JPS58141587A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS58141587A JPS58141587A JP2501682A JP2501682A JPS58141587A JP S58141587 A JPS58141587 A JP S58141587A JP 2501682 A JP2501682 A JP 2501682A JP 2501682 A JP2501682 A JP 2501682A JP S58141587 A JPS58141587 A JP S58141587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- layer
- mode
- semiconductor laser
- end surfaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、埋め込み構造型の半導体レーザ装置の改良に
係わり、特に細モード多モード化をはかった半導体レー
ザ装置に関する。
係わり、特に細モード多モード化をはかった半導体レー
ザ装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点１
近年、ビデオディスク用或いはディジタル・オーディオ
ディスク用の光源として半１体レーザ装置が用いられて
いるが、この神の用途に用いられる半導体レーザ装置に
あって幻、出射ビームを直径１〔μｍｍ変度微小スポッ
トに効率良く収束するために、横モードが最低次に制御
きれていること、ビームの放射角が等方的であることお
よび非点収差のないことが望まれる。ヤして、このよう
々要望を満たすものとしてＡ用１め込み禍造成いｔ」各
ａｌ基機加工型のイ′１ね伺は唐汲′機構を肩する横モ
ード制御半嗜（＋１１７−ヤ゛３（８）１が開発される
に至っている。
ディスク用の光源として半１体レーザ装置が用いられて
いるが、この神の用途に用いられる半導体レーザ装置に
あって幻、出射ビームを直径１〔μｍｍ変度微小スポッ
トに効率良く収束するために、横モードが最低次に制御
きれていること、ビームの放射角が等方的であることお
よび非点収差のないことが望まれる。ヤして、このよう
々要望を満たすものとしてＡ用１め込み禍造成いｔ」各
ａｌ基機加工型のイ′１ね伺は唐汲′機構を肩する横モ
ード制御半嗜（＋１１７−ヤ゛３（８）１が開発される
に至っている。
作如付は導妓機桐を有する半導体レーザ装置逼では、横
モードが基本モードに安定に制御さＪするのみならず、
一般に細、モードも単一モードで発振する。そして、こ
のようなコヒーレンシーの良い半導体レーザ装置を上記
用途に用いた誉１合、ディスク面からの反射による戻り
光が半導体レーザ装置の内部で干渉し、ノイズの発４＋
ｖ招くことが知られている。そこで、上記ノイズの発
生を防止するために縦司−ドを多モード化することが試
みられているが、この縦モードの多モード化はレーザビ
ームを微小スポットに収束させるだめの横モード制御と
は相入れず、半導体レーザ“装置を各神ディスク用光源
として用いる十での太きガ問題となっている。
モードが基本モードに安定に制御さＪするのみならず、
一般に細、モードも単一モードで発振する。そして、こ
のようなコヒーレンシーの良い半導体レーザ装置を上記
用途に用いた誉１合、ディスク面からの反射による戻り
光が半導体レーザ装置の内部で干渉し、ノイズの発４＋
ｖ招くことが知られている。そこで、上記ノイズの発
生を防止するために縦司−ドを多モード化することが試
みられているが、この縦モードの多モード化はレーザビ
ームを微小スポットに収束させるだめの横モード制御と
は相入れず、半導体レーザ“装置を各神ディスク用光源
として用いる十での太きガ問題となっている。
壕だ、最：ｉＩ［では光、）−イスクへの１き込みを目
的とする大出力半渦体し−ザ装簡の開発も進められてい
る。このＪ、うな装肪では、２０１、ｍＷ）以上もの光
出力が散水されるので光による端面の劣化を防ぐ必をか
あるが、この端面劣化を防止するものとして活トド領域
の端面を活性層よシも県制帝暢の広い結晶層で硬め込ん
だ、所請端面埋め込み格造鮎の半導体レーザ装置がある
。この方式は活性領域が空気と接触しておらず、さらに
共振器端面がレーザ光に対して透明であるため、共振器
端面における劣化が起シ離いと云う％長を廟し、大出力
半漕体し−ｆ装餉′の構造として稜めて伐れていイ１゜
Ｌ７かしながら、この種の半導体レーザ装置にあっても
、戻り光によるノイズの発生を防止するため、前述した
細モードの多モード化を実現することが共通のｉｉ！題
となっている。
的とする大出力半渦体し−ザ装簡の開発も進められてい
る。このＪ、うな装肪では、２０１、ｍＷ）以上もの光
出力が散水されるので光による端面の劣化を防ぐ必をか
あるが、この端面劣化を防止するものとして活トド領域
の端面を活性層よシも県制帝暢の広い結晶層で硬め込ん
だ、所請端面埋め込み格造鮎の半導体レーザ装置がある
。この方式は活性領域が空気と接触しておらず、さらに
共振器端面がレーザ光に対して透明であるため、共振器
端面における劣化が起シ離いと云う％長を廟し、大出力
半漕体し−ｆ装餉′の構造として稜めて伐れていイ１゜
Ｌ７かしながら、この種の半導体レーザ装置にあっても
、戻り光によるノイズの発生を防止するため、前述した
細モードの多モード化を実現することが共通のｉｉ！題
となっている。
本発明の目的は、横モードを基本モードに安定に制御す
ることができ、かつ範モードの多モード化をはかり得て
、例えは光デイスク用光源として用いるに有用な半導体
レーザ装橘會提イ１（することにある。
ることができ、かつ範モードの多モード化をはかり得て
、例えは光デイスク用光源として用いるに有用な半導体
レーザ装橘會提イ１（することにある。
一般に、半導体レーザ装機においては、レーザ共振器端
面の反射率を低下させると、和モードが多モードとなる
ことが知られている。したがって、ストライプ状の活性
領域を有する端面埋め込み構造型の半導体レーザ装置に
おいて、共振器端面の反射率全低下させることにより、
横モードは基本モードに保持したままで細モードのみを
多モード化できると推測される。本発明者等はこの点を
考慮し鋭意研究全ＭＬねた結果、埋め込まれた活性領域
の端１ｆｉＩを水平面と垂直ではなく、垂直よシＦ９ｉ
定角度傾けることによって、細モードを多モード化でき
ることを見出した。
面の反射率を低下させると、和モードが多モードとなる
ことが知られている。したがって、ストライプ状の活性
領域を有する端面埋め込み構造型の半導体レーザ装置に
おいて、共振器端面の反射率全低下させることにより、
横モードは基本モードに保持したままで細モードのみを
多モード化できると推測される。本発明者等はこの点を
考慮し鋭意研究全ＭＬねた結果、埋め込まれた活性領域
の端１ｆｉＩを水平面と垂直ではなく、垂直よシＦ９ｉ
定角度傾けることによって、細モードを多モード化でき
ることを見出した。
すなわち、活性領域の端面を傾けることによって、活性
領域を含む埋め込まれた領域と埋め込んだ領域とでの丈
効的屈折率の差によシ、共振器端面からの反射光の光１
１ｉは活性領域での光軸に対して入射位置および入射角
度共にずれを生じる。このずれにより、共振器端面から
の反射光と活性領域での発振モードとの結合効率が低下
し、レーザ共振器端面における見かけ上の反射率は縦モ
ードが多モード化するに十分々程低下するためである。
領域を含む埋め込まれた領域と埋め込んだ領域とでの丈
効的屈折率の差によシ、共振器端面からの反射光の光１
１ｉは活性領域での光軸に対して入射位置および入射角
度共にずれを生じる。このずれにより、共振器端面から
の反射光と活性領域での発振モードとの結合効率が低下
し、レーザ共振器端面における見かけ上の反射率は縦モ
ードが多モード化するに十分々程低下するためである。
このとき、横モードは活性領域での光塙波路層によって
決定されるので、前述したストライプ状の活性領域會有
するものであれは、横モードが安定した基本モードとな
るのは勿論である。
決定されるので、前述したストライプ状の活性領域會有
するものであれは、横モードが安定した基本モードとな
るのは勿論である。
なお、本発明者等の実験によれは、活性領域の端面の前
記垂直からの傾き角度θが１０°以下であると反射率の
低下が不十分となり、上記角５一 度θが６０°以上であると反射率の低下が著しく犬きく
なシ光出力の大幅な低下を招き好ましくなかった。また
、上記した程度（１ｏ°〜６０・）の傾き角度は、結晶
の面方位全利用した異方性エツチング、或いけりアクテ
ィブ・イオン・エツチング等の異方性エツチングによっ
て容易に実現可ｉＥであった。
記垂直からの傾き角度θが１０°以下であると反射率の
低下が不十分となり、上記角５一 度θが６０°以上であると反射率の低下が著しく犬きく
なシ光出力の大幅な低下を招き好ましくなかった。また
、上記した程度（１ｏ°〜６０・）の傾き角度は、結晶
の面方位全利用した異方性エツチング、或いけりアクテ
ィブ・イオン・エツチング等の異方性エツチングによっ
て容易に実現可ｉＥであった。
本発明はこのような点に漸目し、活性層およびクラッド
層からなるストライプ状のヘテしＩ ｉ合襖造部の側面
および端面が、上訛活恰層より糸制帝幅の広い結晶層で
埋め込まれた埋め込み構造型の半導体レーザ装置におい
て、上１１１−＼ゾロ接合構造部端面を上記活性層面の
長辺方向と垂直な面に対し傾けて設けるようにしたもの
である。
層からなるストライプ状のヘテしＩ ｉ合襖造部の側面
および端面が、上訛活恰層より糸制帝幅の広い結晶層で
埋め込まれた埋め込み構造型の半導体レーザ装置におい
て、上１１１−＼ゾロ接合構造部端面を上記活性層面の
長辺方向と垂直な面に対し傾けて設けるようにしたもの
である。
〔発明の効果〕
本発明によれは、横モードを安定に基本モードに制御し
た状態で、紹モードのみを多モード化することができる
。したかって、光デイスク用光源として使用した場合、
ディスク面からの６一 戻り光の干渉によるノイズ発生を防止することかでき、
その効！４！、、 ｒ、ｉ １太なものである。また、
これによって半綱体し−ザ装脳の光デ′イスク装信への
沼載火用化が可能となシ、光デ゛イスク装散の小型化お
Ｉひ高性能化に寄与することができる。
た状態で、紹モードのみを多モード化することができる
。したかって、光デイスク用光源として使用した場合、
ディスク面からの６一 戻り光の干渉によるノイズ発生を防止することかでき、
その効！４！、、 ｒ、ｉ １太なものである。また、
これによって半綱体し−ザ装脳の光デ′イスク装信への
沼載火用化が可能となシ、光デ゛イスク装散の小型化お
Ｉひ高性能化に寄与することができる。
〔発明の実施例１
第１図り本発明σ）一実施例に係わる半渦体し−ザ装す
の概略＋νＩＩ２を７エ、す渣１祝図、第２図は第１図
の矢視Ａ−Ａ断面を示す図である。図中１はＮ −Ｇａ
Ａａ差少（半祷体基枦）であり、この基板１上にはＮ
−ＧａＡｔＡａ Ｉｎ （クラッドｌ＠）２、Ｐ−Ｇａ
Ａａ １ｍ （活性〜）３およびＰ −ＧａＡｔＡａ
層（クラッドＭ）４からなるダブルへテロ俤、合構造部
がメサストライプ状に形成されている。この夕゛プルへ
テロ接合構造部４二、つま９クラッド層４上Ｉｃ Ｉｄ
Ｐ −ＧａＡａ〜（オーミックコンタクト層）５が形
成されている。そし１ζメブルヘテロ接合捲造部および
オーミックコンタクト層５の側面および端面は、ＧａＡ
Ｊ！Ａ ｓ ）ｍ（烏抵抗層）６で埋め込壕れている。
の概略＋νＩＩ２を７エ、す渣１祝図、第２図は第１図
の矢視Ａ−Ａ断面を示す図である。図中１はＮ −Ｇａ
Ａａ差少（半祷体基枦）であり、この基板１上にはＮ
−ＧａＡｔＡａ Ｉｎ （クラッドｌ＠）２、Ｐ−Ｇａ
Ａａ １ｍ （活性〜）３およびＰ −ＧａＡｔＡａ
層（クラッドＭ）４からなるダブルへテロ俤、合構造部
がメサストライプ状に形成されている。この夕゛プルへ
テロ接合構造部４二、つま９クラッド層４上Ｉｃ Ｉｄ
Ｐ −ＧａＡａ〜（オーミックコンタクト層）５が形
成されている。そし１ζメブルヘテロ接合捲造部および
オーミックコンタクト層５の側面および端面は、ＧａＡ
Ｊ！Ａ ｓ ）ｍ（烏抵抗層）６で埋め込壕れている。
ここで、ダブルへテロ格１合十拘肯音ＩＳお工ひオーミ
ックコンタクト層５の端「０は、水平面に文］し画伯で
はなくθ′−５４°卸０て凶けられている。すなわち、
ダブルへテロ帖合栖造部の端面は活性層３の長辺方向と
垂１白な曲に対Ｅ７θ＝３６°傾けて形成されている。
ックコンタクト層５の端「０は、水平面に文］し画伯で
はなくθ′−５４°卸０て凶けられている。すなわち、
ダブルへテロ帖合栖造部の端面は活性層３の長辺方向と
垂１白な曲に対Ｅ７θ＝３６°傾けて形成されている。
また、活性層３の端面から筒抵抗層６の端１１ｉ＋まで
の田圃ｉ Ｌ ＩｒｅＬ−２０〜３０［１μｍ〕の岬１
囲に設定さねている３、なお、図中７，８はそれぞれ′
屯％Ｙ’ｔボしている３゜この工うな輻−成であれけ、
活１ヒ４１曽３の端面ズハら放出された光は、前記第２
図に１点釦糾マ゛小す如く活ｔｌ曽３と商抵抗層６との
火〃ノ的加仙率の差によシ下方向に曲けられ共振器端面
でｌ■身］される。このため、共振器端「０からのル、
射光の光軸は、活性層３での光軸に対して入射位ｔＭ１
および入射角度共にずれ全生じ、このずれにより共振器
端面からの反射光との結合効率が低下［−、レーザ共振
器端面の見かけ上の反を１率が低下する。したかって、
細モードの多モード化をはかることができる。
の田圃ｉ Ｌ ＩｒｅＬ−２０〜３０［１μｍ〕の岬１
囲に設定さねている３、なお、図中７，８はそれぞれ′
屯％Ｙ’ｔボしている３゜この工うな輻−成であれけ、
活１ヒ４１曽３の端面ズハら放出された光は、前記第２
図に１点釦糾マ゛小す如く活ｔｌ曽３と商抵抗層６との
火〃ノ的加仙率の差によシ下方向に曲けられ共振器端面
でｌ■身］される。このため、共振器端「０からのル、
射光の光軸は、活性層３での光軸に対して入射位ｔＭ１
および入射角度共にずれ全生じ、このずれにより共振器
端面からの反射光との結合効率が低下［−、レーザ共振
器端面の見かけ上の反を１率が低下する。したかって、
細モードの多モード化をはかることができる。
次に、上述した実施個装ｆｆｆｉの製造方法を説明する
。第３１！２１ （ａ）〜（ｃ）は同装置の製造工札奢
示す斜視図である。゛まず、第３図（ａ）に示す如＜（
ｉｏｏ）色）會主向とするＮ−ＧａＡｓ基板１上に液相
エピタキシャル法を用いＮ −ＧａＯ，６Ａｔｏ、４
Ａｓ Ｍ ２、ｉ） −ＧａＡｓ 層３、Ｐ Ｇａ０．
６ Ａｔｏ、４ Ａｓ Ｎ４およびＰ−ＧａＡｓＩ曽５
を順次成長形成し、続いてＰ −ＧａＡａ層５上に選択
結晶にν１長マスクとしての５ｉ３Ｎ４１ｆｆ？をスト
ライプ状に形成する。次いで、ＣＨ６０１１：Ｈ６ＰＯ
４：ｌ１２０２（体積比３：Ｉ：１）のエツチング液を
用い、第３図（ｂ）に示゛す如く上記Ｓ ｉ 、Ｎ４膜
９をマスクとして基板１に至る深さまで選択エツチング
する。
。第３１！２１ （ａ）〜（ｃ）は同装置の製造工札奢
示す斜視図である。゛まず、第３図（ａ）に示す如＜（
ｉｏｏ）色）會主向とするＮ−ＧａＡｓ基板１上に液相
エピタキシャル法を用いＮ −ＧａＯ，６Ａｔｏ、４
Ａｓ Ｍ ２、ｉ） −ＧａＡｓ 層３、Ｐ Ｇａ０．
６ Ａｔｏ、４ Ａｓ Ｎ４およびＰ−ＧａＡｓＩ曽５
を順次成長形成し、続いてＰ −ＧａＡａ層５上に選択
結晶にν１長マスクとしての５ｉ３Ｎ４１ｆｆ？をスト
ライプ状に形成する。次いで、ＣＨ６０１１：Ｈ６ＰＯ
４：ｌ１２０２（体積比３：Ｉ：１）のエツチング液を
用い、第３図（ｂ）に示゛す如く上記Ｓ ｉ 、Ｎ４膜
９をマスクとして基板１に至る深さまで選択エツチング
する。
このエツチングにより、ヘテロ接合構造部端面にはエツ
チング速度の遅い（１１１）面が現われる。
チング速度の遅い（１１１）面が現われる。
コノ（１１１）面は基＆ １ ノ（１００） ｉｉｌに
対し５４°の角度會々す。次いで、第３図（ｅ）に示す
如（Ｇａｏ、６Ａｔ０．４Ａｓ層６（埋め込み増）を成
長形成する、。
対し５４°の角度會々す。次いで、第３図（ｅ）に示す
如（Ｇａｏ、６Ａｔ０．４Ａｓ層６（埋め込み増）を成
長形成する、。
その後、前Ｂ「： ｓｔ ３Ｎ４膜９を除去したのち、
電極７．８會被着することによって、前記第１図に示ず
端ｉ′ｌＩｌ狸め込み栴造型の半導体レーザ装面が形＝
９− 成されると２幹なる３゜ なお、本発明け、上述した一実施例ｆ（μｍ（定される
ものではない４、例えは、前Ｈ１；半滴体λ本’、 ）
：１． Ｎ 、：（１１に限らずＰ型でもよい１．さら
（／７ＧａＡｓ基枦のイ〜Ｆ）にＩｎＰ基板會用いたＩ
ｎ Ｐ −Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ 、；１’レー４’ ４
Ｊ屓に適用することも可能である。′＋ｆ（、％ ｉ）
！Ｉ Ｎ： ”＼テロ話合構造Ｎ（の傾き角度θや油１
・ｉ１層☆１に１面かＣ１共振器端面までの距割■７等
のイ１７１は、仕様ＶＬ’ ｌ、ｉ、１゜て適宜定めれ
し１よい。さらり（−１光７′イスクμ、 ｊｊｌｉの
光源用としての他に、各種装置′の光源用１と１゜て用
いることが可能である。鮒する（に本番１明Ｖ１１、そ
の要旨を逸脱しないＷ［〕、囲で、棟々％・Ｊトシて実
施することができる。。
電極７．８會被着することによって、前記第１図に示ず
端ｉ′ｌＩｌ狸め込み栴造型の半導体レーザ装面が形＝
９− 成されると２幹なる３゜ なお、本発明け、上述した一実施例ｆ（μｍ（定される
ものではない４、例えは、前Ｈ１；半滴体λ本’、 ）
：１． Ｎ 、：（１１に限らずＰ型でもよい１．さら
（／７ＧａＡｓ基枦のイ〜Ｆ）にＩｎＰ基板會用いたＩ
ｎ Ｐ −Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ 、；１’レー４’ ４
Ｊ屓に適用することも可能である。′＋ｆ（、％ ｉ）
！Ｉ Ｎ： ”＼テロ話合構造Ｎ（の傾き角度θや油１
・ｉ１層☆１に１面かＣ１共振器端面までの距割■７等
のイ１７１は、仕様ＶＬ’ ｌ、ｉ、１゜て適宜定めれ
し１よい。さらり（−１光７′イスクμ、 ｊｊｌｉの
光源用としての他に、各種装置′の光源用１と１゜て用
いることが可能である。鮒する（に本番１明Ｖ１１、そ
の要旨を逸脱しないＷ［〕、囲で、棟々％・Ｊトシて実
施することができる。。
４図面の簡単な’ａｓ？、明
第１図は本発明の一実施例に係わる端面坤Ｍ・込み朽造
型半梼体し−ザ装置トの概略柘清全／Ｆず８エ視図、第
２図は第１図の矢視Ａ−Ａ吟１面図第３図（ａ）〜（Ｃ
＞は上記実施例装置１９の製Ｒ７工桿牙７１’＜す糸１
初１図である７、 １− Ｎ −ＧａＡｓ 、７＋１．板（半摺体希轡）、
２ ・Ｎ −−，１ｆ、Ｉ − Ｇａ（１，６Ａ７．ｒｌ、４Ａ８ ｔｉｌｌ （クラッ
ド層）、３− Ｐ−ＧａＡｓ層（活ｆ！＋：層）、４
”・Ｎ−Ｇａ （３，６Ａｔｏ、４Ａｓ層（クラッドＲ
６）、５・・・Ｐ −ＧａＡｓ層（オーミックコンタク
ト層）、６− Ｇａ０．６Ａ１０．４Ａｓ 層（高抵抗
埋め込み層）、７，８・・・％、 ＠□＝、９・・・Ｓ
ｉ３Ｎ４膜（マスク）。
型半梼体し−ザ装置トの概略柘清全／Ｆず８エ視図、第
２図は第１図の矢視Ａ−Ａ吟１面図第３図（ａ）〜（Ｃ
＞は上記実施例装置１９の製Ｒ７工桿牙７１’＜す糸１
初１図である７、 １− Ｎ −ＧａＡｓ 、７＋１．板（半摺体希轡）、
２ ・Ｎ −−，１ｆ、Ｉ − Ｇａ（１，６Ａ７．ｒｌ、４Ａ８ ｔｉｌｌ （クラッ
ド層）、３− Ｐ−ＧａＡｓ層（活ｆ！＋：層）、４
”・Ｎ−Ｇａ （３，６Ａｔｏ、４Ａｓ層（クラッドＲ
６）、５・・・Ｐ −ＧａＡｓ層（オーミックコンタク
ト層）、６− Ｇａ０．６Ａ１０．４Ａｓ 層（高抵抗
埋め込み層）、７，８・・・％、 ＠□＝、９・・・Ｓ
ｉ３Ｎ４膜（マスク）。
出願入代［１人 弁理士 鈴 江 武 彦−］ｌ−
Claims (2)
- （１）活性層およびクラッド層からなるストライプ状の
へ、テロ接合構造部の側面および端面が、上記活性層よ
シ県制帯幅の広い結晶層で埋め込まれた埋め込み構造型
の半導体レープ装置において、前記へテロ接合構造部端
面を前記活性層面の長辺方向と垂直な面に対し傾けて設
けたこと全特徴とする半導体レーザ装置。 - （２） 前記へテロ接合構造部端面の傾き角を１０ｃ
〜６０″の範囲に設定したこと全特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2501682A JPS58141587A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2501682A JPS58141587A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141587A true JPS58141587A (ja) | 1983-08-22 |
| JPS6351556B2 JPS6351556B2 (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=12154110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2501682A Granted JPS58141587A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141587A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3728566A1 (de) * | 1987-08-27 | 1989-03-09 | Telefunken Electronic Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
| EP0482455A2 (de) * | 1990-10-25 | 1992-04-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Bauelement mit integriertem Wellenleiter mit entspiegelten Endflächen |
| EP0845841A2 (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US20180166860A1 (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Quantum cascade laser |
| US20180166858A1 (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096189A (ja) * | 1973-12-24 | 1975-07-31 |
-
1982
- 1982-02-18 JP JP2501682A patent/JPS58141587A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096189A (ja) * | 1973-12-24 | 1975-07-31 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3728566A1 (de) * | 1987-08-27 | 1989-03-09 | Telefunken Electronic Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
| EP0482455A2 (de) * | 1990-10-25 | 1992-04-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Bauelement mit integriertem Wellenleiter mit entspiegelten Endflächen |
| EP0845841A2 (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| EP0845841A3 (en) * | 1996-11-29 | 1999-02-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5953358A (en) * | 1996-11-29 | 1999-09-14 | The Furukawa Electric Co. Ltd. | Semiconductor laser device |
| US20180166860A1 (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Quantum cascade laser |
| US20180166858A1 (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
| US10312667B2 (en) * | 2016-12-08 | 2019-06-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351556B2 (ja) | 1988-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59144193A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS58141587A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US5396511A (en) | Semiconductor laser apparatus with curved waveguide | |
| US4791651A (en) | Semiconductor laser array device | |
| US4914669A (en) | Semiconductor laser array apparatus | |
| JP2532449B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS63258090A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2846668B2 (ja) | ブロードエリアレーザ | |
| JP2672710B2 (ja) | 光増幅器および光集積回路 | |
| JPS61236189A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS63200591A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS6257275A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH0661583A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6362292A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JP3075512B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH10173289A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63142879A (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 | |
| JPS61220392A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS61263185A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH05206567A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH041516B2 (ja) | ||
| JPH01140787A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH01251773A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0821749B2 (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPH02178987A (ja) | 半導体レーザ素子 |