと減少さ
れ、ｔ、の位置付近においては、急激に減少されて位置
ｔ、では澁度ＣＳａとされる。

位置ｔ、と位置ｔ、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ、
で濃度ｃｓｅとな夛、位置ｔ、と位置ｔ―と０間では、
極めてゆっ〈９と徐々に減少されて位置ｔａにおいて、
濃ｆｃｎＫｊｌる。位置ｔ、と位置ｔｙｏ関においては
、濃ｆＣｍよシ実質的に零になる橡に図に示す如き形状
〇−一に従って減少されている。

以上、第２＃Ａ乃至第１０８０により、層領域−中に含
有される酸素原子の層厚方向の分有状態の典瀝例の幾つ
かを説明し九様に、本発明においては、支持体１１にお
いて、酸素原子の含有鎖ｔＣの高い部分を有し、界面ｈ
ｌｉにおいては、前記含有濃度Ｃは支持体側に較べて可
成り低くされ九部分を有する酸素原子の分有状態が形成
され九層領域向が非晶質層に設けられるのが好ましへ本
実ＩｊＩＪにおいて、第一の非晶質層（夏）を構成す：
＋する酸素原子の含有される層領域向は、上記し良様に支持
体側の方に酸素原子が比較的高濃度で含有されている局
在領域ムを有する。

局在領域Ａは、嬉２図乃至嬉１Ｇ−に示す記号を用いて
説明すれば、界面位置−より５Ｊ以内に設けられるのが
望ましいものである。

本実’４にお−では、上記烏在領域ムは、界面位置ｔｌ
よ？）５ｓ厚までの金層領域−とされる場合もあるし、
又、層領域り、□一部とされる場合もある〇局在領域Ａ
を層領域ムの一部とするか又嬬全部とするかは、形成さ
れる非晶質層に１！求される特性に従って適宜決められ
為〇馬在領域ムはその中に含有される酸素原子０層厚方向の
分布状−として酸素原子の含有量分布値（分有磯度値）
の最大−ｘ賊通常はｍｌ。

ａｔ＠１ａ１ｅ−以上、好適には２０ａｔｏｍｉｅ％以
上、最適にはａ　ｏ　ａｔｏｍ胸饅以上とされる様な分
布状態とな９得る様に層形成されるのが望ましら◇ 即ち、本実＠Ｏ好ましい実施膳＊ｓｐｃおいて線、酸素
原子の含有される層領域向は、支持体側からの層厚で５
μ以内（ｂから５μ厚の層領域）に分布＃１＆の最大値
Ｑｎａｘが存在する橡に形成されゐ〇本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁価であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａ４　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　
Ｔｉ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｉ　、　Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリア書ド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側の他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＩ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、ムｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ。

Ｉｎ、Ｏ，、８ｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎ、０．＋　−８ｎ
Ｏ，）等から成る薄膜を設けることくよって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ　＊　Ｍｏ　Ａｇ　ｅ　Ｐｂ　
＊　Ｚｎ　＊　Ｎ’　ｔ　Ａｕ　＊Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｉ等の金属の薄膜を真空蒸着
、１子ビ一ム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。支持体の形状としては、円
筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子写真用Ｉｌ形成部材として使用するのであれ
ば連続扁速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。支持体の厚さは、所望通シの光導電
部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材と
して可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な威プ薄くされる
。丙午ら、この様な一合支持体の襄造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、通常は、１０声以上とされる。

本発明において、　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される嬉
−の非晶質−（Ｉ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構
成される第一〇非晶質層（Ｉ）を形成するには、基本的
（はシリコン原子（８ｉ）を供給し得る８ｉ供給用の原
料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである、所定の支持体表
面上Ｋ　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば
良い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例え
ばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベース
とし九混合ガスの雰囲気中で８ｉで構成されたターゲッ
トをスパッタリングする際、水素原子（）ｌ）又は／及
゛びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング
用の堆積室に導入してやれば良い。

！１１本発明において、必要に応じて第一の非晶質層（Ｉ）中
に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的には
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、
塩素を好適なものとして挙けることが出来る。

本発明において使用される８ｉ供給用の原料ガスとして
は、８ｉＨ４，８ｉ、Ｈ，、８ｉ、Ｈ，、Ｓｉ、Ｈ，、
等のガ・ス状繍の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
餉）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に１層
作成作業の扱い易さ、８ｉ供給効率の良さ等の点で８ｓ
Ｈ４，１晶が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くアノ・四ゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ノーロゲン化物、ハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換されたシラノ誘導体等のガス状
態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

又、更には−シリコン原子とハロゲン原子とを構成Ｉ！
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む硅素化合物も有効なものとして本発明においては挙
げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、！９素のへ〇ゲ
ンガス、ＢｒＦ　、　ｃｚｉｔ’　、　Ｃｅ１１．。

ＢｒＦ、　、　ＢｒＦ＠　、　ＩＰ、　、　ＩＰ、　、
　ＩＣｊ　、　ＩＢｒ　　等の／％Ｄゲン間化合物を挙
げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所−、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば８
ｉＦ４．８ｉ、Ｆ、　、　５ｉＣｚ４．８ｉＢｒ４等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−８ｉから成る第一の非晶質層（Ｉ）を形
成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一の非晶
質層（Ｉ）を形成する場合、基本的には、８４供給用の
原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとＡｒ、　Ｈ，、ｉ
（ｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になるＩ）Ｋ
して第一〇非晶質層（Ｉ）を形成する堆積室に導入し、
グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を
形成することによって、所定の支持体上に第一の非晶質
層（Ｉ）を形成し得るものであるが、水素原子の導入を
図る為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合物
のガスも所定量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単一種のみでなく所定の混合比で複数種温
合して使用しても差支えない４のである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（）ｌ、　Ｘ）から成る第一の非晶質層
（Ｉ）を形成するＫは、例えばスパッタリング法の場合
には８ｉから成るターゲットを使用して、これを所定の
ガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレ
ーティング法の場合には、多結晶シリコン又：′は単結
晶シリコンを蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシ
リコン蒸発源を抵抗加熱法、歳いはエレクトロンビー五
法（ＨＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定
のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される１中Ｋ　／％ロゲン原子を導
入するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン
原子を含む硅素化合物ｆ）ｔｊＸを堆積室中に導入して
該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものであ
る。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、゛例えば、鴇、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅率
化合物が有効なものとして、１１使用されるものであるが、その他に、■ζＨｃｅ。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、８ｉＨＪ’、　
、　８ｉＨ，Ｉ、。

−８ｉＨ，ＣＩ！Ｐｔ、　５ｕｉｃ／、　、　８ｉＨ，
Ｂｒ、　、　８ｉＨＢｒ、等のへ〇ゲン置換水素化硅素
、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子を構
成要素の１つとするハロゲン化物も有効な第一の非晶質
層（Ｉ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一の非晶質
層（Ｉ）形成の１ｌｌＫ層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御１ＫＩＩめて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン原子導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の非晶質層（Ｉ）中に構造的に導入する
には、上記の他に鴇、或いは８４Ｎ、、　８ｉ晶。

ｓｔ、Ｈ，ｓ　ｓｔ、Ｈ，、等の水素化硅素のガスを８
ｉを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、８ｓターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及び搗ガスを
必Ｉ！に応じてＨｅ、人ｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記８ｉター
ゲツトをスパッタリングする事によって、基板上ｆＣａ
−８４（Ｈ，Ｘ）から成る第一の非晶質層（Ｉ）が形成
される。

更には、不純物のドーピングも兼ねて４鴇等のガスを導
入してやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の第一の非晶質
層（Ｉ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合１〜４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　
Ｘ、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　５（とされるの
が望ましい。

第一の非晶質層（Ｉ）中に含有される水素原子（Ｈ）父
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するＫは、例え
ば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば
良い。

第一の非晶質層（Ｉ）Ｋ、第厘族原子を含有する層領域
（２）及び酸素原子を含有する層領域（０）を設けるに
は、グロー放電法や反応スパッタリング法部による第一
の非晶質ＩＩ　（Ｉ）の形成の際に、第璽族原子導入用
の出発物質及び酸素原子導入用の出発物質を夫々前記し
九第−の非晶質層（Ｉ）形成用の出発物質と共に使用し
て、形成される層中にその量を制御し乍ら含有してやる
事によって成される。

第一の非晶質層（Ｉ）を構成する、酸素原子の含有され
る層領域（０）及び嬉厘族原子の含有される層領域（曹
）を夫々形成するのにグロー放電法を用いる場合、各層
領域形成用の原料ガスとなる出発物質としては、前記し
九第−の非晶質層（Ｉ）形成用の出発物質の中から所望
に従って選択され友ものに、酸素原子導入用の出発物質
又は／及び第厘族原子導入用の出発物質が加えられる。

その様な酸素原子導入用の出発物質又は第璽族原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸嵩原子或いは第厘
族原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス：：。

化したものの中の大概のものが使用され得る。

例えば層領域（０）を形成するのであれば、シリコン原
子（８１）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０
）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする
原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又は
、シリコン原子（８ｉ　）を構成原子とする原料ガスと
、酸素原子（０）及び水素原子（１（）を構成原子とす
る原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、シリコン原子（８ｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（８ｉ）、酸素原子（０）及び水素
原子（）Ｉ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。

父、別には、シリコン原子（８ｉ）と水素原子（ｉ（）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子υ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

咳素原子導入用の出発物質となるものとして具体的には
、例えば酸素（Ｏｓ）−’オゾン（Ｏｎ）−一・、１酸化１１＃（ＮＯ）、　　二酸化窒素（ＮＯｍ）−−二
酸化窒素（ＮＩＯ）、三二酸化窒素（ＮｔＯｍ　）、四
二酸化窒素（ＮｔＯｍ）ｅミニ酸化窒素（Ｎ禦０．）、
三酸化窒素（ＮＯｍ）−シリコン原子（８ｉ）と酸素原
子（０）と水嵩原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば
、ジシロキサン（ＨｓＳｉＯ８ｉＨ，）、　　）　リシ
　ロ　キサン（Ｈａ８ｊ０８ｉＨ，０８ｉＨ，）等の低
級シロ中サン等を挙げることが出来る。

層領域（ＩＩ）をグルー放電性を用いて形成する場合に
第厘族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、へ搗、
Ｂ４鳩・ｔ　Ｂ、鴇、Ｂ、鳩、Ｂ、桟、。

Ｈａ”ｕ−ＢａＨｕ　　等の水素化硼素、ＢＰ、　、　
ＢＣ／、　、　ＢＢｒ。

等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ−ｅｃ
ｅｓ　＊　Ｇａｅｌ、　ｅ　Ｇａ（ＣＨ，）、　Ｉ　Ｉ
ｎＣ／ｓ　Ｉ　Ｔ／Ｃ４等も挙げることが出来る。

第厘族原子を含有する層領域（ＩＩ）　Ｋ導入される第
璽族原子の含有量は、堆積室中に流入される第厘族原子
導入用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー
、支持体温度、増積璽内の圧力等を制御するととＫよっ
て任意ＫＷｊ御され得る。

スパッターりフグ法によって、酸素原子を含有する層領
域（０）を形成するには、単結晶又は多結晶の８ｉウエ
ーハー又はａｔｏ、２ニーバー、又は８ｉと８ｉ０．が
混合されて含有されているウェーハーをターゲットとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって行えば良い。

例えば、８４ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハー
をスパッターリングすれば良い。

又、別ＫＦｉ、８１と８４０．とは別々のターゲットと
して、又はＳｉ　、！：　８ｉ０．の混合した一枚のタ
ーゲットを使用することによって、スパッター用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ”）を構成原子とし
て含有するガス雰囲気中でスパッターリングすることに
よって成される。酸素原子導入用の原料ガスとしては、
先遣したグ四−放電の例で示した原料ガスの中の酸素原
子導入用の原料ガスが、スパッターリングの場合にも有
効なガスとして使用され得る。

本発明において、第一の非晶質層（Ｉ）をグロー放電法
で形成する際に使用される稀釈ガス、或いはスパッタリ
ング法で形成される際に使用されるスパッターリング用
のガスとしては、所副稀ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　
、　Ａｒ　等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質層（Ｉ）
上に設けられる第二の非晶質層（１）は、シリコン原子
と炭素原子とで構成される非晶質材料（ａ−８ｉｚＣ１
−Ｘ　１但し０（ｘ（１）で形成されるので、非晶質層
（Ｉ）と第二の非晶質層（１）とを形成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有、して
いるので、積層界面に於いて化学的な安定−の確保が充
分成されている。

ａ−８ｉ　ｚｃ　１−Ｘで構成される第二の非晶質層（
１）の形成はスパッターリング法、イオンブランデージ
ョン法、イオンブレーティング法、エレクトロンビーム
法等によって成される。これ等の製造法は、製造条件、
設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製造
する為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン
原子と共に縦素原子を作製する中間層中に導入するのが
容易に行える等の刹点からスパツターリング法或いはエ
レクトロンビーム法、イオンブレーティング法が好適に
採用される。

スパッターリング法によって第二の非晶質層（１）を形
成するには、単結晶又は多結晶の８ｉつニーバーとＣウ
ェーハー、又は８ｉとＣが混合されて含有されているウ
ェーハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲
気中でスパッタ゛・：：・ニーリングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハー及びＣウェーハーをターゲット
として使用する場合ＫＦｉ、Ｈｅ、　Ｎｅ、　Ａｒ等の
スパッターリング用のガスを、スパッター用の堆積室中
に導入してガスプラズマを形成し、前記Ｓｉウェーハー
及びＣウェー／１−をスノ（ツタ−リングすれば嵐い。

又、別には、ＳｉとＣの混会し九一枚のターゲットを使
用することによって、スパッターリング用のガスを装置
系内に導入し、そのガス雰囲気中でスパッターりンダす
ることによって威される。エレクトロンビーム法を用い
る場合には２個の蒸着ボート内に各々、単結晶又は多結
晶の高純度シリコン及び高純度グラファイトを入れ、各
々独立にエレクトロンビームによって同時蒸着するか、
又は同一蒸着ボート内に所望の混合比にして入れたシリ
コン及びブラフアイトラ単一のエレクトロンビームによ
って蒸着すればよい。第二〇非晶質層（璽）中に含有さ
れるシリコンと炭素の含有比は前者の場合、エレクトロ
ンビームの加速電圧をシリコンとグラファイトに対して
変化させるととによって制御し、後者の場合け、あらか
じめシリコンとグラファイトの混合量を定めるととによ
って制御する。イオンブレーティング法を用いる場合は
蒸着槽内に種々のガスを導入しあらかじめ檜の周１１Ｋ
まいたコイルに高周波電界を印加してグローをおこした
状態でエレクトロンビーム法を利用して８１及びＣを蒸
着すればよい。

本発明に於ける第二〇非晶質層（１）は、その要求され
る特性が所望過ＤＫ与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、Ｓｉ、Ｃ，を構威願子とする物質は、その作成条
件によって構造的には結晶からアモルファスまでの影態
な取に、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性ま
での間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質ま
で０間の性質を、各々示すので、本発明に於いては、目
的に応じた所望０４１１性を有するａ−８ｉｘＣ１−、
が形成される様に、所望Ｋｉｔつてその作成条件の選択
が厳密に威される。

例えば、第二の非晶質層°（１）を耐圧性の向上を主１
に目的として設けるＫはａ−８１ｚＣｚ−ｘは使用−墳
に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質□ 材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用積項特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層（１）が設けられる場合に轄
、上記の電気絶縁性の度合はある＠縦緩和され、照射さ
れる光に対しであるｓ度の感度を有する非晶質材料とし
て計Ｓ輸Ｃ１−８が作成される。

第一の非晶質層（１）の表面Ｋ　ａ−８輸Ｃ３−８から
成る第二の非晶質層（璽）を形成する際、層彫威中の支
持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重
要な因子であって、本発明に於いては、目的とする特性
を膚するｌ　−８１ＸＣ＠−１が所望通りに作成され得
る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望
ましい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第二の非
晶質層（１）を形成する際の支持体温度としては、第二
の非晶質層（１）の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、第二の非晶質層（璽）の形成が行われるが、好
適には２０〜３００Ｃ１最適には２０〜２５０　、、Ｃ
とされるのが望ましい屯のである。　　　・１第二の非晶質層（夏）の影威には、層を構成する原子の
組成比の微妙な制御子層厚の制御が葡の方法に較べて比
較的容易である事勢の為に、スパッターリング法やエレ
クトロンビーム法の採用が有利であるが、これ勢の層形
成法で第二の非晶質層（璽）を形成する場合には、前記
の支持体温度と−＋ＩＩＩＫ層形威の際の形成パワーが
作成されるａ−８ｉｘＣ，−ｘの特性を左右する重要な
因子の１つとして挙けることが出来る。

本発明責於ける目的が達成され１為の特性を有するａ−
８ｉｘＣ，ｘが生産性良く効果的に作成される為の放電
パワー条件としては、好適には５０Ｗ〜２５０　Ｗ　、
最適にはｓｏ　ｗ　−ｔｓｏ　ｗとされるＯがｍましい
。

本発明に於いては、第二の非晶質層（１）を作成する為
の支持体温度、放電パワーの望會しい数値範囲として前
記し九範囲の値が挙けられるが、これ等の層作成ファク
ターは、独６ｉ的に別々に決められる亀のではなく、所
望−性０ＪＩ−８ｉｘＣ１−Ｘから成る第二の非晶質層
（璽）が形成される様Ｋｓ互的有機的関連性に基いて各
層作成ファクターの最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（１）　Ｋ
含有される炭素原子の量は、第二の非晶質層（１）の作
製条件と同様本発明の目的を達成する所望の特性が得ら
れる層が形成される重要な因子である。

である。

本発明に於ける第二の非晶質層（１）の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に
応じて適宜所望に従って決められる。

又、第二の非晶質層（璽）の層厚は、該層（璽）中に含
有される炭素原子の量や第一の非晶質層（１）の層厚と
の関係に於いても、各々の層領域ＫＩＮ求される特性に
応じえ有機的な関連性Ｏ下に所望に従って適宜決定され
る必要がある。

更に加え得るに、生産性中量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（璽）の層厚としては、
通常０．００３〜３０μ、好適には０００４〜２０１１
％最適にはｏ、ｏｏｓ〜１０ｓとされるのが望ましいも
のである。

本発明において使用されゐ支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であって４嵐い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

ＮｔＣｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ、Ｔ
ｉ　ｔＰｔ　ｓａｄ　郷の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方ｏｕｉＩｉｔ
導電処場され、該導電処ｍされ九表面儒に他の層が設け
られるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　。

Ａ４．Ｃｒ　　、Ｍｏ　　、Ａｕ、Ｉｒ　　、Ｎｂ　　
、Ｔａ　　、ＶｅＴｔ、Ｐｔｔ　　Ｐｄ。

Ｉｎ、０．、８ｎＯ，、ＦＯ（Ｉｎ、Ｏａ　＋８ｎＯｍ
　）　ＩＩから威る薄膜を設けることＫよって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィル五等の合成樹脂フ
ィルムであれば、ＮｔＣｒ　、ＡＪｅムｇ、Ｐｂ、Ｚａ
、Ｎｉ、ムＵ。

Ｃｒ　、Ｍｏ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、ＶｔＴｉ
　ｔＰｔ郷の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等でその表面に設叶、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その１１面に導電性が付
与される。支持体０形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えに、第１図の光導電部材１
００を電子写真用像彫威部材として使用するので◆れば
連続高速複写の場合に１１：は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通勤の光導電部材が形成される様に適
宜決定されるが、光導電部材上して可撓性が要求される
場合には、支持体としての機能が充分発揮されるＩＩＡ
ＩＩ内であれば可能な隈シ薄くされる０画情ら、この様
な場合支持体ＯＩＩ造上及び堆扱い上、機械的強度等Ｏ
点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に本発明Ｏ光導電部＃Ｏｓ造装置の一例を示す
。

図中の１１０！、１１０３．１１０４のガスボンベには
、本発明Ｏ夫々の層を形成する九め０原料ｌスが密封さ
れており、その−例として九とえば１１０２は、Ｈｅで
稀釈されえ８轟Ｌガス（Ｍｔｎ９９ｅＮ。

以下８＊Ｈ，／Ｈｅと略す＊　）＋ｇｙへ、１ｔｏｗは
Ｈｅ　チー釈され九Ｂ、Ｈ，ガス（Ｍ＊５ｓｎｓ帽％、
以下Ｂ＠　Ｈ＠　／Ｈ＠と略す、）ボンベ、１１Ｇ４ａ
ムｒガス（純度＠９＊１ｌＮ）ボンベ、１１０ＳＦｉＮ
ＯガＪ　（Ｍ＠　５ｓｓｓｓ％）ボ’へ、１１０＠ａＨ
−で１釈され九８ｉＦ、ガス（純ｍｅｓｓ・ＩＮ、以下
８ぼ、／翫と略す、）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１　Ｋ流入させるにはガス
ボンベ１１０１〜１１０６のノ（ルブロ４２−１１２６
　、リークバルブ１１３５が夫々閉じられていることを
確認し、又、流入／（ルブ１１１ト１１１１１、工流入バルブ１１１７〜１１２１、補助〕（ルプ１１３１
１１３３が開かれていることを確認して、先づメインバ
ルブ１１３４を開いて反応室１１０１％及びガス配管内
を排気する０次に真空計１１３１８０１ｍパルプ１１１
７〜１１２１を閉じる。

その後、反応室３０１内に導入すべきガスＯダンベに接
続されているガス配管のＩ（ルプを所定通勤操作して、
所望するガスを反応室３０１内に導入する。

次に第２図に示す欝威と同様の層構成の非晶質層（１）
と、鋏層（１）上に非晶質層（１）を有する光導電部材
を作成する場合の一例の概略を述べる。

ガスボンベ１１０２よ？）８ｘＨ，／Ｈｅガスを、ガス
ボンベ１１０３よｊＪＨ＠／Ｈｅガスを、ガスボンベ１
１０５　ｊ　ｌ）　ＮＯＪｘ　ヲ、夫ｋ　Ａｈ７’　１
１！Ｌｌｌ！３゜１１２５１−開いて出口圧ゲージ１１
！７．１１！！魯、１１３Ｇの圧をＩＱ／ｍ１ｇ調整し
、流入／（ＪｌｙプＩＩＩＬ　１１１３゜１１１５　を
徐々に−けて、マス７ａ−コントローラ１１０７．１１
０８，１１１０内ＫｆＩＬ人させる。引＊＊いて流出パ
ルプ１１１７．１１１８，１１雪０１補助パルプ１１３
２を徐々Ｋｌｌいて夫々のガスを反応室１１０１　Ｋ流
入させる。このと１０８ｊＨ，／Ｈｅガス流量とＢ、Ｈ
，／Ｉ（・ガス流量との比が所１１０億になるように流
出パルプ１１１７．１１１１１を調整し、又、反応室１
１０１内の圧力が所望０１１１になるように真空針１１
３６の読みを見ながら、メ′イ・ノパルプ１１３４０−
口を調整する。そして基１１１Ｂ７の−ＩＩが加熱ヒー
ター・１１３１１　ＫよりＳＯ〜４００Ｃの糖■ｏｍｅ
Ｋａ定されていることを確認喋れ九後、電＠　１１４Ｇ
を所ｍｅ電力ＫＷｌｋ定して反応室１１＠１内にダロー
放電を生起させ、１同時にあら門じめ設計されえ変化率
−−Ｅ１つてＢ、Ｈ，／）ｂガスの流量及び荀ガスの流
量を夫々手動あるいハ外部駆動モータ等の方法によって
パルプ１１１８及びパルプ１１２０を漸次便化させる操
作を行なって形成される層中に含有されるＢ等ＯＩＩ族
原子及び酸素原子の含有濃度を制御し、層領域＜　ｔｔ
ｔｍ　）を形成する。

層領域（ｔｉｔｓ　）が形成され九時点に於いては、パ
ルプ１１１８及びパルプ１１２０は完全に閉じられ良状
態にあるので、その後の層形成け、８ｊＨ４／Ｈ・ガス
の使用のみで行われ、その結果、層領域（ｔｓｔｍ　）
上に層領域（’ａｌｔ　）が所望の層厚で形成されて、
第一〇非晶質層（１）　ｔ）形成が終了される。

上記の様にして、非晶質層（Ｉ）が、含有される第１＊
ｊ子と酸素原子の所望Ｏ分布一度（ｄ印ｔｈｐｒｏｆｉ
ｌｅ）を以って、所望層厚に形成された後、ブ流出パルプ３１７が一旦完全に閉じられ、放電も中断さ
れる。

’：’：’ＩＩ非晶質層（１）　０形威Ｏ際に使用される原料ガス種と
しては、８ｉＨ４ガスの他に、殊に８−鴎ガスが層＠威
速度の向上を図る為に有効である。

第一の非晶質層（’Ｉ）中にハ四ゲン原子を含有させる
場合にけ上記のガスに、例えば引Ｐ４／Ｈ１Ｓを、更に
付加して反応室１１０１内に送〉込む。

第一の非晶質層（！）上に第二の非晶質層（１）を形成
するＫは、例えば、次の様に行う、まずシａｒ’ツタ−
１１４２を−く、すべてのガス供給パルプは一旦閉じら
れ、反応室１１ｏ１は、メインパルプ１１３４を食間す
るととＫより、排気される。

高圧電力が印加される電極１１４１　ｋＫは、予め高Ｉ
ＩＩＩＡ度シリコンウェハ１１４２−１　、及び高緯度
グラファイトウェハ１１４２−２が所望の面積比率で設
置されたターゲットを般けてお（、ガスボンベ１１０５
よ）、Ａｒガスを、反応Ｉｍ　１１０１内に導入し、反
応室ｘｌｏｉの内圧が０．０５−１　ｔｏｒｒとなるよ
うメインパルプ１１３４を調節する。高圧電ＩＩ　１１
４０を係とし＃ｉ記のターゲットをスパッタリングする
ことによ）、第一〇非晶質層（１）上に第二の非晶質層
（璽）を形成することが出来る。

第二の非晶質層（１）中に含有される炭素原子の量け、
シリコンウェハとグラファイトウェハのスパッター面積
比率や、ターゲットを作成する際のシリコン粉末とグラ
ファイト粉末の混合比を所望Ｋｉｔつて調整することに
よって所望に応じて制御することが出来る。

奥論儒１嬉１１図に示した製造装置を用い、第１１第ｚｍ領ｍ内
で、ｌｌ［２ＨＫ示すような酸素１１＆分布を持つ像形
成部材を菖１表の条件下で作製し丸。

こうして得られえ像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθＬＯＵでａ　ｔ　ＭＣ＠＠　：ＩＱす帯電を行い
、直ちに光像を照射し丸光像はタングステンランプ光源
を用い、Ｌ５Ｊｍｘ、繻Ｏｔ量を逓過蓋のテストチャー
トを通して照射させえ。

その後直ちに、０荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を部材表面をカスケードすゐことによって、部
材表面上ＫｊＬ好なトナー画像を得え。部材上のトナー
画像を、■！ＬＯＫＦのコロナ帯電で転写紙上に転写し
死所、解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高淡ＷＯ
Ｗ像が得られえ。

実施例２籐１１図に示し丸調造装置を用い、第１、第３層領域内
で、第１３１１に示すような酸素濃度分布を持つ像形成
部材を第３表の条件下で作製したＯその他の条件は実施例１と同様にして行ったＯこうして
得られえ像形成部材に就いて、実施例１と同Ｖの条件及
び手順で転写紙上に画偉を形成したところ極めて鮮明な
画質が得られ九〇実施例３１１１１１１ｉＫ示し九″製造装置を用い、第１、第３
層領域内で、第１４１１に示すような酸素濃度分布を持
つ偉形成部材を第３表の・条件下で作馴し九〇その他の条件は実施例奉と同様にして行つ九。

こうして得られた゛儂形成部材に就いて、１ＩＩＩＡ例
１と同様の条件及び手瞑で転写鋼上に画偉を形成したと
ころ極めて鮮明表゛画質が得られた。

実施例４非晶質層＠Ｏ形形成際にシリツンクエハとダラファイト
の面積比を変えて、□非晶質層（２）中に於けるシリコ
ン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施
例３と食〈同様な方渋によって１１形威部材を作成し九
〇こうして得られた會形成部材に’）龜実施例１に述べた
如き作像、現像、り、リーニング０工１を約５万回繰り
返し先後画像評領を行ったとζろ第４表の如自紬呆を得
た。

実施例５非晶質層（７）の層厚を変える以外は、実施例１と全く
同様な方法によって像形成部材を作成した０実施例１に
述べえ如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰り返
し下記の結果を得九〇第　　５　　表実施例６１１１１及びＩＩＩＩＩｍ層領域０形威方法を下表の如
く変える以外は、実施例１と同様な方法で層形成を村い
、実施例１と同様な画質評価を打つぇところ、喪好表結
果が得られた。

実施例７ｊ１１１図に示した製造装置を用い、第１、第２層領域
内で、第１５図に示すような酸素濃度分布を持り像形成
部材を１１１７表の条件下で作製した。

その他の条件は、実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手馴で転写紙上にｉｉｉ＊を形成したところ
極めて鮮明な画質が得られ九０

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な例の１つ
を説明する為の模式的説明−１第２図乃至第１０１！１
１は、夫々、本発明の光導電部材の非晶質層を構成する
層領域ａｅｃ＊ける酸素原子の分布ａ度を説明する模式
的説明図、１１１１図は、本発明の光導電部材を作製す
る為に使用され九装置の模式的説明図、１１１１２−乃
Ｍ落１Ｓ図は、本発明の実施例に於ゆる層領域Ｑ中の酸
素原子の分布濃度を示す説明図である。ＺＧｏ　　・・・光導電部材１０１　　・・・支持体１（１２・・・第一の非晶質層（１）１０３−・・第一の層領域向１０４　　・・・第二の層領域（２）１０Ｂ　　・・・層領域１０１１　　・・・第二の非晶質層（２）ト −一一一−ＣＣ第１頁の続き０発　明　者　大里陽− 東京都大田区下丸子３丁目（資）番２号キャノン株式会社内０発　明　者　三角輝男東京都大田区下丸子３丁目（資）番２号キャノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　　光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成され、光導電性を示す第一の
非晶質層とシリコン鳳ｔと一１１＝ｌｌＩＩＩ＆一原子
とを含む非晶質材料で構成され九第二〇非晶質層とを有し、前記第
一の非晶質層かミ構成原子として、層厚方向に不均一で
連続的な分布状態で酸素原子が含有されている第一０層
領域と、構成原子として、層厚方向に連続的な分布状態
で周期律表亀厘族に属する原子が含有され、前記第一の
非晶質層の１１面下に内在している第二０層領域とを有
する事を特徴とする光導電部材。（劾　第二の層領域が尾−の非晶質層の金層領域を占め
ている特許−求の鳴Ｉｌ嬉１１［Ｋ記載の光導電部材。（−周期律ＩＩ嬉厘族に属する原子の分布状態が層厚方
向に均一である特許請求の範囲１１１項に記載の光導電
部材。１４Ｊ　　酸素原子が支持体側の方に多く分布している
特許請求の範■嬉１項に記載の光導電部材０