JPS58147431A - プラズマ重合による保護膜形成方法 - Google Patents
プラズマ重合による保護膜形成方法Info
- Publication number
- JPS58147431A JPS58147431A JP57030175A JP3017582A JPS58147431A JP S58147431 A JPS58147431 A JP S58147431A JP 57030175 A JP57030175 A JP 57030175A JP 3017582 A JP3017582 A JP 3017582A JP S58147431 A JPS58147431 A JP S58147431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma polymerization
- protective film
- silicon compound
- undercoating
- plastic
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラスチックの表面硬度、耐薬品性などの表
面状態を改善するためにプラスチック表面上へのプラズ
マ重合による保護膜形成方法に関する。
面状態を改善するためにプラスチック表面上へのプラズ
マ重合による保護膜形成方法に関する。
ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリカーボネート及びポリジエチレングリコール
ビスアリルカーボネート（以下０Ｒ−３９と略１）など
のプラスチックは１、その透明性軽量性、易加工性、耐
衝撃性などにすぐれているが、耐魔耗性、耐溶剤性に乏
しく、表面に傷がつきやすくまた有機溶剤に侵されやす
いという欠点がある。
ニル、ポリカーボネート及びポリジエチレングリコール
ビスアリルカーボネート（以下０Ｒ−３９と略１）など
のプラスチックは１、その透明性軽量性、易加工性、耐
衝撃性などにすぐれているが、耐魔耗性、耐溶剤性に乏
しく、表面に傷がつきやすくまた有機溶剤に侵されやす
いという欠点がある。
これらの欠点をプラズマ重合コーティングによって解消
する試みとして特開昭３２−６３３７３にビニルトリク
ロロシラン等のオルガノシラン化合物のプラズマ重合コ
ーティングが開示されている。
する試みとして特開昭３２−６３３７３にビニルトリク
ロロシラン等のオルガノシラン化合物のプラズマ重合コ
ーティングが開示されている。
またこれらのプラズマ重合膜とプラスチックとの付着性
を向上する方法として三７フ化ホウ素のアンダーフーテ
ィングが特開昭Ｓダーツ１１フ’１ｌＩＣ開示されてい
る。
を向上する方法として三７フ化ホウ素のアンダーフーテ
ィングが特開昭Ｓダーツ１１フ’１ｌＩＣ開示されてい
る。
本発明者らは、プラスチックの上記欠点を解消する目的
で研究を重ねた結果、前記の開示されている方法とＱコ
異なる下記の本発明に到った。
で研究を重ねた結果、前記の開示されている方法とＱコ
異なる下記の本発明に到った。
本発明は、プラスチック表面上に芳香族化合物のプラズ
マ重合によりアンダーコーティングを施し引き続き下記
一般式（１）で示されるケイ素化合物のプラズマ重合に
よりトップコートを施す保護膜形成方法に関するもので
ある。
マ重合によりアンダーコーティングを施し引き続き下記
一般式（１）で示されるケイ素化合物のプラズマ重合に
よりトップコートを施す保護膜形成方法に関するもので
ある。
Ｒ１ｎ５ｉＲ２４−ｎ （１）（式中Ｒ１は炭
素数／−１のアルキル基、フェニル基、アルケニル基か
ら選ばれる１種もしくは一種°以上、Ｒ２はメトキシ、
エトキシ、プロポキシ。
素数／−１のアルキル基、フェニル基、アルケニル基か
ら選ばれる１種もしくは一種°以上、Ｒ２はメトキシ、
エトキシ、プロポキシ。
アセトキシ基及び塩素元素から選ばれる１種もしくは２
種以上、ｎ ！１０−ゲ） 本発明におけるトップコートで用いる一般式（１）で示
されるケイ素化合物としては、テトラメトキシシラン、
テシラアセトキシシラン、テトラエトキシシラン、テト
ラクロロシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルト
リアセトキシシラン、アリルトリクロロシラン、アリル
トリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、メチルトリクロロシラン。
種以上、ｎ ！１０−ゲ） 本発明におけるトップコートで用いる一般式（１）で示
されるケイ素化合物としては、テトラメトキシシラン、
テシラアセトキシシラン、テトラエトキシシラン、テト
ラクロロシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルト
リアセトキシシラン、アリルトリクロロシラン、アリル
トリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、メチルトリクロロシラン。
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジロロシラン、ト
リメチルメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、テ
トラメチルシラン等を挙げることができる。これらのケ
イ素化合物は単独で用いてもよく、また一種以上併用し
ても良い。＃気圧の比較的小さな珪素化合物たとえばフ
ェニルトリメトキシシランを用いるときには、これを加
熱して気化を促進することが好ましい。更に必要に応じ
、酸素、窒素、アルゴン、アンモニアから選＠２れる７
種以上のガスとの混合ガスとしてプラズマ重合を行なう
こともできる◇ 特に上記ケイ素化合物を酸素との混合ガスとして用いプ
ラズマ重合を行なうと耐擦傷性が向上する傾向があるの
で好ましい。
リメチルメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、テ
トラメチルシラン等を挙げることができる。これらのケ
イ素化合物は単独で用いてもよく、また一種以上併用し
ても良い。＃気圧の比較的小さな珪素化合物たとえばフ
ェニルトリメトキシシランを用いるときには、これを加
熱して気化を促進することが好ましい。更に必要に応じ
、酸素、窒素、アルゴン、アンモニアから選＠２れる７
種以上のガスとの混合ガスとしてプラズマ重合を行なう
こともできる◇ 特に上記ケイ素化合物を酸素との混合ガスとして用いプ
ラズマ重合を行なうと耐擦傷性が向上する傾向があるの
で好ましい。
ケイ素化合物を、酸素、窒素、アルゴン、アンモニアか
ら選ばれる７種以上のガスとの混合ガスとしてプラズマ
重合を行なう場合のケイ素化合物と酸素などのガスとの
混合比は流量ガス比（標準状＃５ＴＰ）Ｔ ／ ： ０
．ｊ 〜／ ： ３０． よ’）好＊しくは／：λ〜／
：２０でありケイ素化合物の流動は醸素、窒素、アルゴ
ン、アンモニアから選ばれる７種以上のガスの流量より
少ない方が通常、耐擦傷性が良好な被膜が得られる。
ら選ばれる７種以上のガスとの混合ガスとしてプラズマ
重合を行なう場合のケイ素化合物と酸素などのガスとの
混合比は流量ガス比（標準状＃５ＴＰ）Ｔ ／ ： ０
．ｊ 〜／ ： ３０． よ’）好＊しくは／：λ〜／
：２０でありケイ素化合物の流動は醸素、窒素、アルゴ
ン、アンモニアから選ばれる７種以上のガスの流量より
少ない方が通常、耐擦傷性が良好な被膜が得られる。
次に前記のケイ素化合物を有するプラズマ重合膜とプラ
スチック基板との付着性向上に寄与するアンダーコーテ
ィングについて記載する〇用いるプラズマ重合装置、プ
ラズマ重合条件及び被覆されるプラスチックの種類にも
起因するが、一般に本発明のプラスチック基板上に前記
ケイ素化合％のプラズマ重合コーティングを実施する場
合、プラスチック基板のエツチングとプラズマ重合膜形
成の競争反応が生じ、ケイ素化合物のプラズマ重合膜形
゛成反応が抑制され、ひいてはプラスチック基板に対す
る付着性が良好な被膜が得られない事がしばしばある。
スチック基板との付着性向上に寄与するアンダーコーテ
ィングについて記載する〇用いるプラズマ重合装置、プ
ラズマ重合条件及び被覆されるプラスチックの種類にも
起因するが、一般に本発明のプラスチック基板上に前記
ケイ素化合％のプラズマ重合コーティングを実施する場
合、プラスチック基板のエツチングとプラズマ重合膜形
成の競争反応が生じ、ケイ素化合物のプラズマ重合膜形
゛成反応が抑制され、ひいてはプラスチック基板に対す
る付着性が良好な被膜が得られない事がしばしばある。
本発明者らはプラスチック基板ｎ工、チングを抑え、ケ
イ素化合物のプラズマ重合膜の付着性を向上させる方法
として芳香族化合物のプラズマ重合アンダーコーティン
グを前もって形成することが効果的であることを見いだ
した。アンダーコーティングに用いうる芳香族化合物と
してベンゼン、トルエン、オルトキシレン、メタキシレ
ン、バラキシレン、メシチレン。
イ素化合物のプラズマ重合膜の付着性を向上させる方法
として芳香族化合物のプラズマ重合アンダーコーティン
グを前もって形成することが効果的であることを見いだ
した。アンダーコーティングに用いうる芳香族化合物と
してベンゼン、トルエン、オルトキシレン、メタキシレ
ン、バラキシレン、メシチレン。
スチレン、ヘーメチルスチレン、アリルベンゼン等の単
票芳香族炭゛化水素化合物、クロルベンゼン。
票芳香族炭゛化水素化合物、クロルベンゼン。
クロルトルエン、塩化ベンジル等のハロゲン置換体、ピ
リジン、ビニルピリジン、チオフェン等の複素環芳香族
化合物、ジフェニル、ナフタリン等の多環芳香族化合物
を挙げることができる。これらの芳香族化合物は７種ま
たは一種以上併用して用いることもできる。蒸気圧が比
較的に小さい芳香族化合物たとえばジフェニル、ナフタ
リンなどを用いるときには、これに加熱してその気化を
促進することが好ましい。
リジン、ビニルピリジン、チオフェン等の複素環芳香族
化合物、ジフェニル、ナフタリン等の多環芳香族化合物
を挙げることができる。これらの芳香族化合物は７種ま
たは一種以上併用して用いることもできる。蒸気圧が比
較的に小さい芳香族化合物たとえばジフェニル、ナフタ
リンなどを用いるときには、これに加熱してその気化を
促進することが好ましい。
これら芳香族化合物のプラズマ重合速度は、一般に大き
く、またそのプラズマ重合膜は、耐プラズマエツチング
性が高い。それ故にプラスチック基板の好ましくないエ
ツチングが生じる前にプラスチック基板を芳香族化合物
のプラズマ重合膜で被覆し、アンダーコーティングを形
成する。
く、またそのプラズマ重合膜は、耐プラズマエツチング
性が高い。それ故にプラスチック基板の好ましくないエ
ツチングが生じる前にプラスチック基板を芳香族化合物
のプラズマ重合膜で被覆し、アンダーコーティングを形
成する。
従って引き続き実施するケイ素化合物のプラズマ重合の
トップコーティングをプラスチック基板のエツチングが
生じない条件下で実施することができ、その結果付着性
良好な保護膜を形成することができる。
トップコーティングをプラスチック基板のエツチングが
生じない条件下で実施することができ、その結果付着性
良好な保護膜を形成することができる。
次にアンダーコートおよびトップコートに用いるプラズ
マ重合条件について説明する。用いるプラズマ重合装置
は、公知のものでよく、例えばジャーナルーオプψアプ
ライドーポリマー・サイエ＞ Ｘ （Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎｃ
ｅ）第１７巻、ｒｔｓ頁（／９７３） Ｋ記載されたペ
ルジャー型内部電極方式、同誌第１３巻、２コ７フ頁（
／９７／）に記載された管型無電極方式等の装置を用い
ることができる。本発明を実施するに特に適するプラズ
マ重合装置を図に示した。プラズマ重合条件は、用いる
装置の大きさ、用いるモノマ一種、放電電力等に依存す
るが、図記載の装置を用いた場合の適した条件は下記の
様であった。
マ重合条件について説明する。用いるプラズマ重合装置
は、公知のものでよく、例えばジャーナルーオプψアプ
ライドーポリマー・サイエ＞ Ｘ （Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎｃ
ｅ）第１７巻、ｒｔｓ頁（／９７３） Ｋ記載されたペ
ルジャー型内部電極方式、同誌第１３巻、２コ７フ頁（
／９７／）に記載された管型無電極方式等の装置を用い
ることができる。本発明を実施するに特に適するプラズ
マ重合装置を図に示した。プラズマ重合条件は、用いる
装置の大きさ、用いるモノマ一種、放電電力等に依存す
るが、図記載の装置を用いた場合の適した条件は下記の
様であった。
すなわち、まず芳香族化合物のアンダーコーティングは
、芳香族化合物モノマー流量０．１〜／ ０ＣＣ（ＳＴ
Ｐ）／分、ガス圧力０．／〜７．０トリチェリー放電電
力１０−５０ワツトが適していた。
、芳香族化合物モノマー流量０．１〜／ ０ＣＣ（ＳＴ
Ｐ）／分、ガス圧力０．／〜７．０トリチェリー放電電
力１０−５０ワツトが適していた。
次いでトップフートのために実施するケイ素化合物のプ
ラズマ重合は、放電電力Ｓ〜３０ワット、ガス圧力０．
６− ／、０ ） ！ｊチェリー、クイ素化合物モノマ
ー流量０．／〜ｔｏＱＣ（ＳＴＰ）／分また酸素。
ラズマ重合は、放電電力Ｓ〜３０ワット、ガス圧力０．
６− ／、０ ） ！ｊチェリー、クイ素化合物モノマ
ー流量０．／〜ｔｏＱＣ（ＳＴＰ）／分また酸素。
窒素、アルゴン、アンモニアから選ばれる７種以上のガ
スを併用する場合、併用ガスの流量はケイ素化合物モ／
マーのそれの０．５〜！Ｏ倍、特に−〜２０倍、たとえ
ば約７０倍が適していた。更に必要に応じ、プラスチッ
ク基板を冷却してもよい。
スを併用する場合、併用ガスの流量はケイ素化合物モ／
マーのそれの０．５〜！Ｏ倍、特に−〜２０倍、たとえ
ば約７０倍が適していた。更に必要に応じ、プラスチッ
ク基板を冷却してもよい。
この様にしてプラスチック基板上に形成されるアンダー
コーティング層及びケイ素化合物からなるトップコーテ
ィング層の膜厚は、各々０．０／〜１ミクロン及び７〜
１０ミクロンが好ましい。アンダーコーティング層の膜
厚が１ミクロンを越えると、着色の傾向を示しまた付着
性も低下する。
コーティング層及びケイ素化合物からなるトップコーテ
ィング層の膜厚は、各々０．０／〜１ミクロン及び７〜
１０ミクロンが好ましい。アンダーコーティング層の膜
厚が１ミクロンを越えると、着色の傾向を示しまた付着
性も低下する。
上層の膜厚が７ミクロン未満だと耐擦傷性が不充分とな
り、また１０ミクロンを越えると被膜にクランクが生じ
やすくなる。
り、また１０ミクロンを越えると被膜にクランクが生じ
やすくなる。
以下実施例により説明する。
実施例１
図面に示すような円筒型平行平板電極方式プラズマ重合
装置／を用い、０Ｒ−ｊデ平板を基材２として用いる。
装置／を用い、０Ｒ−ｊデ平板を基材２として用いる。
なお図において、Ｍｌ ＊’Ｍ２およびＭ３はそれぞれ
スチレンモノマー、テトラメチルシランモノマー、およ
び酸素の供給容器、ＦｉｔＦ２ｔＦ３ は各供給容器Ｍ
ｌｅ Ｍ２ ｒ Ｍ３に連結された流量計、ｖｌ。
スチレンモノマー、テトラメチルシランモノマー、およ
び酸素の供給容器、ＦｉｔＦ２ｔＦ３ は各供給容器Ｍ
ｌｅ Ｍ２ ｒ Ｍ３に連結された流量計、ｖｌ。
Ｖ３＋Ｖ５はニードルパルプ、ｖ２ｔ Ｖ４ ｖ Ｖ６
はストップパルプ、ｖ７ は圧力調節パルプ、ｖＧは真
空計。
はストップパルプ、ｖ７ は圧力調節パルプ、ｖＧは真
空計。
Ｅは電極、Ｔはトラップ、Ｐはポンプ、 ＯＳａは高周
波発振器、 ＡＭＰは増巾器、ＩＭＣは同調回路。
波発振器、 ＡＭＰは増巾器、ＩＭＣは同調回路。
ＣＷは冷却水である。
まずスチレンのアンダーコーティングを下記条件で行な
った。
った。
スチレンモノマーガス流量 、ＦＣＣ（ＳＴＰ）／発
ガス圧力 ０．３トリチエリー［１周
波１１ｋ ｌ！、３；ｔＭＨｚ放電電力
１０ワット 放電時間 ５分 この様にしてスチレンの約０１１ミクロン厚みのアンダ
ーコーテイング後、引き続きテトラメチルシランと酸素
の混合ガスにて下記条件でプラズマ重合コーティング（
厚み約３ミクロン）を実施した。
ガス圧力 ０．３トリチエリー［１周
波１１ｋ ｌ！、３；ｔＭＨｚ放電電力
１０ワット 放電時間 ５分 この様にしてスチレンの約０１１ミクロン厚みのアンダ
ーコーテイング後、引き続きテトラメチルシランと酸素
の混合ガスにて下記条件でプラズマ重合コーティング（
厚み約３ミクロン）を実施した。
テトラメチルシランモノマーガス流量
７ （ＥＣ（ＳＴＰ） ／分
酸素ガス流量 乙ｏＣＣ（ＳＴＰ）／分ガス
圧力 Ｏｏざトリチェリー放電周波数
７３．ｊ乙ＭＨ２放電電力
１０ワット放電時間 ３０分 この様にして得られた０Ｒ−３９平板上の保護膜は無色
透明で耐擦傷性及び付着性が良好で、保護膜としての機
能を有していた。
圧力 Ｏｏざトリチェリー放電周波数
７３．ｊ乙ＭＨ２放電電力
１０ワット放電時間 ３０分 この様にして得られた０Ｒ−３９平板上の保護膜は無色
透明で耐擦傷性及び付着性が良好で、保護膜としての機
能を有していた。
実施例２
実施例／と同様ＫＣＲ−３９平板上にスチレンのアンダ
ーコーテイング後、酸素ガスニ換えアルゴンガスを用い
た他は実施例１ζ同様にプラズマ重合コーティングを行
なった。得られた保護膜の耐擦傷性及び付着性は共に良
好であった。
ーコーテイング後、酸素ガスニ換えアルゴンガスを用い
た他は実施例１ζ同様にプラズマ重合コーティングを行
なった。得られた保護膜の耐擦傷性及び付着性は共に良
好であった。
実施例３
実施例／と同様ＫＣＲ−３９平板上にスチレンのアンダ
ーコーテイング後、酸素ガスを併用せず、放電電力２０
ワツト、放電時間６０分の他は、実施例１と同様にプラ
ズマ重合コーティングを実施した。得られた保護膜の耐
擦傷性及び付着性は共に良好であった。
ーコーテイング後、酸素ガスを併用せず、放電電力２０
ワツト、放電時間６０分の他は、実施例１と同様にプラ
ズマ重合コーティングを実施した。得られた保護膜の耐
擦傷性及び付着性は共に良好であった。
実施例ダ
図面に示すプラズマ重合装置を用いポリカーボネート平
板を基材として、実施例／と同様にスチレンのアンダー
コーティングを行なった〇続いてシランモノマーとして
ジメチルジメトキシシランを用いた他は、実施例１とほ
ぼ同様に実施した。この様にして得られた保護膜のポリ
カーボネート基材に対する付着性は良好で、また耐擦傷
性も保護膜として効果的であった。
板を基材として、実施例／と同様にスチレンのアンダー
コーティングを行なった〇続いてシランモノマーとして
ジメチルジメトキシシランを用いた他は、実施例１とほ
ぼ同様に実施した。この様にして得られた保護膜のポリ
カーボネート基材に対する付着性は良好で、また耐擦傷
性も保護膜として効果的であった。
実施例Ｓ
実施例／におけるスチレンに換えてバラキシレンをアン
ダーコーティングとして用いた他は、実施例／と同様に
実施した。この様にして得られた保護膜は、実施例／と
同様で耐擦傷性及び付着性とも良好であった。
ダーコーティングとして用いた他は、実施例／と同様に
実施した。この様にして得られた保護膜は、実施例／と
同様で耐擦傷性及び付着性とも良好であった。
比較例／
実ｍ例／及びコでスチレンのアンダーコーティングを施
さなかった他は、各々実施例１及び−と同様に実施した
が、基板表面のエソチンク°力；激しく、保護膜を基板
上に形成すること力（できな力）つたＯ
さなかった他は、各々実施例１及び−と同様に実施した
が、基板表面のエソチンク°力；激しく、保護膜を基板
上に形成すること力（できな力）つたＯ
図面は本発明を実施するために用し・る装置の概略を示
す側面図である。 ｌ・・・・・・・・プラズマ重合装置。 ノ・・・・・・・・プラスチック基材 ［続 補 正 書 昭和５７年３月９日 ！ 発明の名称 プラズマ重合による保護膜形成方法 ３ 補ＩＩ：、をする者 事件との関係 特許出願人 住 市 大阪府大阪市東区道修町ｑ丁目！番地名
称 ＜ｇｏｏ）日本板硝子株式会社代表者 菅 沼
俊 彦 ｑ代理人 住 山 東京都港区新橋１丁目／ｌ ＩＩ＃号日生新橋
ピルｊＦ
す側面図である。 ｌ・・・・・・・・プラズマ重合装置。 ノ・・・・・・・・プラスチック基材 ［続 補 正 書 昭和５７年３月９日 ！ 発明の名称 プラズマ重合による保護膜形成方法 ３ 補ＩＩ：、をする者 事件との関係 特許出願人 住 市 大阪府大阪市東区道修町ｑ丁目！番地名
称 ＜ｇｏｏ）日本板硝子株式会社代表者 菅 沼
俊 彦 ｑ代理人 住 山 東京都港区新橋１丁目／ｌ ＩＩ＃号日生新橋
ピルｊＦ
Claims (4)
- （１） プラスチック表面上に、芳香族化合物のプラ
ズマ重合によりアンダーコーティングを施し、引き続き
下記一般式（１）で示されるケイ素化合物のプラズマ重
合によりトップコーティングを施こす保護膜形成方法。 Ｒ１ｎ５ｉＲ２４−４１（／ ） （式中Ｒ１は炭素数／〜ダのアルキル基、フェニル基、
アルケニル基から選ばれる７種もしくは２種以上、Ｒ２
はメトキシ、エトキシ、プロポキシ。 アセトキシ基及び塩素元素から選ばれる７種もしくは２
種以上、ｎは０−４／） - （２）前記芳香族化合物が、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、スチレン、ナフタリン及びこれらの置換体である
特許請求の範囲第１項記載の保護膜形成方法。 - （３）前記一般式（１）で示されるケイ素化合物のプラ
ズマ重合はこのケイ素化合物のガスと酸素、窒素。 アルゴン、アンモニアから選ばれる７種以上のガス”と
の混合ガスを用いる特許請求の範囲第１項記載の保護膜
形成方法。 - （４） 前記プラスチックがポリメチルメタクリレー
ト。 ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート及び
ポリジエチレングリコールビスアリルカーボネートから
選ばれるプラスチックである特許請求の範囲第１項記載
の保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57030175A JPS58147431A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | プラズマ重合による保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57030175A JPS58147431A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | プラズマ重合による保護膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147431A true JPS58147431A (ja) | 1983-09-02 |
Family
ID=12296409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57030175A Pending JPS58147431A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | プラズマ重合による保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0590467A1 (de) * | 1992-09-26 | 1994-04-06 | Röhm Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung |
| WO1996025243A1 (de) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung eines schichtsystems auf substraten und das mit diesem verfahren hergestellte schichtsystem |
| WO1997035912A3 (de) * | 1996-03-27 | 1997-11-20 | Leica Mikroskopie & Syst | Verfahren zur erzeugung einer haftfesten beschichtung auf polymethylmetacrylat (pmma)-substratoberflächen |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP57030175A patent/JPS58147431A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0590467A1 (de) * | 1992-09-26 | 1994-04-06 | Röhm Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung |
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| WO1997035912A3 (de) * | 1996-03-27 | 1997-11-20 | Leica Mikroskopie & Syst | Verfahren zur erzeugung einer haftfesten beschichtung auf polymethylmetacrylat (pmma)-substratoberflächen |
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