JPS58150256A - ストロボ走査型電子顕微鏡装置 - Google Patents
ストロボ走査型電子顕微鏡装置Info
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- JPS58150256A JPS58150256A JP57030593A JP3059382A JPS58150256A JP S58150256 A JPS58150256 A JP S58150256A JP 57030593 A JP57030593 A JP 57030593A JP 3059382 A JP3059382 A JP 3059382A JP S58150256 A JPS58150256 A JP S58150256A
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- JP
- Japan
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- scanning
- electron beam
- sample
- specimen
- electron microscope
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明ａストロボ走査電子顕微鏡装置に関する。
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ （Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｔｖｌｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ） 〕Ｂ、一般
に試料表面ＶＣ＠子ビームを照射し、試料表面の電位変
化に対応するレスポンス２ ＣＥＩ’に表示することに
工って試料表面の顕微鏡像會得る工うにしている。
ｃｔｒｏｎｔｖｌｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ） 〕Ｂ、一般
に試料表面ＶＣ＠子ビームを照射し、試料表面の電位変
化に対応するレスポンス２ ＣＥＩ’に表示することに
工って試料表面の顕微鏡像會得る工うにしている。
このＳｍＶ ２使って、ＬＳＩ（大規模集積回路）の内
部動作の観測を行なうことができる。これａ表面に′亀
位分布會持ったＬＳＩをＳ独りの２次電子像で観察し、
負′醒位の部分と正′亀位の部分とのコントラストの差
を利用し、ＬＳＩ内部′這位の分布’１１するもので、
ＬＳＩの動作解析あるいａ不良解析の有効な手段となっ
ている。
部動作の観測を行なうことができる。これａ表面に′亀
位分布會持ったＬＳＩをＳ独りの２次電子像で観察し、
負′醒位の部分と正′亀位の部分とのコントラストの差
を利用し、ＬＳＩ内部′這位の分布’１１するもので、
ＬＳＩの動作解析あるいａ不良解析の有効な手段となっ
ている。
筐た、ＩＣやＬＳＩ素子の内部全伝搬する電気１６号の
ような同期現象でに、電位変化げ毎回規則正しく繰り返
して起る。従って、ある特定の位相だけＫ ハフ１／
スＱ 子ヒーム會繰り返し照射すると、出刃１百 そこで、試料表面上の希望する点ＶＣビーム會止めてお
き、試料励振とパルス電子ビームとの位相差を電気的に
変化さぞ、Ｃ訓の横軸にこの移相量を、縦軸に２次電子
信号量？それぞれ入力することによって、Ｃ旧゛の画面
上に希望点での電圧波形を表示するようにしたストロボ
ＳＥＭが開発されている。
ような同期現象でに、電位変化げ毎回規則正しく繰り返
して起る。従って、ある特定の位相だけＫ ハフ１／
スＱ 子ヒーム會繰り返し照射すると、出刃１百 そこで、試料表面上の希望する点ＶＣビーム會止めてお
き、試料励振とパルス電子ビームとの位相差を電気的に
変化さぞ、Ｃ訓の横軸にこの移相量を、縦軸に２次電子
信号量？それぞれ入力することによって、Ｃ旧゛の画面
上に希望点での電圧波形を表示するようにしたストロボ
ＳＥＭが開発されている。
以上、説明したように試料観測ｖＣば大別して矢の２つ
の観測モードがある。すなわち、試料上に機械的プロー
ブ全文て、オシロスコープでそのプローブ接触点での電
圧波形全観測するものに類似する波形モードと、ビーム
を試料■上に走査し、その２次電子信号瞳をＣＲＴに表
示して各位相点での試料面上の電位コントラスト像を観
測するＳｍＪを用いた像モードである。この工うな従来
のストロボＳ＆ｖシステムを第１図に示す、このシステ
ムにおいては、パルス電子ビーム照射１（（１） ｋ
’ＦｆするストロボＳＥＭ（２）で試料（３）から得ら
れた２次電子信号ａ１光電子増倍管全用いた２次電子検
出器（４） ［工って検出され、アナログｇ号として出
力される。
の観測モードがある。すなわち、試料上に機械的プロー
ブ全文て、オシロスコープでそのプローブ接触点での電
圧波形全観測するものに類似する波形モードと、ビーム
を試料■上に走査し、その２次電子信号瞳をＣＲＴに表
示して各位相点での試料面上の電位コントラスト像を観
測するＳｍＪを用いた像モードである。この工うな従来
のストロボＳ＆ｖシステムを第１図に示す、このシステ
ムにおいては、パルス電子ビーム照射１（（１） ｋ
’ＦｆするストロボＳＥＭ（２）で試料（３）から得ら
れた２次電子信号ａ１光電子増倍管全用いた２次電子検
出器（４） ［工って検出され、アナログｇ号として出
力される。
この検出器（４）からのアナログ信号出力に、増幅器（
５）を介して表示装置（６）に取９込壕れ、ここで２次
電子信号険全表示して各位相点での試料面上の電位コン
トラスト像（７）が観測される。
５）を介して表示装置（６）に取９込壕れ、ここで２次
電子信号険全表示して各位相点での試料面上の電位コン
トラスト像（７）が観測される。
また、上記装置において、電子ビームで試料（３）表面
を走査して、その２次電子画像を表示装置（６）上［表
示するため走査コイルＫに、第２図に示されるランプ波
がＸ軸周走査コイル（８）、Ｙ軸周走査コイル＋ＩＱに
印加される。このランプ波に、増巾器ｕｚＩａ４１Ｉ切
侯スイッチｔＩＩを介して接続式れた、内部発振器（至
）Ｖｃ工って発生てれている。一方、試料（３）上の任
意の位置に電子ビームを点照射する場合に切換スイッチ
Ｏｅに工って可変定電源回路（イ）、（ハ）に接続して
直流電圧＝２Ｘ軸、Ｙ軸の走査コイル（８）。
を走査して、その２次電子画像を表示装置（６）上［表
示するため走査コイルＫに、第２図に示されるランプ波
がＸ軸周走査コイル（８）、Ｙ軸周走査コイル＋ＩＱに
印加される。このランプ波に、増巾器ｕｚＩａ４１Ｉ切
侯スイッチｔＩＩを介して接続式れた、内部発振器（至
）Ｖｃ工って発生てれている。一方、試料（３）上の任
意の位置に電子ビームを点照射する場合に切換スイッチ
Ｏｅに工って可変定電源回路（イ）、（ハ）に接続して
直流電圧＝２Ｘ軸、Ｙ軸の走査コイル（８）。
ｕｌｖＣ加え、点照射する位首全決足する。ビームの位
置全移動させると、２次電子の放出位置が変化するため
、表示装置（６）上の輝点も対応して移動する。
置全移動させると、２次電子の放出位置が変化するため
、表示装置（６）上の輝点も対応して移動する。
従って、従来のストロボＳｋＦＭシステムに工って試料
の任意の観測点の電圧波形會傅るＶｃぼ、葦ず、試料（
３）表面全走査して２次電子画像を表示装置に表示する
０次に波形モードに切り換えてビームの位置全走査コイ
ル＋８＋ 、 ０１の印加電圧を変えることによって、
表示装置（６）上の輝点（ホ）［工９観測点の位ｊ道ヲ
検出する。ここでストロボＳ掠り表示用ＣＷｖ（６）に
残像性が高いので、画像表示から点照射に切りかえても
画像（７）が残っているため、その画像（７）全観察し
ながら輝点（イ）を動かして任意の位置にビーム位置を
設定することができる自 しかし、従来のストロボＳ掻■システムでニ、観測点全
１回ごとに、位置決めし、測定するため非常に測定が繁
雑である。−ｆた残像全便って位置決めするため、位Ｉ
ｔ精度が悪く、位置全正確ＶＣ４４−わぜるため爾倍率
表示とすると、単位面積あｆｃりの照射量が大きくなり
試料動作に多大の影＃全与える。更に、位置合せ中にも
、ビームが試料表面會照射しているため、前述同様、試
料に多大の影響を与える。
の任意の観測点の電圧波形會傅るＶｃぼ、葦ず、試料（
３）表面全走査して２次電子画像を表示装置に表示する
０次に波形モードに切り換えてビームの位置全走査コイ
ル＋８＋ 、 ０１の印加電圧を変えることによって、
表示装置（６）上の輝点（ホ）［工９観測点の位ｊ道ヲ
検出する。ここでストロボＳ掠り表示用ＣＷｖ（６）に
残像性が高いので、画像表示から点照射に切りかえても
画像（７）が残っているため、その画像（７）全観察し
ながら輝点（イ）を動かして任意の位置にビーム位置を
設定することができる自 しかし、従来のストロボＳ掻■システムでニ、観測点全
１回ごとに、位置決めし、測定するため非常に測定が繁
雑である。−ｆた残像全便って位置決めするため、位Ｉ
ｔ精度が悪く、位置全正確ＶＣ４４−わぜるため爾倍率
表示とすると、単位面積あｆｃりの照射量が大きくなり
試料動作に多大の影＃全与える。更に、位置合せ中にも
、ビームが試料表面會照射しているため、前述同様、試
料に多大の影響を与える。
本発明ぼ上記点Ｖｃ鑑みなされたもので、正確な観測点
の位置合ぜが実現でき、チた１回に多数箇所の指定がで
き測定時間の短縮を図るとともに、位置合ぜ操作中げ°
電子ビームを試料に照射しない工うにして、照射による
試料の影響を無くしたストロボ走査型電子顕微鏡装置を
提供すること全目的とするものである。
の位置合ぜが実現でき、チた１回に多数箇所の指定がで
き測定時間の短縮を図るとともに、位置合ぜ操作中げ°
電子ビームを試料に照射しない工うにして、照射による
試料の影響を無くしたストロボ走査型電子顕微鏡装置を
提供すること全目的とするものである。
本発明ａ１試料表面にパルス電子ビームを照射するビー
ム照射部を育する走査型電子顕微鏡と、前記ビーム照射
部のパルス電子ビーム照射と試料励振と走査信号との同
期をとる走査制御部と、前記走査型電子顕微鏡内でパル
ス電子ビーム照射された試料から放出される電子あるい
はＸ線を検出する検出器と、前記検出器からの出力全記
憶する記憶装置と、この記憶内容全表示する表示装置と
、この表示装置で指定した前記記憶装置内の所望のアド
レス全貌み取り、前記走査制御部にアドレス信号を入力
する手段全具備することに工って同−画面工９多数点を
自動測定でき、観測点の位置合せ中に試料に電子ビーム
全照射しないようにして照射Ｉｌ′？ｌ：よる影響を無
くしたこと全特徴とするストロボ走仔型電子顕微鏡装置
である。
ム照射部を育する走査型電子顕微鏡と、前記ビーム照射
部のパルス電子ビーム照射と試料励振と走査信号との同
期をとる走査制御部と、前記走査型電子顕微鏡内でパル
ス電子ビーム照射された試料から放出される電子あるい
はＸ線を検出する検出器と、前記検出器からの出力全記
憶する記憶装置と、この記憶内容全表示する表示装置と
、この表示装置で指定した前記記憶装置内の所望のアド
レス全貌み取り、前記走査制御部にアドレス信号を入力
する手段全具備することに工って同−画面工９多数点を
自動測定でき、観測点の位置合せ中に試料に電子ビーム
全照射しないようにして照射Ｉｌ′？ｌ：よる影響を無
くしたこと全特徴とするストロボ走仔型電子顕微鏡装置
である。
以下、図面を参照して本発明を、実施例に基き詳細に説
明する。第３図に本発明に係るストロボ走査型電子顕微
鏡継装置の構成を示す、なお、図中、前記第１図と同様
の部分にに同一符号を付して説、明する。藁３図におい
て、ストロボＳｇＭ （２）内にに試料表面にビーム照
射ヶ行うためのパルス電子ビーム？発生するパルス電子
ビーム照射部（１）が設けられている。このパルス電子
ビーム照射部（１）からの電子ビームの照射によって試
料内勤作信号にエリ動作状態にある試料（３）から放出
される２次電子を２次電子検出器（４）にｘｒ）検出す
る。ここでＸ軸走査コイル（８）・Ｙ軸走査コイル０ｆ
ｌｉ走査制御部６１）エフ発生された信号を１）Ａコン
バータに）、（ト）［工って変換された階段波が印加さ
れている。これら階段波σ自走状態にあり、この波形を
第４図に示す、この階段波によって制御された走査コイ
ルに工っで電子ビームぼ試料表面會２次元的に走査する
。尚、試料励振と電子ビーム照射と走査信号とげＣＰＵ
−に工って同期を取ることによって、試料の各点に照射
される電子ビームの量を一定に保っている。
明する。第３図に本発明に係るストロボ走査型電子顕微
鏡継装置の構成を示す、なお、図中、前記第１図と同様
の部分にに同一符号を付して説、明する。藁３図におい
て、ストロボＳｇＭ （２）内にに試料表面にビーム照
射ヶ行うためのパルス電子ビーム？発生するパルス電子
ビーム照射部（１）が設けられている。このパルス電子
ビーム照射部（１）からの電子ビームの照射によって試
料内勤作信号にエリ動作状態にある試料（３）から放出
される２次電子を２次電子検出器（４）にｘｒ）検出す
る。ここでＸ軸走査コイル（８）・Ｙ軸走査コイル０ｆ
ｌｉ走査制御部６１）エフ発生された信号を１）Ａコン
バータに）、（ト）［工って変換された階段波が印加さ
れている。これら階段波σ自走状態にあり、この波形を
第４図に示す、この階段波によって制御された走査コイ
ルに工っで電子ビームぼ試料表面會２次元的に走査する
。尚、試料励振と電子ビーム照射と走査信号とげＣＰＵ
−に工って同期を取ることによって、試料の各点に照射
される電子ビームの量を一定に保っている。
筐た、２次電子検出器（４） Ｋよって検出され定信号
ａ増幅器に）？介してＡＤコンバータ（ハ）に入力され
、デジタル信号に変換される。この変換されたデジタル
信号に画像メモリに）に記憶された後、表示装置例えば
ＣＲＴ （５）に表示される。ここで画像メモリ（至）
の画素数に、表示装置の走査線数に一致しており、同時
に前記階段波のステップ数も一致させる０例えば、表示
装置の走査線数が５１２ Ｘ ５１２であれば画像メモ
リの画素数も５１２ Ｘ ５１２とし、同時に階段波の
ステップ数もそれぞれ５１２本とする。従って１ステツ
プに１画素が１対１に対応している。ｆた、Ｃ凡１’
（６）上にぼ試料像と同時に十字形の記号のカーソル６
２が表示されており、コントｏ −５（ロ）に工って、
その位ｌｔを任啄ＶＣ町変できる工うにしている。
ａ増幅器に）？介してＡＤコンバータ（ハ）に入力され
、デジタル信号に変換される。この変換されたデジタル
信号に画像メモリに）に記憶された後、表示装置例えば
ＣＲＴ （５）に表示される。ここで画像メモリ（至）
の画素数に、表示装置の走査線数に一致しており、同時
に前記階段波のステップ数も一致させる０例えば、表示
装置の走査線数が５１２ Ｘ ５１２であれば画像メモ
リの画素数も５１２ Ｘ ５１２とし、同時に階段波の
ステップ数もそれぞれ５１２本とする。従って１ステツ
プに１画素が１対１に対応している。ｆた、Ｃ凡１’
（６）上にぼ試料像と同時に十字形の記号のカーソル６
２が表示されており、コントｏ −５（ロ）に工って、
その位ｌｔを任啄ＶＣ町変できる工うにしている。
次に、ＣＲ１”（５）に得られた試料（７）の任意の箇
所の市１圧波形を観測する場合に前述のカーソル（６）
全コントローラ（ロ）に裏って移動させ、波形測定した
い点ニカーソル（６）全台わせる。カーソルを合ｂ−Ｙ
ｆｃ画素に相当する画像メモリ内のアドレスをアドレス
読み取り装置に）に工９読みと一す、これ？アドレス記
憶装ｍｉ（ト）に記憶する。この際に、波形観測点を一
点のみ測定しても良いが、連続してカーソルによって読
み取られた画像のアドレスを任意の数だけアドレス記憶
装置（ト）に記憶させる０次に、これらアドレス全走査
制御５ｅＩ）に入力し、ＤＡコンバータ＠＋（至）を通
して、走査コイル（ａ） ｔ Ｇαに、喧圧會加え、ビ
ームを指定の位置に任意の数だけ連続して点照射するこ
とが出来る。
所の市１圧波形を観測する場合に前述のカーソル（６）
全コントローラ（ロ）に裏って移動させ、波形測定した
い点ニカーソル（６）全台わせる。カーソルを合ｂ−Ｙ
ｆｃ画素に相当する画像メモリ内のアドレスをアドレス
読み取り装置に）に工９読みと一す、これ？アドレス記
憶装ｍｉ（ト）に記憶する。この際に、波形観測点を一
点のみ測定しても良いが、連続してカーソルによって読
み取られた画像のアドレスを任意の数だけアドレス記憶
装置（ト）に記憶させる０次に、これらアドレス全走査
制御５ｅＩ）に入力し、ＤＡコンバータ＠＋（至）を通
して、走査コイル（ａ） ｔ Ｇαに、喧圧會加え、ビ
ームを指定の位置に任意の数だけ連続して点照射するこ
とが出来る。
矢に第５図乃至第８図に基き、第３図に示すストロボ走
査型電子顕微鏡装置の本発明に係る主要部全詳細に説明
する。尚、第５図及び第７図において第１図及び第３図
と同一箇所に同一符号を付して説明する。第５図は第３
図において説明した画像メモリー、表示装置（６）、コ
ントローラー、アドレス読み取り装置ｔに）及びアドレ
ス記憶装置（ト）を詳細Ｉ／？−説明するための構成図
である。
査型電子顕微鏡装置の本発明に係る主要部全詳細に説明
する。尚、第５図及び第７図において第１図及び第３図
と同一箇所に同一符号を付して説明する。第５図は第３
図において説明した画像メモリー、表示装置（６）、コ
ントローラー、アドレス読み取り装置ｔに）及びアドレ
ス記憶装置（ト）を詳細Ｉ／？−説明するための構成図
である。
第５図において、測定位置の読み取Ｖ操作ば、コントロ
ーラーに設けられたＸ軸、Ｙ軸用のカーソルスイッチ（
５０）、（５１） ’ｅ操作することに工ってｃｇｒ
（６）上Ｌ／Ｃ２次電子面電子画像と１畳して表示され
たカーソルに）を動かして測定位Ｉｌｌ検出している。
ーラーに設けられたＸ軸、Ｙ軸用のカーソルスイッチ（
５０）、（５１） ’ｅ操作することに工ってｃｇｒ
（６）上Ｌ／Ｃ２次電子面電子画像と１畳して表示され
たカーソルに）を動かして測定位Ｉｌｌ検出している。
カーソルスイッチ（５０）、（５１）による移動量は、
Ｘ軸、Ｙ軸用のカーソルアドレスカウンター（５２）（
５３） Ｋ工って読み取られる。カーソルスイッチで
ぼ１回のスイッチを押子と１画素分が移動する。
Ｘ軸、Ｙ軸用のカーソルアドレスカウンター（５２）（
５３） Ｋ工って読み取られる。カーソルスイッチで
ぼ１回のスイッチを押子と１画素分が移動する。
−万、画像表示用の同期信号ＨＤ、ＶＤは表示用同期信
号発生器（５４）にエフ発生するが、それぞれ表示用Ｘ
軸カウンｐ −（５６）、Ｙ軸カウｙターＣ５８）ｖｃ
ｘ９常時カウントされて出力されている。ここで第６図
に示す工うに同期信号ｌＩＤの５１２本のパルスごとに
同胡侶号ＶＤのパルスが発生し、ＣＩ七Ｔ（６）の画面
を順次走査している。カーソルアドレスカウンター（５
２） 、 （５３）と表示用カウンター（５６） 、
（５８）ノ出カぼ谷々Ｘ、Ｙについてコンパレーア −
（６０）（６２）により比較を行い、両者の出力が一致
したときコンパ１ノーターは出カケ発生する。Ｘお工び
■の表示用カウンター出力はメモリーアドレスセレクタ
ー（６４）に工９走査信号に変換されて画像メモリー−
内？順次走査し２次電子画像信号ケ読み出している。画
像メモリーの内容にデーターセレクター（６６）ｋ通し
て表示するが、このデーターセレクター（６６）ぼＸお
工びＹのコンパレーター（６０） 。
号発生器（５４）にエフ発生するが、それぞれ表示用Ｘ
軸カウンｐ −（５６）、Ｙ軸カウｙターＣ５８）ｖｃ
ｘ９常時カウントされて出力されている。ここで第６図
に示す工うに同期信号ｌＩＤの５１２本のパルスごとに
同胡侶号ＶＤのパルスが発生し、ＣＩ七Ｔ（６）の画面
を順次走査している。カーソルアドレスカウンター（５
２） 、 （５３）と表示用カウンター（５６） 、
（５８）ノ出カぼ谷々Ｘ、Ｙについてコンパレーア −
（６０）（６２）により比較を行い、両者の出力が一致
したときコンパ１ノーターは出カケ発生する。Ｘお工び
■の表示用カウンター出力はメモリーアドレスセレクタ
ー（６４）に工９走査信号に変換されて画像メモリー−
内？順次走査し２次電子画像信号ケ読み出している。画
像メモリーの内容にデーターセレクター（６６）ｋ通し
て表示するが、このデーターセレクター（６６）ぼＸお
工びＹのコンパレーター（６０） 。
（６２）出力でコントロールする。すなわち、カーソル
アドレスカウンター（５２） 、 （５３）と表示用カ
ウンター（５６）・（５８）の出力が一致したときに、
画１象メモリーからの出力ぼブランキングにな！ｌＲｔ
りにＣＩ（；ｒ上ににカーソルデーター発生器（６８）
Ｖｃエク発生されたカーソル表示用のデーター、例えば
白の十字表示用のデーターがｌ）Ａコンバーター（７０
）ｋ介してＣＲＴ （５）上に出力される。
アドレスカウンター（５２） 、 （５３）と表示用カ
ウンター（５６）・（５８）の出力が一致したときに、
画１象メモリーからの出力ぼブランキングにな！ｌＲｔ
りにＣＩ（；ｒ上ににカーソルデーター発生器（６８）
Ｖｃエク発生されたカーソル表示用のデーター、例えば
白の十字表示用のデーターがｌ）Ａコンバーター（７０
）ｋ介してＣＲＴ （５）上に出力される。
以上述べた動作に従ってカーソルアドレスカウンターの
出力がＣＷＰ上の２次電子画像に重畳されて白の十字（
カーソル）表示となる。この結果、ＣＲＴ上のカーソル
を測定位置に合せる操作を行うことにＬ９、画像メモリ
ー上のアドレスに相当するカーソルアドレスカウンター
の出力の値とじて得ることが出来る。この値？座標記憶
装置に）に順次記憶する。
出力がＣＷＰ上の２次電子画像に重畳されて白の十字（
カーソル）表示となる。この結果、ＣＲＴ上のカーソル
を測定位置に合せる操作を行うことにＬ９、画像メモリ
ー上のアドレスに相当するカーソルアドレスカウンター
の出力の値とじて得ることが出来る。この値？座標記憶
装置に）に順次記憶する。
次に、第７図及び第８図に基き本願発明の走査制御部全
詳細に説明する。
詳細に説明する。
通常２矢電子画像を観察するときは第７図に示す五うに
電子ビームｉＸＹ走査りロック発生器（７１））ｖＣよ
って発生されたＸ走査クロック、Ｘ走査クロックに工９
走査會制御する。ここでＸ走査クロック・Ｘ走査クロッ
クを第８図に示す。各走査クロックに第６図に示した同
期信号ＨＤ、ＶＤに同期している。各クロック人力ＵＸ
カウンタ（７２）、Ｙカウンター（７４）にエフカウン
トされてＸ、Ｙｌ）Ａコンバーターや埠、（至）用の二
進信号に変換している。
電子ビームｉＸＹ走査りロック発生器（７１））ｖＣよ
って発生されたＸ走査クロック、Ｘ走査クロックに工９
走査會制御する。ここでＸ走査クロック・Ｘ走査クロッ
クを第８図に示す。各走査クロックに第６図に示した同
期信号ＨＤ、ＶＤに同期している。各クロック人力ＵＸ
カウンタ（７２）、Ｙカウンター（７４）にエフカウン
トされてＸ、Ｙｌ）Ａコンバーターや埠、（至）用の二
進信号に変換している。
次にビーム分止めて、一点に照射するときは走査クロッ
クのカウンターへの入力［ＣＰＵ−からのビーム走査禁
止イぎ号にエクＣＬＫ禁止ゲー） （７６）。
クのカウンターへの入力［ＣＰＵ−からのビーム走査禁
止イぎ号にエクＣＬＫ禁止ゲー） （７６）。
（７８）が禁止状態になり、Ｘお工びＹ座標記憶装置に
）からのデーターにエフ、測定位置ＶＣ相当する二進信
号出力２ＤＡコンバーターに）、（ト）に出力し、ビー
ムの位置全走査コイル（／ＣＬり設定する・（１１） 尚、上記実施例では亀子線を検出して行なったがこれに
限定されることなくＸ線を検出して観測を行なうこと％
、１８ｉＴ能である。
）からのデーターにエフ、測定位置ＶＣ相当する二進信
号出力２ＤＡコンバーターに）、（ト）に出力し、ビー
ムの位置全走査コイル（／ＣＬり設定する・（１１） 尚、上記実施例では亀子線を検出して行なったがこれに
限定されることなくＸ線を検出して観測を行なうこと％
、１８ｉＴ能である。
以上実施例に従い説明したように、試料上の任意の位置
の測定箇所を捜し、位置合せする作業が画像メモリー上
で行なえるため、位置合せ作業中に電子ビームを試料に
照射部ゐ必要がなく、試料照射が、試料の画像２ ｃｇ
ｒに表示する際と、位置決めされた箇所にビームケ照射
する際だけであるため、従来に比べ、照射による試料の
特性変動を最小限に押えることができる。従って、集積
回路の超高密度化の進行に伴って発生する駆動電圧の減
少、デザインルールの縮少によって試料の特性が変動し
易くなっており、この微細化の進む集積回路の動作解析
に用いて好適である。
の測定箇所を捜し、位置合せする作業が画像メモリー上
で行なえるため、位置合せ作業中に電子ビームを試料に
照射部ゐ必要がなく、試料照射が、試料の画像２ ｃｇ
ｒに表示する際と、位置決めされた箇所にビームケ照射
する際だけであるため、従来に比べ、照射による試料の
特性変動を最小限に押えることができる。従って、集積
回路の超高密度化の進行に伴って発生する駆動電圧の減
少、デザインルールの縮少によって試料の特性が変動し
易くなっており、この微細化の進む集積回路の動作解析
に用いて好適である。
筐た、アドレス読み取９装置ｉＩｉに画像メモリー？一
時的Ｉｌｃ記憶しておくアドレス記憶装置が設けられて
いるため、多数の測定箇所音指定できる。その結果、多
数の指定位置を自動的に測定できるた（１２） め、両足時間が短縮でき、操作性が同上する。
時的Ｉｌｃ記憶しておくアドレス記憶装置が設けられて
いるため、多数の測定箇所音指定できる。その結果、多
数の指定位置を自動的に測定できるた（１２） め、両足時間が短縮でき、操作性が同上する。
更に、位置設定の分解能が画像表示器上の一画素分に相
当するため、位置合ぜの設定精度が同上する。ま之、本
願方式に工って測定精度が同上するため、従来のように
、高倍率観察が避けられるため、試料の特性変化全最小
限に押えることが可能である。
当するため、位置合ぜの設定精度が同上する。ま之、本
願方式に工って測定精度が同上するため、従来のように
、高倍率観察が避けられるため、試料の特性変化全最小
限に押えることが可能である。
第１図ぼ従来のストロボ走査電子顕微鏡装置の基本構成
図、第２図に第１図の装置のＸ軸、Ｙ軸子顕微鏡の基本
構成図、第４図は第３図の装置のＸ軸、Ｙ＠走査コイル
に印加される走査信号波形を示す図、第５図及び第７図
に本発明に係るストロボ走ｆ電子顕微鏡の要部全祥細に
説明するための図、第６図及び第８図は第５図及び第７
図全説明するための１ｇ号波形図である。図において、
ｌ・パルスビーム照射部、 を ２・・・ストロボ走査ズ電子顕微鏡（ＳＥＭ）、３・・
・試料、 ４・・・２次′五子検出器、 ５．１２，１４．３６・・・増幅器、 ６・・・表示装置斤（Ｃ１も１′）、 ７・・・２次電子像、 ８・・・Ｘ軸走査コイル、 １０・・・Ｙ軸走査コイル、 ３１・・・走査制御部、 ３２．３３・・・ＤＡコンバータ、 ３４・・・ＣＰＵ。 ３８・・ＡＩ）コンバータ、 ４０・・・画像メモリ、 ４２・・・カーソル、 ４４・・・コントローラ、 ４６・・・アドレス読み取り装置、 ４８・・・アドレスｄ己憶装置。 （７３１７）代理人 升埋士 則近憲佑（ほか１名）策
２図 第６区 輩Ｆ３０
図、第２図に第１図の装置のＸ軸、Ｙ軸子顕微鏡の基本
構成図、第４図は第３図の装置のＸ軸、Ｙ＠走査コイル
に印加される走査信号波形を示す図、第５図及び第７図
に本発明に係るストロボ走ｆ電子顕微鏡の要部全祥細に
説明するための図、第６図及び第８図は第５図及び第７
図全説明するための１ｇ号波形図である。図において、
ｌ・パルスビーム照射部、 を ２・・・ストロボ走査ズ電子顕微鏡（ＳＥＭ）、３・・
・試料、 ４・・・２次′五子検出器、 ５．１２，１４．３６・・・増幅器、 ６・・・表示装置斤（Ｃ１も１′）、 ７・・・２次電子像、 ８・・・Ｘ軸走査コイル、 １０・・・Ｙ軸走査コイル、 ３１・・・走査制御部、 ３２．３３・・・ＤＡコンバータ、 ３４・・・ＣＰＵ。 ３８・・ＡＩ）コンバータ、 ４０・・・画像メモリ、 ４２・・・カーソル、 ４４・・・コントローラ、 ４６・・・アドレス読み取り装置、 ４８・・・アドレスｄ己憶装置。 （７３１７）代理人 升埋士 則近憲佑（ほか１名）策
２図 第６区 輩Ｆ３０
Claims (2)
- （１）試料表面にパルス′電子ビーム全照射するビーム
照射部を有する走査型電子顕微鏡と、前記ビーム照射部
のパルス電子ビーム照射と試料励振と走査信号との同期
をとる走査制御部と、前記走査型電子顕微鏡内でパルス
電子ビーム照射された試料から放出される電子あるいｉ
Ｘ線を検出する検出器と、前記検出器からの出力を記憶
する記憶装置と、この記憶内容？表示する表示装置と、
この表示装置で指定した前記記憶装置内の所望のアドレ
スを読み取り、前記走査制御部にアドレス信号を入力す
る手段を具備してなること全特徴とするストロボ走査型
電子顕微鏡装置。 - （２）前記検出器からの出力をデジタルデータＶＣＫ換
し記憶すること全特徴とする前記特許請求の範囲第１項
記載のストロボ走査型電子顕微鏡装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57030593A JPS58150256A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
| EP83101823A EP0087767B1 (en) | 1982-03-01 | 1983-02-24 | Stroboscopic scanning electron microscope |
| DE8383101823T DE3375438D1 (en) | 1982-03-01 | 1983-02-24 | Stroboscopic scanning electron microscope |
| US06/470,632 US4538065A (en) | 1982-03-01 | 1983-02-28 | Stroboscopic scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57030593A JPS58150256A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150256A true JPS58150256A (ja) | 1983-09-06 |
| JPH041458B2 JPH041458B2 (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=12308161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57030593A Granted JPS58150256A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58150256A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116540A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン寸法測定装置 |
| JPS6158152A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Jeol Ltd | 走査形電子顕微鏡の分析デ−タ処理装置 |
| JPS63119149A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Shimadzu Corp | 疲労試験機 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347263A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-27 | Jeol Ltd | Scan-type electronic microscope and its similar device |
| JPS5596560U (ja) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP57030593A patent/JPS58150256A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347263A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-27 | Jeol Ltd | Scan-type electronic microscope and its similar device |
| JPS5596560U (ja) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116540A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン寸法測定装置 |
| JPS6158152A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Jeol Ltd | 走査形電子顕微鏡の分析デ−タ処理装置 |
| JPS63119149A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Shimadzu Corp | 疲労試験機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041458B2 (ja) | 1992-01-13 |
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