JPS58148496A - アデイテイブ用基板の表面処理方法 - Google Patents
アデイテイブ用基板の表面処理方法Info
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- JPS58148496A JPS58148496A JP3072782A JP3072782A JPS58148496A JP S58148496 A JPS58148496 A JP S58148496A JP 3072782 A JP3072782 A JP 3072782A JP 3072782 A JP3072782 A JP 3072782A JP S58148496 A JPS58148496 A JP S58148496A
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- adhesive
- insulating substrate
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はア苧イテイプ柑基槍の表面処理力法に関するも
のである。
のである。
従来より絶縁基極上に電路を形成する方法として1元反
応を利用したアディティブ法と称する製f1法が良く知
られている。アディティブ法には電路を全て無電層銅メ
ツ辛で形成するフルアディティブ法や電路を電解メツ十
で形成するセミアディティブ法等が知られているが、と
もに絶縁基板とその表(3)に形成され之鋼箔との密着
性を確保する必要があるために、従来では第1図に示す
よう圧して絶縁基板(υの表面処理が行われていた。す
なわち、絶縁基板(IJ上に酸化予タシを分散した接着
レジシ(23を塗布して硬化させ九後(第1図(b)
) 。
応を利用したアディティブ法と称する製f1法が良く知
られている。アディティブ法には電路を全て無電層銅メ
ツ辛で形成するフルアディティブ法や電路を電解メツ十
で形成するセミアディティブ法等が知られているが、と
もに絶縁基板とその表(3)に形成され之鋼箔との密着
性を確保する必要があるために、従来では第1図に示す
よう圧して絶縁基板(υの表面処理が行われていた。す
なわち、絶縁基板(IJ上に酸化予タシを分散した接着
レジシ(23を塗布して硬化させ九後(第1図(b)
) 。
接着レジシ層(3)の表面をクロム酸と硫酸のエッチシ
フ液で粗向化処fM(同図(C))するものである。
フ液で粗向化処fM(同図(C))するものである。
しかし乍ら、この方法にあっては、クロム酸と硫酸が混
合され九エッチシタ液を使用している几め公害及び作業
環境面で好ましいものでなく、また工程が複雑でかつ工
程が長いという間層があった。
合され九エッチシタ液を使用している几め公害及び作業
環境面で好ましいものでなく、また工程が複雑でかつ工
程が長いという間層があった。
木@明は上記の点に鑑みて成されたものであって、クロ
ム酸等の工昏ン予シタ処理が不1で無公害及び作業環境
を改善することができ、さらに生産工程を短縮、簡略化
することができるアディティブ用基極の表面処理力法を
提供することを目的とするものである。
ム酸等の工昏ン予シタ処理が不1で無公害及び作業環境
を改善することができ、さらに生産工程を短縮、簡略化
することができるアディティブ用基極の表面処理力法を
提供することを目的とするものである。
以下本発明の詳細な説明する。微細粉末(9)としては
、エボ+シ微細粉末粒子やコム微細粉末粒子及びそれら
の混合物等を使用することができる。
、エボ+シ微細粉末粒子やコム微細粉末粒子及びそれら
の混合物等を使用することができる。
接着レジシ(2)としては、エボ十シ樹脂とコムを混合
しtものを使用することができ、上記微細粉末(9)が
混合2分散しである。アディティブ用基槍の表Ifiを
処理するにあ九つでは、第2図(a)に示すように、こ
の接着しジシ(2Jを絶縁基板(υの表面にローラーコ
ートやディップ法等によって塗布し1次いで接層し5シ
(2)を加熱して接着レジシ(2)を硬化させるもので
ある。この際、接着しごシ(2)には微細粉末(9)が
混合1分散されているために1表面には凹凸αqが形成
されることになる。次に、会費に応じて表面に硬化形成
された接着し5シ暑(3]の表面をクリ−ニジタブうシ
等で研摩し、第2図(b)のように表面の凹凸間を緻密
化すると共に表11kiを千囲化するものである。なお
、!#!着し5シ(2)は完全硬化させた後、そのR面
を研摩するようにしても艮いが、接着レジシ(2)をB
ステージ化(生硬化)の状態でその表Ifiを研摩する
ようにしても良く。
しtものを使用することができ、上記微細粉末(9)が
混合2分散しである。アディティブ用基槍の表Ifiを
処理するにあ九つでは、第2図(a)に示すように、こ
の接着しジシ(2Jを絶縁基板(υの表面にローラーコ
ートやディップ法等によって塗布し1次いで接層し5シ
(2)を加熱して接着レジシ(2)を硬化させるもので
ある。この際、接着しごシ(2)には微細粉末(9)が
混合1分散されているために1表面には凹凸αqが形成
されることになる。次に、会費に応じて表面に硬化形成
された接着し5シ暑(3]の表面をクリ−ニジタブうシ
等で研摩し、第2図(b)のように表面の凹凸間を緻密
化すると共に表11kiを千囲化するものである。なお
、!#!着し5シ(2)は完全硬化させた後、そのR面
を研摩するようにしても艮いが、接着レジシ(2)をB
ステージ化(生硬化)の状態でその表Ifiを研摩する
ようにしても良く。
捩看しジシ慴)をBステージ化の状態とした場合には、
後述するように接着レジシ層(3)の表面に導体化処理
で鋼箔を密着させ急後、さらに加熱して接着しジシ@
ta)を完全硬化させるものであり、このようにすると
接着レジシ層(3)の硬化収縮に伴なって粗面の凹凸α
qが密となる九めに、接着レジシ鳩(3)と鋼箔との接
着力が向上するものである。また。
後述するように接着レジシ層(3)の表面に導体化処理
で鋼箔を密着させ急後、さらに加熱して接着しジシ@
ta)を完全硬化させるものであり、このようにすると
接着レジシ層(3)の硬化収縮に伴なって粗面の凹凸α
qが密となる九めに、接着レジシ鳩(3)と鋼箔との接
着力が向上するものである。また。
微細粉末(9)として接着しジシ(2Jと同材質のエポ
中シ及びゴム微粒子を使用することにより、微細粉末(
9Jが一部膨張、S解して接着レジシー(3)に強固に
結合することになって、硬化稜、微細粉末(9)が接着
レジシ層(3)からとれたシまた硬化物性を低下させる
ことがないものである。
中シ及びゴム微粒子を使用することにより、微細粉末(
9Jが一部膨張、S解して接着レジシー(3)に強固に
結合することになって、硬化稜、微細粉末(9)が接着
レジシ層(3)からとれたシまた硬化物性を低下させる
ことがないものである。
次に、このようにして表面が粗面化処理された絶縁基普
(υ上に電路を形成するにあ几っては、第8図に示すよ
うに粗面化した接着レジシ1ie(3)の表面に感光液
(4〕として塩化パラジウムのりリセリシ溶液を塗布し
くam図(a))、次いで、このう、tK第4図のよう
にバターシ部分(5)のみを透明にし次ネガフィルム(
6)を密着させ(同図(b) ) 、次いでネガフィル
ム(6)の上方から光ムを照射して感光液(4)を露光
して電路のバターシを絶縁基板(υ上にa曽。
(υ上に電路を形成するにあ几っては、第8図に示すよ
うに粗面化した接着レジシ1ie(3)の表面に感光液
(4〕として塩化パラジウムのりリセリシ溶液を塗布し
くam図(a))、次いで、このう、tK第4図のよう
にバターシ部分(5)のみを透明にし次ネガフィルム(
6)を密着させ(同図(b) ) 、次いでネガフィル
ム(6)の上方から光ムを照射して感光液(4)を露光
して電路のバターシを絶縁基板(υ上にa曽。
定着させ(li1図(C))、この現像、定着された電
路パターシの7J面に析出した錯塩の形式をとる金属(
7)を核として無電vI#llメツ中を行って金属(n
上に無電解鋼メツ中層(8)を形成する(同Il(社)
)ものである、その後、厚メツ中処理を行って電路を形
成すると共に、さらに密着性与熱処IIt行りて鋼箔と
の密着性をさらに向上させるものである。
路パターシの7J面に析出した錯塩の形式をとる金属(
7)を核として無電vI#llメツ中を行って金属(n
上に無電解鋼メツ中層(8)を形成する(同Il(社)
)ものである、その後、厚メツ中処理を行って電路を形
成すると共に、さらに密着性与熱処IIt行りて鋼箔と
の密着性をさらに向上させるものである。
上記のように本発明は、微細粉末を混合1分散した接着
レジシを絶縁基板の表11に塗布し九後。
レジシを絶縁基板の表11に塗布し九後。
接着しごシを加熱硬化せしめて表mFc凹凸が形成され
た接着レジシ暑を絶縁基板の表面に形成したので、微細
粉末が接着レジシ場の表面に凹凸を形成するために絶縁
基参の表面を粗面化することができ、従来の如くりaム
駿等のエッチ:/り液を用いる必1もなく無公害でかつ
作業環境を改善することができると共に生産工1を短縮
、W!!略化することができるものである。
た接着レジシ暑を絶縁基板の表面に形成したので、微細
粉末が接着レジシ場の表面に凹凸を形成するために絶縁
基参の表面を粗面化することができ、従来の如くりaム
駿等のエッチ:/り液を用いる必1もなく無公害でかつ
作業環境を改善することができると共に生産工1を短縮
、W!!略化することができるものである。
以下末@嘴を実施例に基いて具体的に説明する。
<v4施例1〉
エボ中シ樹脂(エピク0)1001.シェル社製)とゴ
ム(ハイ九−1日木セオシ社製及びハイパ0シ、デュボ
シ社製)との汎金物60重量11にメチルエチルケト:
/60重量部を加えて溶解せしめ、次に微細粉末として
バラ(−エボ中シ(E−50,東亜合成社製)t−26
重量部及びパラ臂−NBJL(ハイカー1411 、日
t−ゼオシ社III)を26重量部加えて混合1分散し
て接着レジシを作成し比0次K、この接着レジシをロー
ラーコートにて絶縁基板上に塗布し1次いで100℃で
10分間予備乾燥後、5℃/分の割合で徐々に昇温して
18G ’Cで80分闇加熱して接着し5シをBステー
ジ化した0MI冷後、接着レジシ層のS面を導体化処理
すると共に電気メワ十を行い、その後この本のをloO
@cKで乾燥後、続−て110℃にて70分間加熱処理
して絶縁基板の表面に銅箔が密着した試験体を得た。
ム(ハイ九−1日木セオシ社製及びハイパ0シ、デュボ
シ社製)との汎金物60重量11にメチルエチルケト:
/60重量部を加えて溶解せしめ、次に微細粉末として
バラ(−エボ中シ(E−50,東亜合成社製)t−26
重量部及びパラ臂−NBJL(ハイカー1411 、日
t−ゼオシ社III)を26重量部加えて混合1分散し
て接着レジシを作成し比0次K、この接着レジシをロー
ラーコートにて絶縁基板上に塗布し1次いで100℃で
10分間予備乾燥後、5℃/分の割合で徐々に昇温して
18G ’Cで80分闇加熱して接着し5シをBステー
ジ化した0MI冷後、接着レジシ層のS面を導体化処理
すると共に電気メワ十を行い、その後この本のをloO
@cKで乾燥後、続−て110℃にて70分間加熱処理
して絶縁基板の表面に銅箔が密着した試験体を得た。
〈実施例2〉
擬着レジシを180℃で30分間加熱処理後。
160℃にて40分間加熱処理してCステージ化(完全
硬化)した他は実施例1と同様にして試験体を得之。
硬化)した他は実施例1と同様にして試験体を得之。
次に、実施例1.2で得られた各試験体の鋼箔全剥離し
てその密着性を測定した結果、v4施例1のものでは常
勅剥離で1.8〜22旬/aX、実施例2のものでは常
聰剥離でL4へ1.7に9/asであシ。
てその密着性を測定した結果、v4施例1のものでは常
勅剥離で1.8〜22旬/aX、実施例2のものでは常
聰剥離でL4へ1.7に9/asであシ。
共にJI8 規格の1.4kg73以上を満足している
ものであつ九。
ものであつ九。
第1図(暴)乃至(e)は従来例のS面蝙理法を示す概
略工程図、第2図(a) (b)はそれぞれ本発明−実
施例の表面処理法を示す一部切欠断面図、第8図e)乃
至(d)は同上のアディティブ法の概略工程図、第4図
は同上の斜視図である。 (υは絶縁基善、(2Jは接着レジシ、(3)は接着レ
ジシ旙、(9)は微細粉末、(LIJは凹凸である。 代理人 弁理士 石 1)長 七
略工程図、第2図(a) (b)はそれぞれ本発明−実
施例の表面処理法を示す一部切欠断面図、第8図e)乃
至(d)は同上のアディティブ法の概略工程図、第4図
は同上の斜視図である。 (υは絶縁基善、(2Jは接着レジシ、(3)は接着レ
ジシ旙、(9)は微細粉末、(LIJは凹凸である。 代理人 弁理士 石 1)長 七
Claims (1)
- (1) 微細粉末を混合9分数し7を接着レジシを絶縁
基板の表面に塗布した後、接着レニシを加熱硬化せしめ
て表面に凹凸が形成された接着レジン−を絶縁基板の表
面に形成することを特徴とするアディティブ用基極のS
、面処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3072782A JPS58148496A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | アデイテイブ用基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3072782A JPS58148496A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | アデイテイブ用基板の表面処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58148496A true JPS58148496A (ja) | 1983-09-03 |
Family
ID=12311688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3072782A Pending JPS58148496A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | アデイテイブ用基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58148496A (ja) |
-
1982
- 1982-02-27 JP JP3072782A patent/JPS58148496A/ja active Pending
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