JPS58145963A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光庫９　可視
光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ！１等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮ｇ１装置、或いは１ｓ成分野における電子写真用
像形成部材や原橿続取装置におりる光導電層を形成する
光導電材料としては、貴感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ
）　／暗電ｆｉ（Ｉｄ））が高く、照射する″［！波の
スペクトル特性Ｖ（マツチングした吸収スペクトル特性
を有すること、光応答性が連く、所望の暗抵抗憤を有す
ること、使用時において人体に対して無公害であること
、−には固体撮ＩＩ装置においてはｓ　’！！４１穀を
用足時間内に容易に処理することができること寺の特性
が要求される。殊に、事Ｓ機としてオフィスで使用され
る電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は電斐な点で
ある。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスンリコン（坦懐ａ　−８ｉと表配す）があ
り、例えば、独ｌ公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
＆！１１国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読
取装置への応用が記載されている。

向乍ら、従来のａ−８ｉで構成され走光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光尋電的特性、及び使用環境特性め点、−に
は経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々に
は特性の向−Ｅが計られているが総合的な特性向上を計
る上で更に改良される余地が存するのが実情である。

例えば、電子写真用傷形成部材に適用した場合に、−光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々ｗ４
＃１され、この種の光導［ｔ！ＩｖＳＩｔは長時間繰返
し使用し続けると、繰返し便用による疲労の蓄積が起っ
て、残骨が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等
の不都合な点が少なくなかった。

又、ａ−８ｉ材料でた導電層を構成する場合には、その
電気的ｔ　光導電的特性の改良を計るために、水′Ｊｇ
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や＃原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ婢の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

卸ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの＃層中での用命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よ妙の電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或い祉、転写紙に転写された１像に惰
Ｖｃ「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によ
ると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブ
レードを用いるとその摺［Ｋよると、＠われる、悟Ｋ　
ｒ白スジ」と云われている所−−１□ 欠陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気中で使用しえ
り、或いは多湿′ｌｌ１ｌ！８気中に長時間放置した直
後に使用すると悟に云う一１象のボケが生ずる場合が少
なくなかった。

１１！には、層厚が士数声以上になると層形成用の★空
堆積室より取抄出した後、空気中での放置時間の経過と
共に、支持体表面からの層の浮きや＠畷、或いは層に亀
裂が生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、
殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の
点に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な間噴の總て
が解決される様に工夫される会費がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ　−Ｓｉ
に就て電子写真用儂形成部材中國体撮儂装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意枡究検討を続けた結果、シ
リコン原子を母体と［２、水７Ｒ原子鵠又はハロゲン原
子内のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファス
Ｎｕ、ｓａ水木化アモルファスシリコ／、・・ａゲン化
アモルファスシリコン、或いは／葛ロゲン含有水素化ア
モルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として［
ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊ’Ｓ＝使用する〕から構成される
光導電層を有する′ｆｉ：４電部材の層部材を以後に説
明される様な特定化の下に設計されて作成された光導電
部材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従
来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕
していること、殊に電子写真用の光導電部材として著し
く優れた特性を有していることを見出した点に基づいて
いる。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定してお炒、耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久
性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観醐され
ない光導電部材を提供することを生える目的とする。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に＃Ｉｋ密で安定的であ妙、層品實の高い光
導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用傷形成部材として適用
させた場合、靜電壕形成のため０帯電処理の際の電画保
持能力が充分る抄、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れ九電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである。

本発明の−に他の目的は、長期の使用に於いて一律欠陥
や一律のボケが全くなく、＊ｔが＾く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の萬い、鳥品質−ｇＩを得ること
が容易にできる電子写真用の光導電部材を提供すること
である。

本発明の１にもう１つの目的は、為光感度性。

Ａ、８Ｎ比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を提供
することでもある。

本発明の光導電部材は光導電、部材用の支持体と、シリ
コン原子ｔｆ＃体とし、構成原子として４３　ａｔｏｍ
ｓ（−までの窒素原子を含有する非晶質材料で構成され
た補助層と、シリコン原子を母体とし、周期律表第■族
に属する原子を構成原子として含有する非晶質材料で構
成された電荷注入防止層と、シリコン原子を母体とする
非晶質材料で構成され、光導電性を示す第一の非孔質層
と、前記第一の非晶質階上に、シリコン原子と炭ｌＡｊ
［子と水素原子とを構成原子として含む非晶質材料で構
成された第二の非晶實鳩とを有する事を特徴とする。

上記し九様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記し九諸間趙の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性をボす。

殊に、電子写真用傷形成部材として適用させた場合には
、−イ歇形成への残留電位の１畳が全くなく、その電気
的特性が安定しておす藁＃度で、高８Ｎ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が＾
く、・・−フトーンが鮮明に出て、且つ解で像度の高い
、−品質の８１１ｉ１１ＩＩを安定して繰返し得ること
ができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に構成される非晶質
層が、層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
着しく優れてお抄、＾速で要時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。

以下、回向に従って、本発明の光導電部材に就て峰ｍＫ
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明する丸めに模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００　Ｆｉ、光導電部材用と
しての支持体１０１の上に、シリコン原子を母体とし、
構成原子として窒素原子を４３ｍｔｏｍｉｃ哄未満含む
非晶質材料で構成され九補助層１０２゜電荷注入防止層
１０３．光導電性を有する第一の非晶質層（１１１０４
、第二の非晶質層（１）１０５とを具備し、非晶質層（
１）　１０５は自由表向１０６を有している。

補助層１０２は、主に、支持体１０１と電荷注入防止層
１０３との間の密着性をＩＩする目的の為に設けられ、
支持体１０１と電荷注入防止層１０３０両方とＷ相性が
おる様に、後述する特性を有する材質で構成される。

電荷注入防止層１０３は、自由表１ｆｉｌＯ６が帯電さ
れる際に、支持体１０１　ＩＩよね第一の非燕實層（１
）　１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に防止する
機能を主に有する。

第一の非＆ＪＩＬ階（１）　１０４は、核層（１）　１
０４に感受性の光の照射を受けて該層（１１１０４中で
フォトキャリアを発生し、所定方向に骸フォトキャリア
を輸送する機能を有する。

本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Ｓｉ）を母体
とし、構成原子として９Ｌ木原子（Ｎ）（以後１ａ−８
ｉ　ａＮ、−ａ　Ｊと記す、但し、α５７＜ａ＜１）で
構成される。

ａ　−Ｓ輸Ｎ　ｌ−ＩＩ　で構成される補助層の形成は
スパッターリング法、イオンインブランデーシーン法、
イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法婢によ
って成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本
投下の９Ｌ衝程度、製造ｉ横、作成される光導電部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
７するが、所望する特性１有する光導電部材を製造する
為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
（ＳＬ）と共に窒素原子ｎｔ作製する補助層中に導入す
るのが容易に打見る等の利点からスパッターリング法或
いはエレクトロンビーム法、イオンブレーティング法が
好適に採用される。

スパッターリング法によって補助層を形成するには、琳
結晶又は多結晶の８ｉウエーノ・−又はＳｉ、Ｎ、ウェ
ーハー又ｔｉｓｉ、Ｎ、が混合されて形成された８凰ウ
エーハーをターゲットとして、これ等を撞々のガス雰囲
気中でスパッターリングすることによって行えば良い。

例ｊｉｄ’、８４つｘ−ノ１−及（ｊｓｉｓＮａ　　２
エーノ・−の２つをターゲットとして使用する場合には
、１（ｅ　ｌ　Ｎｅ　Ｉ　Ａｒ　　’Ｉｌｌ　Ｏスパッ
ターリング用のガスを、スハノター用の堆積室中に導入
してガスプラズマを形成し、前記引ウェー・・−及びＳ
ｔ、Ｎ、ウェー・・−をスパッタリングすれば曳い。

父、別には、別と８４．Ｎ４の混合して形成された一枚
のターゲットを使用することによって、スパッターリン
グ用のガスを装置幕内に導入し、そのガスず囲気中でス
パッターリングすることによって成される。エレクトロ
ンビーム法を用いる場合には２個の蒸着ボート内に各々
、単結晶又は多結晶の嵩純度シリコン及び為純度窒化硅
素を入れ、各々独立にエレクトロンビームによって一時
蒸着するか、又Ｆｉ則−蒸層ボート内に入れたシリコン
及び窪化硅素を本−のエレクトロンビームによって蒸着
すればよい。形成される補助層中のシリコン原子と窒；
１ｃ原子の組成比は前者の場合、エレクトロンビームの
加速電圧をシリコンと窒化硅素に対して変化させること
によって制御し、後者の場合は、あらかじめシリコンと
一化硅素の混合量を定めることによって制御する。イオ
ンブレーティング法を用いる場合は蒸着槽内に種々のガ
スを導入しあらかじめ槽の８囲にまい九コイルに＾周波
［界を印加してグローをおこした状態でエレクトロンビ
ーム法を利用してＳＫ及び８ｉ、Ｎ、を蒸着すればよい
Ｏ 本発明の補助層を構成するａ　８ｒａＮ、　＠　は補助
層の機能が、支持体と電荷注入防止層との間の密増を強
固し、加えて、それ等の間に於ける電気的接触性を均一
にするものであるから補助層に、そのＩｊ！求される特
性が所望通りに与えられる様にその作成条件の選択が厳
密に成されて注意深く作成される。

本発明の目的に１した特性を有するａ　−８１Ｎｌ−ａ
が作成される為の作成条件の中の重要な要素として、作
成時の支持体１！度を挙げることができる。

即ち、支持体の表向にａｓ＋１Ｎ、−Ｈから成る補助−
１＃／成する際、層形成中の支持体温度は、形成きれる
噛Ｏ購造及び％伯−を左右する重要な因子であって、本
５！＃４に於いてｒ」、目的とする％ａ１自すルａ−８
ｉｌＮ、　、、が所望通りに作成され侍る欅に層作成時
の支持体温度が緻密に制御される。

杢兆四に尻けるしｊ的が幼米的ｔ（達成される為の禰ル
′〕）曽を心ｈシーｆ４咋の☆持体躯廣Ｊしては、補助
層の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、補助層
の形成が実行される。このｒ＃Ｏ支持体温度としては通
常の場合、２０〜２００℃、好適には２０〜１５０℃　
とされるのが望ましいものである。補助層の形成には、
四−系内で補助層から１［荷注入防止層、非晶質層、−
には必要に応じて非晶質層上に形成される第３の層゛ま
で連続的に形成する事が出来る、各層を構成する原子の
組成比の微妙な制御や一犀の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、スパッターリング法やエレ
クトロンビーム法の採用が有利であるが、これ等の層形
成法で補助層をＩし成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際Ｏ放電パワーが形成される！　　８
１２Ｎ’１−１の特性をだ右する１１！！な因子の１つ
として挙げることが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特注を有するａ−
８ＳＢＮｌ＠が生産性良く幼兼的奮こ作成される為の放
電パワー条件としては、Ａ　４５０Ｗ〜２５０Ｗで、好
ＪＡＫは８０Ｗ−１５０Ｗとさ１しるのが望ましいもの
である。

本発明の光４を部材に於ける補助層に含有される一１１
単原子Ｎの１は、補助層の作製条件と同様本発明の目的
を達成する所望の特性が得られる補助層が形成される重
要な因子である。

本発明に於ける補助層に含有される窒素原子＋ｎＱ）着
Ｃ（ロ）は、２　ｔ　０１ｎｌ　Ｃ−表示で通常は前記
した値の軸回とされるが好適にはＩ　Ｘ　１０−”≦Ｃ
（Ｎ）　＜４３、より好オしくに１≦Ｃ（Ｎ）＜４３．
　　最適には１０≦ＣＨ＜４３　とされるのが望ましい
。

ａ　　５ｔａＮ、　Ｈに於ける１の表示で示せば、ａＪ
）（ｔｈは好適にはα５７〈１≦α９９９９９．より好
ましくは、０．５７　＜　ａ≦０．９９．最適には０．
５７（ｉ≦０，９とさね−のが望ましい。

本発明に於ける補助層の層厚の数値ａｅＵは、本発明の
目的を効果的に達成する様に所望に従って適宜／に足さ
れる。

本発明の目的を効果ｔｒｊに達成する為の補助層の層厚
としては、通常の場合、　　３０Ａ〜２μ、好適れるの
が望ましいものである。

本発明の光導電部材ｔｍ成する１［葡壮人ｐｉＪ正鳩は
、シリコン原子（Ｓｉ）を母体とし、均期体ｐ処■＆に
機する原子（弔■族原子）と、奸まし７くは、水素原子
幀又は・・ロゲン腺子囚、或いはこの両者とｔｍ成原子
とする非晶實材杉（↓）、後ｒａ　　５ｊ（ｖ＊ルＸ月
と配す）で構成され、ぞの層厚を及び層中の第Ｖ族原子
の含有量Ｃ（をは、本発明の目的が効果的に達成される
憚に所望に従って適宜決められる。

本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとしては、好ま
しくは１３〜５声、より好ましくは０．５〜２μとされ
るのが望ましく、又、第■族原子の含有量Ｃ（１１とし
ては、好ましく’ＶｉＩＸＩＯ”〜Ｉ　Ｘ　ＩＱ’ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍより好ましくは、５Ｘ１０”〜ｌ　Ｘ
　１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明において、電荷注入防止層中に含有される周期律
表第■族に属する原子として使用されるのは、Ｎ（、素
）、Ｐ（燐）＃ＡＳ（ｄｉ）。

ｓｂ　（アンチモン）、８１（ビスマス）等であり、殊
に好適に用いられるのはＰ、Ａｓ　　である。

本発明ｙｃおいて、必ｌ！に応じて電荷注入防止層中に
き有される・・ロゲン原子囚としては、具体的にはフッ
木、塩木、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素
を好適なものとして挙げることが出来る。

バッターリング法、イオンインプランテーシ璽ノ法、イ
オンブレーティング法、エレクトロンビーム法碑が挙げ
られる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模。

作輯される光導電部材に所望される特性等の要因によっ
て適宜選択されて採用されるが、所望する物性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易
である、シリコン原子と共に第■族原子、必４Ｉに応じ
て水素原子（ハ）やハロゲン原子内を作製する電荷注入
防止層中に導入するのが容易に竹光る等の利点からグロ
ー放電法或いはスパッターリング法が好適に採用される
。

更に、本発明に於いては、グロー族’ｗｔｉとスパッタ
ーリング法とを同一装置系内で併用して電荷注入防止層
を形成しても良い。

例えば、グロー放電法によって、ａ−Ｓｌ（’ＶＩＨ，
Ｘ）で構成される電荷注入防止層を形成するには、基本
的に＃ｉシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る８１供給用
の原料ガスと共に、第■族原子を供給し祷る第１株原子
導入用の原料ガス、必要に応じて水素原子ｌ導入用の又
は／及びハロゲン原子内４人用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め所定位置に投置され、既に補助層の
設けである所定Ｏ支持体の補助層上にａ−８４（’ｌ／
、　　Ｈ，Ｘ　）からなる層を形成させれば良い。父、
スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、第■！に摩子導入用の原料ガスを、必
費に応じて水木原子輔又は／及び−・ロゲン原子内厚入
用のガスと共にスパッタリング用の堆積室に導入してや
れば良い。

本発明ｙｃおいて電荷注入防止層を形成するのに使用さ
れる原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有効
なものとして挙げることが出来る。

先ず、Ｓｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
５ｔ）ｉ、、　８４□Ｈａ　ｅ　８　ｔ、Ｈ，＠　８１
４Ｈ＠＠　　郷のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に噛作成作業の扱い易さ、　８４供給効率の曳さ等
の点で８ｉｆ（、、８ｉ、Ｈ，が好ましいものとして挙
げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される補助層中１ｃｓｓと共に
Ｈも導入し得る。

Ｓ１供給用の原料ガスとなる有効な出発物質と１７では
、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子内を含む硅素
化合一、所−、ハロゲン原子で置換され九シラン誘導体
、具体的には例えば”Ｆａｓ　　Ｓ’ｔＦ＊、Ｓ＋Ｃ／
４＋　　８ｔＢｒ、等の・・ロゲノ化硅素が好ましいも
のとして挙けることが出来る。

更には、８ｉＨ，Ｆ、ｔ　　８ｉＨ，ＩＨ８ｒＨ，Ｃ１
＠ｒ　５ＬＨＣ１ｓｒ８ＬＨ，Ｂｒ４ｅ　　５ｉ）（Ｂ
ｒ、　Ｉｌｌの／％Ｑゲン置換置換止木化硅素々のガス
状態の或いはガス化し祷る、水素原子を構成ＩＳＩ素の
１つとする・・ロゲン化物も廟効な電荷注入防止鳩形成
の為のＳｉ供給用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ郷の・・ロゲン原子囚を含む硅素化合一を使用する
場合にも前述し九様に層形成条件の適切な選択によって
形成される電荷注入防止層中にＳｉと共にＸを導入する
ことが出来る。

上記した出発物質の中水素原子を含む）・ロゲ／化硅素
化合物は、補助層形成の際に層中にノ・ロゲン原子囚の
導入と同時に電気的威い祉光電的特性の制＠Ｋｆｌｌめ
て有効な水素原子Ｉも導入されるので、本発明において
は好適な・・ロゲン原子（３）導入用の出発物質として
使用される。

本発明において補助層を形成する隙に便用さノ［る・・
ロゲン原子（３）導入用の原料ガスとなる有効な出発物
質としては、上記したものの他に、例えば、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　　ＣｌＦ
ｒ　　ＣＩＦ、、　　ＢｒＦ、、　ＢｒＦ、、　ＩＦ、
。

Ｉ）”ｙ、　　ｌＣＩ　、　　ＩＢｒ等０　ハロゲン関
化合物、ＨＦ。

ＨＣｊ　、　　ＨＢｒ　、　ＨＩ　　等のハロゲン化水
素を挙げることが出来る。

電荷注入防止層中に第Ｖ族原子を構造的に導入するｖｃ
　ｔｉｔ　、層形成の際に第ＶＳ原子導入用の出発物質
をガス状態で堆積室中に、電荷注入防止層を形成する為
の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この様な第
ＶＳ原子導入用の出発物質と成り祷るものとしては、常
温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で寥易
にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

その様な第ＶＳ原子導入用の出発物質として、具体的に
は、燐原子導入用としては、ＰＨ，、Ｐ、Ｈ４等ノ水嵩
化燐、ＰＨ，Ｉ、ＰＦｌ、、　　ＰＦｌ、　　Ｐｃｔｌ
、Ｐｃｔ、。

ＰＢｒ、、　　ＰＢｒ＠、　　ＰＩＥ等の／％０ゲン化
燐、が挙けられる。コノ他、ＡｓＨ，、Ａｓ１ａ、　　
人＊Ｃ１＠＊　　ＡｌｇｒＨＡｓＦｌｔ　　８ｂＨ，８
ｂＦ’、ｅ　　８ｂＦ、　　５ｂＣ１，８ｂＣ１゜Ｂｉ
Ｈｌ、　　ＢｉＣｊ、、　　Ｂ１Ｂｒ、１％も第ＶＳ原
子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出
来る。

本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為に電荷注
入防止層中に含有される第■族原子は、電荷注入防止層
の層厚方向に実質的に平行な向（支持体の表面に平行な
面）内及び層厚方向に於いては、実質的に均一に分布さ
れるのが良いものである。

又、スパッタリング法で電荷注入防止層を形成する場合
には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不粘性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合カスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲットをスパッタリングする際、第ＶＳ原子導入
用Ｏ原料ガスを、必要に応じて水１ｇ原子１４人用の又
は／及びハロゲン原子内厚入用の原料ガスと共にスパッ
タリングを行う真空堆積室内に導入してやれば良い。

本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入さｊｌる第Ｖ
族腺子の含有量は、堆積室中に流入される第Ｖ族原子導
入用の出発物λのガス流量、カス？道敏比、放電パワー
、支持体−嵐、堆積室内の圧力等を制御することによっ
て任意に制御され倚る。

本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放えばｌ１ｃ
ｅ　　Ｎｅ、　　Ａｒ　　Ｊ１９が好適なものとして挙
げることが出来る。

本発明Ｗ（おいて、ａ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）で構成さ
れる非晶質層（１）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオングレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−８４（Ｈ，Ｘ）　　
で構成される非晶値層（１１を形成するには、基本的に
ｉシリコン原子（Ｓｊ）　　を供給し得る出供給用の原
料ガスと共に、水素原子Ｉ導入用の又Ｆｉ／及びハロゲ
ン原子導入用の原料ガスｔ、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、皺堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表向上にｍ−
８４（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い。又、ス
パッタリング法で形成する場合には、例えばλｒ、Ｈ＠
蝉の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし九混合ガ
スの雰囲気中で８ｉで構成されたターゲットをスパッタ
リングする際、水嵩原子（ハ）又は／及び・・ロゲン原
子内厚入用のガスをスパッタリング用の堆積ｍＫ導入し
てやれば良い。

本発明において、必要に応じて非晶質層（１）中に含有
される・・ロゲン原子囚としては、電荷注入防止層の場
合に挙げたのと同様のものを挙げることが出来る。

本発明において非晶質）ＩＩ（１）を形成する際に使用
される８ｉ供給用の原料ガスとしては、電荷注入防止ｍ
Ｋ就て＠明す゛る際に挙げ九８ｔＨａ　１８＋　ＩＨ＠
＋Ｓ輸Ｈ６，８ｉ４Ｈ，・等Ｏガス状態の又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙けられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、８４供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ，、８ｉ、Ｈ・が好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において非晶質層（１１を形成する場合に使用さ
れるハロゲン原子導入用の原料ガスとして有効なのは、
電荷注入防止層の場合と同様に多くの・・ロゲン化合物
が挙げられ、例えば・・ロゲンガス、ハロゲン化物、）
・ロゲン間化合物。

・・ロゲンで置換され九シラン誘導体郷のガス状態の又
はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。

又、史には、シリコン原子（Ｓｉ）と・・ロゲン原子囚
とを構成１１木とするガス状態の又はガス化し得る、・
・ロゲン鳳子を含む砕木化合物も有効なものとして本発
明においては挙げることが出来る。

本発明に於いては、非晶質層（Ｉ）には、伝導特性を制
御する物質を含有させることにより、該層の伝導特性を
所望にしたがって任意に制御することが出来る。この様
な物質としては、所絹、半導体分野で云われる不純物を
挙げることが出へ 来１本発明に於いては、形式される非晶−ｊ（鳩（１１
を構成するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性
を与えるＰ型不純物、具体的には、則期律六第厘族に属
する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）１Ｍ（ア
ルミニウム）、（ｈ（ガリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）、Ｔ／（タリウム）轡があり、殊
に好適に用いられるのは、Ｂ＋Ｇａである。

本発明に於いて、非晶質層（１）Ｋ含有される伝導特性
を制御する物質の含有量は、該非晶質層（１１に要求さ
れる伝導特性、或いは該層（１１にｌｌＫ接触して設け
られる他の層の特性や、蚊他の層との接触界面に於ける
特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。

本発明に於いて、非晶質層（１１中に含有されるａｔｏ
ｍｉｃ　９１）ｍとされるのが望ましいものである。

非晶質層中に伝導特性を制御する物質、例えば第璽族原
子を構造的に導入するには、Ｎ影成の際に第膳族原子導
入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質層を形
成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第膳＆＆子導入用の出発物質と成り得る本のとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも鳩形成条件
下で容易にガス化し得る屯のが採用されるのが望ましい
。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的に
は硼素原子導入用として１よ、ＢＪ（ｖ、８４Ｈ１（１
−ＢｓＨｓｔ　　ＢＩＨＩｌ、ＢｓＨｔｅ　−ＢｓＨｔ
ｔ−Ｂ＠）（１４％の水嵩化−木、ＢＰ、Ｉ　ＢＣＩ、
、ＢＢｒ。

等の・・ロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ｋｌｃ
ｌ、、　（ＪａＣｌ、、　Ｇａ（Ｃ）（１）、、　Ｉｎ
Ｃｌ、、　ＴｉＣｌ３等も拳げることか出来る。

本発明において、形成される光導電部材の電性注入防止
層、又は非晶質層（１１中に含有される水木原子日の緻
又は・・ロゲン原子囚の量又は水素原子と・・ロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ　＠　、好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ　％　　と
されるのが望ましい。

電佑注入防止場又は非晶質層（１１中に含有される水素
原子Ｉ又は／及び・・ロゲン原子囚の量を制御するには
、例えば支持体＠度又は／及び水素原子（ハ）、或いは
・・ロゲン原子ＯＱｔ含有させる為に使用される出発物
質０堆積装置系内へ導入する量、放電漕力等を制御して
やれば良い。

本発明において、非晶質層（１１をグロー放電法で形成
する際Ｋｆ用される稀釈ガス、或いはスパッタリング法
で形成される際に使用されるスパッタリング用のガスと
しては、所謂稀ガス、例えばＨ＠、Ｎ・９人ｒ　等が好
適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、非晶質層（１１の層厚としては、作成
される光導電部材に要求される特性に応じて適宜法めら
れるものであるが、通常は、１〜１００、ａｔ　好まし
くは１〜８０μ、Ｉｋ遍には２〜５０声とされるのが望
ましいものである。

第１図に示される光導電部材１０Ｇに於いては、第一の
非晶質層（１）　１０２上に形成される第二の非晶質層
（１）　１ｏｓは、自由表面１０６　を有し、主に耐湿
性を連続繰返し使用特性、耐圧性使用環境物性・耐久性
に於いて本発明の目的を達成する為に設けられる。

父、本発明に於いては、非晶質層（ｒ）　１０２を構成
する第一の非晶質層（１）　１０２と第二の非晶質層（
１１１０５とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原
子という共通の構成ｔ１本を有しているので、積鳩界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第二の非晶質層（１）は、シリコン原子と炭素原子と水
素原子とで構成される非晶質材料（ａ−（８ｊ　ｘｃｓ
−ｘ　）ｙＨｓ−７＋但し０（ｘ＊　ｙ＜１）で形成さ
れる。

ａ　　（８１１ＣＩ　　Ｘ）ＰＨＩ−ｙで構成される第
二の非晶質層（厘）の形成はグー−放電法、スパッター
リング法、イオンインプラ／テーク璽／法、イオンブレ
ーティング法、エレクトロンビーム法等によって成され
る。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷
程度、ａｔ造規模１作製される光導電部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望する特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件
の制御が比較的容易である。７１ノコ／原子と共に炭素
原子及び水素原子を作製する第二の非晶質層（１）中に
導入するが容易に行える等のネＩＪ点からグロー放電法
或いはスパッタリング法カ（好適に採用される。

Ｉ！に本発明に於いては、グロー放電法とス・（ツタ−
リング法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（
１１を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質層を厘）を形成する
には、ａ　　（８ｉｘＣ＋−ｘ）ｙＨｔ−ｙ形成用の原
料ガスを、必ｌｌ！Ｉに応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積
室に導入し、導入されたガスをグロー放電を生起させる
ことでガスプラズマ化して前記支持体上に既に形成され
である第一の非晶質層（１）上に”　　（５ｊｘＣ＊　
−ｘ）　ｙＨｔ　−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いてａ　　（５ｔｘｃ、−ｘ）　ｙＨｔ　−
ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｉ　）
、炭木原子（Ｃ１，水素原子１の中の少なくとも一つを
構成原子とするガス状の物質又はガース化し得る物質會
ガス化し丸ものの中の大概のものが使用され得る。

８ｉ、Ｃ，Ｈの中の１つとして８ｉ１構成原子とする本
科ガスを使用する場合Ｆｉ、例えば８ｉ１構成原子とす
る原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は、８１を構成原子とする原料ガスと、Ｃ及
びＨを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混
合比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料
ガスと、８ｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
スとｔ混合して使用することが出来る。

又、別Ｋｔｉ、８ｉとＨとを構成原子とする原料ガスＫ
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても喪い
。

本発明に於いて、第二の非晶質ｊｉ１ｍ　（１）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを
構成原子とする８ｉＨ４，８ｉ、Ｈ，、８す（、ｌ　８
ｉ４Ｈ，。

等の７ラン（８目ａｎｅ　）類眸Ｏ水木化硅木ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭Ｉｇ数１〜４の飽和
炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜３のアセチレン系灰化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ，）
、　　ｘタン（”ｌＨａ　）＋プＵパフ　（ＣＪ）−ｎ
−ブタｙ　（ｎ−Ｃ４）（、・）、ペンタ：’　（Ｃｍ
Ｈｕ）、エチレン系炭化水素としては、メチル７　（Ｃ
＊Ｈ４Ｌグａビレ７　（ＣａＨａ）ｅブテン１　（Ｃａ
Ｈａ）−ブテン−２（Ｃ＊Ｈ４Ｊイソブチレン（ＣａＨ
ａ）＝ペンテン（ＣｉＨｔ・）、　アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（Ｃｍ　Ｈｔ　）。

メチルアセチレン（ＣａＨａ）−ブチン（Ｃ，Ｈ・）等
が挙げられる。

ＳｌとＣとＨと＆Ｉ１１成原子とする原料ガスとし−ｃ
Ｉｔ、８１　（ＣｆＬａ）ａ、８ｋ　（ＣＩＨＩ）４　
　’ＩＯケイ化アルキルを挙げることが出来る。これ等
の原料ガスの他、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿−Ｈｌ
も有効なものとして使用される。

スパッターリング法によって第二の非晶質層（Ｉｍ）を
形成するには、革結晶又は多結晶のＳ１ウエーハー又Ｆ
ｉ　Ｃウエーノ・−又は３ｉとＣが混合されて含有され
ているウェーＩ・−をターゲットとして、これ等を種々
のガス雰囲気中でスノくツタ−リングするととによって
行えば良い。

例えば、８１ウエーノ・−をターゲットとして使用すれ
ば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、会費に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スノ（ツタ−用の堆積室中に導入し
、これ等のガスのガスプラズマを形成して＠記８４ウエ
ーノ・−をスノくツタ−リングすれば良い。

父、別ＫＦｉ、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、
又ＦｉＳｊとｃｏ混合し九一枚のターゲットを使用する
ことによって、少なくとも水素原子を含有するガス雰囲
気中でスバノターリ／グすることによって成される。

Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスが、スノ（ツタ−リングの場合
に４１有効なガ哀として使用され得る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（１）をグロー例えば
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出
来る。

本発明に於ける第二〇非晶質層（１１Ｆ１、その要求さ
れる特性が所望通抄に与えられる様に注意深く形成され
る。

即ち、Ｓｔ、Ｃ及びＨを構成原子とする物質はその作成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を数秒、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性
まで０４ＩＩＯ性質を、又光導電的性質から非光導電的
性質まで・の関の性質を、各々示すので、本発明に於い
ては、目的に応じ走所望Ｏ！ｌ！ｉ性を有するａ　　（
８”ｘＣｔ−ｘ）ｙＨ＝、が形成される様に、所望に従
って十の作成条件ＯＳ択が厳ＷｊＫ威される。

例えば、第二の非晶質層（幻を耐圧性の向上を主な目的
として設けるには、ａ−（８ｉｚＣ，−Ｘ）。

ｔｉ、ｙｉｉ使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動の一
着な非晶質材料として作成される。

父、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層（璽）が設けられる場合には
、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射さ
れる光に対しである程度の感度を有する非晶質材料とし
てａ−（８ｉｚＣｓ−ｘ）ｙＨｓ−ｙが作成される。

第一の非晶質層Ｈの表向に１−（Ｓ輸Ｃｔ−ｘ）ｙｌ（
、−ｙから成る第二の非晶質層値）を形成する際、ノー
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であって、本発明ｙｃ於いては、目
的とする特性を有するａ−（Ｓｉｘｃｌ、）ｙＨ，、が
所望通妙に作成され得るＩＮＫ層作成時の支持体温度が
厳密に制御されるのが４ましい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第二の非
晶質層（厘）【形成する際の支持体龜夏としては第二の
非１質層１）の形成法に併せて適″ａＭ４範囲が選択さ
れて、第二の非晶質層（１）の形成が実行されるが、通
常の場合、５０″Ｃ〜３５０℃、好適には１００℃〜２
５０℃とされるのが望ましいものである。第二の非晶質
層（１１の形成Ｖ′Ｃは、層を構成する原子の組成比の
歓妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易
である事轡の為に、グルー放電法やスパッターリング法
の採用が有利であるが、これ岬の層形成法で第二の非晶
質層（１１を形成する場合には、前記の支持体温度と同
様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が作成されるａ　
−（５ｉＸＣ１−ｘ）ｙＨｓ−ｙの特性を左右する重要
な因子の１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有する皇−
（ＳｊｘＣ＋−ｘ）ｙＨｓ−ｙが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては、通常、１０〜３
００Ｗ、好ＪＫは２０〜２００Ｗとされるのが望ましい
。堆積室内のガス圧は通、ｔ　ｏ、ｏｔ〜ｌ　Ｔｏｒｒ
、好適にはαｌ〜Ｇ、５　ＴｏｒｒＱ　ｄ（、！：　サ
レル１□ のが望ましい。

本発明に於いては、第二の非晶質層１）を作成する為の
支持体温度、放電パワーの孟ましい数ｍ範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ停の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所望特
性のａ−（８４ｘＣｓ−ｘ）ｙＨ＋−ｙから成る第二の
非晶質１１１（璽）が形成される様に相互的有機的関連
性に基いて、各層作成ファクターの最適値が決められる
のが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（■）に含
有される炭素原子及び水素原子の量は、第二の非晶質層
（１１０作製条件と同様、本発明の目的な達成する所望
の特性が得られる第二の非１質１ｎ（１）が形成される
重要な因子である。

本発明に於ける第二の非晶質層（１）　Ｋ含有される炭
素原子の量は通常Ｉ　Ｘｌ０−１〜９０　ａｔｏｍｉｃ
　−とさね、好擾しくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃチ、最
適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ−とされるのが望ましい
ものである。水嵩原子の含有量としてＬ１通常の場合１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは２〜３５ａｔｏ
ｍｉｃ嘔、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ−とされる
のが望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある場合に
形成される光導電部材ｄ１実際面に於いて優れたものと
して充分適用させ得るものである。

即ち、先のａ　−（８４ｘＣ，−ｘ）ｙＨ，ｙの表７３
＜で行えばＸが通常はＯＪ〜０．９９９９９、好適には
０１〜α９９、最適には０．１５〜０．９、ｙが通常α
６〜０．９９、好適にｔｌｏ、ｓｓ〜０．９８、最適に
はα７〜０．９５であるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（璽）の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の
１つである。

本発明に於ける第二の非晶質層（璽）の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に
応じて適宜所望に従って決められる。

又、第二の非晶質層（１１の層厚は、ｆｉ　＃　（１１
中に含有される炭素原子や水素原子の１、第一の非晶質
層（１）Ｏ層厚郷との関係に於いても、各々の層領域に
要求される特性に応じ九有機的な関連性の下に所望に従
って適宜決定される必要がある。蔓に加え得るに、生産
性や量産性を加味し丸紅済性の点に於いても考慮される
のが望ましいＯ 本発明に於ける第二の非晶質層（１）の層厚として１よ
、通常Ｑ、００３〜３０μ、好適には、０．００４〜２
０μ最適にＨ，ｏ、ｏｏｓ〜１０声とされるのが望まし
いものである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス−Ａｊ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、
　Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ、Ｐｄ畔の金輌
又Ｖｊこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセデー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

虹ラミック、紙婢が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面−に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

）Ｊｒ　Ｃｒ、　Ｍｏ＋　Ａｕ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ
、　Ｖ、　’ｒｉ　、　ＰＬ　Ｐｄ＋Ｉｎ、０．、８ｎ
Ｏ，、ＩＴＯ（Ｉｎ、０．＋８ｎＯ，）＠から成る薄膜
を設けることによって導電性が付与され、戚いはポリエ
ステルフィルム郷の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣ
ｒ　ｌＡ−／Ｉ　Ａｇ　ＨＰｂ　ＨＺｎ　ｌ　Ｎｌ　、
人Ｕ。

Ｃｒ、Ｍｏ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ＋　’ｒｔ、ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング郷でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子写真用傷形成部材として使用するのであれば
連続高速複写の場合には、無熾ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。支持体の厚さは、所望通妙の光導電部
材が形成される様に適宜決壷されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。

丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な実り態様
例の層構成が示される。

第２図に示される光導電部材２００が、第１図に示され
る光導電部材１００と異なるところは、電荷注入防止＃
２０３と光導電性を示す第一の非晶質層（１）　２０５
との間に上郁禰助Ｊｌｌ　２０４を有することである。

即ち、光導電部材２００ｔｉ、支持体２０１　、該支持
体２０１上に願に積層された１丁部補助層２０２、電荷
注入防止＃　２０３　、上部補助層２０４、第一の非Ｊ
＆質１１１（１）　２０５　及ＣＬ第二Ｏ非晶’Ｊ（Ｍ
　（１）　２０６とｔ具備し、第二の非晶質層（１）　
２０６は自由表面２０７を有する。

上部補助層２０４ｔｌｉ、電荷注入防止層２０３と第一
の非晶質Ｎ１（１）　２０ｓとの間の密着を強固にと、
肉層の接触界面に於ける電気的接触を均一にしていると
一時に１電荷注入防止層２０３０上に直に設けることに
よって、電荷注入防止層２０３０層質を強靭なものとし
ている。

第２図に示される光導電部材２００を構成する下部補助
層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示した光導
電部材１００を構成する補助層１０２の場合と同様の非
晶質材料を使用して、同様の特性が与えられる様に同様
な層作成手順と条件によって形成される。

電荷注入防止層２０３及び非晶質層（１）　２０５　、
非晶質層（１１２０ｇも、夫々、第１図に示す電荷注入
防止ＩＩＩ　１０３、非晶ｉ層（１１１０４、非晶質層
■１０５の夫々と同様の特性及び機能を有し第１図の場
合と同様な層作成手順と条件によって作成される。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例を図に従って
収用する。

第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の３０２〜３０６のガスボンベには、本発明の夫々
の層を形成するために使用されるガスが密封されてお抄
、七〇−例として、たとえば瀘１４　Ｈｅテ稀釈され九
８ｉＨ，ガス（純［９９Ｌ９９９−、以下８ｉＨ４／）
ｉｅと略す。）ボ／ぺ、３０３はＨｅで稀べ、３０５は
Ａｒガスボンベ、３０６はＣｌＨ４ガス（純度９９．９
９９　’ｊｌ　）ボンベである。

これらのガスを反応室３０１に流入させるにはカスボン
ベ３０２〜３０６のバルブ３２２〜３２６、リークバル
ブ３３５が閉じられていることを確認し、父、流入バル
ブ３１２〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１、補助バ
ルブ３３２が開かれていることを確認して先ずメインバ
ルブ３３４を開いて反応ｆｉ　３０１、及びガス配管内
を排気する。

次に真ｇ！計３３６の続みが約５　Ｘ　１０−＠ｔｏｒ
ｒにな９た時点で、補助バルブ３３２、ｆｉ人バルブ３
１ｚ〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１　　を閉じる
。

その後、反応室３０１内に、導、５大すべきガスのボン
ベに接続されているガス配管のバルブを所定通妙操作し
て、所望するガスを反応室３０１内に導入する。

次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部材を作成
する場合の一例の概略を述べる。

所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパッタリング
法によって形成するには、先ず、ンヤッター３４２を開
く。すべてのガス供給バルブは一旦閉じられ、反応室３
０１はメインバルブ３３４を全開することにより、排気
される。嵩圧電力が印加される電極３４１上に高純度シ
リコンウニ・・３４２−１．及び＾純度窒化シリコンウ
ニ・・３４２−２が所望のスパッター面積比率でターゲ
ットとして設置されている。

ガスボンベ３０５よりＡｒガスを、必要に応じてガスボ
ンベ３０４よ抄Ｎ、ガスを、夫々、所定のバルブを操作
して反応室３０１内に導入し、反応室３０１の内圧がα
θ５〜１Ｔｏｒｒ　となるよう、メインバルブ３３４の
開口を調整する。為圧電−３４０をＯＮとし、シリコン
ウェハ３４２−１と窒化シリコンクエバ３４２−２とを
同時にスパッタリングすることにより、シリコン原子、
窒素原子よりなる非晶質材料で一成された補助層を支持
体３３７上に形成することが出来る。補助層中に含有さ
れる窒素原子の量は、シリコンウニ・・と窪化シリコン
ウニ・・のスパッター面積比率やＮ、ガスを導入する際
には、Ｎ、ガスの流量を調整することで所望（従って制
御すｂことが出来る。又、ターゲットの作成の際にシリ
コン粉末と５１ｍＮ４粉末の混合比を変えることでも行
うことが出来る。

この際に一形成中は、支持体３３７は加熱ヒータ３３８
によって所望の温度に加熱される。

次に、前記の補助層上に電荷注入防止層を形成する。補
助層の形成終了後、電源３４０をＯＦＦにして放電を中
止し、一旦、装置のガス導入用の配管の全系のバルブを
閉じ、反応室３０１内に残存するガスを反応９３０１外
に排出して所定Ｏ＾中空度する。

その後、シャッター３４２１−１ｆｆｉじ、ガス導／べ
３０２より　８ｉＨ，／Ｈｅガスを、ガ、ｘボｙべ３０
３ｊｌＰＨ，／Ｈｅガスを、夫々バルブ３２２　、３鵡
　を夫淘開いて、出口圧ゲージ３２７．３２８ＣＩ圧を
０１１／ａｓ”に調整し、流入バルブ３１２．３１３を
徐々に開けて、マスフロコントローラ３０７．３０８内
に夫々大入させる。引き続いて流出バルブ３１）、３１
Ｂ、補助バルブ３３２を徐々に開いて夫々のガスを反応
室３０１内ＷＣＩ！を人させる。こＯとき０８ｉＨ，／
−ガス微量、Ｐ％１＠／ｌ（ｅガス流量の夫ｋ（Ｄ比が
所望の値Ｖこなるよう流出バルブ３１７　、３１８を調
整し、また、反応＊　３Ｑ１内の圧力が所望の値になる
ように＾仝計３３６の読みを見危がらメインバルブ３３
４の開口を調整する。そして支持体３３〕の温度が加熱
ヒーター３３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設
定されていることが確認され先後、電源３４０を０ＮＫ
ｌ、て所望の電力に６足し、反応室３０１内にグロー放
電を生起させて支持体３３フ上に電荷注入防止層を形成
する。電荷注入防止層上に設けられ、番、光導電性を示
す非晶質層（１１０形成は、例えばボンベ３Ｑ２内に充
填されている８ｉＨ，／Ｈｅガスを使用し、前記した電
荷注入防止層の場合と同機の手ｌｌｉによって行うこと
が出来る。

非晶質層（１１の形成の際に使用される原料ガス樵とし
ては、ＳｉＨ，ガスの弛に、殊ＫＳｉ、Ｈ，ガスが層形
成速度の向上を計る為に有効である。

第一の非晶質層（１１中に／・ロゲン原子を含有させる
場合には上記のガスに、例えば８　ｉ　Ｆ４／Ｈｅを、
−に付加して反応室３０１内に送妙込む。

上記の橡な操作によって、第一の非晶質層ｆＩｊ上に第
二の非晶質層（Ｉ）を形成するには、第一の非１質層（
１）の形成の際と同様なバルブ操作によって例えば、８
４Ｈ，ガス、　Ｃ，Ｈ４ガスの夫々を、必要に応じてＨ
ｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の流量比で反応室３０
１中ＫｆＩＬシ、所望の条件に従って、グロー放電を生
起させることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層０形成に使用したガスが反応室
３０１内、流出バルブ３１７〜３２１から反応室３０１
内に至るガス配管内に残留することを避けるために、流
出バルブ３１７〜３２１　を閉じ補助バルブ３３２を開
いてメインバルブ３３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。

第二の非晶質層（１１中に含有される炭車原子の量は例
えば、ＳｉＨ，ガスと、Ｃ，Ｈ，ガスの反応室３０１内
に導入される流量比を所望に従って任意ＶＣ変えること
によって、所望に応じて制御することが出来る。

実施例１ 第３図に示した製造装置により、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行った。

こうして得られた電子写真用僧形成部材を複写装置に設
置し、ｅ５にマでＱＪｓｅｃ間コロナ帯電を付い、光像
を照射した。光源はタングステンラングを用い、光量は
１１０１ｕｘ−、とし丸。潜像は■荷電性の現儂剤（ト
ナーとキャリヤを含む）によって現儂され、通常の紙に
転写され九が、転写−ＩＩは、極めて良好なものであう
九。転写されないで電子写真用傷形成部材上に残ったト
ナーは、ゴムブレードによってクリーニングさ７Ｌ、次
の狽写工１ｍＫ移る。このような工程を繰り返し１５万
回以上行っても、−像の劣化は見られなかった。

実施例２ 第３図に示した製造装置により、ドラム状Ｍ基板上に以
下の条件で層形成を打った。その他の条件は実施例１と
同様にして打つ友。

こうして得られた電子写真用傷形成部材を複写装置に設
置し、０５にＶでα２ＩＩ６ｅ間コロナ帝電ｔｈい、光
ＩＩ！を照射した。光源はタングステンランプを用い、
光量Ｆｉ１．Ｏｌｕｘ−ｖｗ−とし友。潜像は■荷電性
の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によって埃潅され
、通常の紙に転写され九が、転写１偉は、極めて喪好な
本のであった。転写されないで電子写真用傷形成部材上
に残ったトナーは、ゴムブレードによってクリーニング
され、次の複写工程に移る。このような工程を繰り返し
ｌＯ万回以上竹りても、１儂の劣化祉蒐られなかった。

実施例３ 第３図に示した装置により、ドラム状Ｍ基板上に以下の
条件で層形成ｋｈつだ。その他の条件は、実施例１と同
様にして行った。

こうして得られた電子写真用僧形成部材を複写装置に設
置し、θ５にマで０．２１１１Ｃ間コロナ帯電を行い、
光重を照射した。光源はタングステンランプを用い、光
量は１．Ｏｊｕｘ−ｓｅｅとした。潜像は■荷電性の現
像剤（トナーとキャリヤを含む）によって現律され、通
常の紙に転写されたが、転写−儂ｔま他めて＃度が嶌〈
良好なものであった。転写されないで電子写真用ｆ象形
成部材上に残ったトナーは、ゴムブレードによってクリ
ーニングされ、次の債写工＆ｉＫ移る。このような工程
を繰抄返し１５万回以上行っても、ｉｄｉ儂の劣化は晃
られなかつた。

実施例４ 非晶質層（１）の層の形成時、ＳｉＨ，ガスとＣ，Ｈ４
ガスの流量比を変えて、非晶實層（１）に於けるシリコ
ン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例
１と全く同様な方法によって層形成を行った。こうして
得られた感光ドラムにつき、実施例ＩＫ述べた如き方法
で転写までの工程を約５万回繰妙返し死後、−ｇＩ評価
を行つたところ、第４表の如き結果を得た。

実施例５ 非晶繊層（厘）の膚の層厚を下表の如く変える以外は、
実施例１と全く同様な方法によりて層形成ｋｈりた。ｉ
ｆｆ愉の結果は下表の如くである。

第　　５　　表 実施例６ 非晶簀層ｌ以外の層の層形成方法を下表の如く変える以
外は実施例１と同様な方法で層形成を何い、評価をした
ところ良好な結果が得られ実施例７ 非晶′ＭＬ層（厘）以外の層の形成方法を下表の如く変
える以外は実弛例１と同様な方法で層形成をｈい、評価
し九ところ良好な結果が得られた。

実施例８ 実施例１．ス　３．へ７に於いて、非晶質層（１）の形
成を以下の六の条件にした以外は、各実施例に於ける条
件及び手順に従って偉形成部材を作成し、各実施例に於
けるのと同様の評価を行ったところ、良好な結果が得ら
れた。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々、本発明の光導電部材の好適
な実施廊様例の構成を示す、模式的構成図、第３図４、
本発明の光導電部材を製造する為の装置の一例を示す模
式的説明図である。 １００、　２００・・・光導電部材 １０１、　２０１・・・支持体 １０２、　２０２．　２０４・・・補助層１０３、　２
０３・・・電荷注入防止層００ １０６　　〜 ７〜　　　　〆 ００ ２０７　　　、 ン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
   体とし、構成原子として４３　ａｔｏｍｉｃ−までの窒
   素原子を含有する非晶質材料で構成された補助層と、シ
   リコン原子を母体とし、周期律表第ｖ騰に属する原子を
   構成原子として含有する非Ｊｌ’ｊ［材料て構成され九
   電荷注入防止層と、シリコン原子を母体とする非晶質材
   料で構成され、光導電性を示す第一の非晶質層と、前記
   第一〇非晶貧層上に、シリコン原子と炭素原・子と水素
   原子とを構成原子として含む非晶質材料で構成された第
   二〇非晶質層を有する事を特倣とする光導電部材。