JPS58150562A - N−置換グリシン誘導体 - Google Patents

N−置換グリシン誘導体

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Publication number
JPS58150562A
JPS58150562A JP3429682A JP3429682A JPS58150562A JP S58150562 A JPS58150562 A JP S58150562A JP 3429682 A JP3429682 A JP 3429682A JP 3429682 A JP3429682 A JP 3429682A JP S58150562 A JPS58150562 A JP S58150562A
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JP
Japan
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group
lower alkyl
compound
reaction
formula
Prior art date
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Pending
Application number
JP3429682A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshikazu Oka
岡 良和
Kohei Nishikawa
浩平 西川
Akio Miyake
三宅 昭夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Takeda Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Takeda Chemical Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Takeda Chemical Industries Ltd filed Critical Takeda Chemical Industries Ltd
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Publication of JPS58150562A publication Critical patent/JPS58150562A/ja
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は医薬として有用′&l−置換グリシン誘導体お
よびその製造法に関する。
本発明者らは式 %式% (1) 〔式中、ムは低級アルキル基、水酸基、低級アルコキシ
基、アミノ基、カルボキS/ル基、ニトロ基、)リフロ
ロメチル基を友はハロゲンによって置換されでいてもよ
いアリール基、複素環基またはアリールオキシ基を、X
は低級アルキル基、フェニル基、フェニル低級アルキル
基、を九は水酸基によって置換されていてもよい低級ア
ルキレン基ま九は低級アルケニレン基を、11 は水素
または低級アルキル基を、R2は水素ま九はアシル基を
、R3は水素、低級アルキル基を九はアルキレ基を示す
〕で表わされるN−置換グリシン銹導体およびそれらの
塩の製造を試み、種々の新規化合物を合成した。
上記式(1)に関し、ムで示されるアリール基としては
、たとえばフェニル基、ナーフチル基などが、複素環基
としては九とえばピリジル基、ピリミジニル基、チェニ
ル基、キノリニル基、インドリル基、ペンゾフフニル基
、ベンゾジオキサニル基などのよりな1ないし2個の酸
素、a黄、窒素を含む単環あるいは二環式複素環基が、
アリールオキレ基としてはたとえばフェノキシ基、ナフ
チルオ年ν基があげられる。これらの基は置換し得る任
意の位置に1ないし3個の同一を九は相異なる低級アル
キル基、水酸基、低級アルコキシ基。
アミノ基、カルボキvp、−基、−トp基、トリフロロ
メチル基またはハロゲン原子によって置換されていても
よい。該低級アルキル基としては九とえばメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル蔦、イソ
ブチル基、 tert−ブチル基などの炭素数4以下の
アルキル基が、低級アルコキシ基としては九とえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基
、ブトキシ基などの炭素数4以下のフェノキシ基が、ハ
ロゲン原子としては弗素、塩素、臭素、沃素があげられ
る。
Xで示される低級アルキレン基としては九とえばメチレ
ン基、エチレン基、プロピレン基などの炭素数1ないし
30アルキレン基が、低級アルケニレン基としては九と
えばビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などの
炭素数2ないし4のフルケニレン晟があげられる。これ
らの基は置換し得る任意の位置に低級アルキル基、フェ
ニル基、フェニル低級アルキル基壇九は水酸基などの蓋
換基を有していてもよい。該低級アルキル基としてはた
とえばメチル基、エチル基、プロピル基。
イソプロピル基、ブチル基などの炭素数4以下の低級ア
ルキル基が、フェニル低級アルキル基としてはたとえば
ベンジル基、フェネチル基、3−フェニルプロピル基な
どのフエニ#−C1〜3−アルキル基があげられる。
R1で示される低級アルキル基としてはたとえばメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基
、イソブチル基、 tart−ブチル基−などの炭素数
4以下のアルキル基があげられる。
R2で示されるアy)b基としてはたとえばアセチル基
、プロピオニル基、ブチリル艦、イソブチリル基、ピパ
ロイル基なと0脚素数2ないし5程度のアルカノイル基
や九とえばベンゾイル基などのアロイル基のようなカル
ボン酸由来のアシル基があげられる。
R3で示される低級アルキル基としてはR1で示される
低級アルキル基と同様の基が、アフルキル基としては九
とえばベンジル基、フェネチル基、3−フェニルプロピ
ル基のヨウナフ2=# −Cニー3低級アルキル基があ
げられる。
上記化合物(1)は、九とえば式 %式%(1) 〔式中、ム、 X 、 R3は前記と同意義〕に式〔式
中、Hl、Hlは前記と同意義〕で表わされる化合物も
しくはそのカルボキシル基における反応性誘導体を反応
させることによって製造することができる。
上記(1)と(1)との反応において化合物(1)のカ
ルボキシル基における反応性誘導体としてIIi九とえ
ば酸クロリド、wI−fレミドなどの酸ハライド、(■
)2分子から水1分子を脱水することによって得られる
酸無水物、(璽)のカルボキシル基の水素がたとえばエ
トキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、
ベンジルオキシカルボニル基などで置き換えられ先混合
無水物などの誘導体があげられる。反応は一般に適当な
溶媒中で行われ、溶媒としては反応を阻害しない限りあ
らゆる溶媒が使用できる。(置)を反応性誘導体とせず
にそのまま用いる場合は、たとえばジシクロへキシルカ
ルボジイミド。カルボニルジイミダゾール、シアノリン
酸ジエチル、ジフェニルホ′スホリルアチドなどの脱水
試薬の存在下に反応を行なうのが有利である。′*九九
とえはピリジン、−ピコリン、トリエチルアミン、水酸
化ナトリウム、炭酸す)IJウムなどの塩基の存在下に
反応させることもできる。反応温度は通常的−20〜+
150℃程度の範囲で行なわれ、#1とんどの場合常温
でも充分反応が進行する。
前記式(1)においてR2および/を九はR3が水素で
ある化合物はR2がアシル基である化合物(1)および
/ま九はR3が低級アルキル基またはアラルキル基であ
る化金物(1)を加水分解することによっても製造し得
る。
加水分解は一般に水、有機溶媒もしくはこれらの混合溶
媒中、九とえば塩酸2wt酸、硝酸、リン111、酢酸
、)リフロロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホ
ン酸、p−)ルエンスルホン酸などの酸、あるいは九と
えばアンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
J#酸ナトリウ五、炭酸水素ナトリウム、トリエチルア
ミン、ピリジン、ピコリンなどの塩基の存在下あるいは
非存在下に行なわれ、反応湿度としては一般に約−20
〜+150℃程度の範囲の温度が用いられるが、はとん
゛どの場合常温でも充分反応が進行する。
また上記とは逆KR2が水素である化合物(1)をアシ
ル化することによりR2がアシル基である化合物(1)
を製造することもで龜る。該アシル化手段は前記化合物
(1)のアシル化に準じて行なうことができる。ま友に
3が水素である化合物(1)を賞応するアルコール化合
物との常法によるエステル化反応によって113が低級
アルキル基またはアラルキル基である化合物を製造する
こと亀できる。
さらに上記化合物(1)は式 %式% ) 〔式中、YはハロゲンまたはR45O20−で表わされ
る基(R4はC1−4アルキル基、フェニル基ま九はp
−)9ル基を示す)を示しその他の記号は前記と同意義
〕で表わされる化合物または式0式% () 〔式中、ム、 X 、 R1,R3は前記と同意義〕で
表わされる化合物に式 %式%() 〔式中、R2は前記と同意義、2は水素t*、はアルカ
リ金属を示す〕で表わされる化合物を反応させることに
よっても製造することができる。
上記方法において式1)中Yで示されるハロゲンとして
#i塩素、臭素、沃素があげられ、式(11)中2で示
されるアルカリ金属としてはリチウム、ナトリウム、l
Iリウ五などがあげられる。
反応は適当な1III縄中約−20〜+150℃程度の
温度範囲に冷却あるいは加熱することによって行なわれ
る。2が水素の場合、たとえば水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、ピリジン、
トリエチルアミンなどの塩基の存在下で反応を行なうと
とによって反応が有利に進行する場合がある。
かくして得られる目的化合物(1)は反応混合物から通
常の分離精製手段、九とえば抽出、濃縮、中和、濾過、
再結晶、カラムクロマトグツフィー、薄層タロオトグフ
フイーなどの手段を用いることによって単離することが
できる。
また(1)はカルボキシル基と塩基との樵、あるいはム
が塩基性基である場合は酸との塩の影で単離することも
でき、かかる堆としては、たとえば無機塩基との墳(例
、ナトリウム樵、カリウム填、カルシウム塩、リチウム
権、アルミニウム塩、マグネシウム堆、バリウム塩、ア
ンモニウム堆など)、有機塩基の付加塩(例、メチルア
ミン塩、ジエチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ジシ
クロヘキシルアミン樵、ジベンジルアミン樵、にドラジ
ンm、ヒドフラジン塩、グアニジン権、アルギニン填、
ヒスチジン塩、ピリジニウム鳩、イミダゾリウふ塩、キ
ニーネ撫、S/ンコニン塩9年ニシン塩、シンコニジン
塩など)、無機酸との壜(例、塩酸塩、硝酸権、tca
e塩、燐酸塩、臭化水素酸塩など)あるいは有機酸との
樵(例、酢酸塩、フマール酸樵、マレイン酸塩、クエン
酸権、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホ
ン酸塩、トルエンスル*ン酸撫など)などの薬学的に許
容される鴇があげられる。
式(j)で表わされる化合物が分子内に不斉炭素を有す
る場合、複数個の光学異性体が存在するが、これら個々
の異性体およびこれらの混合物のいずれもが当然本発明
の範囲に包含されるものであり、所望によってはこれら
の異性体を個別に製造することもできる。すなわち予め
光学分割された原料化合物のそれぞれ一方の光学異性体
を用いて上記の反応を行なうことによって対応する(1
)の光学異性体を得ることができる。原料化合物の少く
とも一方がラセミ体の場合には、(1)は通常異性体の
混合物として得られるが、この異性体混合物を所望によ
り通常の分離方法、九とえば光学活性塩基(1’l、 
Fンコニン、シンコニジン、キニーネ、キニジンなど)
との塩を生成させる方法や、各mOクロマトグフフイー
1分別再結晶などを用いて処理するととKよってそれぞ
れの異性体に分離することもできる。
式(1)で示される環状化合物およびその塩は、動物と
りわけ哺乳動物Kitしてアンジオテンシン変換酵素抑
制作用、プフジキニン分解酵素(キニナー()抑制作用
などを示し、たとえば高血圧症の診断、予防または治療
剤として有用である。化金物(1)は低毒性で経口投与
でも吸収がよく、安定性にもすぐれているので、上記の
医薬として用いる場合、それ自体あるいは適宜の薬学的
に許容される担体、賦形剤、希釈剤と混合し、粉末、顆
粒、錠剤、カプセル剤、注射剤などの医薬組成物として
経口的まえは非経口的に安全に投与することができる。
投与量は対象疾患の状頗、投与ルートによっても異なる
が、たとえば高血圧症の治療の目的で成人患者に投与す
る場合、経口投与では通常1同量約0.02〜2011
F/kgとりわけ約0.2〜2IIg/kg程度が、静
注投与では1同量約0.002〜0.2■/kgとりわ
け約0.02〜0.2Iv/kg程度が好ましく、これ
らの服用量を症状に応じて1日約2〜5回程度投与する
のが望ましい。
上記化合物(1)のなかでも、式 %式% (1) 〔式中、A1 は低級フルキル基、水酸基、低級アルコ
キシ基、アミノ基、iIA/ボキVル基、ニトロ基、ト
リフロロメチル基壕丸はハロゲンによって置換されてい
てもよいアリールオキV基を示し、他の記号は前記とH
意義〕で表わされる化金物は新規化合物で69、と夛わ
け前述の用途において優れ良性状を有しているatお、
上記A1中における各定義はそれぞれム中におけるもの
同様に例示される。を九以下に述べる各実施例の化合物
もそれぞれ新規で前述の用途において良好な性状を有す
るものである。
−F記製造法における原料化合物(1)はたとえば■、
ム−X−の部分に対応するアルデヒドあるいはケトン類
にグリシンあるいはグリシンエステル類を反応させて得
られるいわゆるシップ塩基を還元することによ如、tえ
祉■、式 1式%() 〔式中、ム、Xは前記と同意義〕で表わされる化合物に
一般式 %式%) 〔式中、Yはハロゲン原子を示し、R3は前記と同意義
〕で表わされる化合物を反応させRが水素以外の基であ
る場合にはその生成物を加水分解するととKより、ある
いはま九〇、式 1式%() 〔式中、ム、Xは前記と同意義〕で表わされる化金物と
一般式(Vl)の化合物を反応させ友後、接触還元反応
によって脱ベンジル化することによって得ることかで龜
る。
これらの方法による(1)の製造法をもう少し詳しく説
明すると、■の方法はますム−X−の部分に対応する(
すなわち還元によって得られるアルコール体の構造がA
−X−OHに相当する)アルデヒドあるいはケトン類に
グリシンあるいはグリシンエステル類を反応させること
により、シップ塩基を生成させ、ついで還元反応に付す
ことによって行われる。溶媒としては、たとえばメタノ
ール、エタノール、ジオ壽サン、塩化メチレン、クロロ
ホルム、ベンゼン、)ルエンなどの有insが用いられ
、通常−10〜+150℃程度の温度範囲で反応が行わ
れる。この際、反応を有利に進行させる目的で、九とえ
ば硫酸、p−)ルエンスルホン酸などの触媒や、たとえ
ば無水硫酸ナトリウふ、無水硫酸マグネVウム、塩化カ
ルシウム11トの脱水剤などを反応液中に添加すること
もできる。
ま九本分離器を付して反応を行なうことによって反応を
有利に進行させることも可能である。得られえVラフ塩
基は反応液のまま、あるいは通常の方法によって単離し
先後、再び溶媒中に加えて還元反応に付せられる。還元
方法としては九とえば白金、バッジラム−炭素などを触
媒とする接触還元、あるいはたとえば水素化ホウ素ナト
リウム。
Vアノ水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤による方法
などがあげられる。まえ反応液にはじめからこれらの還
元剤を共存さす、Vラフ塩基生成と還元を同時に進行さ
せることもできる。■の方法における(■)と(■)の
反応および■の方法における([)と(糟)の反応は適
当な有機溶媒中、両者を−lO〜+200℃程度の温度
範囲に保つことによって進行する。この際反応速度促進
の@的でy61酸剤として友とえば、炭酸カリウム、水
酸化ナトリウム、決峻水嵩ナトリウム、ピリジンなどの
塩基を反応系中に共存させることもできる。
■の方法で得られ九生成物はさらにたとえばバッジラム
−炭素を触媒とする接触還元によって脱ベンジル化する
ことによII)に導かれる。接触還元反応は常圧ないし
150 kg/cIl12 程度までの圧力下、常温な
いし150℃の温度で行われるが、一般に常温常圧で充
分反応は進行する。
以下に参考例、爽施例、爽験例および調剤例を示して本
発明をさらに詳細に説明するが、本発明の範囲がこれら
に限定されるものではない。
参考例1 ■−ナフタレンカルバルデヒド11g、グリシンエチル
エステル・塩酸塩1(1,)リエチルアミン7.5gを
エタノール100dに加え、5%パラジウム炭素2−を
触媒として常温常圧で接触還元反応を行なう。水素O9
N収が停止し九時点で濾過して触媒を除き、エチルエー
テル500dを加えて水100mで3回洗浄する。有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧留去する。得
られ九油状物に20jl工タノール性塩酸305gを加
えて、さらにエチルエーテA/100sJを加えるとN
−(1−ナフチル)グリシンエチルエステル・塩酸塩1
3.51Fが無色)ん片状晶として得られる。融点15
5−160t、水晶をエタノール50mtと水50−の
混液に溶解し、水酸化ナシリウム13gをかきまぜなが
ら加える。30分室温でかきまぜ丸後、濃塩酸で酸性に
するとN−(1−ナフチル)グリシン・樵酸樵1(lが
無色夛ん片状晶として得られる。融点212−215℃
(分解)。水晶を水50dK加え、アンセニア水で弱ア
ルカリ性とし、酢酸で弱酸性にすると■−(1−ナフチ
ル)グリシンが無色)ん片状晶として析出する。収量8
.3f、融点225−222℃(分解)。
一前例λ−n 参考例/と同様の方法により、表1の化合物を得ること
ができる。
表I  A’ −CH2−MHCH,COOR3中空−
は遊離アミノ酸を九はそのエステルを示す。
(表2.3において41同様である) 参考例2偶 参考例/と同様の方法によ)、ペンシルメチルケトンか
ら1l−(1−メチル−2−フェニルエチ/I/)グリ
V7塩酸塩が得られる。融点200−205℃(分解)
参考例訂 参考例/と同様の方法によシ、シンナムアルデヒドから
)I−(3−フェニル−2−プロペニル)グリシンが得
られる。融点188−190℃(分解)。
参考例、ム。
4−アミノ−5−アミノメチル−2−メチルピリミジン
2.8gをエタノール50−に溶解し、度酸カリウム2
.8fとブロム酢酸エチル4fを加えて室温で7時間か
き混ぜ先後、不溶物を枦夫して炉液を減圧留去する。残
留物にア七トン20dを加えて析出する結晶を枦取し、
エタノールから再結1すると■−(4−アミノ−2−メ
チルピリミジン−5−イル)メチルグリシンエチルエス
テルの無色プリズム晶0.6tを得る。融点134−1
36℃。
水晶を188填酸6dに加え油浴上120℃に5分加熱
後、放冷するとN−(4−アミノ−2−メチルピリミジ
ン−5−イA/)メチルグリシンの無色針状晶0.4f
が析出する。融点的270℃(徐々に分解しながら融け
る)。
参考例コアー3龜 参考例2乙と同様の方法により、対応する第1級アミン
を原料として表2に示す化合物を得ることができる。
− 参考例、η ベンゾフェノンを原料として用い、参考例コ乙と同様の
方法によってN−ベンズヒドリルグリシンを得ることが
できる。融点205−206℃。
参考例3よ 3−フェノキシプロビルプロミド10.7fとベンジル
アミンIO,7ftベンゼン100mに加え、室温で1
夜放置した後、さらに9時間加熱還流させる。反応液K
ll酸エチ#200mを加え、水100mで2回洗浄す
る。乾燥後、減圧留夫し、エタノール100afK濤解
し2011アルコ一ル性塩酸20mを加えると、葺−ベ
ンジル−3−フェノ塩酸塩ロピルアミン填酸塩8tが無
色りん片状晶として得られる。融点206−209℃。
氷晶7.8gをメチルエチルケFン1005gに加え、
炭酸カリウム15fとブロム酢酸エチル8−を加えて、
かきまぜながら6時間加熱還流させる。冷後反応液を一
過し、−液を減圧留夫する。残留物にエタノール50m
と水100dを加え、水酸化ナトリウム109を加えて
か自重ぜながら、加温し、嬉解さぜる。エタノールを減
圧留夫し、水50mtを加えて、エチルエーテ#50m
で抽出する。
水層を濃塩酸で酸性とし、さらにアンモニア水で一アル
カリ性とし先後、酢酸で再び弱酸性にする。
酢酸エチル50mで3回抽出し、乾燥後減圧留夫すると
油状物が得られる。これに20g6工タノール性塩酸2
0mを加え、エチルエーテ#150mを加えて、冷却す
るとN−ベンジル−葺−(3−フェノキシゾロビル)グ
リシン・塩酸塩5.8−が無色の結晶として得られる。
融点170−173℃。氷晶をエタノール100sZに
溶解し、511バフジウ^炭素0.6gを加えて、常温
常圧で接触還元反応を行なう、水素の吸収が停止し九時
点でメタノール100dを加えて析出結晶を溶解し、触
媒を一過して除く。炉液を減圧留未し、水10dを加え
て、アンモニア水で弱アルカリ性とし、つづいて酢酸で
弱酸性にすると、N−(3−フェノキシプロピル)グリ
シンが無色りん片状晶として析出する。収量1.9g、
融点207−210℃(分解)。
参考例39!−弘 参考例3よと同様の方法によって表3に示す化合物を得
ることができる。
表3A−ト−xaca2coon 爽施例/ N−11−す7チル)グリシン2gをジメチルアセトア
ミド20dに加え、室温でかきまぜながG)、3−y−
bチルJ)−i−2−メチルプロピオニルクロリド2g
を滴下する。室温で1夜放置した後、反応液を水300
dに加え、酢酸エチル150mgで2回抽出する。有機
層をIN塩酸で2回洗浄した後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥する。減圧留夫後、得られた油状物をシリカゲル
カラムクロマFグフフイ−(アセトン・ベンゼン−1:
6)で精製スるトli+−(3−7セチルチオー2−メ
チル−プロピオニル)−葺一(l−ナフチル)グリシン
の油状物質が得られ、これを減圧乾燥すると1.59の
無色粉末として得られる。
元素分析値 c、9H21104Bとして計算値 C6
3,50H5,89M 3.90東測値 C63,48
M 5.97  M 3.87−v ススへ?トkm/
e  359(M+)、214(M−2,2(3H)、
18−14(311)、18−4.4(211)。
5.2(211)、7.2−&1(7H)、a3(IH
)。
東施例λ N−C3−フェノキシプロピル)グリシンl。
8−をジメチルアセトアミド30s/に加え、室温でか
***ぜながら3−アセチルチオ−2−メチルプロピオ
ニルクロリドZWtを滴下し、そ0111時間反応させ
る。反応液を水300dに加え、酢酸エチ#100Mt
で28抽出し、1M塩酸で洗浄後、乾燥し、減圧留去す
る。残留物に少量のエーテルを加えて溶解し、石油エー
テル200dをふ〕混ぜながら加えた後、上階液を傾斜
して除く。
′残留物を同様にしてさらに3回石油エーテルで洗浄す
ると、)I−(3−アセチルチオ−2−メチルプロピオ
ニル)−夏−(3−フェノキシゾロビル)グリシンが油
状物として得られる。収量1.8g。
元素分析II  C17Hg3C17Hとして計算値 
C57,71H6,56M 3.98実測値 C57,
38II 6.79  M 4.07マススベタトル 
鵬/・ 353(M”)MMRスベタト14/(CDC
l3 )δ:α9−1.3 (3M ) 。
1743(51)、!?−12(3H)、14−43(
6)り、6.7−7.3(511)、9.0(Ill)
実施例3−グ/ 実施例1と同様の方法によル、参考例に褐げた対応する
翼−置換グリシン銹導体から表4および表5に示す化合
物を得ることがで色る。
溶解し、IM水酸化ナトリウム水溶液10mgを加えて
、室温で30分間麓置市る。水20dを加えてエチルエ
ーテル50m1で抽出し、水層を酢酸で弱酸性にする。
水層をタロロネルム5Gmで2回抽出し、芒硝で乾燥後
、減圧留去し、得られえ油状物をエチルエーテル20s
Jに溶解し、20%アルコール性塩酸1−を加えて塩酸
塩にする。析出し九沈蒙を乾燥すると無色の粉末として
M−(3−メルカプト−2−メチルプロピオニル)−画
一(3−キノリルメチル)グリシノ・塩酸塩0.69が
得られる。
元素分析値 C工6H18N、03S−HCI・+14
H20・犠(c2a5)g。
計算値 85B、’j2  II 6.29   M 
6.99実測値 053.88  H6,40M 7.
27ffXスベタトル m/e:  31g(M”)1
1MRスベタトk(CDC13+D20)δ: 1.0
−13(311)4B−13(311) 、41−!5
3(411)。
7.945(4M)、5LO−9,4(2H)。
寮験例/ 本発明化合物のアンジオテンシン1変換酵素(ACE)
抑制実験 Cuahmanらの方法(Bioohemical P
harm −oo1ogy’ + 20巻、1637頁
、1971年)を改変し先方法で実験を行なった。すな
わち、ヒデリルーL−ヒスチジルーL−ロイシン(Hf
lL)を基質とし、ムClによ)生成する馬尿酸の量に
対する本発明化合物添加時の馬尿酸生成抑制率よプ、ム
(l抑制作用を求めた。Acaxoopj(蛋白濃度2
0M’/d)、1.25mM HHLlooPlに0.
02〜0.5%ジメチルスルホキVド100!IMリン
酸カリウム緩衝液(p18.3..300mMの食塩を
含む)溶液に溶解した本発明化金物の溶液を添加した。
なお、対照として検体溶液と等濃度のジメチルスルホキ
シドラ含んだリン酸カリウム緩衝液をおい友。この溶液
を37℃で1時間加温し先後、IM塩酸150μgを加
えて反応を停止し、酢酸エチル1−を加えて3000r
pmで10分遠心分離した。酢酸エチル層0.!Mt−
取)、50℃以下で窒素ガス下に乾燥し、残留物に5m
(01M食塩水を加えてよく混和し、これを228n鳳
の波長で比色定量した。
上記方法によりたとえば実施例λの化合物10μMを用
いて行なった実験におけるACE抑制作用#i93%で
あった。
調剤例 化合物(1)を友とえば高血圧症治療剤として使用する
場合、たとえば次のような処方によって用いることがで
きる。
1錠剤 (1)N−(3−7セチルチオー2−メチルプロピオニ
ル)−M−(2−フロロベンジル)グリシン     
      10f(2)乳糖      909 (3)トウモロコシ澱粉        299(4)
ステアリン酸マグネシウム    1g1000錠13
0g (sl 、 (2)および17fのトウモロコシ澱粉!
粉を混和し、7gのトウモロコシ澱粉から作り九ペース
トとともに一粒化し、この顆粒に59のトウモロコて錠
剤1錠当引1)10ダを含有する直径71の錠剤1oo
o個を製造する。
2、 カプセル剤 (1)N−(3−ア七チルチオー2−メチルプロピオニ
14/)−N−(3−フェノキシプロピ、A/)グリシ
ン         1oす(2)乳糖     13
5g (3)セルロース像粉末       701(4)ス
テアリン酸マグネシウム    5f1000カプセル
220− 全成分を混和し、ゼラチンカプセル3号(第9改訂日本
薬局方)1000個に充填し、カプセル1個当り(1)
10〜を含有するカプセル剤を製造する、 3、注射剤 11)N−(3−ベンゾイルチオ−2−メチルプロピオ
ニル)−i−1−ピリジル)メチルグリシン塩酸樵  
     10g(2)  塩化ナトリウム     
     9t(3)  クロロゲタノーfiy5f 全成分を蒸留水10001all’C溶解し、褐色アン
プル1000@lK1mずつ分注し、窒素ガスで置換し
て封入する。全工程は無菌状線で行われる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 式 〔式中、ムlrj低級アル年ル基、水酸基、低級アルコ
    キシ基、アミノ基、カルボキシル基、ニトロ薦、トリフ
    ロロメチル基壇九はハロゲンによって置換されていても
    よいアリールオキシ基を、Xは低級アルキル基、フェニ
    ル基、フェニル低級アルキル基、iたは水酸基によって
    置換されていてもよい低級アルキレン基または低級アル
    ケニレン基を、R1は水素または低級アルキル基を、R
    2は水素またはアシル基を、R3は水素、低級アルキル
    基またはアルキレ基を示す〕で表わされるy−置換グリ
    シン銹導体またはその塩。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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