JPS58148861A - カルボスチリル誘導体 - Google Patents

カルボスチリル誘導体

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JPS58148861A
JPS58148861A JP3089382A JP3089382A JPS58148861A JP S58148861 A JPS58148861 A JP S58148861A JP 3089382 A JP3089382 A JP 3089382A JP 3089382 A JP3089382 A JP 3089382A JP S58148861 A JPS58148861 A JP S58148861A
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JP
Japan
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group
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phenyl
reaction
lower alkyl
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JP3089382A
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Michiaki Tominaga
道明 富永
Nagao Yo
楊 永雄
Hidenori Ogawa
英則 小川
Kazuyuki Nakagawa
量之 中川
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Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なカルボスチリル銹導体及びその樵に関す
る。
本発明のカルボスチリル銹導体は、文献未載0新規化合
物であって、下記一般式(1)で表わされる。
1 〔式中R1は、水素原子、低級アシ+ル基、低級アルケ
ニル基、低級アル−ニル基又はフェニル低級アル+ル基
を示す。R2及びR3は同−又は相異なって、置換基と
してしドO十シ基もしくはハ0ゲシ腺子を有することの
ある低級アル+ル基、又はフェニル環上に置換基として
低級アルコキシ基及びハ0ゲシ犀子なる群から選ばれ九
基を1〜3個4 L<Fi低級アル+レジジオ+シ基を
有することのあるフェニル低級アル+L基を示す。また
R2とR3とは、これらが結合する寥素嫁子と共に、1
III素原子もしく紘窒素隊子を介し又は介することな
くう員又Fi6員V飽l1lO複素環を形成してもよい
。該複索環上にけ低級アル十ル基又はフエ=L低級アル
牛ル基が置換していてもよい。iIt該I[素環がとぺ
5ジシである場合、低級アルケニル基、低級アル十ニル
基、シフ0アル牛ル基、シクロアル牛ル愼級アル牛ル基
、低級アルカノイル基、低級アルカノイシ低級アル+ル
基、低級アルコ牛ジカルボニル基、低級アルコ十ジカル
ボニル低級アル十ル基、)0イル基、低級アル+ルスル
本ニル慕、置換基としてシアノ基、ベシリイルオ牛シ基
(このフェニル環上には低級アルコキシ基が1〜5個置
換していてもよい)、へ〇ゲシ原子、しド0牛シ基、低
級アシカノイルオ+シ基又はカルバモイル基をta有す
る低級アル+ル基、フェニル環上に置換基としてハ0ゲ
シ犀子、低級アルコキシ基及び僑級アル牛ル基なる群か
ら選ばれ九基を1〜3IIlもしくはIg験アル牛レシ
ジオ+シ基を有することのあるフェノ+シ低赦アル+ル
基、フェニル環上に置換基として低級アル中ル基、低級
アルコキシ基、ハ0ゲシ原子、ニド0&、アミノ基、低
級アルカノイルアミノ基及び低級アル牛ルチオ基なる群
から選ばれた基を1〜3個もしくは低級アル+レジジオ
士シ晶を胸することのあるフェニル低級アル+ル基、フ
エニLll上に置換基として低級アル+ル基、低級アル
コキシ基、ハ0ゲシ腺子、ニド0基及びシアノ基なる群
から選ばれた基を1〜3個もしくは低級アル十しジジオ
牛シ基を有することのあるベシリイル基、フェニル環上
に置換基として低級アル+ル基を1〜3個有することの
あるフェニルスル本ニル基、フェニル環上に置換基とし
てしドロ中シ基、ハ0ゲシ原子、低級アル+ル基、低級
アルコキシ基及び低級アルカノイルアミノ基なる群から
選ばれた基を1〜3@有することのあるベシリイル低級
アル+ル基、フェニル環上に置換基としてハ0ゲシ厚子
及び低級アルコ牛シ基なる群から選ばれた基をl〜3個
有することのあるフェニル低級アルケニルカルボニル基
、又はフェニル環上に置換基として低級アルコ士シ基を
1〜3個有することのあるフェニル低級アルカノイル基
が、じぺ5ジシの4位に置換していてもよい、まえ力L
ボスチリル骨格03位と4位とのj12素閲結合社−重
結合又は二重結合を示す。〕 上記一般式(1)て表わされるカシ本スチリル誘導体及
びその塩は、心筋の収縮を増強する作用(陽性変力作用
)、短慮流量増加作用及び降圧作用を有し、例えばうつ
血性心不全、僧Iil六1[&、心房性細動、粗動、発
作性心房性S脈噂O#r種心臓疾患の治療の九めO強心
剤として有効である。特に上記一般式(1)で表わされ
るカルボスチリル誘導体及びその塩は、優れた陽性変力
作用、短慮流量増加作用及び降圧作用を有する反面、心
拍数の増加作用は殆んど有していない点において特長付
社られる。
上記一般式(1)中R1、R2及びR3で定義される各
基O具体例を夫々次に示す。
低級アル+ル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、ttrl  −ブチル、ペシチ
ル、へ牛シル等の次素数1〜6C)@鎖又は分校状アル
+ル基を例示できる。
低級アルケニル基としては、じニル、アリル、2−ブテ
ニル、3−ブテニル、l−メチルアリル、2−ペシテニ
ル、2−へ十tニル等の脚素数2〜6の直鎖又は分枝状
アルケニル基を例示できる。
低級アル−ニル基としては、エチニル、2−プ0じニル
、2−ブチニル、3−ブチニル、■−メチL−2−づ0
じニル、2−ベシチニル、2−へ+シニル等O脚素1に
2〜6の直鎖又は分枝状アル十ニル基を例示できる。
フェニル低級アシ士ル基としては、ベシジル。
2−フェニルエチル、l−フェニルエチル、5−フェニ
ルジ0じル、4−フェニルブチル、1.1−ジメチル−
2−フェニルエチル、5−フェニルエチル、6−フェニ
ルへ+シル、2−メチル−3−フェニルづ0じル等0#
2素数1〜60[@又は分枝状アル十ル基を有するフェ
ニルアル+ル基を例示できる。
シクロアル+ル低級アル士ル基としては、シフ0プ0ピ
ルメチル、4−シフ0へ士シルブチル、2−シフ0ペシ
チルエチル、シフ0へ+シルメチル、2−シフ0ペシチ
ルプoeル、5−シフ0へ士シルプ0ビル、シフ0ペシ
チルメチル、2−シフ0へ士シルエチル、2−シフ0へ
士シルプ0ピル、2−シフ0ヘプチルエチル、5−シフ
0ブチルプロピル、1.1−ジメチル−2−シフ0へ中
シルエラ1.1−メチルー2−シク0ペシチルエチル、
2−シフ0オクチルエチル、5−シフ0へ牛シルペシ予
ル、6−シク0へ牛シルへ牛シル峰0択累数3−80シ
ク0アル十ル基を置換基として有する訳素1i1[1〜
6の直鎖又は分校状アル+ル基を例かできる。
低級アルカノイル基としては、ホルミル、アセチル、プ
0じオニル、ブチリル、イソブチリル、ベシタノイL、
tIrt−ブチルカルボニル、へ+サノイル勢の羨素1
1kl〜6の直鎖又は分校状アルカノイル基を例示でき
る。
tNkアルコ+ジカルボニル基としては、メト+シカL
Jfニル、エト牛ジカルボニル、tos+ジカルボニル
、イソ10本土ジカルボニル、ブタジスルホニル、It
rl−ブタジスルホニル、ベシチLオ十シカル軍ニル、
へ+シルオ千ジカルボニル等O脚3111[1〜6の直
鎖又は分枝状アルコ+シ基を有するアルコ牛ジカルボニ
ル基を例示できる。
低級アL+ルスル本ニル基としては、メタシスル本ニル
、エタシスシ本ニル、プロバシスル本ニル、イソプロパ
シス1本ニル、ブタジスルホニル、terg−ブタジス
ルホニル、ペシタシスル本ニル。
へ+サシスル本二り皓0#2素数1〜60直鎖又線分技
状のアル牛ルスルホニル基を例示できる。
フエニL環上に置換基としてハ0ゲシ原子、低級アルコ
牛シ基及び低級アル中ル基なる群から選ル基としては、
フェノ牛ジメチル、2−フェノ+ジエチル、2−フェノ
牛シブ0じル、3−フェノ牛シブOじル、1−メチル−
2−フェノ+ジエチル、2−フェノ十ジプチル、3−フ
ェノ牛シブ予ル、4−フェノ十ジプチル、1.l−ジメ
チル−2−フェノ十ジプチル、2−フェノ牛シペシチル
、3−フェノ士シペンチル、4−フェノ牛シヘ中シル、
(2もしくは5−メト+ジフェノ↑シ)メチル、2−(
4−メト牛ジフェノ平シ)エチル、(2−エト+ジフェ
ノ十シ)メチル、1−(5−エト+ジフェノ+シ)エチ
ル、3−(4−エト+ジフェノ+シ)づ0ヒル、6−(
4−イソづoボ十ジフェノ+シ)へ十シル、4−(4−
へ+シルオ千ジフェノ+シ)ブチル、1,1−ジメチル
−2−(3,4−ジメト牛ジフェノ士シ)エチル、5−
(3,4−シェド+ジフェノ+シ)ペシチル、6−(3
,4,5−)リメト牛ジフェノ+シ)へ牛シル、2−メ
チL−3−(2,5−ジフト+5フ11士シ)プ0じル
、(2−り00つエノ+シ)メチル、(3−プOtフェ
ノ+シ)メチル、(4−3−ドフエノ+シ)メチL、2
−(4〜フルtOフエノ+シ)エチル、1−(3−りo
oフェノ十シ)エチル、6−(4−プ〇七フェノ+シ)
へ+シル、5−(3,4−ジグ00フエノ+シ)ペシチ
ル、l、I−ジメチL−2−(2,5−ジブ0ムフエノ
十シ)プロピル、(3,4,5−)リクooフェノ+シ
)メチル、(2本しくは3−メチルフェノ牛シ)メチル
、2−(4−メチルフェノ+シ)エチル、(2−工チル
フエノ+シ1メチル、1−(3−エチルフェノ牛シ)エ
チル、3−(4−エチルフェノ牛シ)プロピル、6−(
4−イソプ0ピルフェノ+シ)へ牛シル、4−(4−へ
+シルフェノ+シ)ブチル、1.1−ジメチル−2−(
5,4−ジメチルフェノ牛!/)エチル、5−(3,4
−ジエチルフェノ牛シ)ペシチル、6−(3,5−ジメ
チルフェノキシ)へ+シル、2−メチル−3−(2,5
−1,zメチルフェノ士シ)プ0じル、(3,4−メチ
レジジオ牛ジフェノ牛シ)メチル、2−(3,4−メチ
レジジオ十ジフェノ+シ)エチル、2−(5,4−エチ
レシジオ士ジフェノ+シ)エチル、2−(2,5−メチ
し:/ジオ+ジフェノ+シ)エチル、2−(5,4−ト
リメチレジジオ牛シフI)中シ)エチル、4−(5,4
−メゾレジジオ士ジフェノ士シ)ブチル、(5,4−エ
チレシジオ十ジフェノ十シ)メチル、(2,3−メチレ
ジジオ牛ジフェノ士シ)メチル、1− (3,4−メチ
レジジオ+ジフェノ牛シ)エツル、3−(3,4−メチ
レジジオ士ジフェノ十シ)プロピル、6− (3,4−
メチレジジオ十ジフェノ十シ)へ+シル、(3,4,5
−トリメチルフェノ+シ)メチル、(3,4,5−トリ
メト士ジフェノ+シ)メチル、2−(3,4,5−)リ
メト+ジフェノ+シ)エチル等のフェニル環上の置換基
としてハ0ゲシ原子、脚素数1〜6のアルコキシ基及び
度素数1〜6のアル+ル基なる群から選ばれ九基を1〜
3個もしくは疾1/A数1〜今のアル+レジジオ牛シ基
を1することのあるフェノキシ基を置換基として有する
巌素数1〜60直鎖又は分枝状アル牛ル基を例示できる
置換基としてシアノ基、ベル9イLオ+シ基(このフェ
ニル環上には低級アルコキシ基が1〜3個置換していて
もよい)、ハ0ゲシ厚子、しド0+シ基、低級アルカノ
イルオ+シ基又はカルバ上イル基を111有する低級ア
ル+ル基としては、シアノメチル、カルバ上イルメチル
、2−シアノエチル、2−カルへ七イルエチル、2−も
しくは3−シアツブ0じル、2−もしくは3−カルへt
イルプ0ビル、1−メチル−2−シアノエチル、I−メ
チル−2−カルバ上イルエチル、2−93−もしくは4
−シアノブチル、2−93−もしくは鴫−カルバ七イル
ブチル、t、i−ジメチル−2−シアノブチル、1.1
−ジメチル−2−カルへtイルブチル、2−もしくは3
−シアノエチル、2−4L<は3−カルバtイルペシチ
ル、4−シアノへ+シル、4−カルバ七イルへ平シル、
しドD+ジメチル、2−しドロキジエチル、2−しド0
+シづロピル、2−しドロ+ジプチル、31ド0↑シブ
Oeル、鴫−しドロ士シづチル、3−しドロ+ジプチル
、ラーしドロ+シペシチル、6−ヒド0牛シヘ牛シル、
アセメチ1士ジメチル、2−ytfLt+シエ予ル、2
−アtチシオ牛シづ0ピル、3−アtチルオ牛シブOe
&、4−ア七チルオ中ジプチル、5−アセチ11士ジプ
チル、5−アtチルオ+シベシチル、6−アtチルオ十
シヘ牛シル、2−プ0じオニルオ+ジエチル、3一本ル
ミルオ士シブOピル、2−プチリルオ+シ″jOじル、
4−イソプチリルオ士ジプチル、2−ベシタノイルオ十
ジエチル、ttrt−プチルカルボニルオ士ジメチル、
2−へ+サノイルオ牛ジエチル、ベシリイルオ士ジメチ
ル、2−ベシリイルオ士ジエチル、3−ベシリイルオ十
シブ0じル、6−ベシリイLオ十シヘ+シル、4−ベシ
リイルオ士ジプチル、2もしくt13−メト+シベシリ
イルオ+シ)メチル、2−(4−メト+シベシリイルオ
十シ)エチル、2−エト+シベシリイルオ士ジメチル、
1−(3−エト+シベシリイルオ十シ)エチル、3−(
4−エト+シベシリイルオ十シ)プ0じル、6−(4−
イソづo、l十シベシリイルオ+シ)へ+シル、4−(
4−へ+シルオ十シベシリイルオ+シ)ブチル、1.1
−ジメチル−2−(3,4−ジメト+シベシ9イルオ千
シ)エチル、5−ベシリイルオ士シペシチル、5− (
3,4−シェドfシベシリイL才牛シ)ペシチル、6−
1゜4.5−)リメト+シベシリイLオ十シ)へ牛シル
、2−メチル−3−(2,5−ジメト牛シベシリイルオ
十シ)プロピル、2− (5,4−ジメト+シベシリイ
ルオ牛シ)エチル、3−1.4.5−)リメト十シベシ
リイルオ+シ)プ0じル、り00メチル、プ0ムメチル
、ヨードメチル、フttoメチル、2−り0ロエチル、
2−ブロムエチル、2−もしくは3−り00プ0じル、
2−フルオ0プ0ピル、3−ヨードブ0ピル、1−メチ
ル−2−り0ロエチル、2−15−もしくU4−プ0ム
プチル、5−200ブチル、2−ヨードブチル、4−フ
ルオロブチル、t、i−ジメチル−2−り00ブチル、
2−もしくは3−り00ペシチル、4−プ0ムヘ千シル
、6−り00へ牛シル、5−プ0ムベシチル110シア
ノ基、ベシリイルオ+シ基(こOフェニル環上には択素
数1〜60[1又は分校状アルコ牛シ基が1−5411
置換していてもよい)、ハ0ゲシ原子、しド0+シ基、
次素数1〜6の直鎖もしくれ分枝状アルカノイルオ+シ
基又はカルバ七イル基をli11mll換基として有す
るml数1〜6の直鎖又は分校状アル+ル基を例示でき
る。
フェニル環上に置換基として低級アル牛ル基、低級アル
コ+シ基、ハ0ゲシ原子、ニド0基、アミノ基、低級ア
ルカノイルアミノ基及び低級アル十ルチオ基から選ばれ
た基を1〜3個もしくは低級アル+レジジオ十シ基を有
することのあるフェニル低級アル十ル基としては、ベシ
ジル、2−フェニルエチル、3−フェニルプロピル、6
−フエ二ルヘ+シル、4−フェニルエチル、ジフェニル
メチル、■、2−ジフェニルエチル、2−もしくは3−
メト辛シベシジル、2−(4−メト牛ジフェニル)エチ
ル、2−エト+シベシジル、  I−(3−エト中ジフ
ェニル)エチル、3−(4−エト中ジフェニル)づ0じ
ル、6−(4−イソづ0ボ牛ジフエニル)へ+シル、鴫
−(4−へ士シルオ牛ジフェニル)ブチル、1.1−ジ
メチル−2−(3,4−ジエチルフェニル)エチル、5
−フェニルエチル、5−(5,4−シェド+ジフェニル
〕ベシチル、6−(3,4,5−トリメト+ジフェニル
)へ+シル、2−メチル−3−<2.5−”;メト牛ジ
フェニル)プ0じル、2−二ト0ベシジル、3−二ト0
ベシジル、1−(3−二ト0フェニル)エチル、6−(
4−二ト0フエ=L)へ辛シル、2−り00ベシジル、
3−プ〇七ベシジル、4−3−ドベシジル、2−(4−
フルオロフェニル)エチル、1−(3−り0ロフエニル
)エチル、6−(4−プΩ七フェニル)へ+シル、5−
(5,4−ジグ00フエニル)ペシチシ、l、1−ジメ
チル−2−(2,5−ジブ0ムフエニル)プ0じル、2
−もしく嬬5−メチルベシジル、2−(4−メチジフェ
ニル)エチル、2−エチルベシジル、t−(3−エチル
フェニル)エチル、3−(4−エツルフエニL)プロピ
ル、6−(4−イソプ○とルフエニL)へ+シル、4−
(4−へ+シルフエニL)’jブチル1.1−ジメチル
−2−(3,4−ジメチルフェニル)エチル、5−(3
,4−ジエチルフェニル)ペシチル、6−(3,5−ジ
メチルフエニL)へ+シル、2−\メチルー3−(2,
5−ジメチ彫フエニL)joピル、2−ア三ノベシジル
、3−ア三ノベシジル、I−(3−アミノフェニル)エ
チル、6−(4−アミノフェニル)へ十シル、2−アt
チルア三ノベシジル、3一本ルミルア三ノベシジル、1
−(3−プoじオニルアミノフェニル)エチル、6−(
4−寓−ブチリルア三ノフ工二ル)へ+シル、2−(5
−ベシタノイルy三ノフェニル)エチル、今一(6−へ
+サノイルア三ノフェニル)ブチル、2−もしくFi:
3−メチルチオフェニル、2−(4−メチルチオフェニ
ル)エチル、2−エチルチオフェニル、1−(3−エチ
ルチオフェニル)エチル、3−(4−エチルチオフエニ
L)プ0じル、6−(4−イソプOeLチオフェニル)
へ+シル、4−(4−へ牛シルチオフェニル)ブチル、
l、1−ジメチル−2−(3,4−ジメチルチオフェニ
ル)エチル、5−(3,4−ジエチルチオフェニル)ペ
シチル、6−(5,5−ジメチルチオフェニル)へ牛シ
ル、2−メチル−3−(2,5−ジメチルチオフェニル
)プロピル、3−メチL−4−り00ベシジル、2−9
00−6−メチルベシジル、2−メト+シー5−り00
ベシジル、フェニル(4−りooフェニL)メチル、ジ
(4−メチルフェニル)メチル。
フェニル(3−メト+シフエニL)メチル、3,4゜ラ
ートリメト十シベシジル、2−(5,4,5−トリメト
+ジフェニル)エチル、!1.4.5− )リメチシベ
シジル、5.4.5−トリクaaベシジル、3.4−エ
チレシジオ十シベシジル、2.3−メチレジジオ士シベ
シジル、1−(1,4−メチレジジオ牛ジフェニル)エ
チル、3〜(3,4−メチレジジオ+シフエニL)づ0
ピル、6−(3,4−メチレジジオ牛ジフェニル)へ+
シル、3.4−メチレジジオ士シベシジル、2−(3,
4−メチしシジオキシフェニル)エチル、2−(3,4
−エチレシジオ十ジフェニル)エチル、2−(2,3−
メチレジジオ士ジフェニル)エチル、2−(3,4−)
リメチレシジオ士ジフェニル)エチル、4−(3,4−
メチレジジオ士ジフェニル)ブチル等のフェニル環上に
釈素数1〜6の直鎖又は分枝状アル十ル基、択素数1〜
60直鎮又は分枝状アルコ+シ基、ハ0ゲシ厚子、ニド
0&、ア三ノ基1次素数1〜6の直鎖Xは分枝状アシカ
ッイルアミノ基、及び#2素数1〜6のtn鎖又は分枝
状アル+ルチオ基から成る群から選ばれ九置換基を1−
3個もしくは択素数1〜今のアル+レジジオ十シ基を有
することのあるフェニル基をl又U2個有する羨素数1
〜6の直鎮又は分枝状アル牛ル基を例示で色る。
フエニLll上に置換基として低級アシキル基、低級ア
ルコ−+シ基、ハ0ゲシ願子、ニド0基及びシアノ基か
ら選dれ九基を1〜3個もしくは低級アL士しジジオキ
シ基を有するととOわるベシリイル基としては、ベシリ
イル基、並びVC2−,3−もしくFi4−り00ベシ
リイル、2−13−もしくは4−フルオ0ベシリイル、
2−93−もしくは4−プ0ムベシリイル、2−13−
もしくは4−3−ドベシリイル、S、S−!;り00ベ
シリイル、2.6−ジク00ベシリイル、3I鴫−ジク
ODベシリイ」、3,4−ジフルオOペシ9イル、3,
5−ジプ0ムベシリイル、2−95−もしくU4−メチ
ルベシリイル、2−.3−もしくは4−エチルベシリイ
ル、3−イソプ0ビルベシリイル、今一へ+シルベシリ
イル、3,4−ジメチルベシリイル、2,5−ジメチル
ベシリイル、2−.3−もしくは4−メト千シベシリイ
シ、2−.3−もしくは4−エト牛シベシ9イル、4−
イソプOボ士シベシリイル、4−へ+シルオ中シベシリ
イル、3.4−ジメト士シペシリイル、3.4−シェド
+シベシリイル、2.5−ジメト十シベシリイル、2−
13−もしくFi4−二トoベシリイル、2.4−ジニ
ト0ベシリイ」、2−13−もしくは4−シアノベシリ
イル、2,4−9シアノベシリイル、3,4−メチレン
ジオ士シベシリイル、3,4−エチレシジオ+シベシリ
イル、2,3−メチレジジオ十シベシリイル、3.4−
)リメチレシジオ十シベシリイル、2.3−テトラメチ
レジジオ士シベシリイル、3−メチル−4−りOOベン
ソイル、2−り00−6−メチルベシリイル、2−メト
+シー3−りDOベシリイル、3.4.5−トリメト士
シベシリイル、3.4.5−)リメチルベシリイル、5
.4.5−トリク00ベシリイL等のフェニル環上に羨
素数1〜6の直鎖又は分枝状アル+ル基、駅素数1〜6
0直餉もしくは分枝状アル]十シ基、ハ0ゲシ原子、ニ
ド0基及びシアノ基から成る群から選ばれ九1〜3個O
置換基を有するか又社駅素数1〜4のアル牛しジジオ十
シ基を有するベシリイLMを例示できる。
フェニル環上に置換基として低級アル十ル基を1〜3I
l有することのあるフェニルスルホニル基としては、フ
ェニルスルホニル、トルニジスルホニル、+シレシスル
ホニル、トリメチルベシぜシスル本ニル、エチルベシt
!シスル本ニル、イソプ0とルベシゼシスルホニル、プ
チルベシtジスルホニル、へ牛シルベシぜシスル本ニル
等のフェニル環上に訳素数1〜60アル十ル晟の1−1
個を有するフェニルスルホニル1&を例示できる。
フェニル環上に置換基として低酸アルコ↑シ基及びハ0
ゲシ原子なる鮮から選ばれた基を1−1鯛もしく#i、
低級アル+レジジオ十シ基を有することのあるフェニル
低級アル+ル五としては、ベシジル、2−フェニルエチ
ル、1−フェニルェチル。
3一つエニシづOじル、4−フェニルブチル、■、1−
ジメ予ルー2−フエ=ルエチシ、5−フェニルベシチル
、6−フェニルへ+シル、2−メチル−3−フェニルづ
0じル、ジフェニルメチル、2.2−ジフェニルエチル
、3.3−ジフェニルづ0ピル、1.1−ジメチル−2
,2−、=”フェニルエチル、2−メト+シベシジル、
3〜メト+シベシジル、4−メト+シベシジル、3−エ
ト+シベシジル、2−づ0ボ+シベシジル、3−イソづ
o11千シベシジル、4− tlrl−ブト+シベシジ
ル、2−(3−メト千ジフェニル)エチル、2−(4−
メト千ジフェニル)エチル、2−(2−エト十シフエニ
L)エチル、2−(3−ブト+シフエニL)エチル、1
−(4−エト十ジフェニル)エチル、:3−(2−メト
千ジフェニル)づ0ピル、2−メチル−3へ(4−メト
千ジフェニル)づ0じル、6−(4−メト+ジフエニル
)へ+シル、2−り0ルベシジル、3−90ルベシジル
、4−プ0ムベシジル、2−3−ドベシジル、3−フル
オ0ベシジル、2−(3−り0ルフエニル)エチル、2
−(4−り0ルフエニL)エチル、2−(2−づ0ムフ
エニル)エチル、2−(3−ヨードフェニル)エチL。
1−(4−り0ルフエニル)エチル、1−(3−プ0ム
フェニル)エチル、3−(2−り0ルフエニル)プ0じ
ル、3−(4−り0ルフエニル)プロピル、3−(3−
プ0ムフェニル)プロピル、3−(4−ヨードフェニル
)プロピル、5−(5−90ルフエニル)ペシチル、2
.3−メチレシリオ+シベシジル、3,4−メチレジジ
オ十シベシジル、2,3−エチレシジオ士シペシジル、
3.4−エチレシジオ士シベシジル、5.4−トリメチ
レジ5オキシベンジシ、2−(2,3−メチレジジオ+
ジフェニル)エチル、2−(3,4−エチレシジオ辛ジ
フェニル)エチル、l−(’$、4−メチレジジオ十ジ
フニジフェニルル、3−(2,3−メチレジジオ+ジフ
ェニル)プロピル、5−(3,4−エチレシジオ士ジフ
ェニル)プロピル、1.l−ジメチル−2−(5,4−
メチレジジオ牛シフIニル)エチル、2−メチル−3−
(3,4−エチレシジオ十ジフェニル)づ0じル、2.
3−ジメト十シベシジル、2.4−ジメト+シベシジル
、3.4.5−トリメト士シベシジル、2,4−シェド
+シベシジル、2−(3,4−ショートフェニル)エチ
ル、2−(3,4゜5−トリメト士シフエニL)エチル
、3−(2,3−ジメト+ジフェニル)づ0じル、3−
(3−メト十シー4−エト+ジフェニル)プ0じル、1
.1−ジメチル−2−(3,4,5−)リメト十ジフェ
ニル)エチル、5−(3,4−ジメト+ジフェニル)ベ
シチル、2.3−ジグ0ルベシジル、3.4−ジブ0ム
ベシジル、 5,4.5−トリクQルベシジル、2.4
−ジブ0ムベシジル、3.4−ジブ0ムベシジル、3.
4−’フルオ0ベシジル、2−り0ルー3−づ0ムベシ
5ル、2−(2,3−ジク○ルフェニL)エチル、2−
(3,4,5−)ジクロルフェニル)エチル、2− (
3,4−ジづ○ムフェニル)エチル、2−(2,4−シ
ョートフェニル)エチル、1−(3,4−ジ9DL)エ
ニL)X9L、l −(!S、4.5−トリづ0ムフエ
ニL)エチル、3−(2,4−ジクロルフェニル)プロ
ピル、5−(5,4−ジブ0ムフエニル)プロピル、5
−(3,4−ジクロルフェニル)ペルチルlll0フエ
ニシ環上に置換基として訳素数1〜601:鎖又は分枝
状アルコ十シ基及びハ0ゲシ隊子なる群から選ばれ九基
を1−1個もしくは羨素数1〜4の直鎖又は分枝拭アル
十しジジオ十シ基を有することのあるフェニル基をl又
は2@有する択素数1〜60if鎖又は分校状アル+ル
基を例示できる。
低級アルコ+シ基としては、メト+シ、エト辛シ、づ0
ボ+シ、イソプ0ボ↑シ、ブト牛シ、1trt−ブト+
シ、ベシチルオ十シ、へ+シルオ十シ噂O羨素数1〜6
0直鎖又れ分枝状のアルコ+シ基を例示できる。
ハ0ゲシ原子としては、弗素、壕素、臭素及び沃素原子
を示す。
低級アル+ルチオ基としては、メチルチオ、エチルチオ
、プ0じルチオ、イソプ0じルチオ、ブチルチオ、tt
rl−ブチルチオ、ペシチルチオ、へ+シルチオ等の駅
素数1〜6の直鎖又は分枝状アル+ルチオ基を例示でき
る。
低級アル十しジジオ十シ基としては、メチレジジオ十シ
、エチレシジオ+シ、トリメチレジジオ十シ勢O択素数
l〜4の直鎖又祉分枝状アシ士しジジオ十シ基を例示で
きる。
4#、ill!アルカノイルア三ノ基としては、本ル三
ルア三ノ、アセチルア三ノ、プ0ヒオニルアミノ、ブチ
リルアミノ、イソブチリルアミノ、ペシタノイルアΣノ
、1trl−ブチルカルボニルアミノ、へ+サノイルア
三ノ等OR素数1〜60直鎖又は分枝状アルカノイル置
換アミノ基を例示できる。
シフ0アL+ル基として社、シフ0プOeル、シフ0ブ
チル、シフ0ペシチル、シフ0へ+シル、シフ0ヘプチ
ル、シフ0オクチル尋の炭素数3〜8のシフ0アル牛ル
基を例示できる。
フェニル環上に置換基としてしド0+シ基、ハDゲシ原
子、低級アル+ル基、低級アルコ+シ基及び低級アルカ
ノイルアミノ基なる群から選ばれ九基を1〜3iA有す
ることOToるベシリイル低級アル+ル基としては、ベ
シリイルメチル、2−ベシリイルエチル、3−ベシリイ
ルプoじル、6−ベシリイルヘ+シル、4−ベシリイル
プチル、(2−もしくは3−メト+シベシリイL)メチ
ル、2−(4−メト十シベシリイル)エチル、2−エト
牛シベシリイルメチル、1−(3−エト牛シベシリイル
)エチル、3−(4−エト牛シベシリイル)プロピル、
6−(4−イソプ0ボ+シベシリイル)へ牛シル、4−
(4−へ+シルオ十シベシリイル)ブチル、1.1−ジ
メチL−2−(3,4−ジメト+シベシリイル)エチル
、5−ベシリイルベシチル、5− (5,4−シェド+
シベシリイル)ベシチル、6− (5,4,5−トリメ
ト+シベシリイル)へ+シL、2−メチルー3−(2,
5−ジメト+シベシソイル)プ0じル、(2−900ベ
シリイル)メチル、(3−プ0ムベシリイル)メチル、
(4−ヨードベニ/ソイル)メチル、2−(4−フルオ
0ベシリイル)エチル、1−(5−900ベシリイル)
エチル、6−(4−プ0ムベシリイル)へ+シル、5−
(3,4−ジグ00ベシリイル)ベシチL、1.1−ジ
メチル−2−(2,5−ジブ0ムベシソイル)づ0じル
、(3,4,5−)リフ00べぞリイル)メチル、(2
−もしくは3−メチルベシリイル)メチル、2−(4−
メチルベシリイル)エチル、(2−エチルベシリイル)
メチル、1−(3−エチルベシリイル)エチル、3−(
4−エチルベシリイル)づ0ピル、6−(4−イソづ〇
ビルベシリイル)へ十シル、4−(4−へ十シルベシリ
イル)ブチル、1.1−ジメチル−2−(3,4−”;
メチルベシリイル・)エチル、5−(3,4−ジエチル
ベシリイル)ペシチル、6−(3,5−ジ疋チルベシリ
イル)へ十シル、2−メチル−3−(2,5−ジメチル
フェノ+シ)プ0とル、(2−アセチルア三ノベシリイ
ル)メチル、(5一本ルミルア!ノペシリイル)メチル
、1−(3−”jOじオニルアΣノベシリイル)エチL
、6−(4−N−ブチリルア三ノベシリイL)へ十シル
、2−(5−ペシタノイルアミノベシリイル)エチル、
鴫−(6−へ+サノイシア三ノベシリイル)ブチル、(
2−,3−もしくは今一しド0+シベシリイル)メチル
、2−(4−bド0+シベシリイル)エチル、1−(!
S−t:、ドロ士シベシリイル)エチル、6−(4−し
ド0+シベシリイル)へ+シル、5−(3,4−ジしド
0十シベシリイル)ペシチル。
1.1−ジメチル−2−(2,5−ジしド0牛シベシリ
イル)プ0じル、(3,4,5−)りしド0+シベシリ
イル)メチル等のフェニル環上に置換基としてヒト0十
シ基、A Oゲシ原子、脚素敵1〜6゜直鎖又は分枝状
アル牛ル基、羨素数1〜60直鎖又は分枝状アルコ+シ
基、脚素Wil〜6の直鎖又は分枝状アルカノイルアミ
ノ基なる群から選ばれた基を1〜3111iもしくFi
病素数1〜4のアル士しジジオ+シ基を有することのあ
るベシリイル基を1する訳II!kl〜6の直鎖又は分
校状アシ+ル基を例示できる。
フェニル環上に置換基として低級アルコ+シ基を1〜3
輌有することのあるフェニル低級アルカノイル基として
は、フエニL’j’tチル、3−フェニルジ0じオニル
、2−フェニルジ0じオニル、4−フェニルづチリル、
212− 、!/メチL−3−フェニルづ0ピオニル、
5−フェニルペシタノイル、6−フェニルへ+サノイル
、3−メチル−4−フェニルブチリル、(2−メト千ジ
フェニル)アセチル、(3−メト千ジフェニル)アセチ
ル、(4−メト千ジフェニル)アセチル、(3−エト+
シフエニL)アセチル、(2−づ0ボ+ジフエニル)ア
セチル、(3−イソづ0ボ士ジフェニル)アセチル、(
4−1trl−ブト+ジフェニル)アセチル、3−(3
−メト千ジフェニル)プロじオニL13−(4−メト千
ジフェニル)プ0じオニル、3−(2−エト+シフエニ
L)プ0じオニL、3−(3−ブト+シフエニt)プo
じオニル・4−(2−メト千ジフェニル)ブチリル、3
−メチル−4へ(4−メト千ジフェニル)ブチリル、6
−(4−メト千ジフェニル)へ牛すノイル、(2,5−
ジメト+ジフェニル)アセチル、(2,4−ジメト牛ジ
フェニル)アセチル、(5,丸う一トリメト牛シフエニ
L)アセチル、(λ4−@/エト牛シフエニL)アセチ
ル、3−<5.4−シェド↑ジフェニル)プ0じオニル
、’5−(3,4,5−)リメト十ジフェニル)プ0ど
オニル、4−(2,!I−ジメト十レジフェニルブチリ
ル、4−(3−メト+シー今一エト牛ジフェニル)ブチ
リル、2.2−ジメチル−5−(5,4,5−)リメト
牛ジフェニル)プ0じオニル、6−(3,4−ジメト十
ジフェニル)へ↑サノイル等のフェニル環上に置換基と
して訳素*I〜6の直鎖又は分枝状低級アルコ+シ基を
1〜3輌有する仁とのあるフェニル基を有する択素62
〜6の直鎖又は分枝状アルカ4ノイル基を例示で龜る。
置換基としてしドロ+シ基又はハ0ゲシ原子を壱するこ
とのある低級アル+ル基としては、上記p素数1〜6の
if鎖又は分枝状アル+ル基並びに200メチル、プ0
ムメチル、ヨードメチル、フルオロメチル、2−り00
エチル、2−プ0ムエチル、2−もしく&i3−り00
″joじル、2−フルオ0づ0ビル、5−ヨードブ0じ
ル、l−メチル−2−900エチル、2−13−もしく
は4−プ0ムプチル、3−りooブチル、2−ヨードブ
チル、4−フルオ0ブチル、1.1−、;メチル−2−
クロ0ブチル、2−もしくFi3−りOoベシチル、4
−ヴ0ムヘ+シル、6−り0ロヘ+シル、5−づOムペ
シチル、しドロ士ジプチル、2−しド0+ジエチル、2
−しド0+シブ0じル、2−ヒト0十ジプチル、3−ヒ
ト0十シブ0どル、4−しドロ士ジプチル、3−七ド0
+ジプチル、5−七ド0士シペシチル、6−しドロ牛シ
ヘ+シル吟Ol換基としてしドロ+シ基又はハ○ゲシ原
子を有することのあるjl[数1〜6の直鎖又は分枝状
アル+ル基を例示できる。
フェニル環上に置換基としてハ0ゲシ原子又は低級アル
コ+シを1〜3iA有すること0あるフエ=La級アシ
ケ:ルカルボニル基としては、シシナ℃イル、4−フェ
ニル−3−ブテノイル、4−フェニル−2−ブテノイル
、5−フェニル−4−ペシテノイル、5−フエニL−3
−ペシテノイル、5−フェニル−2−ペシテノイル、6
−フェニル−5−へ↑tノイル、6−フェニル−4−へ
+tノイル、6−フエ:ルー5−へ↑tノイル、6−フ
ェニル−2−へ牛セノイル、2−メチル−4−フェニル
−5−ブテニル、2−メチルーシシナ七イル、1−メチ
ルーシシナ七イル、2−.3−もしくは4−り00シシ
ナ七イル・2−13−もしくVi4−フルオDシシ1七
イル、2−15−もしく1i4−プ0ムシシj’tイル
、2−13−もしくは4−3−ドシシナtイル、3.5
−ジク0ロシシすtイル、2.6−ジク00シシナtイ
ル、3,4−ジグ00シシナtイル、3,4−ジフルオ
0シシナ七イル、3.5−ジブ0ムシ幻1イル、3,4
.5−トリク00シシ1℃イル、4−フシオ0フェニル
ー3−ブテノイル、4−(3−200フエニL)−2−
ブテノイル、5−(4−プ0ムフェニル)−4−ペシテ
ノイシ、6″″(3,4−ジグ00フエニル)−5−へ
+tノイル、2−メチル−(2,5−ジプ0ムフエニル
)シシす七イル、l−メチル−(3−り00フエニル)
シシナtイル、6−(3,4,5−)リプ0ムフエニル
)−5−へ+tノイル、2−.3−、もしく祉4−メト
牛シシシナtイル、2.3−もしくは今一エト+シシシ
ナtイル、2−13−もしくは4−プ0ボ牛シシシナt
イル、2−ブト+シシンj七イル、3− (1zrl−
ツトキシ)シシitイル、4−ペル5Lオキシシシナt
イル、3−へ牛シルオ牛シシシナtイル、3.5−ジメ
ト+シシシナtイル、2,6−ジメト十シシシナtイル
、3.4−ジメト牛シシシナtイル、3.4−シェド+
シシシナ七イル、3.5−シェド+シシシナtイル、3
,4.5− )リメト千シシシナtイル、4−エト+シ
フエニt−S−ブテノイル、4−(3−1art−ブト
牛ジフェニル)−2−ブテノイル、5−(4−へ+シル
オ+ジフェニル)−4−ペシテノイル、6−(3,4−
ジメト+ジフェニル)−5−へ+tノイル、2−メチル
−(2,5−シェドキジフェニル)シシすtイル、1−
メチル−(5−メト牛ジフェニル)シシナtイル、6−
(3,4,5−)リプ0ムフエニル)−5−へ十をニル
等のフェニル環上に置換基としてハロゲシ鳳子又は脚素
数1〜6の直鎖4しくは分枝状のアルコ+シ基を1〜3
個有することのあるフェニル基を有する線素数3〜6の
直鎖又は分枝状アルケニルカルボニル基を例示できる。
低級アルカノイル低級ア岬十LI&としては、アセチル
メチル、2−アセチルメチル・、2−アセチルプ0じル
、3−アセチルづ0じル、4−アセチルブチル、3−ア
セチルブチル、5−rtfLペシチル・6−アセチルへ
十シル、2−プロピオニルエチル、3一本LEルプ0ピ
ル、2−プチリルプ0じル、4−イソプチリルラチル、
2−ベシタノイルエチル ttrl−ブチルカルボニル
、2−へ士すノイルエチル、l、!−ジメチルー2−ア
tチルエチル等のP素数1〜6の直鎖又は分枝状アルカ
ノイル基を有する択素数1〜6の直鎖又は分枝吠アl+
ル基を例示できる。
低級アルコ+シカルlル低級アル+ル基としては、メト
十ジカルボニルメチル、2−(メト+シカ14二L)エ
チル、エト午ジカルボニルメチル、1−(エト十ジカル
ボニル)エチル、3−(メト十ジカルボニル)プロピル
、プロポ牛ジカルボニルメチル、2−(Joボ+ジカル
ボニル)メチル、4−(プ0ボ+シカLボニL)ブチル
、ブト士ジカルボニルメチル、■−(ブチルカルボニル
)エチル、 tart−ブト士ジカルボニルメチル、5
− (lzrg−ブト+シカLIE二L)づ0ピル、ベ
シチルオ士シカルボニルメデル、2−(へ+シルオ十ジ
カルボニル)エチル、5−(メト十ジカルボニル)ペシ
チル、6−(エト十ジカルボニル)へ十シル等の択素数
1〜6の直鎖又は分枝状ア1コ+シカルボミル基を有す
る廣素Ik1〜60直餉又は分枝状アル牛ル基を例示で
きる。
R2及びR3が形成する5員又Fi6員の飽和複素環と
しては、ピロリジノ、l−じベリジル、℃ルホリノ、l
−じペラジニシ、4−メチル−1−ピベ5杉ニル、4−
エチル−1−じペラジニル、4−メチル−1−ピペリジ
ル、2−メチル−1−ピベリジル、4−プロヒル−1−
じベラジニル、4−プチルーl−じベラジニル、4−イ
ソプロじルー 1−eぺ5.!;二L、4− tart
−ブチル−1−じペラジニル 4− ztt−ブチル−
1−じベラジニル、4−ベシチルーl−じペラジニル、
4−へ十シjL、−1−じペラジニル、4−ベンジルじ
0リジノ、4−ベリジル−1−じベリジル、3−ベシジ
ル七1本すノ、鴫−ベリジル−1−ピペラジニル、3−
(2−フェニルエチル)−監−じべりつル、4−(1−
フェニルエチル)−1−じベリジル、4−(3−フェニ
ルジ0じル)−1−じペラジニル、鴫−(4−フェニル
ブチル)−1−ピペリジル、3−(6−フェニルへ十シ
ル)−1−じベリジル、4−(4−フェニルブチル)−
t−ピペラジニL喀を例示できる。
リル骨格の5.6.7又は8位である。
一般式(1)の化合物は、例えtiT−記反応行程式−
lの方法で製造され得る。
反応行程式−1 R2 xl              111(り    
            (1)〔式中R”、R2、R
3及びカシボスチリル骨格O)位と4位のR2雪間結合
はWM記に同じ。〕上上記反応行程−1で示される方法
は、一般式(2)で表わされる力Lボスチリル誘導体又
はそのカルボキシ基の活性化された誘導体と一般式(3
)で表わされるアミル又はそのアミノ基O活性化されえ
化合物とを通常のアニド結合生成反応にて反応させると
とによ)実施される。アミド結合生成反応は公知の各種
方法例えばり混合酸無水物法、例えばカルネスチリル誘
導体(2)にアル+ルハ0カルポジ酸を反応させて混合
酸無水物とし、これに?Σシ(3)を反応させる方法蕎
(に)活性エステル法、例えばカルネスチリル誘導体(
2)’l−二ト0フェニルエステル、N−しドロ+シコ
ハク酸イ五ドエステル、I−tFo+シベシリトリアリ
ールエステル蝮O活性エステルとし、これにアミル(3
)を反応させる方法;(ハ)カルボジイミド法、即ちカ
ルボスチリル誘導体(2)にアミル(3)をジシク0へ
士ジルカルボシイ三ド、カルボニルシイ三タリール等の
活性化剤の存在下に縮合させる方法;に)その他の方法
、例えばカルボスチリル誘導体(2)t−無水酢酸等の
脱水剤によすhLポジ酸無水物としこれにアミル(3)
を反応させる方法、力Lボスチリル誘導体(2)と低級
アルコールとのエステルにアミル(3)を高圧^温下に
反応させる方法、カルボスチリル誘導体(2)の龍ハ0
ゲシ化物即ち力り卓シ酸ハライドにアミシS″′S誇m
体(3)を反応させる方法等によ)実施することが出来
る。まえカルボスチリル誘導体(2)をトリフェニルホ
スフィシやジエチルクロ0本スフエート喀すリシ化合物
で活性化し、これにアミル(3)を反応させる方法等に
よることもできる。
上記に)に示す混合酸無水物法において、用いられる混
合酸無水物は通常Oショツテシーバウマシ反応によ多得
られ、これを通常単離することなくアミル(3)と反応
させることにより一般式(1)の化合物が製造される。
シ3ツテシーバウマシ反応は通常シ3ツテシーバウマシ
反応に慣用の塩基性化合物例えばトリエチルアミル、ト
リメチルアミル。
じリジシ%ジメチルアニリシ、N−メチル七ル本1.4
−!;アザピシク0(2,2,2)オクタシ(DABC
O)噂の有m樵基及び駅酸カリウム、羨酸ナトリウム、
駅蒙水素カリウム、巌酸水素すトリウム嶋O無機塩基の
存在下、約−20〜100℃好ましくは0〜50℃にお
いて、約5分〜10時間好ましく祉5分〜2時間を要し
て行われる。得られ九混合酸無水物とアミル(3)との
反応は、fi−20〜150℃好ましくFi10〜50
℃において約5分〜10時間好ましくは約5分〜5時間
を要して行われる。
また上記混合酸無水物は一般にこの種混合酸無水物法に
慣用の1#縄、具体的には塩化メチレジ、クロ0本ルム
、ジクOOエタシ醇のハ0ゲシ化縦比水案如、ベシセシ
、トルニジ、+シレシ嶋の芳香り次化水素如、ジエチル
エーテル、テトラしドロフラジ、ジメト+シエタシ皓の
エーテル類、酢酸メチL1酢酸エチル等のエステル類、
N、N−ジメチル本ルムアヱド、ジメチルスル本+シト
、へ十寸メチルリシ酸トリア三ド等の非プoトシ性極性
#I縄などの適当な溶媒中又は非存在下で行なわれる。
尚上記混合酸無水物の鯛迄において使用されるアル+ル
ハ0力L$シ酸としてはり00蟻酸メチル、プ〇七蟻酸
メチル、り00蟻酸エチル、プロtIIll酸エチル、
り0口蟻酸イソプデル等を例示でき、之等は通常カルボ
スチリル誘導体(2)に対し少なくとも醇tル量、好ま
しくは約l〜2倍tル量用いられる。またアミル(3)
の使用割合は、11富力L$スチリル誘導体(2)に対
して少なくとも尋tル好ましくは約1〜2倍モルとする
りか好ましい。
上記(ロ)に示す活性エステル法は、例えdN−ヒト0
十シコハク酸イ三ドエステルを用いる場合を例にとれに
、反応に影響な与えない過当な溶媒中で行なわれる。該
1IiI縄としては、具体的には塩化メチレジ、り00
本ルム、ジク00エタシ等のへ〇ゲシ化択化水素類、ベ
シゼシ、トルニジ、中シレシ等の芳香族俵化水素類、ジ
Iチルエーテル、テトラしドロフラジ、ジメトfシエタ
シ等のエーテLII、 #酸メチル、酢酸エチル等のエ
ステル類、N、N−ジメチル本ルムアΣド、ジメチルス
ルホ牛シト、へ+サメチルリシ酸トリア三ド等の非プロ
トシ性極性溶媒などが挙けられる。反応猷、0〜150
℃、好ましくは10−100℃で、5〜30時間で終了
する。アミル(3)とM、−しド0十シ〕ハク酸イ三ド
エステルとの使用割合り、後者に対して前者を通常、少
なくともI@tル、好ましくは、$eル〜2倍七ルとす
るのが望ましい。
上記に)に示すカルポジ酸ハライドにアミル(3)を反
応させる方法を採用する場合、該反応は脱ハ○ゲシ化水
素剤の存在下適当な溶媒中にて行なわれる。この脱ハ0
ゲシ化水嵩剤としては通常の塩基性化合物が几いられ、
塩基性化合物としては公知のものを広く使用でき1例え
ばショッテシーバウマシ反えに用いられる塩基性化合物
のほかに水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナ
トリウム、水素化カリウム、訳酸銀、ナトリウムメチラ
ート、ナトリウムエチラート等のアルコラード等を挙け
ることができる。尚、アミル(3)を過剰量使用して脱
ハDゲシ化水嵩剤として兼用できる。溶媒としては、上
記ショッテシーバウマシ反応に用いられる溶媒のほかに
例えばメタノール、エタノール、づ0パノール、ブタノ
ール、3−メト中シー1−ブタノール、エチttoソル
プ、メデルtOソルプ等のアルコール如、じリジル、ア
七トシ、アセトニトリル等又は上記溶媒の二つ以上の混
合liI謀等を挙げることができる。アミル(3)とカ
ルポジ酸ハライドとの便用割合り特に限定がなく広い範
囲内で適宜選択されるが、通常前者に対して読者を少な
くとも勢七ル量程度、好ましくは等℃ル〜2倍tL量用
いるのがよい、該反応#i通通常−3一〜180 行なわれ、一般に5分−30時間で反応は完結する。
上記において力Lポジ酸ハライドは、例えばカルボスチ
リル誘導体(2)とハ0プシ化剤とを無浴峰下又はII
M縄の存在下に反応させることにょヤ製造される。溶媒
としては、反応K11i影智を与えないものであれば使
用でき、例えばベシセシ、トルニジ、+シレシなどの芳
香族膨化水素類、りOo*ルム、塩化メチレジ、西塩化
羨素なとのハ0ゲシ化軟化水素如、ジオ+リシ、テトラ
しドロフラジ。
ジエチルエーテルなどのエーテル類、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホ千シトなどが挙けられる。ハ0ゲ
シ化剤としては、カルボキシ基の水酸基をハo Y−シ
に変える、通常のハ0ゲシ化剤を使用でき、例えば塩化
チオニル、オ十シ樵化すシ、オ十シ臭化すシ、五塩化リ
シ、五臭化すシなどが例示される。カルボスチリル誘導
体(2)とハ0ゲシ化剤との使用割合はとくに限定され
ず適宜選択されるが、焦[&下で反応を行う場合には、
通常前者に対して、後者を大過剰量、また溶媒中で反応
を行う場合には、通常前者に対して後者を少なくとも等
tル量程度、好ましくは、2〜4倍七ル量を用いる。そ
の反応温M(および反応時間)もとくに#i定されない
が1通常室温〜100℃程度。
好ましくti50〜80℃にて、30分間〜6時間程茨
で行なわれる、 またカルボスチリル誘導体(2)をトリフェニル本スフ
ィン中ジエチルクoo本スフエート等のリシ化合物で活
性化し、これにアミシ(3)を反応させる方法は、適当
なS*中で行うことが出来る。ここで溶媒としては反応
に影響を与えないものなら何れでも使用できるが、具体
的にtit化メチレジ、り00本ホルムジクooエタシ
等Oハロゲシ化脚化水素類、ベシt!シ、トルニジ、+
シレシ噂0芳香族羨化水素類、ジエチルエーテル、テト
5しド。
0フラジ・ジメト+シエタシ勢のエーテル類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル等のエステル類、N、N−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスル本生シト、へ+サメチルリシ酸
トリア!ド等の非プロトシ性極性III1mlなどが挙
がられる。上記反応では、アーク(3)自体が環基性化
合物として働くため、これを理論量よシ過剰量用いるこ
とにょl&応は良好に進行するが、必1’に応じて、他
の環基性化合物例えば、トリエチルアミシ、トリメチル
アアシ、ピリジシ、ジメチルアニリシ、N−メチル上す
本リシ、DBN、DEU、DABCO醇の有機塩基及び
択酸カリウム、巌酸ナトリウム、羨酸水素カリウム。
訳酸水素ナトリウム等の無III塩基を用いることもで
きる。該反応は約0〜150℃好ましくは約θ〜100
℃において行われ、反応時間は約1〜30時間である。
カルボスチリル誘導体(2)に対するリシ化合物及びア
ミシ(3)の使用割合は、夫々通常少なくとも等tル量
程度好ましくは、l〜3倍El菖とされる。
また一般式(1)の化合物中ある欝に属する化合物(下
記一般式(1−4) 、(1−り及び(l−ζ)で表わ
される)は、夫々以下の反応行程式−2乃至−5に示す
方法によっても製造することができる。
反応行程式−2 〔式中R1及びカルボスチリル骨格03位と4位O#2
素閥結合は前記に同じ。R4は低級アシカッイル基、低
級アルコ十ジカルボニル基、)0イル基、フェニル環上
に置換基として低級アル+ル基、低級アルコキシ基、ハ
0ゲシ鳳子、ニド0基及びシアノ基なる群から選ばれ九
基を1−3個もしくれ低級アルキレジジオ十シ基を有す
ることのあるベシリイfフェニル環上に置換基として低
級アルコ牛シ基を1〜3個有すること0あるフェニル低
級アルカノイル基又はフェニル環上に置換基としてハ0
ゲシ厚子及び低級アルコキシ基なる群から選ばれ九基を
1〜3個有することのあるフェニル低級アルケニルカル
ボニル基を示す。XI Fi水酸基を示す。〕即ち上記
一般式(1−4)で表わされる化合物は、一般式(4)
の化合物又はそ0’?三ノ基の活性化合物に一般式(−
)0化合物又はそOカルボニル基の活性化され良化合物
を反応させることKより製造される。上記反応は、前記
反応行程式−1に示す一般式(2)で表わされるカシポ
スチリL誘導体又はそのカルボ+シ基の活性化化合物と
、一般式(3)で表わされるアミシ又はそのアミノ基の
活性化化合物との反応と同様の操作及び条件下に行なう
ことができる。
反応行程fニー3 (式中R1及びカルボスチリル骨格03位と45 位の縦索間結合は前記に同じ。  Fi低級アル+ル基
、低級アルコ+ジカルボニル低級アル牛ル基、低級アル
ケニル基、低級アル−ニル基、シフ0アル十ル基、シフ
0アル+ル低級アル↑ル基、低級アル+424本ニル基
、フェニル環上に置換基としてハ0ゲシ原子、低級アル
コ牛シ基及び低級アル十ル基表る群から選ばれ九基を1
〜3個もしく鉱低級アル+レジジオ十シ基を有すること
のあるフェノ十シ低級アル士ル基。
置換基としてシアノ基、ベシリイルオ十シ基(このフェ
ニル環上に#i低級アルコ+シ基が1〜3個置換してい
てもよい)、A OケシIN子、しド0↑シ基、低級ア
ルカノイルオ十シ基又はカルバ七イル基を1個有する低
級アル中ル基、低級アルカノイル低級アル十ル&、フェ
ニル環上に置換基として低級アル中ル基、低級アルコ十
シ基、ハ0ゲシ原子、ニドo基、アミノ基、低級アルカ
ノイルアミノ基及び低級アル中ルチオ基かも選ばれた基
を1〜IItL<ti低級アル中レしジオ中シ基有する
ことのあるフェニル低級アル牛ル基、フェニル環上に置
換基として低級アル+ル基を1〜311有することのあ
るフェニルスルホニル基又祉フェニル環上に置換基とし
てしド0牛シ基、ハ0ゲシ謝子、低級アル中ル基、低級
アルコ+シ基及び低級アルカノイルアミノ基なる群から
選ばれ九基を1〜′5個有することのあるベシリイル低
級アル+ル基を示す。X2 はハ0ゲシ維子、低級アル
カシスルホニルオ+シ基、アリールスルホニルオ+シ基
又はアラル十ルスルホニルオ十シ基を示す。〕卸ち一般
式(1−4)で表わされる化合物は、一般式(4)で表
わされる化合物と一般式(6)で表わされる化合物とを
反応させることにより製造される。との&応#′111
1配し九カルポジ酸ハ5イドにアΣシ(3)を反応させ
る方法と同様の操作及条件下に寮施することができる。
崗上記一般式(6)で表わされる化合物において。
x2  で定義されるハ0ゲシ豫子は具体的KFi塩素
、弗素、臭素及び沃素原子であや、低級アルカシスル本
二ルオ辛シ基としては具体的にはメタシスルホニルオ牛
シ、エタシスルネニルオ十シ、イソプoバシスルスルル
オ千シ、づ0バシスル本二ルオ十シ、プタシスル本二ル
オ牛シ、Earl−ブタシスルスルルオ十シ、ペシタシ
スル本二ルオ十シ、へ士すシスル車ニルオ+シ基等を例
示でき、まえアリールスルスルルオ+シ基としては具体
的にはフェニルスルホニルオ牛シ、4−メチルフェニル
スル本ニルオ十シ、2−メチルフェニルスルスルルオ+
シ、4−二ト0フェニルスジ本二ルオ十シ。
4ニメト牛ジフ工ニルスル本二ルオ牛シ、5−り0ルフ
工=ルスル本二ルオ牛シ、a−ナフチルスルスルルオ+
シ基等の置換又は未置換のアリールスルスルルオ十シ基
を例示でき、tえアラシャルスルスルルオ牛シ基として
は具体的にはベシジルスルスルルオ千シ、2−フェニル
エチルスルスルルオ十シ、4−フェニルブチルスルスル
ルオ↑シ。
4−メチルベシジルスルスルルオ十シ、2−メチルベシ
ジルスルスルルオ牛シ、4−ニド0ベシジルスルスルり
オ↑シ、4−メト+シベシジルスルホニルオ+シ、3−
り0ルベシジルスル*ニルオ十シ、α−ナフチルメチル
スルホニルオ十シ基等のwt候又は未置換のアラル+ル
スルホニルオ+シ基を例示できる。
反応行程式−4 1zi C2)              (s)C式中R1
及びカルボスチリル骨格の3位と4位のji2票間結合
は前記に同じ。R6は低級アL+ル基、低級アルコ十ジ
カルボニル低級アル中ル基、低級アルケニル基、低級ア
ル牛ニル基、シフ0アル十ル基、シフ0アル+ル低級ア
ル↑ル基、フェニル環上に置換基としてハ0ゲシ原子、
低級アルコ+シ基及び低級アル↑ル基なる群から選ばれ
た基を1−1個もしくは低級アル十しジジオ牛シ基を有
することのあるフェノ十シ低級アル十ル基、置換基とし
てシアノ基、ベシリイルオ↑シ1&(このフェニル環上
には低級アルコ+シ基が1〜3個置換していてもよい)
、ハ0ゲシ原子、しド0+シ基、低級アルカノイルオ十
シ基又はカルバ七イル基を1個有する低級アル牛ル基、
低級アルカノイル低級アル+ル基、フェニル環上に置換
基として低級アル十ル基、低級アルコ+シ慕、A Oゲ
シ原子、ニド0基、アミノ基、低級アルカノイルアΣノ
基員び低級アル中ルチオ基から選ばれた基を1−1個も
しくは低級アル+レジジオ十シ基を有することのあるフ
ェニル低級アル+ル基又はフェニル環上に置換基として
しドロ+シ基、ハ0ゲシ原子、低級アル+ル基、低級ア
ルコ+シ基及び低級アルカノイルアミノ基なる群から選
ばれた基を1〜3個有することのあるベシリイル低級ア
ル+ル基を示す。Xは上記X1及びx2と同−基を示す
。〕 川」ち一般式<1−t)で表わされる化合物は、一般式
(2)の化合物と一般式(7)の化合物を反応させ、か
くして得られる一般式(8)の化合物に一般式(9)の
化合物を反応させることによシ製造できる。上記第1の
工程における反応は、前記一般式(2)の化合物と一般
式(3)の化合物との反応と同様011作及び条件下に
行なわれる。
また上記第1工程に引き続く第2工程は、一般式(8)
の化合物におけるXの種類に応じて、下記の峠<シて行
なわれる。即ち一般式(8)の化合物としてXがハ0ゲ
シ原子、低級アシカシスル本二ルオ十シ基・アリールス
ルスルルオ+シ基又はアラル十ルスルホニルオ牛シ基を
示す化合物を用いる場合、該一般式(8)の化合物と一
般式(9)の化合物との反応は、一般に適当な不活性溶
媒中塩基性縮合剤の存在下又は不存在下に行なわれる。
不活性fMv&としては例えばベシt!シ、トルニジ、
+シレシ等の芳香族変化水素類、メタノール、エタノー
ル・イソプロパノール、ブタノール等O低級アルコール
類、酢酸、酢酸エチル、ジメチルスル本生シト、ジメチ
ルホルムアミド、へ+サメチルリシ酸トリア三ド等を挙
けることができる。また塩基性縮合剤としては例えば択
酸ナトリウム、羨酸カリウム、#!酸水嵩すトリウム、
戻酸水素カリウム等の#I2酸塩、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等の金属水酸化物、ナトリウムメチレー
ト、ナトリウムメチレート等の金属アルコラード1.じ
リジル、トリエチルア!:二等の第3級アミシ◆を挙げ
ることができる。−h式(8)の化合物と一般式(9)
の化合物との一月割合は特に@定かなく広い範囲内で適
宜選択でき、通常前者に対して後者を少なくとも等七ル
jL&!度、好ましくは等tル〜5倍七ル量用いるのが
よい。該反応は通常40〜120℃程度、好ましくは5
0〜!00°Cにて竹なわれ、一般に5〜30時間程度
で反応は終了する。
また一般式(8)の化合物としてXが水酸基を示す化合
物を用いる場合、該一般式(8)の化合物と一般式(9
)の化合物と0&応は、脱水縮合剤の存在下無溶媒下又
は適当な溶媒中にて行なわれる。ここで脱水縮合剤とし
ては例えばボリリシ酸等のf!i台リンす如、止すシ酸
、焦すシ酸、メタリシ酸等のリシ酸類、止血リシ酸等の
亜すシ酸類、五酸化リシ尋の無水リシ酸類、塩酸、硫酸
、ホウ酸等の酸類、リシ酸ナトリウム、ボロジホスフェ
ート、リシ酸第二鉄、リシ酸アルミニウム郷の金属リシ
酸塩類、粘性アル三1、重硫酸ナトリウム、ラネーニッ
ケル等を挙けることができる。ま九*aとしてFi例え
ばジメチルホルムアミド、テトラリシ等の高沸点溶媒を
挙けることができる。一般式(8)の化合物と一般式(
9)の化合物との使用割合は特に@定かなく広い範囲内
で適宜選択でき1mm後後に対して前者を0.8tル量
程度以上、好ましくは0.8 t L〜2倍tル量用い
るのがよい、脱水縮合剤の便用mは特に限定されず広範
囲から適宜選択し得、一般式(8)の化合物に対して通
常触媒量以上、好ましくは0.5〜5倍tル量程度用い
るのがよい。上記反応は有利には酸化反応を防止するた
め不活性ガス例えばCO2又はN2 気流中で行ない得
る。また反応は通常常圧下、約IOθ〜550℃好まし
くは125〜255℃にて約3〜10時間で行なわれる
反応行程式−5 (2)                輔h (トイ) 〔式中R1、R6及びカルボスチリル骨格の3位と4位
の羨素関結合FiIIrf!に同じ。〕一般式(1−C
)で表わされる化合物は、また上記のように一般式(2
)の化合物にモルホリシ輪を反応させ七ル本すシ騎導体
四としたのち、これに一般式(9)の化合物を反応させ
ることによっても製造できる。
上記において一般式(2)の化合物とtル本リす輪との
反応は、前記した一般式(2)の化合物と一般式(3)
の化合物とO反応と同様の操作及び条件下に行ない得る
。を九かくして得られる一般式四の化合物と一般式(@
)の化合物との反応は、無溶媒下又は適当な溶媒中酸の
存在下にて行なわれる。*gとしては例えばテトラリシ
、ジメチル本ルムア三ド、ジメチルスルホ↑シト、へ十
寸メチシリシ酸トリアニド等の高沸点*gを使用できる
。酸としては例えば櫨酸、硫酸、臭化水IK酸等を使用
できる。
一般式(ロ)の化合物と一般式(9)の化合物との使用
割合は、特FC@定されず広い範囲内で適宜選択でき、
通常前者に封して後者を少なくと4等tル量程度、好ま
しくは勢tル〜2倍tル量用いるのがよい。
該反応社通常50〜250℃程度、好ましくは150〜
200℃にて行表われ、一般に1〜24時間程度で反応
は終了する。
更に一般式(1)で表わされる化合物中xx#水1/A
原子以外の基である化合物(一般式(1−1)の化合物
)社、R1が水素原子である化合物(一般式(1−d)
の化合物)より以下の反応行程式−6に示す方法によっ
ても製造することができる。
反応行程式−6 〔式中R2、R3、x2 及びカルボスチリル骨格の3
位と4位のIN素聞結合は前記に同じ。R1′は水素原
子以外、 R1基を示す、〕 上記において一般式(S−d)C)化合物と一般式一の
化合物との反応は、例えば塩基性化合物の存在下過当な
#媒中にて行なうのがよい。ここで塩基性化合物として
社例えに水素化ナトリウム、カリウム、ナトリウム、ナ
トリウムアミド、カリウムアミド等を挙げることができ
る。ま九mgとしては例えばジオ+サシ、ジエチレシタ
ロコールジメチルエーテル等Oエーテル類、トルニジ、
千シレシ嶋の芳香族炭化水素類、ジメチシ本ルムア!ド
、ジメチルスル本fシト、へ+サメチルリシ酸トリア三
ド醇を挙げることができる。一般式(l−りの化合物と
一般式UO化合物OII!用割合は特KIN定かなく広
い範囲内で適宜選択でき、通1p6rlJ11にλして
後者を少なくとも等七ル程度以上、好ましくは等tL〜
2倍tL程屓尾いるのがよい。該反応は通常O〜70℃
程度、好ましくはθ℃〜ii!温付近にて行なわれ、一
般に0.5〜!2時間根度で反応は終了する。
また一般式(1)で表わされる化合物のうちフェニル環
上に置換基としてアミノ基を有する基である化合物は、
該フェニル環上O置換基がニド0基である財応する化合
物を還元することによっても賽易に製造され得る。この
魚尤は芳香族ニドo基を芳香族アミノ基に還元する通常
の条件下に実施できる。より具体的には亜硫酸ソーダ、
亜硫酸ガス等のIIi光剤を用いる方法、パラジウム−
択素等の還元触媒を用いる接触ll九九法によればよい
以上詳述した反応行程式−I、−4及び−5において、
一般式(1)の化合物の製造に利用される一般式(2)
の化合物は、−S社規化合物を包含しており、該化合物
は例えば上鮎反応行程式−7又は−8に足す方法によ1
211造することができる。
反応行程式−7 〔式中R1及びカル本スチリシ骨格03位と4位の択素
間結合は前記に同じ。R3は芳香族アミシ残基、X2′
はハロゲシ原子を示す、〕上記において一般式輪の化合
物を得る反応は適当な溶媒中又社無溶媒下に一般式o3
0化合物に芳香族アミシ#ACA4を反応させることに
より行うことが出来る。溶媒としては、反応に影響を与
えないものであればいずれも使用することが出来、例え
ば例えば塩化メチレジ、りoo本ルム、ジクo。
メ5I:J喀OADゲシ化羨化水素類1ジエチルエーテ
ル、テトラしドロフラジ、ジメト十シエタシ勢のエーテ
ル類、酢酸メチル、酢酸エチル噂のエステル類、N、N
−ジメチル本ルムア三ド、ジメチルスル本+シト、へ+
サメチルリシ酸トリア三F等の非づ0トシ性極性瀝謀な
どが挙がられる。芳香族アミシ類としてれ、どリジル、
千ノリシ峰を例示できる。該芳香族アミシ0使用量社、
一般弐輪の化合物に対して、少なくとも等七ル、好まし
くは大過−j量使用するのがよい0反応温度は、50〜
200°C好ましくは70〜150℃でおり、反応は3
〜10時間で終了する。また上記によシ得られる 転式
に)の化合物の加水分解反応は、水又はメタノール、エ
タノール等のアルコール中、水酸化ナトリウム又は水酸
化カリウムのような無機塩基類もしくは塩酸、臭化水嵩
酸等の酸を用いて室温〜150℃下に1〜10時間程度
を要して行なわれる。また成心行程式−lにおいて他方
の原料とする一G式(3)で表わされるアミシもその一
部に新規の化合物を包含しておシ、該化合物は1記一般
式(4)の化合物と一般式(5)又は一般式(6)の化
合物との反応において、一般式(4)の化合物に替え適
当なアミシを用いることにより、容易に収得できる。
反応行程式−8 −勧 Rム (2) 〔式中R1及びカルボスチリル骨格の3位と4位の択累
関結合は前記に同じ。X3 はへ〇ゲシ厚子を示す。〕 一般式一〇化合物とハ0ゲシとOK応は通lllfM謀
中で行なわれる。用いられるJlliFw&としてはテ
トラしFOフ5シ、ジオ+サシ等Oエーテル類、酢酸、
プ0じオシ酸等のカルボン酸類、ベシゼシ等の芳香族膨
化水素類、ジメチL*ルムア工ド、ジメチルスルネ↑シ
ト等を例示できる。該反応に於ては副生するハ0ゲシ化
水素を除去するために脱酸剤として炭酸カルシウム等を
添加してもよい。
一般式(イ)の化合物とハ0ゲシとの配合割合は特に限
定されず広い範囲内で適宜選択されるが、通常削者に対
して後者を2〜5倍tル、好ましくは2〜3倍七ル蓋用
いるのがよい。該反応社通常O〜50°Cで行なうのが
よく、通常数時間〜24時間&度で反応は終了する。
−・般式的の化合物から一般式(2)の化合物を得る反
応Fi堆基性化合物の存在下水溶媒中にて行なうのがよ
い。塩基性化合物としては公知のものを広く使用でき、
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カル
シウム吟のアルカリ金属水酸化物もしくはアルカリ土類
金属水酸化物等を挙げることができる。塩基性化合物の
使用量として祉特に限定されず広い範囲内で選択される
が、一般には一般弐初の化合物に対して2倍tル〜大過
剰蓋使用するのがよい。駄反応社通常50〜150℃、
好ましくは70〜鳳20℃で行なうのがよく、通常l〜
12時間程度で反応は終了する。
上記反応行程式−7及び−8において、原料として用い
られる一般式輪及び−の化合物は新規化合物を包含して
おシ、例えば下記反応行程式−9゜−10に示す方法に
従い製造される。
反応行程式−9 (ロ)        (2) 〔式中R1及びカルポスチリール骨格の3位と4位の次
素関結合は前記に−jじ。X3はハ0ゲシ原子 X4 
は水素原子又はハ0ゲシ原子を示す。〕一般式(ト)の
化合物と一般式翰もしくは一般式に)の化合物との反応
は一般にフリーデル−クラフッ反応と呼ばれるものであ
り、この反応Fi溶媒中ルイス酸の存在下に行なわれる
。この際使用される溶媒としてはこの楓の反応に通常使
用されるものが有利に用いられ、例えは二酸化炭素、ニ
ド0ベシぜシ、り0ルペシt!シ、ジグ0ルメタシ、ジ
クOルエタシ、トリクOLエタシ、テトラクOLエタシ
等が例示される。更にルイス酸も従来使用されているも
のが好適に用いられ、例えに塩化アルミニウム、塩化亜
鉛、塩化鉄、塩化錫、三臭化硼素、三弗化硼素、濃硫酸
等が使用され得る。ルイス酸の使用lは適宜に決定すれ
ば良いが、通常一般式(財)の化合物に対して2〜6倍
tル程度、好ましくti3〜4倍tル程良が用いられる
。一般式Qllの化合物もしくは一般式一の化合物t)
便用量は、一般式(財)の化合物に対して通常少なくと
も等tル量程度、好ましくFi尋tル量〜3倍モル量が
用いられる0反応温度は適宜選択されるが通常20〜1
20°CS度、好ましくは40〜70℃程度とするのが
よい。該反応の反応時間#i原料、触媒、反応温度等に
より異なシー概には言えないが、in常0.5〜24時
間程艮にて反応は終了する。
C式中R”、X” 、X3及OX” ti前記KIM 
シ。R7は水素原子又は低級アル十ル基を示す。〕一般
式(2)の化合物と一般式■又はIIO化合物との反応
は、前記一般式(2)の化合物と一般式輪又は■の化合
物との反応と同様にして行なうことができる。但し1反
応温度としては、通常−50〜120℃程度、好ましく
#iθ〜70℃IIMとするのがよい。ま九反応時間は
原料、触媒、反応温度尋により異な夛−概には警えない
が、通常0.5〜24時間程度にて反応は終了する。
化合物−のニド0化反応は、通常の芳香族化合物のニド
0化反応条件下で例えに無溶謀もしく社適当な不活性溶
媒中ニド0化剤を用いて行なわれる。不活性溶媒として
は例えば酢酸、無水酢酸、濃硫酸等を、ま良ニド0化剤
としては例えば発蝉硝酸、濃硝酸、混酸(WIIt酸、
発煙硫酸、リシ酸又は無水酢酸と硝酸)、硝酸カリウム
、硝酸ナトリウム等のアルカリ金属硝酸樵と硫酸等を夫
々例示できる、上ILiニドO化剤の使用量は、原料化
合物に対し尋tル以上通常過剰蓋とすればよく、反応は
通常−30°C〜室温付近、好ましくは一30°CQi
J後にて5分〜4時間で1*施される。
一般式■のベシセシ騎導体を1M7c及び閉環して−i
式(ホ)のカルボスチリル誘導体とする。この反応は、
■適当な瀝謀中接触還元触媒を用いて還元するか、メは
■適当な不后性溶媒中、金属もしくは金属塩と酸又は金
属もしくは金属塩とアルカリ金属水酸化物、硫化物、ア
シ上ニウム塩等との混合物等を還元剤として用いて還元
する゛ことによル行なわれる。■の接触M九を用いる場
合、使用される溶媒としては、例えに水、酢酸、メタノ
ール、エタノール、イソプ0バノーL等のアルコール類
、へ+寸シ、シフ0へ士すシ吟の駅化水素順、ジエチレ
シタリコール5メチルエーテル、ジオ千サシ、THF、
レエチルエーテLQ!の1−テL類、酢酸エチル、酢酸
メチル等のエステル類、DMF等の非プロトシ性極性溶
媒等が挙けられる。使用される接触還元触媒としては、
例えばパラジウム、パラジウム−黒、パラジウム−択素
、白金、酸化白金、亜クロム酸銅、ラネーニッケル等が
用いられる。触媒の使用量としては、化合物@に対して
0.02〜1.00倍型重量いるのがよい。該反応け、
−20〜100℃、好ましくtio〜50℃、水素圧は
1−10気圧にて一般に0.5〜10時間程度で終了す
る。尚該反応においては、反応系内に水酸化すトリウム
、水酸化カリウム等の塩基性化合物を存在させることに
より反応が有利に進行する。
また■0方法を用いる場合、鉄、亜鉛、錫もしくは塩化
第一錫と塩酸、硫酸等の鉱酸、又は鉄、硫酸第一鉄、亜
鉛もしくけ錫と水酸化ナトリウム略のアルカリ金属水酸
化物、硫化アシ上296等O硫化物、アシ上ニア水、塩
化アシtニウム等のアシ5二すム塩との混合物を11元
剤として使用される。使用される不活性*gとしては、
水、酢酸。
メタノール、エタノール、ジオ千サシ等を例示できる3
、上記#を覚反応の条件としては用いられる還元剤によ
って適宜選択すればよく、通常−50〜100°Cにお
いて反応は進行し、0.5〜10時間程度で反応は終了
する。例えば塩化第一錫と塩酸とをjIlχ剤として用
いる場合有利にFi−20〜50°(シ付近にて反応を
行なうのがよい。還元剤の使用量としては、原料化合物
に対して少なくとも等El鳳1通常は尋tル〜3倍tル
量月いるのがよい。上記反応においては、一般式(2)
の化合物がまず還元剤によシニトO基がアミノ基に変換
されて一散式 し式中R7及びx4は前記に同じ。〕で表わされるベシ
セシ銹導体が生成し、次いでこの化合物が閉環されて一
般式−のカルボスチリル誘導体が生成するものと考えら
れる。また化合物に)をa尤するに当り、上記■の場合
にはカルボニル基は変化を受性ないが、■0場合にはカ
ル率゛ニル基はメチレジ基に変換される場合がある。し
かし反応条件な適当に選択することによりカルボニル基
をそのまt維持することも勿論可能である。
一般式に)の化合物と一般式一の化合物の反応は、前記
一般式(1−m)の化合物と一般式(2)の化合物の反
応と同様に行えばよい。
また一般式(1)の化合物の製造に利用される一般式(
2)の化合物のうちある種のもの杜王妃反応行程式−1
1,−12に示す方法により製造される。
反応行程式−11 −− 〔式中R及びX は前記に同じ。〕 一般式一の化合物のニドO化は、前記反応行程式−10
における一般式軸のニド0化と同様にして行なうことが
できる。但し、反応温度としては、好ましくFi−10
°C〜室温祠近とするのがよい。
一般式@O化合物を還元及び閉環して一般式軸の化合物
を得る反応は、前記一般式軸の化合物から一般式(ホ)
の化合物を得る反応と同様の条件下に行なうことができ
る。該反応においては、一般式(2)の化合物がまず還
元剤によシニト0基がアミノ基に変換されて一般式 〔式中R7は前記に同じ。〕で表わされるベシゼシー導
体が生成し、次いでこの化合物が閉環されて一般式軸の
カルボスチリル誘導体が生成するものと考えられる。
反応行程式−12 −− 4a (至) 〔式中R7及びX3は前記に祠じBa祉低級アル+ル基
を示す、〕 一般式軸O化合物と一般式@O化合物とO反応は、前記
一般式U)の化合物と一般式(る)の化合物との反応に
おいて一般式(5) 0化合物としてカルポジ酸ハライ
ドを用いる反応条件と同様の条件下に行なわれるが、一
般式−の化合物と一般式軸の化合物とO使用割合として
は後者Kjlして前者を少くと4等モル、好ましくは1
〜5倍℃ル愈とするのがよく、また塩基性化合物の非存
在下でも反応は進を丁する。
一般式軸の化合物の環化反応は、酸の存在下無溶媒下で
又は過当な溶峰中にて行なわれる。酸として1−1特に
限定されず通常の無機酸や有機酸を広く使用でき、具体
的には塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸、塩化アL三
ニリム、三弗化硼素、四塩化チタシ等のルイス酸、イ酸
、W¥酸、エタシスル本シ酸、戸−トルエシスルホシ酸
等の有機酸等を例示し得る。これらの酸のうちで塩酸、
臭化水素酸、硫酸等が好ましい。斯かる酸の使用量とし
ては特に限定されず広い範囲内で適宜選択すればよいが
、通常一般式−の化合物に対して少なくとも勢重量、好
ましくは10〜50倍重量の酸を用いるのがよい。また
溶媒としては通常の不活性溶媒を広く使用でき、例えば
水、メタノール、エタノール、づ0バノーL等の低級ア
ルコール類、ジオ十サシ、テトラしドロフラジ喀のエー
テル類、ベシt!シ、トルニジ等の芳香族軟化水素類、
塩化メチレジ、り00ホルム、円樵化羨素等のハ0ゲシ
化択化水素類、ア七トシ、ジメチルスル本fシト、ジメ
チルホルムアミド、へ+サメチルリシ酸トリアミド等を
例示できる。これらのうちで前記低級アルコール1I1
1エーテル類、アセトル、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスル本生シト、へ十すメチルリシ酸トリ?!ド等の
水溶性溶媒が好ましい。該反応社通常0〜100℃、好
ましくは室温〜60℃にて行なわれ、通常5分〜6時間
程度で反応は終了する。
反応行程式−13 (2−a)          (2−リ〔式中R1、
R2及びR3は1起に同じ。〕−・般式(1−t)及び
(2−A)の化合物の還元には通常の振触1f7c条件
が適用される。用いられる触媒としてはパラジウム、パ
ラジウム−択素、づラチ丁、ラネーニッケル等の金属を
例示でき、斯かる金属を通常の触謀凰で用いるのがよい
、また用いられる溶媒としては例えに水、メタノール、
エタノール、イソづ0パノール、5才子サシ、THF、
へ+サシ、シフ0へ牛サシ、酢酸エチル又はこれらの混
合#I縄等を挙けることができる。該反応は電比及び加
圧下のいずれでも行ない得るが1通常電比〜20#/d
、好ましくは常圧〜10峠/dにて行なうのがよい、t
た反応温度としては通常0〜150°C程度、好ましく
は室温〜100℃とするのがよい。
また一般式(1−/)及び(2−g)の化合物の脱水素
反応り、過当な溶媒中酸化剤を使用して行なわれる。用
いられる酸化剤としては例えば2.3−ジクDO−5.
6−ジシアツベシリ十ノシ、り0ラニル(2,3,5,
6−チトラク00ベシリ十ノシ)等0ベシリ+ノシ類、
N−プ01コハク酸イ三ド、N−クooコハク酸イミド
、臭′S皓のハ0ゲシ化剤、二酸化tしン、izラジウ
ム択素、パラジウム黒、酸化パラジウム、ラネーニッケ
ル等の脱水素化触媒を挙けることができる。酸化剤の使
用量としては特に限定されず広い範囲から適宜選択すれ
ばよいが、へ〇ゲシ化剤の場合にはj1176一般式(
1−/)及び(2−4)の化合物に対して通常1〜5倍
tル量、好ましくは1〜2倍七ル量使用するのがよく、
また脱水素化触媒の場合に#i通常過制量用いるのがよ
い。を九溶媒としてはジオ十サシ、テトラしドロフラジ
、メト千ジェタノール、ジメト+シエタシ勢のエーテル
類、ベシセシ、トルニジ、十シレシ、クメシ等の芳香族
線化水素類、ジグ00メタシ1ジク00エタシ、り00
本ホルムl!1樵化訣素等のハ0ゲシ化家化水素類、ブ
タノール、アミルアルコール、へ十すノール等のアルコ
ール類、酢酸等の極性づoトル溶媒、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスル重子シト、へ士すメチルリシ酸トリ
ア三ド勢の極性非づoトル俗11JII等を例示できも
該反応は通常両温〜300℃、好ましくれ室温〜200
℃にて行なわれ、一般に1−40時間程度で15LLは
終了する。
更に一般式(1)で表わされる化合物のうちR1が水素
原子を示し且つカルボスチリル骨格の3位と4位の脚素
間結合が二重結合である化合物は、下記反応行程式−1
4に示すようにラクタムーラクチム型の互変異性をと9
得る。
反応行程式−14 (1−A)         (1−g)本発明の一般
式(1)で表わされるカシポスチリル銹導体のうち、塩
基性基を有する化合物は、医薬的Kvf答される酸を作
用させることにより賽晶に酸付加塩とすることができる
。該酸としては例えば、塩酸、硫酸、リシ酸、臭化水素
酸尋の無機酸。
シ1つ酸、マレイン酸、フマール酸、リシj酸、酒石酸
、クエシ酸、安息香酸等の有機曽を挙けることができる
斯くして得られる各々の行程での目的化合物は、通常の
分離手段によ)春易に単離精製することができる。該分
離手段としては、例えば溶媒抽出法。
稀釈法、再結晶法、カラムク0マドクラフイ一1プレバ
5テイプ薄層り0マドクラフイー噂を例示できる。
尚本発明は光学異性体も当然に包含する−のである。
一般式(1)の化合物は通常、一般的な医aSS剤の形
態で用いられる。製剤は通常使用される充填剤、増量剤
、結合剤、付湿剤、崩壊剤、表面活性剤、滑沢剤などの
稀釈剤あるいは賦形剤を用いて調製される。この医薬製
剤としては各種の形態が治療目的に応じて選択でき、そ
の代表的なものとして#M剤、大薊、散剤、液剤、u、
is剤、乳剤、顆粒剤、力づセル剤、坐剤、注射剤(液
剤、i!濁剤等)などが挙けられる。錠剤の形態に成形
するに際しては、担体としてこの分野で従来公知のもの
を広く使用でき、例えば乳剤、白糖、塩化ナトリウム、
ブドウ糖、尿素、デシデシ、択酸カルシウム、力オリシ
、結晶tLo−ス、ケイ酸などの賦形剤、水、エタノー
ル、プロパノール、単シOツづ、ブドウ糖液、デシづシ
液、ゼラチシ溶液、カルボ+シメチLセLロース、tラ
ック、メチルセルロース、リシ酸カリウム、ポリビニル
じロリドシなどの結合剤、乾燥デシデシ、アルfン酸ナ
トリウム、カシテシ末、ラミナラシ末、Ji12酸水素
ナトリウム、脚酸カルシウム、ポリオ千シエチレシソル
じタシ脂肪酸エステル類、ラウリル硫酸ナトリウム、ス
テアリシ酸tノタロセリド、デシづン、乳糖などの崩壊
剤、白糖、ステアリル、カカオバター、本素添加油など
の崩壊抑制剤、第四級アシ上ニウム塩基、ラウリル硫酸
すトリウムなどの級数促進剤。
タロtリシ、デシデシなどの保湿剤、デシづシ。
乳糖、カオリシ、ベシトナイト、コロイド状ケイ酸など
の@着剤、*製タルク、ステアリシ酸樵・ホウ酸末、ポ
リエチレシグリコールなどの滑沢剤などが例示できる。
さらに錠剤は必要に応じ通常の剤皮を施した錠剤、例え
ば糖衣錠、ゼラチシ被包錠、腸溶破錠、フィルムコ−テ
ィシタ錠ある埴は二重錠、多層綻とすることができる。
大薊O形態に成形するに際しては、担体としてこの分野
で従来公知のものを広く使用でき、例えばブドウ糖、乳
糖、デシづシ、カカオ詣、硬化植物油、カオリシ、タル
クなどの賦形剤、アラビア16末、トラガシト末、ぜラ
チシ、エタノールなどの結合剤、ラミナラシ、カシデシ
などの崩壊剤などが例示できる。坐剤の形態に成形する
に際しては、担体として従来公知のものを広く使用でき
、例えばポリエチレシグリコール、カカオ脂、高級アル
コール、高級アルコールのエステル類、ぜラチシ、半合
成シリ上ライトなどを挙げることができる。注射剤とし
て調製される場合には、液剤および懸濁剤は殺菌され、
かつ血液と等張であるのが好ましく、これら液剤、乳剤
および懸濁剤の形態に成形するのに際しては、榊釈剤と
してこの分野において慣用されているものをすべて使用
でき、例えば水、エチルアルコール、プロピしシタリコ
ール、エト十シ化イソステアリルアルコール、ポリオ千
シ化イソステアリルアルコール、ポリオ十シェチレシソ
ルピタシ脂肪酸エステル類などを挙けることができる。
なお、この場合等張性の溶液をlll製するに充分な量
の貴地、ブドウ糖あるいはタロtリシを製剤中に含有せ
しめてもよく、また通常の溶解補助剤、緩衝剤、無痛化
剤などを添加してもよい。
¥に必要に応じて着色剤、保存剤、香料、風味剤。
甘味剤などや他の医薬品を註製剤中に含有せしめてもよ
い。
かくして調製される医薬li!剤(強心剤)中に含有さ
れるべき一般式(1)の化合物の量はと<K[定されず
広範囲に選択されるが1通常全I3!剤組成物中1〜7
0重量%、好ましくUl−30重量%とするのがよい。
また上記強心剤の投与方法には・とくに制aはなく、各
種製剤形態、思考の年令、性別その他の条件、疾患の程
度などに応じ良方法で投与される。
例えば錠剤、大薊、液剤、l!渇剤、乳剤、顆粒剤およ
びカブセル剤の場合には経口投与される。また注射剤の
場合には単独であるいはブドウ糖、アミノ酸などの通常
の補液と混合して静脈内投与され、さらには必姿に応じ
て単独で筋肉内、皮肉、皮下もしくは腹腔内投与される
。坐剤0場合には泊腸内投与される。
−F紀強心剤の投与量は用法、患者の年令、性別その他
の条件、疾患の程度などによシ適宜選択されるが、通常
有効成分である一般式(1)の化合物の量#i1日当日
当型体重kg当夛約0.01−10■とするのがよい。
また、投与単位形態中に有効成分を0.1〜200岬含
有せしめるのがよい。
以下に参考例及び実施例を挙げる。
参考例 1 6−(α−じリジニウムアtチル)−3,4−ジしドロ
カルボスチリルクロライド50f及び水酸化ナトリウム
50Fを水11に懸濁し、90〜100°Cで3時間攪
拌する。反応終了後濃塩酸を加えて戸H約2とし析出孔
を枦取し、ジメチルホルムアミドより再結晶して、6−
カルボ士シー3.4−ジしドロカルボスチリル19.1
1’を得る。
m戸、300°C以上 淡黄色針状晶 参考例 2 6−カルボ士シー3,4−ジしドロカルボスチリル10
F及びN−しド0千シコハク酸イ三ドロ、Ofをジオ十
+jシ200+1/に懸濁させる。つぎに水冷攪拌下、
ジシクOへ+ジルカル11ジイミド12.4fの50g
/ジオ十サシ溶液を滴下する。その後さらに90°Cで
4時間加熱攪拌する。反応終了後、室温まで放冷し、析
出孔を枦去し、母液を留去する。ジメチル車ルムアΣド
ーエタノールより再結晶して、コハク酸イミド 3.4
−ジしドロカルボスチリル−6−カルボ 鱈 戸.234.5  〜 2 3 6℃無色リシ片状
晶 参考例 3 酢酸100+w/に6−アtチL−3.4−ジしドロカ
ルボスチリル15.1 1を加えて溶解させ内温35〜
40℃に保ちつつ,B r 21 1 − 2  Mを
含む酢酸1(ls/溶液を3.5時間を要して攪拌下滴
下する。
反応液を一夜放置後析出島を枦取し、少輩の酢酸で洗浄
する。得られた結晶をエタノール溶媒にて活性次処理を
し、エタノールから再結晶して淡黄色針状晶の6−ジプ
Ot?セチル−3,4−ジしドロカルボスチリル19.
5 fを得る。
融点1 6 B − 169.5°C −前例 4 水250m1にNaOH  2 6 fを溶解させ90
−100°Cにて攪拌下6ージプot7tチルー3,4
ーシしドロカルボスチリル35fを加えて3時間反応さ
せる。冷後、不溶物を沖去し,母液を濃塩酸にて酸性と
し析出孔をか取し水洗する。得られた結晶をエタノール
から二度再結晶して淡黄色不定形品の6−カルボ士シー
3,4−ジしドロカルボスチリル+0.5 fを得る。
融点324.5〜327°C(分解) 参考例 5 601の6−(α−り□0アセチル)カルポス、チリル
を0.5ktiのじリジルに懸濁し、80〜9。
°Cで2時間攪拌し、続いて水冷下1時間攪拌する。
析出孔を枦取し、メタノールよシ再結晶し、7。
fの6−(α−ごリジニウムアセチル)カLボスチリル
クOライド%水利物70fIを得る。
鰐戸.300℃以上 無色針状晶 参考例 6 6−(α−じリジニウムア七チル)カルボスチリルクロ
ライド69.7 1及び水酸化ナトリウム651を水0
.611C溶解し6 0 − 7 0 ”Cで3時間攪
拌する。水冷下、反応混合物に濃塩酸を加えて戸H中2
とする。析出孔を枦取し、DMFよ)再結晶して4J.
4 106−カルボ+シカルボスチリルを得る。
解戸.300℃以上 淡黄色針状晶 参考例 7 m−アミノ安息香酸100Fをエーテル1jに%5sj
bシ、室温、攪拌下、β−エト+ジアクリル酸り0ライ
ド44.6 Fを滴下する。滴下後40°Cで5時間反
応後、析出物を1取する。結晶を3回水洗し、乾燥して
、メタノールよシ再結晶してm−カルボ士シーN−(β
−エト+ジアクリロイル)アニリン60fを得る。
m 戸、200.5 −202.0  °C無色綿状晶 参考例 8 m−カルボ士シーN−(β−エト+シアクリ0イル)ア
ニリン8tを濃硫酸80mに加え、室温で2時間、続い
て50°Cで1時間攪拌する。反応液を水中に注ぎ、1
ON水酸化ナトリウム水溶液で戸H3〜4に調整する。
析出品を枦取、水洗してDMFよシ再結晶して5−カル
ボ千シカルボスチリL4.26fを得る。
痢戸、320℃以上 淡貿色粉末状晶 uitR(DMSO)66.58Cd、 J=9.5M
g、 1M>7.40〜7.80(#、 3M> 8.69(d、 /=9.5#j、 l#)参考例 9 3−フェニルジ0じオシ酸メチル50f、り0D7tチ
ルク0ライド51.6 f及びジグ00メタシ250d
の混合物を0℃に冷却する。0〜10℃で、攪拌下、塩
化アルミニウム122fを徐々に加える。その後室温で
2時間攪拌する。室温で一梗放置後1反応混合物を氷−
濃塩酸中に注ぎ、り00ホルムで抽出する。り00ホル
ム層を水洗乾燥して、り00ホルムを留去する。残渣に
イソプ0じルエーテルを加えて結晶化し、結晶を1取し
てエタノールよ多再結晶して、3−(4−り00アtチ
ルフエニル)プ0じオシ酸メチル53.41を得る。
解 戸、90.0〜92.0 ℃ 無色針状晶 参考例10 3−(4−りooアセチルフェニル)づ0じオシ酸メf
 L 36.26111i4c酸300 ml/KIN
 L、発mfi14e (d=1.52) 20.9 
F ヲ氷水冷下攪拌しなから摘1する。室温で3時間攪
拌した後、反応混合物を氷水中に注ぎ、クロロホルムで
抽出する。
クロロホルム層を水洗、乾燥後、り00ホルムを留去す
る。残渣をシリカゲルカラムク0マドタラフイーで輌製
し、エーテルを加えて結晶化する。
結晶を1取して、メタノールより再結晶して3−(4−
カルボ士シー2−ニドoフェニル)プロピオシ酸メチル
26.7 fを得る。
j117.120−122℃ 淡貿色プリズム状晶 参考例11 3−(4−カルボ士シー2〜ニド0フェニル)′jOヒ
オシ酸メデメチル5.f 2.226 N水酸化yトリ
ウムメタノール溶液8.87 m、メタノール100d
及び596Pd−CC50%含水)ifを混和し、常温
、常圧で接触還元する。触媒を1去し、母液に濃塩酸を
加えpil申rKts整し、析出する結晶を1取して、
メタノールより再結晶に7−カルボ士シー3.4−ジし
ドロカルボスチリル3.621を得る。
鯛戸320℃以上 無色針状晶 NMR(DMSO)δ2.33〜2.60<III、2
M)2.77−3.05(m、 2#) 7.21(d、 j=8.5H1,IH)7.38〜7
.53(解、2H) 10.15(J、 I#) 参考倒置2 り00アセチルク05イド467fのジクo。
メタル400d浴液に30℃以下で攪拌下、塩化アルミ
ニウム735ft%づつ加える。次に同温度攪袢下刃ル
ポスチリル2001を加える。その後6時間加熱還流す
る。反応後、反応混合物を氷−濃塩酸中に注ぎ、析出す
る結晶を1取する。これをメタノール、熱メタノールで
洗浄して6−り00アセチルカルボスチリル153fを
得る。母液を濃縮乾固して、残渣をシリカゲルカラムク
0マドシラフイーで精製して、メタノールより再結晶し
て8−り00アセチLカルボスチリル35.411を得
る。
# /、 177.5−179.0 ’C淡黄色針状晶 嘉前例13 8−りOOアtチル力力木ボスチリル30Fじり5シ3
00−を混和し、80〜90°Cで2.5時間加熱攪拌
する。反応液を氷水冷して析出晶を枦取する。エーテル
で洗浄し、メタノールより再結晶して8−(α−じリジ
:ウムアセチル)カルボスチリルクDライドA本和物4
0.851を得る。
−一、 261.5〜264.0°C(分解)無色針状
晶 参考例14 8−(α−ピリ5ニウムアtfL)カルボスチリルクロ
ライド32f、水300d及び水酸化すトリウム329
を混和し、80〜90℃で5時間加熱攪拌する。反応混
合物を活性次処理し、母液に濃塩酸を加えてfiH3〜
4に調整する。析出する結晶を枦取して、メタ、ノール
ーフ00*ルムより再結晶して8−カルボ+シカルポス
チリル20.17 fを得る。
謂戸、320℃以上 無色針状晶 NMR(DMSO)δ6−57(d、 I=9.5M1
.1#)7.25<t、J=8.0H1,l#)7.9
4 (d、 d、 14.0#JI、 1.5HI、 
IH)7.98 (d、 J−9,5HM、 1#)8
、14 (7,d、 J−8,0#J、 1.5HI、
 IH)4*施例 1 6−カルボ士シー3.4−!;シト0カルボスチリル3
.5fをジメチルホルムアミド30s/に溶解する。こ
ねにトリエチルアミシ2.4fを加える。氷水冷攪拌下
、り0ルf酸イソづチル2.75 Fを滴下し30分閲
攪拌する。これに室温で攪拌下にN−メチル−N−(4
−メト+シ)ベシジルアミシ3.191を滴下し、5時
間攪拌する。反応液を濃縮乾固し、りnoホルム、IN
水酸化ナトリウム水浴液を加えて抽出する。900本ル
ホルム水洗、乾燥後残渣にエーテルを加えて結晶化し1
取する。
これをメタノールから再結晶して無色針状晶の6−CN
−メチル〜N−(4−メト+シベシジル)カルへ七イル
〕−3,4−ジしドロカルボスチリル1.84ft−得
る。
崎 戸、  144.5〜146.5  ℃東&lil
   2 実施例1と一様にして下記の化合物を得る。
o6−〔N−メチル−N−<3.4−メチレジジオ十シ
ベシジル)カルバ七イル)−3,4−ジヒドロしLボス
すリル m 戸、 170〜171℃ 無色づリズム状晶 06−(A’−メチル−N−(4−り0ルベシジL)カ
ルバ七イル)−3,4〜ジしドロカルボスチリル 清ム171.5〜172.5℃ 無色プリズム状晶 実施例 3 コハク酸イミド 3.4−ジしドロカルボスチリル−6
−カルボ↑シレート12711Igとジェタノールアミ
ン39”fとをジメチル本ルムア!ド2a?に溶解し、
−区長攪拌する。反応混合物に水を加え、900本ルホ
ルム出し、水及び飽和量4に水で111次洗浄する。硫
酸ナトリウムで乾燥後、1lIv&を減圧留夫し、残渣
にア七トンを加えて結晶化して、6=(ジエタノールア
三)力LボニL ) −3,4−ジしドロカルボスチリ
ル48〜を得る。
解 戸、131 〜134℃ 1*施例 4 6−(ジェタノールアミツカilニル)−3,4−ジし
ドロカルボスチリル2.2fK樵化チオニル301を加
え、室温で5時間撹拌した後減圧濃縮し、さらにベシぜ
シ50mを加える。減圧濃縮する操作を3回線り返して
、6−1〔ジー(2−りOルエチL))ア三ノカルポ=
LJ−3,4−ジしドロカルボスチリルを得る。
実施例 5 コハク酸イミド 3,4−ジしドロカルポスチリt、−
6−カLボ十シレート1.Ofと七ルホリシ0.37 
Fとをジメチルホルムアミド21stKlll解し。
3時間攪拌する。反応混合物に水を加え、り00ホルム
で抽出し、水及び飽和食塩水で順次洗浄する。硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、残渣にア七トルを
加えて、結晶化させる。これにより6.−vル本リすカ
LボニL−3,4−ジしド0力り寧ス予りLを得る。
収量 150■ #17.206−207℃ 無色粒状晶 実施例 6 コハク酸イミド 5,4−ジしドロカルボスチリル−6
−カルボ士シレート凰27#とベンジルじべ5ジ、79
3岬とをジメチル本ルムア三ド2dにm解し、−に夜攪
拌する。反応混合物に水を加え、り0口車ルムで抽出し
、水及び飽和食塩水で洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥
後、lII縄を減圧留去し、残渣にア七トルを加えて結
晶化する。エタノールよ食再結晶して、6−(4−ベル
ジル−1−ピペラジニジカルボニル)−5,4−ジしド
ロカシボスチリル150ダを得る。
jlf/、198−200℃ 無色針状晶 S*施例6と同様にして、適当な出発原料を用いて前記
夾凡例1.2の化合物及び下記実施例7〜108の化合
物を得る。
実施例 7 哨)、27+−274°C(分解) 無色針状晶 i*施例 8 鯉ム240〜243°C(分解) 無色リシ片状晶 実施例 9 解 −,211,5〜 213℃ 無色リシ片状晶 実施例10 飼ム240〜242℃(分解) 無色粒状晶 実施例II スチリル・1塩酸塩 濁声、280〜283℃(分解) 無色リシ片状晶 実施例12 Lボスチリル・1塩酸塩 画一、284〜287℃(分解) 無色リシ片状晶 実施例13 6−(4−(4−メト千シベシジル)−1−じベラジニ
Lカルボニル1−3.4−ジしドロカルボスチリル・l
塩#塩 網戸、262〜264°C(分解) 無色粒状姓 実施例14 スチリル・1塩e塩 網戸、300℃以上 無色針状晶 実施例15 震戸、268〜271°C(分解) 淡黄色粒拭晶 実施例16 0力Lボスチリル 調 戸、238〜239.5  ℃ 無色粒状晶 実施例17 ボスチリ【 調 戸、294〜2971C 無色針状晶 実施例18 ルポスチリル 解 戸、247〜249℃ 無色粉末状晶 実施例19 リル 譚 戸、258.5 〜260℃ 無色粉末状晶 実施例20 6−C4−(4−ブ0ムベシリイL)−1−tベラジニ
ル力ルボニル〕〜3,4−ジしドロカルボスチリル 網戸、265.5〜267.5  °C無色粉末状晶 実施例21 カルボスチリル 屑ム265〜267°C(分解) 無色粒状晶 実施例22 ボスチリル 網戸、287〜289℃(分解) 淡黄色粒状晶 実施例23 ボスチリル 1w戸、262−264.5℃ 無色リシ片状晶 実施例24 リル 卿 戸、243.5〜244℃ 無色粒状晶 実施例25 水素酸塩 飼ム258〜259.5℃(分解) 無色粉末状晶 実施例26 腐ム199〜202℃(分解)・ 無色粉末状晶 実施例27 6−〔鴫−(戸−トルエシスルホニル)−l−s1戸、
280〜282℃ 無色粒状晶 ★施例28 ル 卿 戸、 115〜116.5  ℃ 無色針状晶 爽−例29 岬 戸、 180〜182℃ 無色粉末状晶 *施−130 解ム276〜280″C(分解) 実施例31 屑ム300℃以上 無色リシ片状晶 実施例32 解ム292〜293.5℃(分解) 無色リシ片状晶 実施例53 鯛ム235〜238℃(分解) 無色リシ片状晶 実施例34 6−(4−プロパル4L−1−じベラジニルヵmム24
9〜25ビC(分解) 無色粒状晶 実施例35 解ム264〜268℃(分解) 無色粒状晶 S*施例36 解戸、151〜153℃(分解) 無色粉末状晶 !*施例37 解ム254〜257℃(分解) 無色粉末吠晶 実施例38 鰐ム269〜272℃(分解) 無色粉末状晶 実施例39 mム257〜259℃(分解) 無色粉末状晶 実施例40 岬ム213.5〜214.5℃ 無色粒状晶 実施例41 6−(4−(4−アtチルア!ノベシジル)−1−じベ
リジルカルボニル)−3,4−ジしドロカルポスチリル
・l樵酸塩・3/2水和物鯛/、 229〜231.5
℃ 無色粉末状晶 実施例42 ドロカルポスチリル 解ム174〜176℃(分解) 無色粉末状晶 実施例43 チリル 肩戸、145〜146℃ 無色リシ片状晶 実施例44 ジしドロカルポスチリル・1塩酸塩 −戸、239〜241 ℃ 無色粉末状晶 実施例45 −ジしドロカルポスチリル・1塩酸塩 −戸、261〜264℃ 無色粉末状品 実施例46 屓ム137〜139℃(分解) 淡黄色粉末状晶 実施例47 6−〔鴫−(2−70イル)−1−じベリジルカルボニ
ル)−3,4−ジしドロカルポスチリル ー−0181〜 185.5  ℃ 無色粉末状晶 実施例48 6−(4一本ルEL−1−じベリジルカルボニル)−3
,4−ジしドロカルボスチリル清ム198〜201″C
(分解) 無色粉末状晶 %!施例49 郷 戸、 160〜 +64°C 無色針状晶 実施例50 解ム251〜255°C(分解) 無色粉末状晶 実施例51 濁声、277〜279℃(分解) 無色稜状晶 実施例52 − 戸、 l 70〜172.5  ℃無色針状晶 9I!旅例53 解ム277〜279℃(分解) 無色リシ片状晶 実施例54 謂−一 戸、175 −174 ℃ 無色粉末状晶 実施例55 6−(4−メチル−!−じベリジルカルボニル)−3,
4−ジしドロカルボスチリル 繭 ノー、 212〜213.5 ℃ 無色稜状晶 9L!施例56 物 鰐 戸、235〜236.5  °C 無色粉末状晶 9!施例57 6−(1−ヒ0リジルカルボニル)−3,4−ジしドロ
カルボスチリル 解 戸、200〜202°C 無色針状晶 S*施例58 ボスチリル・l塩酸塩 m 戸、250−252°C 無色粒状晶 実施例59 6−14−(3−(3−200フエノ+シ)づoピル)
−1−じペラジニル力ルボニル1−3.4−ジしドロカ
ルボスチリル・1樵酸堆鯉ム254〜256.5℃(分
解) 無色針状晶 実施例60 3.4−ジしドロカルボスチリル・l塩酸樵鯛 戸、2
56〜258℃ 無色粉末状晶 実施例61 −ジしドロカルボスチリル・l join鱒ム265〜
266.5℃(分解) 無色リシ片状晶 実施例62 3.4−ジしドロカルボスチリル・l塩酸塩濁声、27
0〜272℃(分解) 無色針状晶 実施例63 一ム164〜166°C(分解) 無色針状晶 実施例64 mz、249−251.5  °C 無色粉末状晶 実施例65 屑 戸、212〜215℃ 無色粉末駄晶 !*施例66 ジしドロカルボスチリル・1塩酸樵 膨戸、 266.5〜269 ”C(分解)無色粉末状
晶 実施例67 膨ム242〜245℃(分解) 無色リシ片状晶 実施例68 鯛ム14m1.5〜146℃(分解) 無色粉末状晶 実施例69 肩ム270〜272℃(分解) 無色粉末状晶 !*施@170 物 隋 戸、 162〜164℃ 無色粉末状晶 実施例71 ボスチリル・I塩酸塩 m)、205〜207°C 無色リシ片状晶 実施例72 ルポスチリル・1m#樵・偽水和物 屓戸、241〜241.5’C 無色針状晶 実施例73 6−〔今一(5−ベシリイルペシチル)−1−じベラじ
ニルカルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル・
1塩酸塩・l水和物 −戸、239〜242°C 無色粉末状晶 実施例74 小和物 解ム230〜233℃(分解) 無色粉末状筋 実施例75 水和物 j7.238−240℃ 無色粉末状筋 実施例76 %水和物 m 戸6225〜228℃ 無色粉末状晶 実施例77 4戸、 224.5〜226℃(分解)無色リシ片状晶 実施例78 水和物 4戸、204〜205°C(分解) 無色稜状晶 実施例79 1水和物 mムラ0フ〜209°C(分解) 無色粉末状筋 実施例80 ルポスチリル・μ水和物 鰐 戸、239.5〜241.5  ℃無色粒状晶 実施例81 ジしドロカルボスチリル 鮮)、 281〜284℃ 無色粒状晶 実施例82 ・1樵酸塩・i水和物 一一、225〜227℃(分解) 無色粉末状筋 実施例85 L車スチリル m 戸、 156〜 I 57.5  °C無色リシ片
状晶 S*胤例84 0カルボスチリル・l塩酸塩・%水和物解戸、239〜
241”C(分解) 無色粉末状晶 実施例85 ・1塩酸塩 m戸、220−222°C(分解) 無色粉末状晶 ★施例86 #樵 解ム240〜242℃(分解) 無色綾状ム 実施例87 解ム300℃以上 無色粒状晶 実施例88 解ム300℃以上 無色粒状晶 実施例89 解ム300℃以上 無色粉末状晶 実施例90 一戸、286〜289℃(分解) 無色粉末状晶 I*施例91 調ム290〜293°C(分解) 無色粉末駄晶 実施例92 鰐ム300″C以上 無色粉末状晶 実施例93 m戸、300°C以上 無色粉末状晶 実施例94 塩酸塩・A水和物 解ム300℃以上 無色粉末状晶 実施例95 塩 厘戸、300℃以上 無色針状晶 実施例96 卿戸、251〜254°C(分解) 無色粉末状晶 実施例97 岬 戸、227〜229℃ 無色粉末状晶 実施例98 wl 戸、181.5− 1 84℃ 無色粉末状晶 実施例99 岬 戸、226〜228.5  ℃ 無色粉末状晶 実施例100 #1戸、236〜259℃(分解) 無色粉末状晶 実施例101 − 戸、  162− 164℃ 無色粉末状晶 実施例102 酸塩 濁声、260〜262°C(分解) 無色稜状晶 実施例103 塩酸塩・i水和物 解7.262〜264℃(分解) 無色粉末状晶 実施例104 濁声、205−208“C(分解) 無色稜状茜 実施例105 網 戸、 177〜180°C 無色リシ片状晶 実施例106 mム251−254°C(分解) 無色粉末状晶 冥施例107 m 戸、+82−184°C 無色粉末状晶 実施例108 肩戸、195〜196°C 無色粉末状晶 実施例109 β−り00フエネトール0.64 f及びヨー化ナトリ
ウム0.6+ ffrDMF7IItに@濁し、室温で
30分間か!まぜる。このものに6−(1−ピペラジニ
ルカルボニル)カルボスチリル1塩酸樵1、Of及び次
酸カリウム1.2fを加え、70〜80℃で12時間攪
拌する。反応混合物をHN水酸化すトリウム水浴液に注
ぎ込み、り00ホルム抽出する。有機層を水、飽和食堆
水の順に洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥する。#i謀を
留去し、残渣をメタノールに溶解し、濃塩酸を加えて戸
H*1とする。溶媒を留去し、残渣をエタノール−水で
再結晶して、0.84 fの6−C4−<2−フェノ十
ジエチル)−1−ヒペラジニルカルボニル〕カルボスチ
リル1塩酸塩を得る。
m戸、286−289°C(分解) 無色粉末状晶 実施例110 6〜(l−じヘラジニル力ルポニル) −3,4−ジし
ドロカルボスチリル3.09.トリエチルアミン2・9
f、β−りOOフエネトール2.71及び沃化ナトリウ
ム2.11をアセトニトリル20m1とジメチルホルム
アミド20yttとの混合溶媒に懸濁し、攪拌下15時
間加熱還流する。溶媒を濃縮し、飽和型ソウ水とりOO
ホルムとの混合溶媒で抽出し、有機層を水及び飽和食塩
水で順次洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減
圧留去する。残渣に濃塩酸を加えて/HHI3して塩酸
塩を得る。
エタノール−水より再結晶して、6−C4−(2−フェ
ノ+ジエチル)−1−ピペラジニルカルボニル1−3.
4−ジしドロカルボスチリル・1塩酸塩2.I3f’を
得る。
清7.271〜274°C(分解) 無色針状晶 実施例109及び110と同様にして、適当な原料を用
いて前記実施例8.24.25.36.37゜44.4
5,46,51,52.58〜79.82〜86,90
゜9+、93.96〜99,103〜108 の化合物
を得る。
実施例l11 6−(1−じベラジニル力ルボニル)カルボスチリル1
塩酸塩1.Of、戸−り00ベシジルク0ライド0.7
f及びトリエチルアミン1.4dをアセトニトリル15
ゴに懸濁し、50〜70℃で4時間攪拌する。その後水
浴で1時間攪拌し析出晶を枦取する。これをり00ホル
ム−飽和型ソウ水で抽出する。り00ホルム層を水、飽
和食塩水の順に洗浄し、その後硫酸ナトリウムで乾燥す
る。溶媒を減圧留去し、残渣にメタノールを加えて浴解
し濃塩酸を加えて/H#1とする。得られる粗結晶をエ
タノール−水より再結晶して、 0.731の6−C4
−(4−り00ベシジル)−1−じベラジニル力ルボ:
ル〕カルボスチリル・l塩酸塩を得る。
解ム300°C以上 無色針状晶 実施例112 6−(l−ピペラジニルカルボニル)−3,4−ジしド
ロカルボスチリル2.6f、トリエチルアミン3.Of
及び3.4−、;メト+シベシジルク0ライド2.9f
をアセトニトリルに懸濁し、50〜55℃で2時間攪拌
する。溶媒を留去後、残渣をりDOホルムで抽出し、水
及び飽和食塩水で順次洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥
後溶媒を留去する。
残渣に濃塩酸を加えて、戸HIIJIとして塩酸塩を得
る。メタノール−水より再結晶して6−(4−(3,4
−ジメト十シベシジル)−1−ピペラジニルカルボニル
)−3,4−ジしドロカルボスチリル1塩#樵1.50
1141゜ ml、240〜242℃(分解) 無色粒状晶 S)!施例II+、+12と同様にして、適当な出発原
料を用いて前記実施例6.H〜+ 5.25.26゜3
0〜41.43〜46,49,53,88,91,92
,94゜95.99,100,102,108の化合物
を得る。
実施例113 6−(1−じペラジニル力ルボニル)カルボスチリル1
塩酸塩1.Ofl、m−りooベシリイルク0ライド0
.72 F及びトリエチルアミン1.4g+/をジグ0
0メタシ151に懸濁し、室温で2時間攪拌する。析出
晶を枦取し、DMFより再結晶して1.07f+7)6
−(4−(3−900ベシリイル)−1−じペラジニル
力ルボニル〕カルボスチリルを得る。
ml、300℃以上 無色粉末状晶 実施例114 6−(1−ごベラジニLカルjfニル) −3,4−ジ
ヒドロカルボスチリル3.Of及びトリエチルアミン4
・Omlをジク00メタシ20mKIII!濁し、水冷
攪拌下、3,4−ジメト十シベシリイルク0ライド3.
5fの20m1ジク00メタシ溶液を滴下する。
その後室温で1時間攪拌する。反応混合物を飽和音ソウ
水に注ぎ込みクロロホルムで抽出し、水及び飽和食塩水
で順次洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去
する。エタノ−ルーフD[lホルムで再結晶して、6−
C4−<3.4−ジメト+シベシリイル)−1−ヒペラ
ジニル力ルポニル〕−3,4−ジしドロカルボスチリル
4.1Fを得る。
m 戸、238〜239.5  ℃ 無色粒状晶 実施例113及び+14と同様にして、適当な出発原料
を用いて、前記実施例17〜23.29゜42.47,
48,50,80,81.89の化合物を得る。
実施例115 6−(1−じペラジニル力ルボニル)−3,4−ジしド
ロカルボスチリル1,51及びトリエチルアミシ1.5
fをジクOOメタシ10g1Kll!!濁し、水冷攪拌
下、戸−トルエシスル小ニルクロライトド4fのIOg
/ジク00メタシ溶液を滴下する。
その後室温でさらに3時間ついで水冷下に1時間攪拌す
る。析出晶を沖取しり00ホルム−エーテルより再結晶
して、6−(4−(戸−トルエシスルホニル)−1−ヒ
ペラジニル力ルボニル〕−3,4−ジしドロカルボスチ
リル1.41を得る。
m 戸、280〜282°C 無色粒駄晶 9f施例115と同様にして、適当な出発原料を用いて
、前記実施例28の化合物を得る。
実施例116 6−Eルホリノカルボニル−3,4−ジしドロカルボス
チリル2.62 f及び3,4−ジメト+シベシジルア
ミン17.9 Fを封管中に入れ、170〜200°C
で5時間加熱する。減圧濃縮により3.4−ジメト+シ
ベシジルアミシを留去し、残留物をシリカゲルカラムク
0マドシラフイーによシ分離精製後、濃塩酸を用いて塩
酸塩とする。これをメタノール−水より再結晶して、6
−〔4−(3,4−シメト+シベシジル〕−1−ヒベラ
ジニル力ル不ニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル
1塩酸塩0.351を得る。
m戸、240〜242℃(分解) 無色粒状晶 実施例116と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例6〜8.11〜+5.24.25゜26.3
0−41.43〜46,49.51〜53.58〜79
゜82〜86.90〜10Bの化合物を得る。
実施例117 6−〔じスー(2−ヒFo+シエチシ)アミノカルボニ
ル)−3,4−ジしドロカルボスチリル10f、3.4
−ジメト+シベシジルアミシ4.51及びポリリシ酸7
.61の混合物を160〜170゛Cにて約6時間加熱
反応させる。その後反応液を放昂し、本釣500 ml
を滴下し溶解する。48%水酸化ナトリウムで中和し、
り00ホルムで抽出する。戻酸カリウムで脱水後、り0
0*ルムを留去し濃塩酸で塩酸塩とする。メタノール−
水より再結晶して6−C4−C5,4−ジメト牛シベシ
ジル)−1−じペラジニLカルボニル)−3,4−ジし
ドロカルボスチリル・l塩酸塩7.5fを得る。
ml、240−242°C(分解) 無色粒状晶 実施例117と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例1〜8.11〜15.24〜26゜30〜4
1.43〜46,49.51〜53.58〜79.82
〜86.90〜108の化合物を得る。
実施例11B 6−(じスー(2−りDOエチル)アミノカルボニル)
−3,4−ジしド0力り不スチリル15.9f、3,4
−ジメト+シベシジルアミシ9.8f及びメタノール7
0mの混合物を15時間攪拌還流する。冷後択酸ナトリ
ウム3.06 fを加えて8時間攪拌還流する。冷接析
出する結晶を沖取する。濃塩酸で塩酸塩とする。メタノ
ール−水より再結晶し7て6−(4−(3,4−ジメト
+シベシジル)−1−ヒベラジニル力ルボニル1−3.
4−ジしドロカルボスチリL1塩酸1jA7.3 Fを
得る。
m戸、240−242°C(分解〕 無色粒状晶 実施例118と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例1〜8,11〜!5.24〜26゜30〜4
1.43〜46,49.51〜53.58〜79.82
〜86.90〜108の化合物を得る。
実施例119 6−カルボ士シー3,4−ジしドロカルボスチリル1.
0g、DCC(,3fおよびベシジルじベラジシ1.1
fをジオ+リシ10露tVc@濁させ、60〜70°C
で5時間攪拌する。反応終了後溶媒を留去し、エーテル
を加えて析出晶を沖去する。母液を濃縮後、残渣にり0
0ホルムを加えて溶解し、水及び飽和食塩水で洗浄する
。硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去する。エタノール
より再結晶して、6−(4−ベシジル−1−ごベラジニ
ルカLボ二L)−3,4−ジしドロカルボスチリル33
0Ivを得る。
m 戸、 198〜200℃ 無色針状晶 実施例119と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例1.2.3.4.5.7〜108 の化合物
を得る。
実施例120 6−カルボ士シー3.4−ジしドロカルボスチリル1.
Ofおよびトリエチルアミシ0・8dをテトラしドロフ
ラジ(TIIF )I OmK@濁させ、室温撹拌下に
ジエチルクDOホスフェート1.OfのTHF(Q11
11溶液を滴下し室温で3時間攪拌する。
このものにベシジルじペラジシ1.If(DTHF10
d溶液を滴下し、室温でさらに10時間攪拌する。反応
終了後溶媒晶をp表し、母液を濃縮して、残渣に飽和1
ソウ水を注ぎ、クロOホルム抽出する。有機層を水及び
飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
留去する。エタノールより再結晶して、6−(4−ベシ
ジル−1−【ニペラジニルカLボニル)−3,4−ジし
ドロカルポスチリ41.07 fを得る。。
m戸。+ 98−200°C 無色針状晶 実施例120と同様にして、適当な出発原料を用いて、
11j記夾施例1.2.3.4.5.7〜108 の化
合物を得る。
実施例121 6−カルボ+シカルボスチリル34.59及びトリエチ
ルアミシ311をDMF 350mgに浴解し室温攪拌
t、り0ルf酸イソブチル281111のDMF14g
li液を滴下する。室温で1時間攪拌後、ベシジルヒベ
ラジシ37fのDMF21ml溶液を滴トし、室温で1
0時間攪拌する。反応混合物を。
飽和1ソウ水に注ぎ込み、り00ホルムで抽出する。り
OOホルム層を水、飽和食塩水の順に洗浄後、硫酸ナト
リウムで乾燥する。溶媒を減圧留去し、残渣にエーテル
を加えて結晶し、戸数する。
この結晶をメタノールに浴解し、S塩酸を加えtHHI
3する。得られる粗結晶をエタノール−水より再結晶し
て30.1 Fの6−(4−ベシジル−1−じペラジニ
ル力ルボニル)カルボスチリ彫1塩酸塩1水和物を得る
解戸、300℃以上 無色粒状晶 実施例+22 6−カルボ十シー3.4−、;シト0カルネスチリル5
.Og及びトリエチルアミ:J4厘lのジメチル本ルム
ア三ド50sJ溶液に、イソづチルクooホルメート3
.87foジメチルホルムア三ド2m1lq液を滴下す
る。室温で30分間攪拌後、ベシジルピペラジシ5.5
1のジメチル本しムアミド3 ml 18 Hを滴下し
、室温で30分続いて50〜60℃で1時間攪拌する。
反応混合物を多蓋の飽和食塩水に注ぎ込み、り00ホル
ム抽出し、水洗後乾燥する。
m謀を情夫して残渣にジエチルエーテルを加えて結#1
1化し、得られる粗結晶をエタノールより再結計1して
、6−(4−ペシジルーI−ごベラジニル力ルボニL 
) −3,4−ジしドロカルボスチリル3.41を得る
#1戸、198〜200°C 無色釦状晶 適当な出発原料を用いて、実施例121及び122と同
様にして前記実施例3.4.5.7〜87゜89〜10
8の化合物を得る。
実施例123 エタノール100ゴに6−ニト+ジカルボニル−3,4
−ジしドロカルボスチリル2.Of、jトリウムエチラ
ー ト0.5f及びベシジルヒペラジシ1.6gを加え
てオートクレーブ中、ll09PC圧、140〜+50
°Cにて6時間反応させる。6後、反応液を減圧下濃縮
し、残渣をり00ホルム200震/に溶解させ、1%次
酸カリウム水lB液、希塩酸及び水で順次洗浄したのち
、硫酸すトリウムで乾燥し、溶媒を留去し、残渣をシリ
カゲルカラムク0マドシラフイー(シリカゲル:ワコウ
j−200゜溶出液:り00ホルム:メタノール(V/
V )= 20:1)で精製し、粗結晶をエタノールか
ら再結晶して、6−(4−ベシジルーl−ヒペラジニル
力ルボニル)−3,4−、;t)ドロカルボスチリル3
00■を得る。
191戸、198〜200°C 無色針状晶 実施例123と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例1〜5.7〜108の化合物を得る。
実施例124 6−カルボ千シー3,4−ジしドロカルボスチリル)、
9fを塩化メチレジ200g/に@濁させ、じリジ:J
2dを加えたのち、攬袢下、0〜20°Cに内温を保ち
つつ塩化チオニル1.4Fを滴下する。
滴1終了後向温度で1時間攪拌し、ベシジルじベラジル
1.741/の塩化メチレジ10wt#液を滴下する。
滴−十終了後、室温で4時間攪拌する。反応液を硫酸カ
リウム水溶液で十分に洗浄し、水及び8塩酸で洗浄し、
硫酸すトリウムで乾燥したのち、71縄を留去する。得
られた残渣をシリカゲルカラムク0マドグラフイー(シ
リカゲル:ワコウC“−200、/4出液二り00ホル
ム:メタノール(V/V )−201l )で単離精製
したのち、エタノールから典結姓して、6−(4−ベニ
、、ジル−1−じベラジニル力ルボニル)−3,4−ジ
しドロカルボスチリル325岬を得る。
m 戸、  1 98−200°C 無色組状晶 ★施例124と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例I〜5.7〜108の化合物を得る。
実施例+25 ジメチルホルムアミド100耐に、3,4−ジメト十シ
安息喬酸2.6fと1,8−ジアザじシフOC5,4,
0)ウシデセシー7の1.65 Fとを加え、これに外
部水冷攪拌下にり0ルf酸イソブチル1.51Ilを滴
下する。滴下後30分攪拌し、6−(1−じペラジニル
)カルボニL、−3.4−ジしドロカルボスチリル2.
6fをジメチルホルムアミド40m+7にとかし九浴液
を加えて3.室温にて5時間攪拌する。反応後、溶媒を
留去し残渣をり00本ホルム3001で抽出し、希脚酸
水素ナトリウム水溶液、水、希塩酸及び水で順次洗浄す
る。クロロホルムを留夫後、残渣をエタノールーク00
ホルムから再結晶して、6−C4−(3,4−ジメト十
シベシリイル−1−じペラジニルカルボニル〕−3,4
−ジしドロカルボスチリル!、8fを得る。
m 戸、  2 3 8−239.5  °C無色粒状
晶 実施例125と同様にして、適当な出発原料より前記実
施例17〜23.29.42.47.48.50゜80
、81.89  の化合物を得る。
実施例126 コハク酸イミド 3,4−ジメト千シベシリエート12
3〜と6−(1−じベラジニル力ルボニル)−3,4−
ジヒドロカルボスチリル137WIgとをジメチルホル
ムアミド21に溶解し、−i夜攪拌する。反応混合物に
水を加え、りOOホルムで抽出し、水及び飽和食塩水で
洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し
、残渣をエタノールークOOホルムから再結晶して、6
−C4−(3,4−ジメト+シベシソイル)−1−ピペ
ラジニルカルボニル’1−3.4−ジしドロカルボスチ
リル100〜を得る。
鰐 戸、238〜239.5  ℃ 無色粒状晶 実施例126と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例17〜23.29.42.47,48゜50
、80.81.89  の化合物を得る。
実施例+27 3.4−ジメト+シ安息香酸4.8f及びトリエチルア
ミシ4dのジメチル本ルムア三ド50s/溶液に、イソ
プチルク00ホルメート3.87 fのジメチルホルム
アミド2s/ffi液を滴下する。室温で30分間攪拌
後、6−(1−ピペラジニルカルボニル)−3,4−ジ
しドロカルポスチリL8.Ifのジメチルホルムアミド
31浴液を滴下し、室温で30分統御て50〜60℃で
1時間攪拌する。反応混合物を多量の飽和食塩水に注ぎ
込み、り00ホルム抽出し、水洗後乾燥する。溶媒を留
去して残渣をエタノ−ルーフ00ホルムから再結晶して
、6−C4−<3.4−箒メト+シベシリイル)−1−
じペラジニル力ルボニル)−3,4−ジしドロカルボス
チリル2゜5fを得る。
解 戸、238〜239.5  ℃ 無色粒状晶 実施例127と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例17〜23.29.42.47,48゜50
、80.81 、89  の化合物を得る。
実施例128 エタノールI 00 mlに、エチル 3,4−ジメト
十シベシリエート1.9f、j’)リウムエチラート0
.5f及び6−(1−ピペラジニルカルボニル)−3,
4−ジしドロカルボスチリル2.4Fを加え、オートク
し一プ中、110気圧、140〜150°Cにて6時間
反応させる。冷接、反応液を減圧下濃縮し、残渣をり0
0ホルム200mK溶解させ、1%次醋酸カリウム水溶
液希塩酸及び水で順次洗浄したのち、硫酸ナトリウムで
転像し、溶媒を留去し7、得られる残渣をシリカゲルカ
ラムク0マドシラフイー(シリカゲル:ワコウC−20
0,ftl。
出液:り00ホルム:メタノール(V/V)=20:1
)で精製し、粗結晶をエタノールークOOホルムから再
結晶して、6−〔今一(3,4−ジメト十シベシリイル
)−1−ピペラジニルカルボニル〕−3,4−ジしドロ
カルボスチリル250ダを得る。
m 戸、238〜239.5  ℃ 無色粒状晶 実施例128と同様にして、適当な出発原料を用いて、
前記実施例17〜23.29.42.47,48゜50
、80.81.89  の化合物を得る。
実施例129 3.4−ジメト+シ安息香酸1.8fと6−(1−じペ
ラジニル力ルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリ
ル2.75 flとをジオ+サシ20yd及び塩化メチ
レジ2011の混合溶媒に加えて、外部水冷攪拌下、N
、N−ジルク0へ千ジルカルボシイ三ド2.1gを塩化
メチレジ5dにとかした浴液を10〜20°Cに保ちつ
つ滴下する。滴下後間温度で3.5時間攪拌する。析出
する結晶を沖去し、炉液を減圧1濃縮乾固する。得られ
た残渣を塩化メチレジ100耐に溶解し、有機層を5%
塩酸水溶液、5%次酸水素ナトリウム水溶液、水の順に
洗浄したのち、無水vt酸すトリウムで乾燥した後、減
圧下溶媒を留去し、残渣をクロロホルム−エタノールか
ら再結晶して無色粒状晶の6− C4−(3,4−ジメ
ト+シベシリイル)−1−じベラジニル力ルボニルl−
3,4−ジしドロカルボスチリル0.9yt得る。
融点238〜239.5℃ 実施例129と同様にして、適当な出発原料を用いて、
実施例17〜23.29.42.47.48,50゜8
0、81.89  の化合物を得る。
実施例130 6−C4−<2−フェノ+ジエチル)−1−じペラジニ
ル力ルボニル1−3.4−ジしドロカルボスチリル48
0Wg、50%油性水素化ナトリウム70ダをジメチル
ホルムアミドS yxl中に混和し、室温で1時間攪拌
ののち、塩化ベシジル0.17 s/のジメチルホルム
アミド3g/溶液を徐々に滴下し、室温で4時間攪拌す
る。反応液を多量の水に投入し、有機物質をり0ロホル
ム抽出し、り00ホルム層を水洗、乾燥し、900ホル
ムを留去する。
残渣に濃塩酸を加えて塩酸塩としメタノール−水より再
結晶して1−ベシジル−6〜C4−(2−フェノ+ジエ
チル)−1−じペラジニルカLボニル’)−3,4−ジ
しドロカルボスチリル°1塩酸塩150m14る。
m戸 261〜264℃ 無色粉末状晶 実施例130と同様にして、適当な出発原料より前記実
施例43,44.46の化合物を得る。
実施例+31 6−(4−ベシジル−1−ごベラジニル力ルボニル)カ
ルボスチリル26.41をエタノール−水の混合浴[8
00g/KM濁し、濃塩酸を加えて−H啼1とする。こ
の反応混合物に596パラジウムー伏素2.6fを加、
t、常圧、45−65°cで接触還元f行う。反応終了
後触媒を枦去っづいて層線を減圧留去し、残渣にアセト
ルを加えて結晶化する。得られる粗結晶をエタノール−
水よシ再結晶して19.99の6−(1−じペラジニル
カルボニル)カルボスチリル1塩酸塩を得る。
#1戸、300°C以上 無色粒状晶 実施例132 実施例6,110,112,116,117,118゜
119.120,122,123,124  と同様に
して適当な出発原料を用いて以下の化合物を得る。
m 戸、238.5 −2 4 0°C無色粉末 m戸、238〜239℃(分解) 無色粉末 m戸、232〜234℃(分解) 無色粉末状晶 m戸、227〜229.5℃(分解) 無色粉末状晶 解 戸、259〜262℃ 無色リシ片状晶 m戸、300°C以上 無色リシ片状晶 M/、+77−180℃ 無色粉末 m 戸、204−207°C 無色粒状晶 実施例133 無水酢酸1.2f及びイ酸0.6gを60°Cで2時間
撹拌する。ついでこれに6−(l−じペラジニル力ルボ
ニル)カルポスチリMJ1.01を加え、室温で1時間
攪拌する。反応終了後、反応混合物を水に注ぎ、1jV
−水酸化ナトリウム水溶液で中和した後、クロ0ホルム
で抽出する。有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄後、硫
酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去する、残渣にエ
ーテルを加えて結晶化し、得られた粗結晶をエタノール
より再結晶して、0.151の6−(4−ホル三ルー1
−ピペラジニルカルボニル)−3,4−ジしドロカルボ
スチリルを得る。
1917.198−201”C 無色粉末状晶 実施例134 6−(4−(2−t、ド0+シづ0じル)−l−じペラ
ジニル力ルボニル’)−3,4−ジしドロカルボスチリ
ル(0,5F )およびトリエチルアミシ(0,3謬l
)をジクOOメタシl0w1K溶解し室温で攪拌しなが
らアtチルク0ライド0.151を徐々に加え、その後
室温でさらに1時間攪拌する。
反応混合物を、飽和型ソウ水に注ぎ込みり00*ルムで
抽出する。有機層を水洗、飽和食塩水洗、その後乾燥(
Na25O,) @溶媒を減圧留去し、得られる残渣を
シリカゲルカラムク0マドグラフイーで精製し、メタノ
ールに溶解して濃塩酸を加えて旭酸塩とする。水−ア七
トルより再結晶し、0.22fの6−C4−<2−アt
チルオ十シづ0じル)−1−ヒペラジニル力ルボニル〕
−3,4−ジしドロカルボスチリル1塩酸塩を得る。
m戸、239−241″C(分解) 実施例135 6−(4−アセチルメチル=I−じベラジニル力ルボニ
ル)−3,4−ジしドロカルボスチリルI塩酸塩3.7
69をメタノール50m1に溶解し氷浴清拌) 、 N
a B11u  O−44Fを徐々に加え、その後室温
で1時間攪拌する。反応混合物に濃塩酸を加え戸H中1
とし、溶媒の大部分を減圧留去し、l N −/l’a
011− CB(−13抽出する。有機層は水洗、乾燥
<Na25o14)  後溶媒を留去する。残渣をカラ
ムク0マドタラフイーでM製しエタノールから再結晶し
て、 2.26 fの6−C4−(2−ヒト0+シブ0
ヒル)−1−じペラジニル力ルボニル1−3.4−ジし
ドロカルボスチリルを得る。
m 戸、  +  5 6− 157.5  ℃無色リ
シ片状晶 実施例+36 実施例6. + 14.119.120.122.12
3゜124.125,126,127,128,129
  と同様にして、適当な出発原料を用いて以下の化合
物を得る。
ドロカルボスチリル m 戸、158−160°C 無色粉末 実施例137 6.119,120,122,123,124,131
と同様にして適当な出発原料を用いて以下の化合物を得
る。
’f /、 300℃以上 無色粒状範 o7− (1−じベラジニル力ルボニル)−3,4−シ
しドロカルボスチリル゛1塩酸塩 m戸、261.5−263°C 無色粒状晶 o8−(1−ヒペラジニル力ルボニル)力;しボスチリ
ル・l塩酸塩 m戸、300℃以上 無色粒状晶 以下本発明化合物を用い丸製剤例及び薬理試験例を挙げ
る。
製剤例 1 ジしドロカルボスチリル デシマル             132qマグネシ
ウムステアレー1          18q計   
           20(ill常法により亀錠中
、上記組成物oWlAt−製造した。
製剤例 2 ドロカルボスチリル デシマル             1271fマクネ
シウムステアレート           18ダ乳 
  糠                     4
5″I計              20011I常
法によル1錠中、上記組成物の錠剤を製造した。
樵化ナトリウム             0・9fメ
タ重A硫酸プトリウム        0.1fメチル
ーバラベシ           0.181づ0じル
ーバラベシ          0.02 g注射用蒸
留水           1001上紀バラベシ類、
メタ重亜W&酸ナトリウムおよび塩化士トリウムを攪拌
しながら80℃で蒸留水に溶解する。得られた溶液を4
0°atで6却し、これに本発明化合物、ポリエチレシ
タリコールおよびポリオ十シエチレシソルピタシ七)オ
レエートを一次溶解させ、次にその溶液に注射用蒸留水
蒼加えて最終の容量にIll製し、適当なフィルターペ
ーパーを用いて滅菌濾過して、ldずつアシプルに分注
し、注射剤を調製する。
製剤例 4 デシマル             132IIIマタ
ネシウムステアレート        IBIIII針
              200ag常法によ91
錠中、上記組成物の錠剤を製造した。
<*理試験A〉 体重8〜13に4の雌雄雑撫成大に、ペシトバルビター
jLのナトリウム塩を301%I/#の割合で静脈内投
与して麻酔させる。ヘバリシの1トリウム塩を100O
U/#の割合で静脈内投与後説血致死させ、心臓をロッ
ク液中に摘出する。右冠状動脈より飼結節動脈に向って
カニ1−レを挿入し、右心房をカニ1−レと共に摘出す
る。次いで予めペシトバルじタールのナトリウムjnl
ogv/峠、静脈内投与)により麻酔させ、ヘバリシ処
理(100cI/#、静脈内投与)した体重18〜27
に9の雌雄雑種成犬につき、その頚動脈から血液をペリ
スタリックポンプを介して右冠状動脈に挿入したカニユ
ーレに導き、右心房を潅流する。
潮流圧は100■Hダの定圧とする。右心房の運動は静
止張力2f下で、力変位変換器を介して心房筋の収縮力
を海定する。冠動脈血流量は電磁流量針を用いて調定す
る。全ての記録はイシク書き記録針上に記録させる。尚
この方法の詳細は千葉らycよル報告されている( J
a戸as、 /、PJarmacol。
25.433−439(1975)、NauNμmSt
kmitdbtrq’s Arch、 Pkgrmac
ol 、 289.315〜325(1975))。
供試化合物は、右冠状動脈に挿入したカニ1−しに近接
して接読したjムチュープを介して動脈内に10〜30
μIO答量で注射する。供試化合物の陽性変力作用は、
化合物投与前の発生漬方に対する%変化として表わし、
を九冠血流量のy化は、投与前からの絶対値(s7/分
)として表わす4゜結果を下記第1表及び第2表に示す
〈供試化合物〉 化合物ム        化   合  物  名+ 
  6−(1−ピペラジニルカルボニル)−3,4−ジ
しドロカルボスチリル リル 3.4−ジしドロカルボスチリル 6  6−(4−(4−シアノベシリイル)−1−じベ
ラジニルカルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリ
ル 7  6−(4−(4−メトfシベシリイル)−1−ピ
ペラジニルカルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチ
リル 8  6−(4−(3−りooベシリイル)=1−ピペ
ラジニルカルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリ
ル 9  6−(4−(3,4−ジグ00ベシリイル)−1
−ピペラジニルカルボニル]−3,4−ジしドロカルボ
スチリル +0  6−44−(4−ニドOベシリイル)−1−じ
ベラジニル力ルボニル)−3,4−シしドロ力り車スチ
リル +1  6−C4〜(4−メチルベシリイル〕−1−じ
ベラジニル力ルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチ
リル +2  6−(4−エト+ジカルボニル−1−じベラジ
ニル力ルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル +3  6−(4−)0イル−1−ピペラジニルカルボ
ニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル +4  6−(4−へシどルー1−ピペラジニルカルボ
ニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル・1塩酸樵 しドロカルボスチリル ジしドロカルボスチリル・童樵#樵 しド0力しボスチリル°1塩酸塩 一ジヒト0カルボスチリル・1塩酸塩 しドロカルボスチリル・l塩酸塩 ドロカルボスチリル 3.4−ジしドロカルボスチリル 0カル車スチリル 23   アムリノシ(対照化合物) 24  6−C4−(2−フェノ↑ジエチル)−1−ご
ベラジニルカル不ニル〕カルボスチリル・1塩酸塩 25  6−(4−(3−フェニルづ0ピル)−1−じ
ベラジニル力ルボニル〕カルボスチリル・l塩酸塩 26  6−(4−(2−ベシリイルエチル)−ジしド
ロカルボスチリル 27   F=ブタ三ン(比較化合物)28  6−(
4−(4−り00ベシジル)−1−じベラジニルカLボ
ニル〕カルボスチリル・1塩酸塩 29  6− C4−(3−へシリイルプロビル)−1
−ピペラジニルカルボニル)−3,4−ジしトロカルボ
スチリル・I塩11m・%水和物 30  6−(+−(4−tド0十シベシリイル)メチ
ル−1−じペラジニルカルボニル〕−3,4−ジしトロ
カルボスチリル・IjmtIII塩・%水和物 31  6−(4−プ0じルー1−ピペラジニルカルボ
ニル)−3,4−ジしトロカルボスチリル 32  6−(4−(3−りooベシリイル)メチル−
1−ピペラジニルカルボニル〕−3,4−ジしトロカル
ボスチリル・1411塩・h水和物 33  6−(4−イソベシチルーl−じペラジニル力
ルボニル)−3,4−!;eド0カルボスチリル 34  6−(4−(4−メチルチオベシジル)−1−
じペラジ:シカルボニル)−3,4−ジしドロカルボス
チリル・1堆酸樵 35  6−(4−(3,4,5−)リメト十シベシジ
ル)−1−じぺ5ジニル力Lボニル1−3.4−ジしド
ロカルボスチリル・l塩酸塩 36  6−(4−(4−アミノベシジル)−1−ピペ
ラジニルカルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリ
ル 37  6−(4−(4−アセデルア三ノベシジル)−
1−eぺ5ジニルカルポニルj−386−(4−イソブ
チル−1−じぺ5ジニルカルボニル)カシボスチリル・
148塩・i水和物 39  6−(4−(4−メチルベシリイルメチル)−
1−ごベラジニルカルボニル〕−3,4−ジしトロカル
ボスチリル・1填酸樵 40  6−(4−シフ0へ牛シルメチルー1−ピペラ
ジニルカルボニル−3,4−ジしトロカルボスチリル・
I塩酸塩 ニルJ−3,4−シしトロカルボスチリル・!塩酸塩 ル°鳳’1ull−ピ1噌脳I 57  6−(4−(2−(3,4−メチレジジオ十5
8  6−C4−(5−ヘンリイルベシチル)水和物 59  6−(4−(3−(3,4−ジメト十シベシリ
イル)プロピル〕−1−じペラジニル力ルボニル)−3
,4−ジしドロカルボスチリル・l塩酸塩・%水和物 60  6−(4−(3−り00シシナ七イル)−1−
じベラジニル力ルボニル’)−3,4−ジしドロカルボ
スチリル・%水和物 61  6−C4−<3.4.5−トリメト+シシシナ
七イル)−1−じベラジニル力ルボニル)−3,4−ジ
しドロカルボスチリル62  6− C4−(2−アt
チルオ十シブ0じル)−1−ピペラジニルカルボニル〕
−3,4−ジしドロカルボスチリル・+she塩・%水
和物 63  5−(4−イソブチル−1−じベラジニル力ル
不ニル)カルボスチリル・1塩酸旭・i水和物 64  7−(4−ベシジル−1−ごベラジニルカル卓
ニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル・l塩酸塩 65  8−(4−(3−フェニルプロピル)−チル)
−1−ごベラジニル力ルボニル〕−3,4−ジしドロカ
ルボスチリル 69  6−(4−メタジスルホニル−1−ヒベラジニ
Lカルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル 70  6−(4−ホルミル−1−じベラジニル力ルボ
ニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル ルカルボニル)−3,4−ジしドロカルボスチリル 72  6−(4−(4−メト+ジフェニル)アセチル
−1−じベラジニルカ11ニル〕−3,4−ジしドロカ
ルボスチリル 第  i  表 第  2  表 く薬理試験B〉 体重9〜15幻の雌雄の雑種成人を用いた。イヌをペシ
トバルピタール・ナトリウム30IIg/#の静脈内投
与により麻酔し、引き続きペシトバルとタール・ナトリ
ウム4ダ/#/kWで静脈内に持続注入、一定の麻酔深
度を保った0人工呼@器を用いて、1分間18回の呼吸
数、20m/#の吸気量の条件で人工呼吸し、開胸した
。左心室収縮力は左心意外壁に装着したアーチ型ストレ
イシゲージを介して測定した。左大腿動脈にポリエチレ
シチューブを挿入して比トラシスダ1−サーを介して全
身血圧を測定し、全てのパラメーターはイシク書き記録
針上に記録した。薬物は大腿静脈に挿入したカテーテル
を介して投与した。供試化合物の変力作用は化合物投与
前の発生張力に対する9Ibt化として表わした。血圧
(m7/p)の変化は投与前からの絶対値として表わし
た。結果を第3表に示す。
第  3  表 〈薬理試験C〉 血液海流嫡出乳頭筋標本 怖に8〜13#の雑1Ill成犬にペシトバルじタール
・ナトリウム塩を30■/峠の用量で静脈内投与し麻酔
にかける。ヘバリシのすトリウム樵を+00(1/幻の
用量で静脈内投与後説血致死させ、心臓を摘出する。標
本は主に乳頭筋および心室中隔から成り、前中隔動脈に
挿入したカニューυより、供血大から導かれた血液でl
QQmllyの定圧で潅流される。供血大は体重18〜
27#で予めベシトバルじタール・ナトリウム塩30I
II/kqの静脈内投与によシ麻酔され、ヘバリシ・ナ
トリウム塩100(1/#が静脈内投与されていを刺激
する。乳頭筋の静止張力は1.5 fで、乳頭筋の発生
張力は力変位交換鰺な介して測定する。
前中隔動脈の血流量は電磁流量針を用いて測定する。発
生張力および血流量の記録はイシク書き記録計上に記録
し友。この方法の詳細は遠藤と橋本により既に報告され
ている。(jm、 /、 Pkgltal。
218.1459〜1463.1970)  供試化合
物はlO〜30μ4の容量で4秒間で動脈内投与した。
供試化合物の父方作用は薬物投与前の発生張力に対する
%変化として表わした。冠血流量に對する作用は投与前
からの絶対値の変化(ml/vriに)として表わした
。第4表に結果を示す。
第  4  表

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中R1は、本素腺子、低級アル+ル基、低級アルケ
    ニル基、低級アシ−ニル基又はフェニル低級アル+ル基
    を示す。R2及びB3Fi、−一又は相異なって、置換
    基としてしドロ+シ基もしくはへ〇ゲシ隷子を有するこ
    とのある低級アル中ル基、又はフェニル環上に置換基と
    して低級アルコ十シ基及びハ0ゲシ豚子なる群から選ば
    れた基を1〜3個もしくは低級アル牛しジジオ+シ基を
    有することのあるフェニル低級アル+ル基を示す、tえ
    R2とR3と社、これらが結合する窒素原子と共に、酸
    素原子もしくは窒素原子を介し又は介することなく5員
    又は6員O飽和O複素環を影成してもよい、該複素環上
    には低級アル+ル基又はフェニル低級アル中ル基が置換
    していてもよい。また該複素環がじぺ5ジシである口金
    、低級アルケニル基、低級アル−ニル基、シフ0アル牛
    シ基、シフ0アル牛ル低級アル十ル基、低級アシカッイ
    ル基、低級アルカノイル低級アル+ル基、低級アルコ牛
    ジカルボニル基、低級アルコ+シカル寧ニル低級アル中
    ル基、)0イル基、低級アシ+114本ニル基、置換基
    としてシアノ基、ベシリイルオ十シ1&(このフェニル
    環上には低級アルコ+シ基が1〜5個置換していてもよ
    い)、ハ0ゲシ原子、しドロ牛シ基、低級アルカノイル
    オ中シ基又はカルバ七イル基を1@有する低級アル中ル
    基、フェニル環上に置換基とじてへロゲシ賑子、低級ア
    ルコキシ基及び低級アL+ル基なる群から選ばれ九基を
    1〜3個もしくは低級アル+レンジオ+シ基を有するこ
    とのあるフェノ+シ低級アル牛ル基、フェニル環上に置
    換基として低級アル+L基、低級アルコキシ基、ハ0ゲ
    シ厚子、ニド0基、アミノ基、低級アシカノイルア三ノ
    基及び低級アル牛ジチオ基なる鮮から選ばれた基を1〜
    3個もしくは低級アルキレジジオ牛シ基を有することの
    あるフェニル低級アル+ル基、フェニル環上に置換基と
    して低級アル+L基、低級アルコキシ基、へ〇ゲシ原子
    ・ニドO基及びシアノ基なる群から選ばれ友基を1〜3
    個−L<Fi低級アル+レジジオ十シ基を有することの
    あるベシリイル基、フェニル環上に置換基として低級ア
    ル十ル基を1〜511有することのあるフェニルスル本
    ニル基、フェニル環上に置換基としてしド0牛シ基、へ
    〇ゲシ厚子、低級アル牛ル基、低級アルコキシ基及び低
    級アシカノイシア三ノ基なる群から選ばれた基をl〜3
    個有する仁とのあるベシリイル低級アル牛ル基、フェニ
    ル環上に置換基としてハ0ゲシ原子及び低級アルコキシ
    基なる群から選ばれた基を1〜31m有することのある
    フェニル低級アルケニシカLネニル基、又はフェニル環
    上に置換基として低級アルコキシ基を1〜3個有する仁
    とのあるフェニル低級アルカノイル基が、じペラジシ0
    4位に置換していてもよい。を九カルボスチリル骨格0
    3位と4位とO#2素閲結合社−重結合又は二重結合を
    示す。〕 で表わされる力り軍スチリル誘導体及びその塩。
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