JPS58153324A - 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 - Google Patents

光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置

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Publication number
JPS58153324A
JPS58153324A JP3766282A JP3766282A JPS58153324A JP S58153324 A JPS58153324 A JP S58153324A JP 3766282 A JP3766282 A JP 3766282A JP 3766282 A JP3766282 A JP 3766282A JP S58153324 A JPS58153324 A JP S58153324A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tube
inner tube
outer tube
lamp
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3766282A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Ito
伊藤 博己
Kyusaku Nishioka
西岡 久作
Hayaaki Fukumoto
福本 隼明
Makoto Hirayama
誠 平山
Kenji Takayama
健司 高山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3766282A priority Critical patent/JPS58153324A/ja
Publication of JPS58153324A publication Critical patent/JPS58153324A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps

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  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 改良に関するものである。
OVDは集積回路装置を製造する際、MO8素子のそし
て、従来CVDは主として反応ガスを加熱して化学反応
を起こさせていたが、半導体素子の微細化に伴う接合の
浅薄化(shallow junction化)、また
はその動作の高速化のための不純物プルファイルの急し
ゅん化、更には、プロセス順序の制約除去の要請などの
ために、低温プロセス化が望まれている。この流れに沿
う技術として現在プラズマOVD技術が実用化されてい
る。そして、最近低温avnのエネルギー源として、レ
ーザ光や紫外m表どの光のエネルギーを用いる方法が注
目され、この方式を用いた光OVD装置の試作が行なわ
れている0 第1図はこのような従来装置の一例を示す模式断面図で
、(1)は後述の光源からの光を透過する材質からなる
反応管、lti反応管(1)の中に設けられたサセプタ
、(S)はサセプタ(2)の上に置かれた被加工ウェー
ハ、(41ti反応管(11の外に設けられ赤外線(I
R) tウェーハ(3)に照射してこれを加熱する赤外
線ラング、(61は反応管il+の外に設けられ紫外線
(UV) を照射する光化学反応用ランプで、G1は反
応ガス導入口、Goは反応ガス排出口を示す。
しかしながら、上述のような従来の装置では、ウェーハ
(3)をサセプタ(2)の上に水平に載置して、これに
光を照射する形式であり、ウェー/S処理能透過を妨げ
、反応が進行しにくくなったり、運転毎の製品ウェーへ
の品質の再現性がそこなわれることがある。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも光OVD
装置を提供することを目的としている。
第2図(a)Fiこの発明の一実施例の構成を模式的に
示す横断面図、第2図(b)は第2図(a)のIIB−
nB線での断面図である。図において、第1図の従来例
と同一符号は同等部分を示す。+l)は光透過材からな
る外管で、赤外線ランプ(4)および光化学反応用ラン
プ(5)がその周囲に谷8本交互に配設されている。(
2a)はサセプタで複数枚のウェーハ(3)が立てて保
持される。+61tlステンレス鋼などの光を透過させ
ない材料からなる内管、(7)は内管(6)に各光化学
反応用ランプ(5)に沿って設けられ、このランプ(6
)の径と同程度の幅とランプ(6)の長さと同程度の長
さを有するスリット、(8)および(9)ハそれぞれ赤
外線ランプ(伯および光化学反応用ランプ(5)用のセ
ードで、前者はウェーハ(3)が均一に加熱されるよう
に赤外線工Rを整形し、後者はランプ(5)からの紫外
@vvtスリット())から効率よく内管(61内に入
り込むように整形する。
外管(1)と内管(6)との間隙には窒素などの不活性
ガスを流す。エムG1は不活性ガス導入口、エムG。
は不活性ガス排出口である。内管(6)の内側には従来
と同様反応ガスが導入口G1から導入され1.排出口G
oから排出される。管内の圧力、不活性ガスの流量、ス
リット(7)の面積などを適当に選べば、反ために光の
通過が妨害されることがないようにできる。
光源からの光は幾何学的に対称にウェーハ(3)間膜厚
は均一化が期待できる。光源からの光は整形されている
ので反応ガスに均一には照射され表いが、光源ランプの
本数、光の強度などを適当に選なお、上記実施例では内
管は光を透過させない材料を用いたが、一般には比較的
熱伝導のよい材反応用ランプの配置は周方向に実質的に
等間隔であれは軸対称である要はない。
明KL、内管にはスリットを設けて、このスリットから
紫外fmを導入するようにし、内管内KFi反応ガス、
内管と外管との間には不活性ガスを流す加工基板を複数
個保持できるので、処理効率も向上できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置の一例を示す模式断面図、第2図(a
)はこの発明の一実施例の構成を模式的に示す横断面図
、第2図(1))は第2図(a)のIIB−I[B#で
の断面図である。 図において、(1)は外管、(”)はサセプタ、(3)
は被加工基板、(41a赤外線ランプ、(5)は光化学
反応用ランプ、(6)は内管、(7)はスリン)、Gi
は反応ガス導入口、Goは反応ガス排出口、エリ1は不
活性ガス導入口、エムGoは不活性ガス排出口である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す0 代理人   葛 野 信 −(外1名)第1図 手続補正書(1侮) 特許庁長官殿 1.11件の表示    特願昭5’7−3ff6(1
号2・ 発明)名称     党をエネル4LIIとす
る化学気韻堆積装置3、補正をする者 事件との関係   特許出願人 6、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面6、 補正の
内容 (1)明細書の第5頁第4〜5行に「IAGsは不活性
ガス導入口、IAG、は不活性ガス排出口である。」と
あるのを「IAGiは不活性ガス導入口である。」と訂
正する。 (2)同第5頁第6〜7行に「排出口G、から排出され
る。」とめるのを「スリン) (7Jを通して内管(6
)内に入ってくる不活性ガスとともに排出口G。 から排出される。不活性ガスは内管(6)内へ入っても
反応に大きな影響祉与えない。」と訂正する。 (3)図面の第2図を添付図面のとおりに訂正するO マ、 添付書類の目録 訂正後の第2図を示す図面     1通以上 第 (A (6L)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光透過材からなる外管、比較的に熱伝導のよい材
    料からなり上記外管の内部にこれと同軸に配設され九内
    管、上記外管の外周に互いに所定間隔をおいて配設され
    上記外管を通して上記内管に実質的に均一に赤外at照
    射してこれを加熱する複数個の赤外線ランプ、上記外管
    の外周に上記外管の軸に平行に配設され上記外管を通し
    て、上記内管の外周面の局方向の実質的に等間隔位置へ
    紫外線を照射する複数個の光化学反応用ランプ、上記内
    管の管壁の上記紫外線の照射される部位にそれぞれ軸方
    向に設けられ上記紫外線を上記内管の内部へ導く複数個
    のスリット、及び上記内管の内部に設けられ複数枚の被
    加工基板を互いに所定間隔をおいて並べて保持するサセ
    プタを備え、上記ともに、上記内管と上記外管との間に
    は不活性ガ積装置。
JP3766282A 1982-03-08 1982-03-08 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 Pending JPS58153324A (ja)

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JP3766282A JPS58153324A (ja) 1982-03-08 1982-03-08 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置

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JPS58153324A true JPS58153324A (ja) 1983-09-12

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ID=12503843

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JP3766282A Pending JPS58153324A (ja) 1982-03-08 1982-03-08 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置

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JP (1) JPS58153324A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0154561A2 (en) * 1984-03-07 1985-09-11 General Signal Corporation Improved apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition
US4615294A (en) * 1984-07-31 1986-10-07 Hughes Aircraft Company Barrel reactor and method for photochemical vapor deposition
US4958592A (en) * 1988-08-22 1990-09-25 General Electric Company Resistance heater for diamond production by CVD
US5112647A (en) * 1986-11-27 1992-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for the preparation of a functional deposited film by means of photochemical vapor deposition process

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0154561A2 (en) * 1984-03-07 1985-09-11 General Signal Corporation Improved apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition
US4615294A (en) * 1984-07-31 1986-10-07 Hughes Aircraft Company Barrel reactor and method for photochemical vapor deposition
US5112647A (en) * 1986-11-27 1992-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for the preparation of a functional deposited film by means of photochemical vapor deposition process
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