JPS5815260A - 半導体パッケ−ジ - Google Patents
半導体パッケ−ジInfo
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- JPS5815260A JPS5815260A JP11303481A JP11303481A JPS5815260A JP S5815260 A JPS5815260 A JP S5815260A JP 11303481 A JP11303481 A JP 11303481A JP 11303481 A JP11303481 A JP 11303481A JP S5815260 A JPS5815260 A JP S5815260A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体パッケージ用シール剤、特に、セラミッ
クパッケージやハイデリッｒＩＣなどの半導体の封正に
適した無機充填剤を含有したエポキシ樹脂とアミン系の
硬化剤とからなるシール剤に関する。
クパッケージやハイデリッｒＩＣなどの半導体の封正に
適した無機充填剤を含有したエポキシ樹脂とアミン系の
硬化剤とからなるシール剤に関する。
従来からセラミックパッケージは、低融点ガラスによる
か、またはセラミックの表面をメタライズし、これをＡ
ｕ −Ｓ ｎ共晶合金またはハンダ郷によって封止し
ているが、その封止温度は２００℃以上の高温でシール
しなければならなかった。
か、またはセラミックの表面をメタライズし、これをＡ
ｕ −Ｓ ｎ共晶合金またはハンダ郷によって封止し
ているが、その封止温度は２００℃以上の高温でシール
しなければならなかった。
従うて熱に強い素子の場合は問題はないが、熱に弱い素
子の場合はこれらの方法では封止することが可能であっ
ても、信頼性を有するものが得られなかった。
子の場合はこれらの方法では封止することが可能であっ
ても、信頼性を有するものが得られなかった。
また、有機系接着剤によりシールする方法もあるが、こ
の場合、温度１５０℃以下で硬化させる必要があるが、
温度８０℃関係湿度９５％の条件で、１０００時間放置
したシ、また温度−４０〜１５０℃の間で温度を上下さ
せてヒートショックを多数回与えたりすると、その封止
性が低下し、漏れ電流が大となる欠点がある。
の場合、温度１５０℃以下で硬化させる必要があるが、
温度８０℃関係湿度９５％の条件で、１０００時間放置
したシ、また温度−４０〜１５０℃の間で温度を上下さ
せてヒートショックを多数回与えたりすると、その封止
性が低下し、漏れ電流が大となる欠点がある。
また、ハイデリツＦＩＣ用の熱硬化性樹脂パッケージと
、アルミニウムまたは銅基板との〆止め用接着に有機系
接着剤が用いられているが、この場合も前記したような
条件で使用すると満足な封正性は得られない。
、アルミニウムまたは銅基板との〆止め用接着に有機系
接着剤が用いられているが、この場合も前記したような
条件で使用すると満足な封正性は得られない。
本発明は、これらの欠点を解決することを目的とするも
のであって、無機充填剤、工Ｉキシ樹脂およびアミン系
硬化剤とからなるシール剤により接着し、これを温度１
５０℃以下で硬化させることにより、温度８０℃、関係
湿度９５％の条件下１０００時間以上保持したり、また
、これを温度−４０〜１５０℃の間を１００回以上繰返
すようなヒートショックを与えても封止性が十分な半導
体ハラケージ用のシール剤を提供しようとするも系硬化
剤とからなるととを特徴とする。
のであって、無機充填剤、工Ｉキシ樹脂およびアミン系
硬化剤とからなるシール剤により接着し、これを温度１
５０℃以下で硬化させることにより、温度８０℃、関係
湿度９５％の条件下１０００時間以上保持したり、また
、これを温度−４０〜１５０℃の間を１００回以上繰返
すようなヒートショックを与えても封止性が十分な半導
体ハラケージ用のシール剤を提供しようとするも系硬化
剤とからなるととを特徴とする。
以下さらに本発明の詳細な説明する。本発明において、
エポキシ樹脂としては、液状のビスフェノール人エポキ
シ樹脂、ま喪はこれに稀釈剤として低分子のモノエポキ
シ樹脂”、ジェポキシ樹脂を配合したものなどがあげら
れる。
エポキシ樹脂としては、液状のビスフェノール人エポキ
シ樹脂、ま喪はこれに稀釈剤として低分子のモノエポキ
シ樹脂”、ジェポキシ樹脂を配合したものなどがあげら
れる。
次に無機充填剤の具体例としては、α−石英ガラス、溶
融シリカ、酸化アルミニウム、ポロンナイトライド、水
酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等があげられ、こ
れらの中溶融シリカ又は酸化アルミニウムが好ましい。
融シリカ、酸化アルミニウム、ポロンナイトライド、水
酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等があげられ、こ
れらの中溶融シリカ又は酸化アルミニウムが好ましい。
これら無機充填剤の粒度としてＦｉｔｏｏμ以下のもの
であって、特に５０μ以下のものが好ましい。
であって、特に５０μ以下のものが好ましい。
この理由は、無機充填剤をエポキシ樹脂に充填する時、
高シェアーで機械的に分散させる必要があり、そのため
無機充填剤はツブデージ法で１００μ以下のものでなけ
ればならない。通常無機物質は２次粒子に凝集している
ので、たとえ１００μ以下の粒子を用いても分散不十分
の場合は１００μ以上となり好ましくなく、また、粒度
が１００μをζえると接着層が厚くなり接着強度が低下
するからである・ 次にそのニーキシ樹脂に対する充填量は、３０〜７０容
積％であり、好ましくは５０〜６５容積％である。その
充填量が３０容積％未満では、シール後の温度８０℃、
関係湿度９５％の条件下ではその封止性が低下する。ま
た、７０容積％を超えるとエポキシ樹脂量が少くなり、
接着性が著しく低下する。
高シェアーで機械的に分散させる必要があり、そのため
無機充填剤はツブデージ法で１００μ以下のものでなけ
ればならない。通常無機物質は２次粒子に凝集している
ので、たとえ１００μ以下の粒子を用いても分散不十分
の場合は１００μ以上となり好ましくなく、また、粒度
が１００μをζえると接着層が厚くなり接着強度が低下
するからである・ 次にそのニーキシ樹脂に対する充填量は、３０〜７０容
積％であり、好ましくは５０〜６５容積％である。その
充填量が３０容積％未満では、シール後の温度８０℃、
関係湿度９５％の条件下ではその封止性が低下する。ま
た、７０容積％を超えるとエポキシ樹脂量が少くなり、
接着性が著しく低下する。
次に、エポキシ樹脂の硬化剤としては、アミン系のもの
であって、その具体例としては芳香族アミン、脂環族ア
ミンがあげられ、これらを併用することが好ましい。シ
ール剤の塗布法としては特に制限はなく通常の嬢ぬり、
ロールコータ−又はスクリーン印刷等いづれの方法で塗
布することができる。
であって、その具体例としては芳香族アミン、脂環族ア
ミンがあげられ、これらを併用することが好ましい。シ
ール剤の塗布法としては特に制限はなく通常の嬢ぬり、
ロールコータ−又はスクリーン印刷等いづれの方法で塗
布することができる。
本発明のシール剤は、半導体パッケージが、セラずツク
とガラス、銅またはアルミニウム基板とセラミックまた
は熱硬化性樹脂、セラミックアルいは熱硬化性樹脂とり
ｐ線の接着に用いられ、このパッケージで封止された
半導体素子は、高電力用ハイゾリツＰ■Ｃ、パワーアン
プ用ノ・イゾリツドＩＣ！、ＥＦＲＯＭ、 ＣＣＤ郷と
して用いるととができも以下本発明を実施例によりさら
に詳細に説明する。
とガラス、銅またはアルミニウム基板とセラミックまた
は熱硬化性樹脂、セラミックアルいは熱硬化性樹脂とり
ｐ線の接着に用いられ、このパッケージで封止された
半導体素子は、高電力用ハイゾリツＰ■Ｃ、パワーアン
プ用ノ・イゾリツドＩＣ！、ＥＦＲＯＭ、 ＣＣＤ郷と
して用いるととができも以下本発明を実施例によりさら
に詳細に説明する。
実施例 １
ビスフェノール大型エポキシ樹脂（シェル社、商品名［
エピコート８２８Ｊ）１００Ｉと粒度５０μ以下の溶融
シリカ３００１を高シェアー下機械的に分散、混合し、
更にこれにジアミノジフェニルメタン２０ｔｐを添加混
合しシール剤とじ九七う之ツクパッケージのがラスとリ
ード線（封止性の評価として、くし型のアルミニウム電
極（２０本）を用い、各パターン間隔Ｆ１１０μ）とを
接着し、これを温度８０℃、４時間、さらに温度１５０
℃で４時間保持し硬化させた。硬化後２０Ｖの電圧を印
加し、その漏れ電流を測定し九次いで、このパッケージ
を温度８０℃、関係湿度９５％の条件下１０００時間保
持し、前記と同様にその漏れ電流を測定した。まえ、こ
のパッケージｅｌｌｌｔ−４０〜１５０℃の間でヒート
ショックを１００回支えた後その漏れ電流を測定した。
エピコート８２８Ｊ）１００Ｉと粒度５０μ以下の溶融
シリカ３００１を高シェアー下機械的に分散、混合し、
更にこれにジアミノジフェニルメタン２０ｔｐを添加混
合しシール剤とじ九七う之ツクパッケージのがラスとリ
ード線（封止性の評価として、くし型のアルミニウム電
極（２０本）を用い、各パターン間隔Ｆ１１０μ）とを
接着し、これを温度８０℃、４時間、さらに温度１５０
℃で４時間保持し硬化させた。硬化後２０Ｖの電圧を印
加し、その漏れ電流を測定し九次いで、このパッケージ
を温度８０℃、関係湿度９５％の条件下１０００時間保
持し、前記と同様にその漏れ電流を測定した。まえ、こ
のパッケージｅｌｌｌｔ−４０〜１５０℃の間でヒート
ショックを１００回支えた後その漏れ電流を測定した。
その結果を表に示す。
実施例 ２
ビスフェノール大型エポキシ樹脂（シェル社、商品名［
エビコー）８２８Ｊ ）１００１１と粒度５０μ以下の
酸化アルミニウム４００ｇｔ高シェアー下で機械的に分
散して混合し、さらにこれにジアミノジフェニルメタン
２０１を添加均一に混合してシール剤とした。アルミニ
ウム基板とフェノール樹脂及びフェノール樹脂とり−ｒ
線とを接着した以外は実施例１と同様に行つ友。
エビコー）８２８Ｊ ）１００１１と粒度５０μ以下の
酸化アルミニウム４００ｇｔ高シェアー下で機械的に分
散して混合し、さらにこれにジアミノジフェニルメタン
２０１を添加均一に混合してシール剤とした。アルミニ
ウム基板とフェノール樹脂及びフェノール樹脂とり−ｒ
線とを接着した以外は実施例１と同様に行つ友。
比較例 １
市販品の熱硬化性樹脂を基材とするシート状のシール剤
を用いた以外は実施例１と同様に行った比較例 ２ エポキシ樹脂（シェル社、商品名［工ぎコート８２８Ｊ
）１００Ｉｉにジアミノジフェニルメタン２０９を均一
混合したものをシール剤を用いて、実施２の試料を接着
した以外は実施例１と同様に行った。
を用いた以外は実施例１と同様に行った比較例 ２ エポキシ樹脂（シェル社、商品名［工ぎコート８２８Ｊ
）１００Ｉｉにジアミノジフェニルメタン２０９を均一
混合したものをシール剤を用いて、実施２の試料を接着
した以外は実施例１と同様に行った。
表
昭和５６年１２月’７Ｆ］
特許庁長官 島 １）春 樹 殿
１、事件の表示
昭和５６年特許願第１１５０６４号
２゜発明の名称
半導体パツケージ用シール剤
６、補正をする者
事件との関係 特許出願人
東京都千代田区有楽町１丁目４番１号
１）明細書の発明の詳細な説明の欄及゛び図面の簡単な
説明の欄 ２）図面 １、 明ａ書第２頁４行目の「封止」ヲ「シール」と訂
正する。
説明の欄 ２）図面 １、 明ａ書第２頁４行目の「封止」ヲ「シール」と訂
正する。
２、 明細書第６頁下から４行目の「ゾエボキシ樹脂」
の次に「可塑剤」を加入する。
の次に「可塑剤」を加入する。
６、 明細書第６頁２行目の「これらの中溶融シリカ」
ヲ「これらの中で浴融シリカ」と訂正すへ４、 明細書
第５頁４〜５行目の「これらを併用することが好ましい
。」ヲ「これらを併用してもよい。」と訂正する。又、
８行目の次に、「次に図面によりパツケージとシール剤
との接着部分の一例を説明する。
ヲ「これらの中で浴融シリカ」と訂正すへ４、 明細書
第５頁４〜５行目の「これらを併用することが好ましい
。」ヲ「これらを併用してもよい。」と訂正する。又、
８行目の次に、「次に図面によりパツケージとシール剤
との接着部分の一例を説明する。
第、１図の半導体バラケージ１０は、セラミックパッケ
ージ２の底部にアルミニウム配線の電極１が載置され、
リード線４は、セラミックパッケージ２の外部に配線さ
れている。本発明のシール剤３はセラミックパッケージ
２とガラス５との嵌合部分の接着に用いられる。また、
第２図の半導体バラケージ２０は、パツケージの５（５
であるアルミニウム板６の底部にアルミニウム配線の電
°極１が載置され、リード線４はパッケージの一部であ
るフェノール樹脂８を貫通して外部に配線されている。
ージ２の底部にアルミニウム配線の電極１が載置され、
リード線４は、セラミックパッケージ２の外部に配線さ
れている。本発明のシール剤３はセラミックパッケージ
２とガラス５との嵌合部分の接着に用いられる。また、
第２図の半導体バラケージ２０は、パツケージの５（５
であるアルミニウム板６の底部にアルミニウム配線の電
°極１が載置され、リード線４はパッケージの一部であ
るフェノール樹脂８を貫通して外部に配線されている。
本発明のシール剤Ｔ及び１′は、アルミニウム板６とフ
ェノール樹脂８との接合部及びフエ・ノール樹脂８を貫
通しているリード［４との開口部の密封に用いられる。
ェノール樹脂８との接合部及びフエ・ノール樹脂８を貫
通しているリード［４との開口部の密封に用いられる。
本発明のシール剤は、これら以外のパッケージ材の密封
及びパッケージ材を貫通しているリード線の開口部の密
封にも用いられる。」を加入する。
及びパッケージ材を貫通しているリード線の開口部の密
封にも用いられる。」を加入する。
５、 明細書第６頁４行目の「セラミック７９ツケーゾ
のガラスとリード線」ヲ「セラミックパッケージとガラ
ス及びリード線」と訂正する。
のガラスとリード線」ヲ「セラミックパッケージとガラ
ス及びリード線」と訂正する。
６、 明細書第７頁表の次に
「４、図面の簡単な説明
第１図及び第２図は本発明のシール剤をパツケージに使
用する部分の一例を示すＶＩｆ＋…１概略図を表わす。
用する部分の一例を示すＶＩｆ＋…１概略図を表わす。
符号
１・・・アルミニウム配線の電極、２・・セラミツクパ
ツケーゾ、３・・シール剤、４・リード線、５ ガラス
、６・アルミニウム板、７．７’・・シール剤、８・・
・フェノールｍ１ｌＬ １０． ２０・・・半導体バン
グーゾ、」を加入する。
ツケーゾ、３・・シール剤、４・リード線、５ ガラス
、６・アルミニウム板、７．７’・・シール剤、８・・
・フェノールｍ１ｌＬ １０． ２０・・・半導体バン
グーゾ、」を加入する。
＄１図
Claims (2)
- （１）粒度１００μ以下の無機充填剤を３０〜７゜容積
％含有したエポキシ樹脂にアミン系硬化剤を添加してな
る半導体パッケージ用シール剤。 - （２）半導体パッケージのシール部が Ａ：セラミックとガラス Ｂ：銅またはアルミニウムの基板とセラミックまたは熱
硬化性樹脂 Ｃ：セラミックまたは熱硬化性樹脂とリード線のいづれ
かである特許請求の範囲第１項記載のシール剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11303481A JPS5815260A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 半導体パッケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11303481A JPS5815260A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 半導体パッケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815260A true JPS5815260A (ja) | 1983-01-28 |
| JPS623983B2 JPS623983B2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=14601796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11303481A Granted JPS5815260A (ja) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | 半導体パッケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815260A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4923520A (en) * | 1983-07-26 | 1990-05-08 | Ciba-Geigy Corporation | Spherical fused silica and its use in fillers and resin compositions |
| JPH03131055A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 固体撮像装置封止用接着剤 |
| JPH0641145U (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-31 | 株式会社巴川製紙所 | 電子部品素子封止用蓋材 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4860874A (ja) * | 1971-11-30 | 1973-08-25 | ||
| JPS4871183A (ja) * | 1971-12-24 | 1973-09-26 | ||
| JPS539267A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-27 | Chubu Shiriyou Kk | Gassliquid contact apparatus |
| JPS5343477A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-19 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5375246A (en) * | 1976-12-16 | 1978-07-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | High heat-conductive resin composition |
| JPS5672047A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin molding material |
-
1981
- 1981-07-21 JP JP11303481A patent/JPS5815260A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4860874A (ja) * | 1971-11-30 | 1973-08-25 | ||
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| JPS5343477A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-19 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5375246A (en) * | 1976-12-16 | 1978-07-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | High heat-conductive resin composition |
| JPS5672047A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin molding material |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4923520A (en) * | 1983-07-26 | 1990-05-08 | Ciba-Geigy Corporation | Spherical fused silica and its use in fillers and resin compositions |
| JPH03131055A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 固体撮像装置封止用接着剤 |
| JPH0641145U (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-31 | 株式会社巴川製紙所 | 電子部品素子封止用蓋材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS623983B2 (ja) | 1987-01-28 |
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