JPS58153324A - 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 - Google Patents
光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置Info
- Publication number
- JPS58153324A JPS58153324A JP3766282A JP3766282A JPS58153324A JP S58153324 A JPS58153324 A JP S58153324A JP 3766282 A JP3766282 A JP 3766282A JP 3766282 A JP3766282 A JP 3766282A JP S58153324 A JPS58153324 A JP S58153324A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- inner tube
- outer tube
- lamp
- light
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
改良に関するものである。
ＯＶＤは集積回路装置を製造する際、ＭＯ８素子のそし
て、従来ＣＶＤは主として反応ガスを加熱して化学反応
を起こさせていたが、半導体素子の微細化に伴う接合の
浅薄化（ｓｈａｌｌｏｗ ｊｕｎｃｔｉｏｎ化）、また
はその動作の高速化のための不純物プルファイルの急し
ゅん化、更には、プロセス順序の制約除去の要請などの
ために、低温プロセス化が望まれている。この流れに沿
う技術として現在プラズマＯＶＤ技術が実用化されてい
る。そして、最近低温ａｖｎのエネルギー源として、レ
ーザ光や紫外ｍ表どの光のエネルギーを用いる方法が注
目され、この方式を用いた光ＯＶＤ装置の試作が行なわ
れている０ 第１図はこのような従来装置の一例を示す模式断面図で
、（１）は後述の光源からの光を透過する材質からなる
反応管、ｌｔｉ反応管（１）の中に設けられたサセプタ
、（Ｓ）はサセプタ（２）の上に置かれた被加工ウェー
ハ、（４１ｔｉ反応管（１１の外に設けられ赤外線（Ｉ
Ｒ） ｔウェーハ（３）に照射してこれを加熱する赤外
線ラング、（６１は反応管ｉｌ＋の外に設けられ紫外線
（ＵＶ） を照射する光化学反応用ランプで、Ｇ１は反
応ガス導入口、Ｇｏは反応ガス排出口を示す。
て、従来ＣＶＤは主として反応ガスを加熱して化学反応
を起こさせていたが、半導体素子の微細化に伴う接合の
浅薄化（ｓｈａｌｌｏｗ ｊｕｎｃｔｉｏｎ化）、また
はその動作の高速化のための不純物プルファイルの急し
ゅん化、更には、プロセス順序の制約除去の要請などの
ために、低温プロセス化が望まれている。この流れに沿
う技術として現在プラズマＯＶＤ技術が実用化されてい
る。そして、最近低温ａｖｎのエネルギー源として、レ
ーザ光や紫外ｍ表どの光のエネルギーを用いる方法が注
目され、この方式を用いた光ＯＶＤ装置の試作が行なわ
れている０ 第１図はこのような従来装置の一例を示す模式断面図で
、（１）は後述の光源からの光を透過する材質からなる
反応管、ｌｔｉ反応管（１）の中に設けられたサセプタ
、（Ｓ）はサセプタ（２）の上に置かれた被加工ウェー
ハ、（４１ｔｉ反応管（１１の外に設けられ赤外線（Ｉ
Ｒ） ｔウェーハ（３）に照射してこれを加熱する赤外
線ラング、（６１は反応管ｉｌ＋の外に設けられ紫外線
（ＵＶ） を照射する光化学反応用ランプで、Ｇ１は反
応ガス導入口、Ｇｏは反応ガス排出口を示す。
しかしながら、上述のような従来の装置では、ウェーハ
（３）をサセプタ（２）の上に水平に載置して、これに
光を照射する形式であり、ウェー／Ｓ処理能透過を妨げ
、反応が進行しにくくなったり、運転毎の製品ウェーへ
の品質の再現性がそこなわれることがある。
（３）をサセプタ（２）の上に水平に載置して、これに
光を照射する形式であり、ウェー／Ｓ処理能透過を妨げ
、反応が進行しにくくなったり、運転毎の製品ウェーへ
の品質の再現性がそこなわれることがある。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも光ＯＶＤ
装置を提供することを目的としている。
装置を提供することを目的としている。
第２図（ａ）Ｆｉこの発明の一実施例の構成を模式的に
示す横断面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＩＩＢ−
ｎＢ線での断面図である。図において、第１図の従来例
と同一符号は同等部分を示す。＋ｌ）は光透過材からな
る外管で、赤外線ランプ（４）および光化学反応用ラン
プ（５）がその周囲に谷８本交互に配設されている。（
２ａ）はサセプタで複数枚のウェーハ（３）が立てて保
持される。＋６１ｔｌステンレス鋼などの光を透過させ
ない材料からなる内管、（７）は内管（６）に各光化学
反応用ランプ（５）に沿って設けられ、このランプ（６
）の径と同程度の幅とランプ（６）の長さと同程度の長
さを有するスリット、（８）および（９）ハそれぞれ赤
外線ランプ（伯および光化学反応用ランプ（５）用のセ
ードで、前者はウェーハ（３）が均一に加熱されるよう
に赤外線工Ｒを整形し、後者はランプ（５）からの紫外
＠ｖｖｔスリット（））から効率よく内管（６１内に入
り込むように整形する。
示す横断面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＩＩＢ−
ｎＢ線での断面図である。図において、第１図の従来例
と同一符号は同等部分を示す。＋ｌ）は光透過材からな
る外管で、赤外線ランプ（４）および光化学反応用ラン
プ（５）がその周囲に谷８本交互に配設されている。（
２ａ）はサセプタで複数枚のウェーハ（３）が立てて保
持される。＋６１ｔｌステンレス鋼などの光を透過させ
ない材料からなる内管、（７）は内管（６）に各光化学
反応用ランプ（５）に沿って設けられ、このランプ（６
）の径と同程度の幅とランプ（６）の長さと同程度の長
さを有するスリット、（８）および（９）ハそれぞれ赤
外線ランプ（伯および光化学反応用ランプ（５）用のセ
ードで、前者はウェーハ（３）が均一に加熱されるよう
に赤外線工Ｒを整形し、後者はランプ（５）からの紫外
＠ｖｖｔスリット（））から効率よく内管（６１内に入
り込むように整形する。
外管（１）と内管（６）との間隙には窒素などの不活性
ガスを流す。エムＧ１は不活性ガス導入口、エムＧ。
ガスを流す。エムＧ１は不活性ガス導入口、エムＧ。
は不活性ガス排出口である。内管（６）の内側には従来
と同様反応ガスが導入口Ｇ１から導入され１．排出口Ｇ
ｏから排出される。管内の圧力、不活性ガスの流量、ス
リット（７）の面積などを適当に選べば、反ために光の
通過が妨害されることがないようにできる。
と同様反応ガスが導入口Ｇ１から導入され１．排出口Ｇ
ｏから排出される。管内の圧力、不活性ガスの流量、ス
リット（７）の面積などを適当に選べば、反ために光の
通過が妨害されることがないようにできる。
光源からの光は幾何学的に対称にウェーハ（３）間膜厚
は均一化が期待できる。光源からの光は整形されている
ので反応ガスに均一には照射され表いが、光源ランプの
本数、光の強度などを適当に選なお、上記実施例では内
管は光を透過させない材料を用いたが、一般には比較的
熱伝導のよい材反応用ランプの配置は周方向に実質的に
等間隔であれは軸対称である要はない。
は均一化が期待できる。光源からの光は整形されている
ので反応ガスに均一には照射され表いが、光源ランプの
本数、光の強度などを適当に選なお、上記実施例では内
管は光を透過させない材料を用いたが、一般には比較的
熱伝導のよい材反応用ランプの配置は周方向に実質的に
等間隔であれは軸対称である要はない。
明ＫＬ、内管にはスリットを設けて、このスリットから
紫外ｆｍを導入するようにし、内管内ＫＦｉ反応ガス、
内管と外管との間には不活性ガスを流す加工基板を複数
個保持できるので、処理効率も向上できる。
紫外ｆｍを導入するようにし、内管内ＫＦｉ反応ガス、
内管と外管との間には不活性ガスを流す加工基板を複数
個保持できるので、処理効率も向上できる。
第１図は従来装置の一例を示す模式断面図、第２図（ａ
）はこの発明の一実施例の構成を模式的に示す横断面図
、第２図（１））は第２図（ａ）のＩＩＢ−Ｉ［Ｂ＃で
の断面図である。 図において、（１）は外管、（”）はサセプタ、（３）
は被加工基板、（４１ａ赤外線ランプ、（５）は光化学
反応用ランプ、（６）は内管、（７）はスリン）、Ｇｉ
は反応ガス導入口、Ｇｏは反応ガス排出口、エリ１は不
活性ガス導入口、エムＧｏは不活性ガス排出口である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図 手続補正書（１侮） 特許庁長官殿 １．１１件の表示 特願昭５’７−３ｆｆ６（１
号２・ 発明）名称 党をエネル４ＬＩＩとす
る化学気韻堆積装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ６、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、 補正の
内容 （１）明細書の第５頁第４〜５行に「ＩＡＧｓは不活性
ガス導入口、ＩＡＧ、は不活性ガス排出口である。」と
あるのを「ＩＡＧｉは不活性ガス導入口である。」と訂
正する。 （２）同第５頁第６〜７行に「排出口Ｇ、から排出され
る。」とめるのを「スリン） （７Ｊを通して内管（６
）内に入ってくる不活性ガスとともに排出口Ｇ。 から排出される。不活性ガスは内管（６）内へ入っても
反応に大きな影響祉与えない。」と訂正する。 （３）図面の第２図を添付図面のとおりに訂正するＯ マ、 添付書類の目録 訂正後の第２図を示す図面 １通以上 第 （Ａ （６Ｌ）
）はこの発明の一実施例の構成を模式的に示す横断面図
、第２図（１））は第２図（ａ）のＩＩＢ−Ｉ［Ｂ＃で
の断面図である。 図において、（１）は外管、（”）はサセプタ、（３）
は被加工基板、（４１ａ赤外線ランプ、（５）は光化学
反応用ランプ、（６）は内管、（７）はスリン）、Ｇｉ
は反応ガス導入口、Ｇｏは反応ガス排出口、エリ１は不
活性ガス導入口、エムＧｏは不活性ガス排出口である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図 手続補正書（１侮） 特許庁長官殿 １．１１件の表示 特願昭５’７−３ｆｆ６（１
号２・ 発明）名称 党をエネル４ＬＩＩとす
る化学気韻堆積装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ６、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、 補正の
内容 （１）明細書の第５頁第４〜５行に「ＩＡＧｓは不活性
ガス導入口、ＩＡＧ、は不活性ガス排出口である。」と
あるのを「ＩＡＧｉは不活性ガス導入口である。」と訂
正する。 （２）同第５頁第６〜７行に「排出口Ｇ、から排出され
る。」とめるのを「スリン） （７Ｊを通して内管（６
）内に入ってくる不活性ガスとともに排出口Ｇ。 から排出される。不活性ガスは内管（６）内へ入っても
反応に大きな影響祉与えない。」と訂正する。 （３）図面の第２図を添付図面のとおりに訂正するＯ マ、 添付書類の目録 訂正後の第２図を示す図面 １通以上 第 （Ａ （６Ｌ）
Claims (1)
- （１）光透過材からなる外管、比較的に熱伝導のよい材
料からなり上記外管の内部にこれと同軸に配設され九内
管、上記外管の外周に互いに所定間隔をおいて配設され
上記外管を通して上記内管に実質的に均一に赤外ａｔ照
射してこれを加熱する複数個の赤外線ランプ、上記外管
の外周に上記外管の軸に平行に配設され上記外管を通し
て、上記内管の外周面の局方向の実質的に等間隔位置へ
紫外線を照射する複数個の光化学反応用ランプ、上記内
管の管壁の上記紫外線の照射される部位にそれぞれ軸方
向に設けられ上記紫外線を上記内管の内部へ導く複数個
のスリット、及び上記内管の内部に設けられ複数枚の被
加工基板を互いに所定間隔をおいて並べて保持するサセ
プタを備え、上記ともに、上記内管と上記外管との間に
は不活性ガ積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3766282A JPS58153324A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3766282A JPS58153324A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153324A true JPS58153324A (ja) | 1983-09-12 |
Family
ID=12503843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3766282A Pending JPS58153324A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153324A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0154561A2 (en) * | 1984-03-07 | 1985-09-11 | General Signal Corporation | Improved apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition |
| US4615294A (en) * | 1984-07-31 | 1986-10-07 | Hughes Aircraft Company | Barrel reactor and method for photochemical vapor deposition |
| US4958592A (en) * | 1988-08-22 | 1990-09-25 | General Electric Company | Resistance heater for diamond production by CVD |
| US5112647A (en) * | 1986-11-27 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for the preparation of a functional deposited film by means of photochemical vapor deposition process |
-
1982
- 1982-03-08 JP JP3766282A patent/JPS58153324A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0154561A2 (en) * | 1984-03-07 | 1985-09-11 | General Signal Corporation | Improved apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition |
| US4615294A (en) * | 1984-07-31 | 1986-10-07 | Hughes Aircraft Company | Barrel reactor and method for photochemical vapor deposition |
| US5112647A (en) * | 1986-11-27 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for the preparation of a functional deposited film by means of photochemical vapor deposition process |
| US4958592A (en) * | 1988-08-22 | 1990-09-25 | General Electric Company | Resistance heater for diamond production by CVD |
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