JPS58152245A - 静電記録体 - Google Patents
静電記録体Info
- Publication number
- JPS58152245A JPS58152245A JP3461082A JP3461082A JPS58152245A JP S58152245 A JPS58152245 A JP S58152245A JP 3461082 A JP3461082 A JP 3461082A JP 3461082 A JP3461082 A JP 3461082A JP S58152245 A JPS58152245 A JP S58152245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- recording
- layer
- support
- recording body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/104—Bases for charge-receiving or other layers comprising inorganic material other than metals, e.g. salts, oxides, carbon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多針電極を用いて拳法信号を供給する走査装置
によシ記碌体上に静電潜像を形成させる静電記―体に関
し、特にこれに着色荷電粒子を静電的に付着させた後、
普通紙に転写、定着する方式に用いられる静電記録体に
関するものである０ 多針電極を用いて、信号電圧を記録体上に印加して潜像
を形成する方式は通常記録体として紀―層と基紙の中間
に導電層を介した静電記録加工紙を用い、との記録紙上
に潜像を形成させ、これに着色荷重粒子を付着させ、定
着することＫよって作俸を完結させる。しかしこの方式
ては記録紙を１回毎の記録によって消費するのでコスト
高であり、又画質の鮮明度が紙質によって影響され、更
に基紙の吸湿性によって画質が一定しないという欠点を
持っている０ これらの欠点を解決するために普通紙への転写式静電記
録方式が提案されている（特公昭４６−５４０７７号）
０この方式では一度使用した静電記録体の残留現像剤、
残留電荷を除去し光壁再使用するのでランニングコスト
を下げること声できて経済的に有利なばか）でなく、こ
の静電記録体の性能を向上させることＫよ抄鮮明な画質
を得ることが可能である０この転写方式の静電記録体と
してはベースフィルム上に金属蒸着膜を設けて導電層と
し、この層の上に記碌層を設は丸形式のものが知られて
いるｏしかしながら静電記鎌方式で最適とされている表
面抵抗値１０６〜１Ｇ”Ω／口 近辺の金属蒸着膜を安
定に製造することはフィルム上に金属蒸着加工する際の
蒸着条件によって抵抗値が大きくばらつくためか７なり
困難である。又、これら蒸着膜は多針電極、コロントロ
ン等の外部電圧印加を繰返すことによシ、またはコロン
トロン印加時の紫外線照射等により、抵抗値が大きく変
化する傾向があシ、長期に安定した画質を出すことが出
来にくい。
によシ記碌体上に静電潜像を形成させる静電記―体に関
し、特にこれに着色荷電粒子を静電的に付着させた後、
普通紙に転写、定着する方式に用いられる静電記録体に
関するものである０ 多針電極を用いて、信号電圧を記録体上に印加して潜像
を形成する方式は通常記録体として紀―層と基紙の中間
に導電層を介した静電記録加工紙を用い、との記録紙上
に潜像を形成させ、これに着色荷重粒子を付着させ、定
着することＫよって作俸を完結させる。しかしこの方式
ては記録紙を１回毎の記録によって消費するのでコスト
高であり、又画質の鮮明度が紙質によって影響され、更
に基紙の吸湿性によって画質が一定しないという欠点を
持っている０ これらの欠点を解決するために普通紙への転写式静電記
録方式が提案されている（特公昭４６−５４０７７号）
０この方式では一度使用した静電記録体の残留現像剤、
残留電荷を除去し光壁再使用するのでランニングコスト
を下げること声できて経済的に有利なばか）でなく、こ
の静電記録体の性能を向上させることＫよ抄鮮明な画質
を得ることが可能である０この転写方式の静電記録体と
してはベースフィルム上に金属蒸着膜を設けて導電層と
し、この層の上に記碌層を設は丸形式のものが知られて
いるｏしかしながら静電記鎌方式で最適とされている表
面抵抗値１０６〜１Ｇ”Ω／口 近辺の金属蒸着膜を安
定に製造することはフィルム上に金属蒸着加工する際の
蒸着条件によって抵抗値が大きくばらつくためか７なり
困難である。又、これら蒸着膜は多針電極、コロントロ
ン等の外部電圧印加を繰返すことによシ、またはコロン
トロン印加時の紫外線照射等により、抵抗値が大きく変
化する傾向があシ、長期に安定した画質を出すことが出
来にくい。
本発明は以上述べた支持体と導電層と記録層ノ基本的に
三層から成る靜電紀鎌体において導電層に所定の抵抗値
の範囲内に精度良く収まり、且つ抵抗値の経時変化が少
く、環境条件の変動に対し安定な材料を使用した靜電紀
録体を提供することを目的とする。
三層から成る靜電紀鎌体において導電層に所定の抵抗値
の範囲内に精度良く収まり、且つ抵抗値の経時変化が少
く、環境条件の変動に対し安定な材料を使用した靜電紀
録体を提供することを目的とする。
即ち本発明は記録層と導電層と支持体よ如成り、該導電
層がチタンカーバイド又はチタンナイトライドを主成分
とする薄膜であることを特徴とする静電紀鎌体に関する
ものである。
層がチタンカーバイド又はチタンナイトライドを主成分
とする薄膜であることを特徴とする静電紀鎌体に関する
ものである。
本発明の靜電紀鎌体において、支持体としてはアルミニ
ウム、ステンレススチール１１．黄銅等の金属、ガラス
、セラミックス等の無機物。
ウム、ステンレススチール１１．黄銅等の金属、ガラス
、セラミックス等の無機物。
あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレート等のポリエステル類、ポリイミド、ポリ
スチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリカーボネ
ート、ポリスルフォン、ポリフッ化エチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、
セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレー
ト等のプラスチックスの平滑面が使用でき、ドラム状、
ベルト状、その他靜電紀録工程及びその後の処理工程に
合わせた形状のものが用いられる。
レフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレート等のポリエステル類、ポリイミド、ポリ
スチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリカーボネ
ート、ポリスルフォン、ポリフッ化エチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、
セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレー
ト等のプラスチックスの平滑面が使用でき、ドラム状、
ベルト状、その他靜電紀録工程及びその後の処理工程に
合わせた形状のものが用いられる。
本発明の特徴とする導電層はチタンカーバイド又はチタ
ンナイトライドを主成分とする薄膜であり該薄膜はｎ飄
の半導性を示す薄膜であって２０ｗｔ９１１以下の他の
元素例えば錫、アル＜ ＝ウム、鋼、クロム、ニッケル
、鉄、コバルト。
ンナイトライドを主成分とする薄膜であり該薄膜はｎ飄
の半導性を示す薄膜であって２０ｗｔ９１１以下の他の
元素例えば錫、アル＜ ＝ウム、鋼、クロム、ニッケル
、鉄、コバルト。
カドミウム又はこれらの化合物が混在しても良いが、そ
の表面抵抗値が１０６〜１０８Ω／口の範囲で、膜厚は
１００Ａ以上、好ましくはＳＯＯム以上数μｍｔでの４
のが好ましい。導電層の膜厚の薄い場合には膜厚の不均
一性により表面抵抗が同一平面内でばらつき、記録後の
１ｉｉｉ儂に濃淡が発生する。表面抵抗値がさほど膜厚
に影譬されｅこくくなるまで厚くすることが好ましく、
その厚味は５００Ａ以上が好ましく、また厚くなりすぎ
ると支持体と導電層の熱膨張係数の差により導電層にク
ラックが生ずる場合があるため、数−以下が好壕しく使
用される。更に導電層にピンホールが存在すると、その
付近の記録後は轡の虻録幽質への悪影響が出るので、そ
の発生のないよう慎重に導電層を形成させる必要がある
。
の表面抵抗値が１０６〜１０８Ω／口の範囲で、膜厚は
１００Ａ以上、好ましくはＳＯＯム以上数μｍｔでの４
のが好ましい。導電層の膜厚の薄い場合には膜厚の不均
一性により表面抵抗が同一平面内でばらつき、記録後の
１ｉｉｉ儂に濃淡が発生する。表面抵抗値がさほど膜厚
に影譬されｅこくくなるまで厚くすることが好ましく、
その厚味は５００Ａ以上が好ましく、また厚くなりすぎ
ると支持体と導電層の熱膨張係数の差により導電層にク
ラックが生ずる場合があるため、数−以下が好壕しく使
用される。更に導電層にピンホールが存在すると、その
付近の記録後は轡の虻録幽質への悪影響が出るので、そ
の発生のないよう慎重に導電層を形成させる必要がある
。
本発明に於て、支持体の上にチタンカーバイド又はチタ
ンナイトライドの均一な薄膜を形成させるには物瑠化字
的方法が用いられ、かかる方法としては真空蒸着９反応
性真空蒸着、イオングレーティング、カソードスパッタ
リング。
ンナイトライドの均一な薄膜を形成させるには物瑠化字
的方法が用いられ、かかる方法としては真空蒸着９反応
性真空蒸着、イオングレーティング、カソードスパッタ
リング。
反応性スパッタリング、プラズマ溶射法等、種々の方法
を採用することができる。形成される被膜の均一性、製
造の容易さ、破膜の密着性などの点からはチタンカーバ
イド又はチタンナイトライドの直接マグネトロンカソー
ドスパッタリングもしくは金属チタンの反応性マグネト
ロンカン−トスバッタリング法が特に好ましい。
を採用することができる。形成される被膜の均一性、製
造の容易さ、破膜の密着性などの点からはチタンカーバ
イド又はチタンナイトライドの直接マグネトロンカソー
ドスパッタリングもしくは金属チタンの反応性マグネト
ロンカン−トスバッタリング法が特に好ましい。
また本発明の支持体の表面にチタンカーバイド又はチタ
ンナイトライドの薄膜導電層、さらにその上に記録層を
積層し九構成は基本構成であり、必要に応じて上記支持
体の表面にシリコーン系、ポリエステル系、ポリウレタ
ン系、ポリアクリレート系、エポキシ系等のアンダーコ
ート層を設けてからチタンカーバイド又はチタンナイト
ライド薄膜を形成させたり、あるいはチタンカーバイド
又はチタンナイトライド薄膜の上にシリコーン、チタネ
ート、金属アルコキシド、ゼラチン、コロジオンなどの
保−コート層を設けた後に記録層を設けることも可能で
ある０ 本発明の靜電紀録体の記録層としては、靜電紀録の際の
電荷を表１１ｉＫ蓄積するためには、体積固有抵抗値が
少くとも１０１２Ω・α以上、好ましくに１０１′Ω・
譚以上の鱒電体であることが必須であり、ポリエステル
、ポリカーボネート。
ンナイトライドの薄膜導電層、さらにその上に記録層を
積層し九構成は基本構成であり、必要に応じて上記支持
体の表面にシリコーン系、ポリエステル系、ポリウレタ
ン系、ポリアクリレート系、エポキシ系等のアンダーコ
ート層を設けてからチタンカーバイド又はチタンナイト
ライド薄膜を形成させたり、あるいはチタンカーバイド
又はチタンナイトライド薄膜の上にシリコーン、チタネ
ート、金属アルコキシド、ゼラチン、コロジオンなどの
保−コート層を設けた後に記録層を設けることも可能で
ある０ 本発明の靜電紀録体の記録層としては、靜電紀録の際の
電荷を表１１ｉＫ蓄積するためには、体積固有抵抗値が
少くとも１０１２Ω・α以上、好ましくに１０１′Ω・
譚以上の鱒電体であることが必須であり、ポリエステル
、ポリカーボネート。
ポリアミド、ポリウレタン、（メタ）アクリル系樹脂、
スチレン系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スルフォン、ボリフフ化エチレン、ポリ塩化ビニル、セ
ルロースアセテート。
スチレン系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スルフォン、ボリフフ化エチレン、ポリ塩化ビニル、セ
ルロースアセテート。
セルロースアセテートブチレート等の有機高誘電物質、
あるいはＴｉＮ２． ＡＺ２０５１ ｕｇＯ等の無機誘
電物質粉末と有機−重物質との混合体、又はこれら無機
誘電物質の物理化学的方法によって形成させた薄膜等が
使用される。記録層の形成手段は樹脂溶液の塗布あるい
はフィルムの貼り合せ法又は上鮎の無機誘電物質を物理
化学的方法によって形成させる方法などを用いることが
できる。記録層の厚味は絶縁破壊を回避するために少く
とも０．５Ｉ惟以上とし、解像度の点からは２０μ、ｍ
以下とすることが望ましい０本発明の静電記録体の導電
層に使用するチタンカーバイド又はチタンナイトライド
薄膜は以下に示す如き利点を有する。
あるいはＴｉＮ２． ＡＺ２０５１ ｕｇＯ等の無機誘
電物質粉末と有機−重物質との混合体、又はこれら無機
誘電物質の物理化学的方法によって形成させた薄膜等が
使用される。記録層の形成手段は樹脂溶液の塗布あるい
はフィルムの貼り合せ法又は上鮎の無機誘電物質を物理
化学的方法によって形成させる方法などを用いることが
できる。記録層の厚味は絶縁破壊を回避するために少く
とも０．５Ｉ惟以上とし、解像度の点からは２０μ、ｍ
以下とすることが望ましい０本発明の静電記録体の導電
層に使用するチタンカーバイド又はチタンナイトライド
薄膜は以下に示す如き利点を有する。
（１）表面抵抗値が温度、湿度に対して影譬を受けない
。
。
（２）導電層と支持体及び導電層と記録層の間の密着性
が高く導電層の化学的安定性のために長時間経過後も安
定である。
が高く導電層の化学的安定性のために長時間経過後も安
定である。
（３） チタンカーバイド又はチタンナイトライドの
温度、８１度、光等の環境要因に対する安定性のため、
長時間使用後も導電性の変動がない０ （４）導電層が均一薄膜のため高解像度と高密度を有す
る配録画像が得られる。
温度、８１度、光等の環境要因に対する安定性のため、
長時間使用後も導電性の変動がない０ （４）導電層が均一薄膜のため高解像度と高密度を有す
る配録画像が得られる。
（５） 直接カソードスパッタリング又は反応カソー
ドスパッタリング法による物理化学的方法により形成さ
せる薄膜のためスパッタ速度と時間の鯛整により容易に
所定の表面抵抗値の導電層を再現性曳く形成できる。
ドスパッタリング法による物理化学的方法により形成さ
せる薄膜のためスパッタ速度と時間の鯛整により容易に
所定の表面抵抗値の導電層を再現性曳く形成できる。
（６）安価で、機械的、電気的、化学的ガ耐久性に優れ
ている。
ている。
（ハ 記録層として薄いフィルムを使用する場合、導−
電層に直接−電フイルムを熱ラミネート接着または接着
剤を介して接着することができる０本発明の静電記録体
を普通紙に転写する方式に用いる場合には、機械的、電
気的、化学的な耐久性に優れ、なお繰返し使用しても電
気的劣化を生起せず、常圧高品質の画像が得られるもの
である。
電層に直接−電フイルムを熱ラミネート接着または接着
剤を介して接着することができる０本発明の静電記録体
を普通紙に転写する方式に用いる場合には、機械的、電
気的、化学的な耐久性に優れ、なお繰返し使用しても電
気的劣化を生起せず、常圧高品質の画像が得られるもの
である。
本発明の静電記録体を使用した静電記録方式は虻―速ｍ
は十分速く、得られる画質は良好で、装置の保守も容易
であるので、ファクシミリ、各種プリンター等に広く利
用することができる。
は十分速く、得られる画質は良好で、装置の保守も容易
であるので、ファクシミリ、各種プリンター等に広く利
用することができる。
以下、本発明を実施例について説明する０実施例 １
ポリエチレンテレフタレートの１２５μ惰厚味の二軸延
伸フィルムを支持体として、この片面にチタンナイトラ
イド（ＴｉＮ）のターゲットで、低温高速スパッタリン
グ装置（日電アネルパ製５ＰＦ−２１０Ｉ（１１ｉ）を
使用して、真空度２Ｘ１０ ＴＯｒｒに保ちながら、
加速電圧４ＫＶ、ビーム電流５５ｍＡで直流スパッタリ
ングで１５秒間スパッタし７ｔｏこの時のスパッタ速度
は約５０ム７乙秒で得られたチタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）の薄膜の厚味は約５００ムであり、この表面抵抗は
３Ｘ１０’Ω／口であった０この上に６Ｐ厚味のポリエ
チレンテレフタレートフィルムをラミネートし記録層と
したＯこの三層構成のシートを記録体とし、この記録体
の端部に導電層を露出させ、湿度変化に対する表面抵抗
値の変動をｉｉ認し九が、はとんど叢化しなかつ九〇こ
の記録体を用い、印加電圧十４５０ Ｖで信号電圧を印
加し着色荷電粒子で現儂後、普通紙に転写、定着した所
、儂の太りの全くない良好で鮮明なｉｉＩＩｇＩが得ら
れ九。更にこの信号電圧の印加、現俸、転写、定着を１
万回繰り返したが画像はいずれ屯良好かつ鮮明であった
。
伸フィルムを支持体として、この片面にチタンナイトラ
イド（ＴｉＮ）のターゲットで、低温高速スパッタリン
グ装置（日電アネルパ製５ＰＦ−２１０Ｉ（１１ｉ）を
使用して、真空度２Ｘ１０ ＴＯｒｒに保ちながら、
加速電圧４ＫＶ、ビーム電流５５ｍＡで直流スパッタリ
ングで１５秒間スパッタし７ｔｏこの時のスパッタ速度
は約５０ム７乙秒で得られたチタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）の薄膜の厚味は約５００ムであり、この表面抵抗は
３Ｘ１０’Ω／口であった０この上に６Ｐ厚味のポリエ
チレンテレフタレートフィルムをラミネートし記録層と
したＯこの三層構成のシートを記録体とし、この記録体
の端部に導電層を露出させ、湿度変化に対する表面抵抗
値の変動をｉｉ認し九が、はとんど叢化しなかつ九〇こ
の記録体を用い、印加電圧十４５０ Ｖで信号電圧を印
加し着色荷電粒子で現儂後、普通紙に転写、定着した所
、儂の太りの全くない良好で鮮明なｉｉＩＩｇＩが得ら
れ九。更にこの信号電圧の印加、現俸、転写、定着を１
万回繰り返したが画像はいずれ屯良好かつ鮮明であった
。
実施例 ２
ポリエチレンテレフタレートの１２５．＃ｔ）Ｉ厚味の
二軸延伸フィルムを支持体として、片面にチタンカーバ
イド（Ｔｉｅ）のターゲットで低温高速スパッタリング
装置（日電アネルノ（（株） ｇ ８ＰＦ２１０ＨＩＳ
Ｉ）を使用して、真空度Ｉ Ｘ ｉ ＯＴＯｒｒに保ち
ながら加速電圧４ＫＶ、ビーム電流４０ｍム で高周波
スパッタリングした０この時のスパッタ速ｔは２０Ａ／
ｉ沙で４５秒間スパッタした結果、得られたチタンカー
バイドの薄膜は約９００ムで、この透明導電性フィルム
の表面抵抗１ｊ２Ｘ１０６Ω１０であつ九〇 この上に４．＃ＩＩ＆厚味のポリエチレンテレフタレー
トフィルムを熱ランネートシ、配録層とし丸。
二軸延伸フィルムを支持体として、片面にチタンカーバ
イド（Ｔｉｅ）のターゲットで低温高速スパッタリング
装置（日電アネルノ（（株） ｇ ８ＰＦ２１０ＨＩＳ
Ｉ）を使用して、真空度Ｉ Ｘ ｉ ＯＴＯｒｒに保ち
ながら加速電圧４ＫＶ、ビーム電流４０ｍム で高周波
スパッタリングした０この時のスパッタ速ｔは２０Ａ／
ｉ沙で４５秒間スパッタした結果、得られたチタンカー
バイドの薄膜は約９００ムで、この透明導電性フィルム
の表面抵抗１ｊ２Ｘ１０６Ω１０であつ九〇 この上に４．＃ＩＩ＆厚味のポリエチレンテレフタレー
トフィルムを熱ランネートシ、配録層とし丸。
この三層構成のシートを記録体とし、この記録体の内端
部のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して導
電層を露出させ、５０℃で湿度を１０慢ＲＨ〜９０慢Ｒ
Ｈまで変化させた時の表面抵抗値の変化を測定したが、
はとんど変化は認められなかつ九。この記録体を用い、
８本／Ｕのマルチスタイラスに４５０Ｖの信号電圧を印
加し着色荷電粒子で現像後普通紙に転写し、熱定着した
ところ、像の太如、カスレのない良好で鮮明な画像が得
られ丸。更にこの信号電圧印加。
部のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して導
電層を露出させ、５０℃で湿度を１０慢ＲＨ〜９０慢Ｒ
Ｈまで変化させた時の表面抵抗値の変化を測定したが、
はとんど変化は認められなかつ九。この記録体を用い、
８本／Ｕのマルチスタイラスに４５０Ｖの信号電圧を印
加し着色荷電粒子で現像後普通紙に転写し、熱定着した
ところ、像の太如、カスレのない良好で鮮明な画像が得
られ丸。更にこの信号電圧印加。
現儂、転写、熱定着、ファーブラシクリーニングを１万
回繰り返したが画像の変化はなかった。
回繰り返したが画像の変化はなかった。
Claims (1)
- 紀―層と導電層と支持体よシ成シ、該導電層がチタンカ
ーバイド又はチタンナイトライドを主成分とする薄膜で
あることを特徴とする静電記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3461082A JPS58152245A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 静電記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3461082A JPS58152245A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 静電記録体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58152245A true JPS58152245A (ja) | 1983-09-09 |
Family
ID=12419130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3461082A Pending JPS58152245A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 静電記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58152245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0120581A2 (en) * | 1983-02-15 | 1984-10-03 | Xerox Corporation | Layered photoresponsive imaging device |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3461082A patent/JPS58152245A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0120581A2 (en) * | 1983-02-15 | 1984-10-03 | Xerox Corporation | Layered photoresponsive imaging device |
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