JPS5814536A - 化合物半導体の表面処理方法 - Google Patents
化合物半導体の表面処理方法Info
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- JPS5814536A JPS5814536A JP11248581A JP11248581A JPS5814536A JP S5814536 A JPS5814536 A JP S5814536A JP 11248581 A JP11248581 A JP 11248581A JP 11248581 A JP11248581 A JP 11248581A JP S5814536 A JPS5814536 A JP S5814536A
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- film
- treatment
- compound semiconductor
- alumina powder
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミニウム（Ａｇ、）を含むＩ−Ｖ族化合物
半導体の表面処理法に関する。
半導体の表面処理法に関する。
砒化ガリウムアルミニウム（Ｇａ １＋ 、ＡＩｌ、ｍ
Ａｓ ）で代表されるＡ２ を含む１−ｖ族化合物半導
体は、優れた光学的・電気的特性を有するため、現在、
発光ダイオード、半導体レーザ等の基本材料として広く
用いられている。しかし、これらの優れた性質の一面他
方ではＡｐ、を含むＩ−Ｖ族化合物半導体は化学的に活
性なＡＱ ｆ含むため、（１） ウェーハ表面が酸化
されやすく、デバイス特性に大きく影響する。
Ａｓ ）で代表されるＡ２ を含む１−ｖ族化合物半導
体は、優れた光学的・電気的特性を有するため、現在、
発光ダイオード、半導体レーザ等の基本材料として広く
用いられている。しかし、これらの優れた性質の一面他
方ではＡｐ、を含むＩ−Ｖ族化合物半導体は化学的に活
性なＡＱ ｆ含むため、（１） ウェーハ表面が酸化
されやすく、デバイス特性に大きく影響する。
い）弱酸２弱アルカリにも容易に反応し、ウェーハ表面
の荒れや化学的損傷がおこる。
の荒れや化学的損傷がおこる。
等の性質を有することになる。この化学的性質は含有Ａ
ｎの比率が増大するとともに強くなり、この事がＡＱ組
成比の大きいＩ−Ｖ族化合物半導体をデバイスに応用を
する上で大きな障害となる。
ｎの比率が増大するとともに強くなり、この事がＡＱ組
成比の大きいＩ−Ｖ族化合物半導体をデバイスに応用を
する上で大きな障害となる。
例えば、（１）の性質を有するためウェーハ表面に酸化
層が形成され、オーミック接触を得る事が非常に困難と
なる。従って、完全なオーミックを形成するためには表
面酸化層の除去が不可欠となる。
層が形成され、オーミック接触を得る事が非常に困難と
なる。従って、完全なオーミックを形成するためには表
面酸化層の除去が不可欠となる。
しかしながら、（２）の性質をも併せて有するため通常
の半導体プロセスで使用されているような化学的なエツ
チング処理による酸化層除去はほとんど困難となる。他
の方法として、逆スパツタ等の物理的手段でエツチング
除去する事が考えられるが、これらの方法はウェーハ内
部に損傷、ひずみを発生させ、発光出力、信頼性等に致
命的な悪影響を与える。
の半導体プロセスで使用されているような化学的なエツ
チング処理による酸化層除去はほとんど困難となる。他
の方法として、逆スパツタ等の物理的手段でエツチング
除去する事が考えられるが、これらの方法はウェーハ内
部に損傷、ひずみを発生させ、発光出力、信頼性等に致
命的な悪影響を与える。
本発明はこれらの問題点にかんがみなされたものであり
、Ａｆｉ を含むＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造にお
いてすぐれた表面処理法を提供するものである。
、Ａｆｉ を含むＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造にお
いてすぐれた表面処理法を提供するものである。
以下、本発明について実施例を参考にして詳細に述べる
。
。
ここでは、Ａｆｉ ｉ含むＩ−Ｖ族化合物半導体として
Ｇａ、−ｘＡＱｘＡＩｉ （ｘ＝ｏｍ６） 、電極材
料として金−スズ（Ａｕ／Ｓｎ） ２用いてオーミック
接触を形成する場合について記すが、本発明の表面処理
法は燐化ガリウム、アルミニウム（Ｇａ１−、Ａｎ！Ｐ
、 ） ＋アンチモン化ガリウムＪアルミニウム （Ｇａ １− ！Ａｎ工ｓｂ） 、あるいは燐化インジ
ウムアルミニウム（Ｉｎ１−ｘＡＱ！Ｐ）等の他ノＡｆ
ｉを含む厘−Ｖ族化合物半導体の場合にも同様に適用出
来る。
Ｇａ、−ｘＡＱｘＡＩｉ （ｘ＝ｏｍ６） 、電極材
料として金−スズ（Ａｕ／Ｓｎ） ２用いてオーミック
接触を形成する場合について記すが、本発明の表面処理
法は燐化ガリウム、アルミニウム（Ｇａ１−、Ａｎ！Ｐ
、 ） ＋アンチモン化ガリウムＪアルミニウム （Ｇａ １− ！Ａｎ工ｓｂ） 、あるいは燐化インジ
ウムアルミニウム（Ｉｎ１−ｘＡＱ！Ｐ）等の他ノＡｆ
ｉを含む厘−Ｖ族化合物半導体の場合にも同様に適用出
来る。
図に本発明の表面処理法を用いてオーミック接、 触を
形成する場合の工程フローチャートを示す。
形成する場合の工程フローチャートを示す。
キャリア濃度Ｉ Ｘ １０１１０１８ｔ ’のｎ形Ｇａ
０，６Ａｆｉ。、６Ａｓ １を用い、まず、アセトン、
トリクロボイルの有機洗浄を行う。次に、本発明の表面
処理を行う。まず、インプロビールアルコールを用い、
研磨剤として０．０６μのアルミナパウダーを添加し、
綿球ポリッシュする。この工程でウェーハ表面の酸化膜
層２は物理的に完全に除去され、ウェーハ表面は撥水性
となる。ここで、荒い研磨材を使用すると表面が荒面と
なるため、鏡面を保つように研磨剤の粒子の大きさを選
ばなければならない。そして、次にアルミナパウダーを
おとすために、再びパウダーを添加しない綿球だけでポ
リッシーする。ウェーハ１を次にインプロビールアルコ
ール中で十分に超音波洗浄した後、赤外乾燥する。ここ
で、インプロールアルコールを使用しているのは、該工
程中で再びウェー・・表面が酸化するのを防ぐためであ
り、他のアルコール類、メチルアルコール、エチルアル
コール等テも同様の効果が得られる。また超音波洗浄に
際して水を用Ｃても後工程の洗浄をすみかに行い再酸化
を防ぐことにより、同様の結果を得ることが出来る。
０，６Ａｆｉ。、６Ａｓ １を用い、まず、アセトン、
トリクロボイルの有機洗浄を行う。次に、本発明の表面
処理を行う。まず、インプロビールアルコールを用い、
研磨剤として０．０６μのアルミナパウダーを添加し、
綿球ポリッシュする。この工程でウェーハ表面の酸化膜
層２は物理的に完全に除去され、ウェーハ表面は撥水性
となる。ここで、荒い研磨材を使用すると表面が荒面と
なるため、鏡面を保つように研磨剤の粒子の大きさを選
ばなければならない。そして、次にアルミナパウダーを
おとすために、再びパウダーを添加しない綿球だけでポ
リッシーする。ウェーハ１を次にインプロビールアルコ
ール中で十分に超音波洗浄した後、赤外乾燥する。ここ
で、インプロールアルコールを使用しているのは、該工
程中で再びウェー・・表面が酸化するのを防ぐためであ
り、他のアルコール類、メチルアルコール、エチルアル
コール等テも同様の効果が得られる。また超音波洗浄に
際して水を用Ｃても後工程の洗浄をすみかに行い再酸化
を防ぐことにより、同様の結果を得ることが出来る。
次に、この乾燥したウェーハ上に直ちにＡｕ／Ｇｅ膜３
を蒸着し、その後４８０℃、７オ一ミングガス１氾／分
中で１０分の熱処理を行う。勿論、乾燥したウェーハを
長時間空気中に放置すると表面の再酸化が進むため、こ
の場合は再度、上記ポリッシュ工程を実施しなければな
らない。
を蒸着し、その後４８０℃、７オ一ミングガス１氾／分
中で１０分の熱処理を行う。勿論、乾燥したウェーハを
長時間空気中に放置すると表面の再酸化が進むため、こ
の場合は再度、上記ポリッシュ工程を実施しなければな
らない。
このようにして得られたＡｕ／Ｇｏ電極はＧａｏ、６Ａ
Ｑ０．６Ａ８に対して良好なオルミック性を有している
。一方、上記ポリッシュ工程を実施しないで、有機洗浄
後Ａｕ／Ｇｅを蒸着し熱処理したものは、オーミック接
触が得られない。
Ｑ０．６Ａ８に対して良好なオルミック性を有している
。一方、上記ポリッシュ工程を実施しないで、有機洗浄
後Ａｕ／Ｇｅを蒸着し熱処理したものは、オーミック接
触が得られない。
以上、本発明を電極形成の前処理を例に説明したのであ
るが、本発明は、ＣＶＤ膜などの所謂絶縁膜形成の前処
理あるいは気相エピタキシャル層、液相エピタキシャル
層などの半導体膜形成の前処理などにも広く採用するこ
とができ、いずれの場合にも膜の被着状態をすこぶる良
好なものとする効果を奏する。
るが、本発明は、ＣＶＤ膜などの所謂絶縁膜形成の前処
理あるいは気相エピタキシャル層、液相エピタキシャル
層などの半導体膜形成の前処理などにも広く採用するこ
とができ、いずれの場合にも膜の被着状態をすこぶる良
好なものとする効果を奏する。
以上説明したように本発明は、アルコールまたは・水に
研磨剤を添加しＡＱ を含むｌ−■族化合物半導体基板
の表面をポリッシュすることにより、表面に形成される
酸化膜層を物理的に除去し、再化の影響が発生しないう
ちに膜形成を行う裏面処理法であり、しかも、処理その
ものが極めて容易であるにもかかわらず効果は大きく、
工業的な価値が大である。
研磨剤を添加しＡＱ を含むｌ−■族化合物半導体基板
の表面をポリッシュすることにより、表面に形成される
酸化膜層を物理的に除去し、再化の影響が発生しないう
ちに膜形成を行う裏面処理法であり、しかも、処理その
ものが極めて容易であるにもかかわらず効果は大きく、
工業的な価値が大である。
図は本発明の実施例の工程フローチャートである。
１１１＠１１１１１＋１１ ｎ形Ｇａｏ、６Ａ２０．６
Ａｓウエーハ、２…・・・表面酸化膜層、３・・・・・
・Ａｕ／Ｇｅ膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名四＝
＝二コ Ｉ 甲＝＝＝コ
Ａｓウエーハ、２…・・・表面酸化膜層、３・・・・・
・Ａｕ／Ｇｅ膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名四＝
＝二コ Ｉ 甲＝＝＝コ
Claims (1)
- アルミニウムを含む化合物半導体基板表面をアルコール
類もしくは水に研磨材を添加した液を用いて研磨する工
程と、前記アルコール類もしくは水を用いて洗滌する工
程と、同工程に続いて前記化合物半導体基板表面に、金
属、半導体もしくは絶縁物のいずれかの膜を被着する工
程とから成ることを特徴とする ゛ ４ 化合
物半導体の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11248581A JPS5814536A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 化合物半導体の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11248581A JPS5814536A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 化合物半導体の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814536A true JPS5814536A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14587817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11248581A Pending JPS5814536A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 化合物半導体の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814536A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226889A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 膜状ダイヤモンドの気相合成法 |
| JP2009164634A (ja) * | 2001-06-08 | 2009-07-23 | Cree Inc | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP11248581A patent/JPS5814536A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226889A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 膜状ダイヤモンドの気相合成法 |
| JPH0643280B2 (ja) * | 1986-03-27 | 1994-06-08 | 東芝タンガロイ株式会社 | 膜状ダイヤモンドの気相合成法 |
| JP2009164634A (ja) * | 2001-06-08 | 2009-07-23 | Cree Inc | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 |
| JP2014042067A (ja) * | 2001-06-08 | 2014-03-06 | Cree Inc | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 |
| JP2014042068A (ja) * | 2001-06-08 | 2014-03-06 | Cree Inc | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 |
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