JPS58141026A - 検出回路 - Google Patents
検出回路Info
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- JPS58141026A JPS58141026A JP2321282A JP2321282A JPS58141026A JP S58141026 A JPS58141026 A JP S58141026A JP 2321282 A JP2321282 A JP 2321282A JP 2321282 A JP2321282 A JP 2321282A JP S58141026 A JPS58141026 A JP S58141026A
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- JP
- Japan
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- transistor
- circuit
- temperature
- base
- voltage
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、入力信号を基準レベルと比較して検出する検
出回路に関し、特に半導体集積回路における特定の素子
の動作温度を検出する検出回路に関するものである０ この種の検出回路は、例えは大電流が続え祷る素子に対
して設けられ、この素子が発生する熱を検出して所定温
度以上に達しないようにその流れる電流を制御する回路
に用いられる。
出回路に関し、特に半導体集積回路における特定の素子
の動作温度を検出する検出回路に関するものである０ この種の検出回路は、例えは大電流が続え祷る素子に対
して設けられ、この素子が発生する熱を検出して所定温
度以上に達しないようにその流れる電流を制御する回路
に用いられる。
検出回路の一例として第１図に示す構成がある。
すなわち、動作温度を検出すべき素子の近傍に温度セン
サ部２００が設けられ、この出力は比較回路３００へ入
力される。比較回路３００は二つのトランジスタ５．７
を有し、これらのエミッタは共通接続される。この接続
点と電源ライン１０１との間に定電流源６が接続されて
いる。トランジスタ５のコレクタは、カレントミラー回
路を構成するダイオード１１のアノード側に接続され、
このカソードは第２のｔ源２イン１０２へ法統される。
サ部２００が設けられ、この出力は比較回路３００へ入
力される。比較回路３００は二つのトランジスタ５．７
を有し、これらのエミッタは共通接続される。この接続
点と電源ライン１０１との間に定電流源６が接続されて
いる。トランジスタ５のコレクタは、カレントミラー回
路を構成するダイオード１１のアノード側に接続され、
このカソードは第２のｔ源２イン１０２へ法統される。
ダイオード１１のアノード、カソードはさらにトランジ
スタ１２のベース、エミッタに接続され、そのコレクタ
はトランジスタ７のコレクタと共通接続され、さらにこ
の接続点から出力端子１３が取り出される。トランジス
タ５のベースは定電流源４を介して第２の電圧源１０２
に接続する０トランジスタ７のベースは、グランド１０
０と第２の電圧源１０２との間に直列襞＠ちれたダイオ
−ド９および定電流源１０の接続点に接続される。
スタ１２のベース、エミッタに接続され、そのコレクタ
はトランジスタ７のコレクタと共通接続され、さらにこ
の接続点から出力端子１３が取り出される。トランジス
タ５のベースは定電流源４を介して第２の電圧源１０２
に接続する０トランジスタ７のベースは、グランド１０
０と第２の電圧源１０２との間に直列襞＠ちれたダイオ
−ド９および定電流源１０の接続点に接続される。
これらは基準電圧をつくる。
温度センサ回路２００はトランジスタｌを有し、さらに
このニオツタおよびベース間に接続された抵抗３とベー
ス・コレクタ間に接続された抵Ｐ２とを有する。トラン
ジスタ１のコレクタはグランド１００に接続されている
。この温度センサ部２００は熱源となる素子部の近傍に
配置され、そして配線により比較回路３００は遠ざけら
れている。尚、１０１．１０２はそれぞれ正、負の電源
である。
このニオツタおよびベース間に接続された抵抗３とベー
ス・コレクタ間に接続された抵Ｐ２とを有する。トラン
ジスタ１のコレクタはグランド１００に接続されている
。この温度センサ部２００は熱源となる素子部の近傍に
配置され、そして配線により比較回路３００は遠ざけら
れている。尚、１０１．１０２はそれぞれ正、負の電源
である。
今、熱源となる素子の発熱によ多動作温度が上昇すると
、トランジスタｌのベース・工ｔｙタ間が電圧ＶＢＥは
負の温度係数をもっているのでこの電圧ＶＢＥｌが減少
し、トランジスタ５のベース電圧が小さくなっていく。
、トランジスタｌのベース・工ｔｙタ間が電圧ＶＢＥは
負の温度係数をもっているのでこの電圧ＶＢＥｌが減少
し、トランジスタ５のベース電圧が小さくなっていく。
このペース電圧がトランジスタ７のペース電圧よルも小
さくなると、トランジスタ７が導出し、出力端子１３に
はは１０１を源の電圧が得られる。この電圧出力によフ
、例えば熱源素子への電流供給ｔ−ｍ断するなどの制御
が行なえる。
さくなると、トランジスタ７が導出し、出力端子１３に
はは１０１を源の電圧が得られる。この電圧出力によフ
、例えば熱源素子への電流供給ｔ−ｍ断するなどの制御
が行なえる。
しかしながら、この構成の温度センサ回路では比較回路
３００の動作レベルは次式のようになる。
３００の動作レベルは次式のようになる。
ここでＲ，、Ｒ３は抵抗２．３のそれぞれの抵抗値、Ｖ
ＩＩＫＩはトランジスタ１０ペース・エミッタ間電圧、
ＶＢｍｓはダイオード９０カソード・７ノ一ド間電圧、
ａはトランジスタ１のベース・エミッタ間電圧の温度係
数（通常−２ｍｖ／’Ｏ）、そしてｔは外気温度（２７
℃）と熱源素子における温度との温度差である？ 今、ＶＢｚｔ トＶｎＩＨｘ ７５＝等しいと仮定し、
１ａｌ＝２”■／”Ｏ−（ｋ４ｑ ＋Ｒｓ ）／Ｒａ
＞ Ｏを（１）式に代入すると、５００℃〈ｔ
・・・・・・（２）となり、上記の動
作温度レベルでは、保護回路として使用する場合システ
ム全体への影ｗ’を及ばず可能性があるため汎用性に欠
ける。さらに、第１図に示した比較回路３００の構成で
は、比較回路３００の動作レベル付近で熱源の温度が変
化すると、その変化の都度出力端子１３の電圧が継続的
に変化する。このため、第１図の検出回路を用いてモー
ター制御回路における保護回路を構成すると、すなわち
、温度センサ一部２００を熱源であるモーターへ電流を
供給するパワートランジスタに対して設け、このパワー
トランジスタが異常な発熱をした時に温度センサ一部２
００がその温度を検出して比較回路３００ｔ−駆動し、
比較回路３００の出力端子１３からの出力により強制的
にモーターへの電流供給を停止させる検層回路に応用す
ると、パワートランジスタの異常発熱を温度センサ一部
、２００がその温駅変化を電圧変化してコンパレーター
３００へ伝達し、この出力によシモーターへの駆動電流
を強制停に釣上するが、この停止によシパワートランジ
スタの温度が下がると、その変化を前記温度センサ部２
００が電圧変化としてコンパレーター回路３００に伝達
し、この出力によりモーターへの駆動電流が再び供給さ
れることになル、熱源４００への駆動電流が供給、停止
を断続的に行うことになる。
ＩＩＫＩはトランジスタ１０ペース・エミッタ間電圧、
ＶＢｍｓはダイオード９０カソード・７ノ一ド間電圧、
ａはトランジスタ１のベース・エミッタ間電圧の温度係
数（通常−２ｍｖ／’Ｏ）、そしてｔは外気温度（２７
℃）と熱源素子における温度との温度差である？ 今、ＶＢｚｔ トＶｎＩＨｘ ７５＝等しいと仮定し、
１ａｌ＝２”■／”Ｏ−（ｋ４ｑ ＋Ｒｓ ）／Ｒａ
＞ Ｏを（１）式に代入すると、５００℃〈ｔ
・・・・・・（２）となり、上記の動
作温度レベルでは、保護回路として使用する場合システ
ム全体への影ｗ’を及ばず可能性があるため汎用性に欠
ける。さらに、第１図に示した比較回路３００の構成で
は、比較回路３００の動作レベル付近で熱源の温度が変
化すると、その変化の都度出力端子１３の電圧が継続的
に変化する。このため、第１図の検出回路を用いてモー
ター制御回路における保護回路を構成すると、すなわち
、温度センサ一部２００を熱源であるモーターへ電流を
供給するパワートランジスタに対して設け、このパワー
トランジスタが異常な発熱をした時に温度センサ一部２
００がその温度を検出して比較回路３００ｔ−駆動し、
比較回路３００の出力端子１３からの出力により強制的
にモーターへの電流供給を停止させる検層回路に応用す
ると、パワートランジスタの異常発熱を温度センサ一部
、２００がその温駅変化を電圧変化してコンパレーター
３００へ伝達し、この出力によシモーターへの駆動電流
を強制停に釣上するが、この停止によシパワートランジ
スタの温度が下がると、その変化を前記温度センサ部２
００が電圧変化としてコンパレーター回路３００に伝達
し、この出力によりモーターへの駆動電流が再び供給さ
れることになル、熱源４００への駆動電流が供給、停止
を断続的に行うことになる。
本発明の目的は、動作レベル付近の温度変化に応答した
出力変化を発生することのない検出回路を提供すること
にある。
出力変化を発生することのない検出回路を提供すること
にある。
本発明の他の目的は、実用的な動作レベルを容易に設定
し得る検出回路を提供することにある。
し得る検出回路を提供することにある。
本発明による検出回路は、入力信号レベルを比較するた
めの基準レベルを出力に応じて変化することを特徴とす
るもので、以下、本発明の実施例を図面によ〕詳細に説
明する。
めの基準レベルを出力に応じて変化することを特徴とす
るもので、以下、本発明の実施例を図面によ〕詳細に説
明する。
第２図は本発明の一実施例を示す回路図で、第１図と同
一のものは同一番号で示しである。第２図における温度
センサ一部２００は第１図の構成と同じであるが、比較
回路３００への出力の取シ出し点が異なり、抵抗２．３
の接続点がトランジスタ５のベースへ接続されている。
一のものは同一番号で示しである。第２図における温度
センサ一部２００は第１図の構成と同じであるが、比較
回路３００への出力の取シ出し点が異なり、抵抗２．３
の接続点がトランジスタ５のベースへ接続されている。
また、比較回路３００には、抵抗２と並列接続される二
つの直列接続ダイオード２１．２２が設けである。今、
定電流４を２００μＡ、定電流６を４０μＡ、ト２ンジ
ｘ／ １０ｂｙｌ ｔ １００ 、 ）ランジスタ５の
ｈＦＥを５０とし、抵抗２．３を０ ＜ Ｒ鵞−Ｒｓ
＜ １０にΩの範囲でとると、ベース電流分による誤差
が２ｍＶ以内（りまシ、温ＪｉＥ［葺土ｌυ）で押えら
れるため、ベース電流分誤差は省略できて比較器３００
の動作レベルは次式で得られる。
つの直列接続ダイオード２１．２２が設けである。今、
定電流４を２００μＡ、定電流６を４０μＡ、ト２ンジ
ｘ／ １０ｂｙｌ ｔ １００ 、 ）ランジスタ５の
ｈＦＥを５０とし、抵抗２．３を０ ＜ Ｒ鵞−Ｒｓ
＜ １０にΩの範囲でとると、ベース電流分による誤差
が２ｍＶ以内（りまシ、温ＪｉＥ［葺土ｌυ）で押えら
れるため、ベース電流分誤差は省略できて比較器３００
の動作レベルは次式で得られる。
（Ｒ１／Ｒ１）Ｖｌｆｆｉｌ（１−ｊｉｌｔ）（ＶＩｇ
””（８）従来例と−ｊ＠に、 ＶＢＩＩとＶｉ＋
ｉｃｘを等しいと仮定し、し１＝２ｍｖ７℃とすると、 ｔ ＞ −−（１−ｋＬｊ／ ｋｔ ） （’Ｏ）
・・・・・・（４）ｍＶ となシ、８鵞／Ｒｓの抵抗比によって保−回路として汎
用性のある動作温ｆＯ℃〜５００℃の間で任意の動作温
度が決定でき、システム全体への熱による愚影智を少く
することができる。
””（８）従来例と−ｊ＠に、 ＶＢＩＩとＶｉ＋
ｉｃｘを等しいと仮定し、し１＝２ｍｖ７℃とすると、 ｔ ＞ −−（１−ｋＬｊ／ ｋｔ ） （’Ｏ）
・・・・・・（４）ｍＶ となシ、８鵞／Ｒｓの抵抗比によって保−回路として汎
用性のある動作温ｆＯ℃〜５００℃の間で任意の動作温
度が決定でき、システム全体への熱による愚影智を少く
することができる。
尚、＃＆１図とは基準レベルを発生する構成が異なって
いるが、熱源素子の発熱が小さい定常状態で社、基準レ
ベルはダイオード９の順方向電圧Ｖｎｚｓとなる０すな
わち、基準レベル発生源は、グランド１００と電導ライ
ン１０２との間に直列接続されたダイオード９．１７お
よび１８ならびに定電流源ｌＯを有し、ダイオード１８
のカソードがトランジスタ７のベース接続されている。
いるが、熱源素子の発熱が小さい定常状態で社、基準レ
ベルはダイオード９の順方向電圧Ｖｎｚｓとなる０すな
わち、基準レベル発生源は、グランド１００と電導ライ
ン１０２との間に直列接続されたダイオード９．１７お
よび１８ならびに定電流源ｌＯを有し、ダイオード１８
のカソードがトランジスタ７のベース接続されている。
トランジスタ７の；レクタから出力端子１３がｉｐ出さ
れると共に、このコレクタ電圧は抵抗１４を介してトラ
ンジスタ１６のベースへ供給される。トランジスタ１６
のベース・エミッタ間にはダイオード１５が接続され、
このコレクタは定電流源２０を介して電源２イン１０１
へ接続される。トランジスタ１６のコレクタはさらにト
ランジスタ１９のベースへ接続され、このコレクタ・エ
ミッタ通路はダイオード１７．１８の通路と並列に接続
されるＯ し九がって、熱源素子の発熱が小さい定常動作時はトラ
ンジスタ５がオンで、７がオフであるから、トランジス
タ１６はオフ状態である。それ故、定電流源２０の電流
はトランジスタ１９０ベースへ供給され、このトランジ
スタ１９Ｆｉダイオード９のカソードからの電流を吸い
込みエミッタから定電流源ｌＯとトランジスタ７の接続
点へ電流を流す０このため、トランジスタ７０ベースは
ｉｔぼダイオード９の７ノード・カソード関の電圧ＶＢ
１２でバイアスされる。この結果、比較回路３００の動
作レベルは上述の（８）式で与えられる。
れると共に、このコレクタ電圧は抵抗１４を介してトラ
ンジスタ１６のベースへ供給される。トランジスタ１６
のベース・エミッタ間にはダイオード１５が接続され、
このコレクタは定電流源２０を介して電源２イン１０１
へ接続される。トランジスタ１６のコレクタはさらにト
ランジスタ１９のベースへ接続され、このコレクタ・エ
ミッタ通路はダイオード１７．１８の通路と並列に接続
されるＯ し九がって、熱源素子の発熱が小さい定常動作時はトラ
ンジスタ５がオンで、７がオフであるから、トランジス
タ１６はオフ状態である。それ故、定電流源２０の電流
はトランジスタ１９０ベースへ供給され、このトランジ
スタ１９Ｆｉダイオード９のカソードからの電流を吸い
込みエミッタから定電流源ｌＯとトランジスタ７の接続
点へ電流を流す０このため、トランジスタ７０ベースは
ｉｔぼダイオード９の７ノード・カソード関の電圧ＶＢ
１２でバイアスされる。この結果、比較回路３００の動
作レベルは上述の（８）式で与えられる。
この状態でセンサ一部２００から温度変化が電圧変化と
して入力され、その電圧がトランジスタ７のベース電圧
よシ高くなると、トランジスタ７が導通して出力増子１
３にほぼ１０１電源のレベルが得られる。このコレクタ
出力は、さらに抵抗１４を通しダイオード１５とトラン
ジスタ１６のから構成されるカレントミラー回路に供給
されるので、トランジスタ１６社トランジスタ１９のベ
ース電流を吸い込んでトランジスタ１９をオフさせる。
して入力され、その電圧がトランジスタ７のベース電圧
よシ高くなると、トランジスタ７が導通して出力増子１
３にほぼ１０１電源のレベルが得られる。このコレクタ
出力は、さらに抵抗１４を通しダイオード１５とトラン
ジスタ１６のから構成されるカレントミラー回路に供給
されるので、トランジスタ１６社トランジスタ１９のベ
ース電流を吸い込んでトランジスタ１９をオフさせる。
このため、トランジスタ７のベースはダイオード９．１
７および１８の３個のアノード・カソード間電圧でバイ
アスされることになる。つｔｐ、熱源素子の発熱が規定
値をこえると、基準レベルが変化する。この変化状態に
なると、常温時の温度センサ一部２００の抵抗２，３の
抵抗値を上述の（４）式から導びかれる条件（Ｒ，＞鳥
）で鉱１熱源が常温にもどってもトランジスタ５０ベー
スはダイオード２１．２２にり２ンプされるため、この
ベース電位がトランジスタ７のベース電位より下がれな
いので出力は変化しない。つまり、動作ｍ度付近でトラ
ンジスタ７がオン、オフを１！Ｉｒ１ｉｃ的行うことが
なくなる。また、出力がどちらかの状態に保持される０
つｔり、ヒステリシスをもたないので、誤動作も生じな
い。以上により従来の温度センサー回路の欠点を改善す
ることができる。
７および１８の３個のアノード・カソード間電圧でバイ
アスされることになる。つｔｐ、熱源素子の発熱が規定
値をこえると、基準レベルが変化する。この変化状態に
なると、常温時の温度センサ一部２００の抵抗２，３の
抵抗値を上述の（４）式から導びかれる条件（Ｒ，＞鳥
）で鉱１熱源が常温にもどってもトランジスタ５０ベー
スはダイオード２１．２２にり２ンプされるため、この
ベース電位がトランジスタ７のベース電位より下がれな
いので出力は変化しない。つまり、動作ｍ度付近でトラ
ンジスタ７がオン、オフを１！Ｉｒ１ｉｃ的行うことが
なくなる。また、出力がどちらかの状態に保持される０
つｔり、ヒステリシスをもたないので、誤動作も生じな
い。以上により従来の温度センサー回路の欠点を改善す
ることができる。
第３図は、第２図で示した検知回路をモーター制御回路
の保護回路に適用し喪ものである。すなわち、モーター
６００への電源供給はパワートランジスタ４００１Ｐ介
して制御される。よって、パワートランジスタ４００が
熱源となる。温度センサ一部２００はこの熱源４００の
近傍に設けられる０これら熱源となるパワートランジス
タ４００゜温度センサ一部２００および比軟回路ａｏｏ
ｈ一つの基板に形成された集積回路７００で６７、セン
サ一部２００と比較回路３００は離れている。
の保護回路に適用し喪ものである。すなわち、モーター
６００への電源供給はパワートランジスタ４００１Ｐ介
して制御される。よって、パワートランジスタ４００が
熱源となる。温度センサ一部２００はこの熱源４００の
近傍に設けられる０これら熱源となるパワートランジス
タ４００゜温度センサ一部２００および比軟回路ａｏｏ
ｈ一つの基板に形成された集積回路７００で６７、セン
サ一部２００と比較回路３００は離れている。
今、負荷短絡等によりモーター６００へ箒害＃虜大電流
が流れると、熱源４０００発熱が太きくなる。この発熱
の増大による温度上昇はセンサ一部２００で検出され、
これによって比較回路３００の出力端子１３に電圧が生
じる。この電圧によりリレー５００のコイル５０１に電
流が流れ、スイッチ５０２が開いて電圧源１０１からの
電流が強制的に停止され、この状態社保持される。
が流れると、熱源４０００発熱が太きくなる。この発熱
の増大による温度上昇はセンサ一部２００で検出され、
これによって比較回路３００の出力端子１３に電圧が生
じる。この電圧によりリレー５００のコイル５０１に電
流が流れ、スイッチ５０２が開いて電圧源１０１からの
電流が強制的に停止され、この状態社保持される。
以上のように、本発明は、保護回路とし、てシステムへ
の熱による悪影曽を減少させる温度θ℃〜５００℃以内
の任意の温度が抵抗の相対比で簡単に設定でき、また動
作点付近で出力変化が断続的にの悪影養を極力少くする
温度検出回路として絶大な効果を提供するものである。
の熱による悪影曽を減少させる温度θ℃〜５００℃以内
の任意の温度が抵抗の相対比で簡単に設定でき、また動
作点付近で出力変化が断続的にの悪影養を極力少くする
温度検出回路として絶大な効果を提供するものである。
尚、本発明でトランジスタ５のベースとグランド１００
間にダイオードをｎ＠接続し、トランジスタ７のベース
とグランド１００Ｂにｎ ＋ １個以上接続し、トラン
ジスタ５のベースがある値でクランプされてトランジス
タ７のベース電位よシ下がれないようにせしため回路も
本件に属しまた、ンドレベルにした回路も本件に属する
ことは云うまで本ない。さら忙、以上の説明は温度検出
に適用した場合について述べたが、本発明の思想はこれ
に限定されるものでなく各種の電圧変動分を入力とした
検出回路に適用できることは明らかである０
間にダイオードをｎ＠接続し、トランジスタ７のベース
とグランド１００Ｂにｎ ＋ １個以上接続し、トラン
ジスタ５のベースがある値でクランプされてトランジス
タ７のベース電位よシ下がれないようにせしため回路も
本件に属しまた、ンドレベルにした回路も本件に属する
ことは云うまで本ない。さら忙、以上の説明は温度検出
に適用した場合について述べたが、本発明の思想はこれ
に限定されるものでなく各種の電圧変動分を入力とした
検出回路に適用できることは明らかである０
第１図は従来の検出回路を示す回路図、第２図社本発明
の一実施例を示す回路図、第３図は本発明の応用例の一
例を示すブロック図である。 １．５．７．１２．１６．１９・・・・・・トランジス
タ、４゜６．１０．２０・・・・・・定電流源、２．３
．１４・・・・・・抵抗、９．１１．１５．１７．１８
．２１．２２・・・・・・ダイオード、１３・・・・・
・出力端子、１０１・・・・・・第１の電圧源、１００
・・・・・・グランド、１０２・・・・・・第２の電圧
源、２００・・・・・・温度検出部、３００・・・・・
・コンパレータ回路、５００・・・・・・リレー、５０
１・・・・・・リレー内のコイル、５０２・・・・・・
リレー内のスイッチ、４００・・・・・・熱源、６００
・・・・・・モーター、７００・・・・・・集積回路。
の一実施例を示す回路図、第３図は本発明の応用例の一
例を示すブロック図である。 １．５．７．１２．１６．１９・・・・・・トランジス
タ、４゜６．１０．２０・・・・・・定電流源、２．３
．１４・・・・・・抵抗、９．１１．１５．１７．１８
．２１．２２・・・・・・ダイオード、１３・・・・・
・出力端子、１０１・・・・・・第１の電圧源、１００
・・・・・・グランド、１０２・・・・・・第２の電圧
源、２００・・・・・・温度検出部、３００・・・・・
・コンパレータ回路、５００・・・・・・リレー、５０
１・・・・・・リレー内のコイル、５０２・・・・・・
リレー内のスイッチ、４００・・・・・・熱源、６００
・・・・・・モーター、７００・・・・・・集積回路。
Claims (1)
- 入力信号電圧が供給される第１の入力端子および基準電
圧が供給される第２の入力端子を有する比較器と、該比
較器の出力状態の変化に応答して上記基準電圧と異なる
＃Ｓ２の基準電圧を上記第２の入力端子へ供給する手段
とを具備してなることを特徴とする検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321282A JPS58141026A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321282A JPS58141026A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141026A true JPS58141026A (ja) | 1983-08-22 |
Family
ID=12104349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321282A Pending JPS58141026A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141026A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2598722A (en) * | 2020-09-03 | 2022-03-16 | Micromass Ltd | Analytical instrument circuitry |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147240A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Toshiba Corp | Shaping circuit of wave-form |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP2321282A patent/JPS58141026A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|---|---|---|
| GB2598722A (en) * | 2020-09-03 | 2022-03-16 | Micromass Ltd | Analytical instrument circuitry |
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