JPS58137555A - 研摩盤とそれを用いた研摩方法 - Google Patents
研摩盤とそれを用いた研摩方法Info
- Publication number
- JPS58137555A JPS58137555A JP57020495A JP2049582A JPS58137555A JP S58137555 A JPS58137555 A JP S58137555A JP 57020495 A JP57020495 A JP 57020495A JP 2049582 A JP2049582 A JP 2049582A JP S58137555 A JPS58137555 A JP S58137555A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- plate
- polished
- polishing plate
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本尭明はＶリコン、ガリウム砒素単結晶などの板状をし
た鹸研摩物体ｉＩ！面を鏡―状Ｃ＠摩するに好適な研摩
盤とそれを眉いた研摩方法に閤するものである。
た鹸研摩物体ｉＩ！面を鏡―状Ｃ＠摩するに好適な研摩
盤とそれを眉いた研摩方法に閤するものである。
１イクｐ工Ｖクトロニタス＃）中、核をなす集積−路は
ａａＫビットから１％６にピッ）Ｉ経てやがてはＩＭビ
ッシの劇高密度集積回路へと集積度が高められる方向に
ある。このような集積回路の主体を威す半導体チップへ
の導電パターンの形成は写真描写法、電子ビームやＸ線
による刻設法などによつて行うが、集積度゛を高密度化
するには半導体チップに設ける導電パターンの一５ｔ−
Ｚ〜３μカラ１＃以下の、いわゆるｔグミタロンのオー
ダーにすることが必要である。
ａａＫビットから１％６にピッ）Ｉ経てやがてはＩＭビ
ッシの劇高密度集積回路へと集積度が高められる方向に
ある。このような集積回路の主体を威す半導体チップへ
の導電パターンの形成は写真描写法、電子ビームやＸ線
による刻設法などによつて行うが、集積度゛を高密度化
するには半導体チップに設ける導電パターンの一５ｔ−
Ｚ〜３μカラ１＃以下の、いわゆるｔグミタロンのオー
ダーにすることが必要である。
ところが 導電パターンの線幅をすプミクロンオーダー
で形成することができたとしても半導体チップを構成す
る基板（ウニへ−）の１１面に数μの深さに及ぶような
スリ傷や凹凸、ノリなどが存在するＩＲｋ状履では見金
なる導電パターンを形成することはできない、ｌ：のよ
うな場合、集積回路の製造歩留りが惑く、また信−性の
＾いものが得られない、したがって、半導体チップを構
成するＶリコン単結１なとのウニ八−は働めて良好な平
重度なもった鏡面状態であることが１費である。
で形成することができたとしても半導体チップを構成す
る基板（ウニへ−）の１１面に数μの深さに及ぶような
スリ傷や凹凸、ノリなどが存在するＩＲｋ状履では見金
なる導電パターンを形成することはできない、ｌ：のよ
うな場合、集積回路の製造歩留りが惑く、また信−性の
＾いものが得られない、したがって、半導体チップを構
成するＶリコン単結１なとのウニ八−は働めて良好な平
重度なもった鏡面状態であることが１費である。
そのための始摩方法として例えば％４１図ニ示シたよう
に、円板状のボリッＶング板Ｐをホフトル−トＨ上Ｃ載
置して加熱しておき、ワックスを溶着させてウェハーＷ
をｌリッンング＆Ｐの平面にワックス固定した後、定盤
Ｔ上の化♀研摩液を含浸せしめた織布（図示せず）ＥＥ
Ｅ接させた状態でボＱ フｙンダｌｌ１Ｐｔ１．ひに定
＠Ｔとを相対運動さぜることによってウェハーＷの表面
を′ａＩｉｉ研摩する方法が多く用いられている。この
うち、被研摩物体であるウェハーＷがワックス固定され
るボリフＶング嶺Ｐには従来からガラス製のものが多く
用いられ、最近ではアルミナセフミックス製のものも用
いられているが、いずれ電熱式ホットプ°レート上１ｃ
叡せるなとして１０Ｇ−１６０’Ｃ程度に加熱しておき
、ワックスを融かした状態のところにウェハーをのせた
後、冷却して固着するワックス一定法を採っている。
に、円板状のボリッＶング板Ｐをホフトル−トＨ上Ｃ載
置して加熱しておき、ワックスを溶着させてウェハーＷ
をｌリッンング＆Ｐの平面にワックス固定した後、定盤
Ｔ上の化♀研摩液を含浸せしめた織布（図示せず）ＥＥ
Ｅ接させた状態でボＱ フｙンダｌｌ１Ｐｔ１．ひに定
＠Ｔとを相対運動さぜることによってウェハーＷの表面
を′ａＩｉｉ研摩する方法が多く用いられている。この
うち、被研摩物体であるウェハーＷがワックス固定され
るボリフＶング嶺Ｐには従来からガラス製のものが多く
用いられ、最近ではアルミナセフミックス製のものも用
いられているが、いずれ電熱式ホットプ°レート上１ｃ
叡せるなとして１０Ｇ−１６０’Ｃ程度に加熱しておき
、ワックスを融かした状態のところにウェハーをのせた
後、冷却して固着するワックス一定法を採っている。
ところが、このようにウェハーＷをワックス固定すべく
、ポリッＶング板Ｐを加熱した場合、熱膨張率がガラス
で３〜５ Ｘ １ ｏ４／ｃ、アνミナセフミフクでは
６１〜’１． ＯＸＩ Ｑ ／Ｄ、 と命属よりは小
さいものの、直径か２７１のメリフシング像とすると第
２図に水したに口く、室温から■Ｉｔに加熱しｌζζ置
台ガラス製のもので約６０〜７０μ、アルミナセラミッ
ク軸のものでは約３０μのソリＳがボリフＶング＆Ｐに
生しる。このようにソリＳが生じている状態でウェハー
Ｗをワックス固定しようト−１−ると、温度が室温に近
づくに健いボリフＶング＆Ｐは原ＱＫ−戻るため、ウェ
ハ−Ｗが正常な状態でｖｆＩ着したものとは、ｒらず、
ｌす、ソリなどの変形を生じたり、金が加わった状態で
固定されることとなり、そのような状態のものを研摩し
でも良好な研摩精度が得られない、しかも一枚のウェハ
ーＷからｂ閤角程反の半導体チップを多数個切り出す方
が効率凶なことからウェハーＷは、集積度の高密度化に
伴い、次ｍに大きな１槓のものか用いられるようになフ
てきており、この場合にはわずかな、メリフシング叡Ｐ
の変形かウェハーＷの表向状ＨＫ−より大さな急影響を
及ばすことになる。
、ポリッＶング板Ｐを加熱した場合、熱膨張率がガラス
で３〜５ Ｘ １ ｏ４／ｃ、アνミナセフミフクでは
６１〜’１． ＯＸＩ Ｑ ／Ｄ、 と命属よりは小
さいものの、直径か２７１のメリフシング像とすると第
２図に水したに口く、室温から■Ｉｔに加熱しｌζζ置
台ガラス製のもので約６０〜７０μ、アルミナセラミッ
ク軸のものでは約３０μのソリＳがボリフＶング＆Ｐに
生しる。このようにソリＳが生じている状態でウェハー
Ｗをワックス固定しようト−１−ると、温度が室温に近
づくに健いボリフＶング＆Ｐは原ＱＫ−戻るため、ウェ
ハ−Ｗが正常な状態でｖｆＩ着したものとは、ｒらず、
ｌす、ソリなどの変形を生じたり、金が加わった状態で
固定されることとなり、そのような状態のものを研摩し
でも良好な研摩精度が得られない、しかも一枚のウェハ
ーＷからｂ閤角程反の半導体チップを多数個切り出す方
が効率凶なことからウェハーＷは、集積度の高密度化に
伴い、次ｍに大きな１槓のものか用いられるようになフ
てきており、この場合にはわずかな、メリフシング叡Ｐ
の変形かウェハーＷの表向状ＨＫ−より大さな急影響を
及ばすことになる。
また、上述の如き、ゲリフシング板Ｐは直径方向のソリ
だけではなく、加熱むら婢により加熱状態で不規則な変
形をすることに起因してウェハーＷをワックス固定した
場合Ｃ＠い影響を及ぼすこともある。このような加熱む
らなと、特に温度分１の不均一なことによるｌリフＶン
グ＆Ｐの変形を防ぐためには鋏ポリフｙング板Ｐ自体が
発熱し、熱伝導性がよく、熱ｌ＃張率が小さい、耐摩耗
性が大きく、ヤング率の大きい材質で作られていること
が望ましい。
だけではなく、加熱むら婢により加熱状態で不規則な変
形をすることに起因してウェハーＷをワックス固定した
場合Ｃ＠い影響を及ぼすこともある。このような加熱む
らなと、特に温度分１の不均一なことによるｌリフＶン
グ＆Ｐの変形を防ぐためには鋏ポリフｙング板Ｐ自体が
発熱し、熱伝導性がよく、熱ｌ＃張率が小さい、耐摩耗
性が大きく、ヤング率の大きい材質で作られていること
が望ましい。
本発明は上述の舶を緒事情に基づいて開発されたもので
、以下詳細Ｃ説明する。
、以下詳細Ｃ説明する。
研摩盤は′ｉ！盤とポリフＶング板を主体に構成されて
いるが１本発明はＩ＃Ｆ−ゼリフＶング板に係り、該−
）ｆｌフＶング板は高い１Ｉ４ＩＩＬ数の電磁波（以下
、高１１ｍという）を吸収して熱エネルギーに変換−す
る特性をもっている電波徴収発熱体としての炭化珪素、
炭化珪素樹粒を含有せしめたセラミック及びフェライト
などで構成したことを特徴としている。形状は在来品と
同形でもよく、また任屡の大きさ、形状のものでもよい
が、いま犀さＩＳｍ、直径が２７３の形状に、上配電＃
Ｌ吸収発熱体で作製したｌリフＶング叡と、在米のガラ
ス、アルミナセラミックでＮ−形状に作製したｌリフＶ
ンダ板のｈｓｂｃに加熱詩におけるソリのほか、各種の
一堤的特性を一定したところ第五表に挙げた通りであっ
た。
いるが１本発明はＩ＃Ｆ−ゼリフＶング板に係り、該−
）ｆｌフＶング板は高い１Ｉ４ＩＩＬ数の電磁波（以下
、高１１ｍという）を吸収して熱エネルギーに変換−す
る特性をもっている電波徴収発熱体としての炭化珪素、
炭化珪素樹粒を含有せしめたセラミック及びフェライト
などで構成したことを特徴としている。形状は在来品と
同形でもよく、また任屡の大きさ、形状のものでもよい
が、いま犀さＩＳｍ、直径が２７３の形状に、上配電＃
Ｌ吸収発熱体で作製したｌリフＶング叡と、在米のガラ
ス、アルミナセラミックでＮ−形状に作製したｌリフＶ
ンダ板のｈｓｂｃに加熱詩におけるソリのほか、各種の
一堤的特性を一定したところ第五表に挙げた通りであっ
た。
第 １ 表
この第１表からすべての物塩的特性が在米のアルミナ竜
フミフタ、あるいはガラス製のボリシンダ４ｋＫ−比べ
、＾崗ｔＩｊＬ発熱体よりなる本発明実−一＃）＃Ｉリ
−）Ｖング板はすぐれており、％に一炭化珪素製のもの
は熱１１饅係融が４０ Ｘ ｌ Ｏ−＠１．ルと、他の
材料よりも小さく、シたがって庫＋！に２７ａＭの円板
状体Ｃおけるソｖｈ小さい、しかも熱伝導率も在米の７
ｈ／ミナセラミツク展のものにくらべ約４倍と大きいこ
とからメリフＶング取とした場合の温度分布の均一性も
よくなり、かつ冷却速度も速く、それ故、熱膨張差によ
る部分的な金な生じることもない、またビッカース硬度
でｚｓｏｏと非常に高硬度であり、かつ化学的にも極め
て大きな耐性を４ｉでいるため、研摩作１Ｉｒ−伴ない
ｄｖフシング板が摩耗する度合も小さい。
フミフタ、あるいはガラス製のボリシンダ４ｋＫ−比べ
、＾崗ｔＩｊＬ発熱体よりなる本発明実−一＃）＃Ｉリ
−）Ｖング板はすぐれており、％に一炭化珪素製のもの
は熱１１饅係融が４０ Ｘ ｌ Ｏ−＠１．ルと、他の
材料よりも小さく、シたがって庫＋！に２７ａＭの円板
状体Ｃおけるソｖｈ小さい、しかも熱伝導率も在米の７
ｈ／ミナセラミツク展のものにくらべ約４倍と大きいこ
とからメリフＶング取とした場合の温度分布の均一性も
よくなり、かつ冷却速度も速く、それ故、熱膨張差によ
る部分的な金な生じることもない、またビッカース硬度
でｚｓｏｏと非常に高硬度であり、かつ化学的にも極め
て大きな耐性を４ｉでいるため、研摩作１Ｉｒ−伴ない
ｄｖフシング板が摩耗する度合も小さい。
さらに、１４１・ＭｉｉＺの＾崗献を照射した場合の同
一条件下における上記高ｌｌ１ｌ波発熱体で作成したポ
リッシング板と、他のアルミナセツミック、ガフス５ｌ
Ｉ）ポリッシング板の温度上昇物性を測定したところ、
第１１のグラフで示した通りであった。
一条件下における上記高ｌｌ１ｌ波発熱体で作成したポ
リッシング板と、他のアルミナセツミック、ガフス５ｌ
Ｉ）ポリッシング板の温度上昇物性を測定したところ、
第１１のグラフで示した通りであった。
これによれは、アルミナセツミック及びガラス製のもの
は照射された＾周＃ＩＬには作用せず、はとんど温度上
昇しないのに対して本発明に係る炭化珪素、炭化珪素粉
粒をＳ−嚢混入したアルミナセツミック及びフェライト
などの＾周献発島体製のポリッシング板で、特にワック
ス一定するに必要な温度であるｌ（＋０℃程度には３０
秒以内の短時間にて加熱することができるものであった
。
は照射された＾周＃ＩＬには作用せず、はとんど温度上
昇しないのに対して本発明に係る炭化珪素、炭化珪素粉
粒をＳ−嚢混入したアルミナセツミック及びフェライト
などの＾周献発島体製のポリッシング板で、特にワック
ス一定するに必要な温度であるｌ（＋０℃程度には３０
秒以内の短時間にて加熱することができるものであった
。
次に上記の如き、高周波発熱体で構成したポリッシング
板を用いた研摩法を説明すると、まず、図示してない＾
崗＃ＭｌｌｌＣよって、ｌ１ｊＩＩ＃をダリフシング板
ＩｃｔＮ射し、該ｄｌリフシング板自体を発熱させてｔ
ｇｏｂ（使用するワックスなど、用いる熱＃ｌｌ注性物
質融点等で真なる）１ｍ度に加熱した後、ポリフンング
歇平圓上でワックス！−爵融させて見金なる水平向と成
した上に被研摩物体としてのウェハーを数置した倣、冷
却すること（より該ウェハーはワックスの固化でもって
ｌリルングＪＩｒｉに固定される。しかる故、定盤上の
化学研摩液を含浸させた繊布屹圧接させた状態でポリッ
シング板と定盤を相対遅動させることによってウェハー
表面は研摩される。この場合、ポリッシング板はほぼ均
一な温度分布状秦で加熱され、熱膨張率が小さいことに
より冷却時の収縮の度合も少いことからウニ戸箋−に対
する圧ｍ歪なもたらすこともなく、正確なる平面【成す
位置状態でワックス固定されて研摩されることからウェ
ハ−ｔ！１ｌｉｉには曲りが生じることもない、また本
発明による炭化珪素製ポリッシング板を用い、上記方法
によりウェハーをワックス固定して研摩な試みたところ
４インを四方のウェハー−向の平坦度は平均象Ｏμｍ、
Ｆ１インチ四方のもので−じ＜４．８μ調のきわめて優
れた鏡面状１ｌＩＩ＃ｃ−研摩することができた。
板を用いた研摩法を説明すると、まず、図示してない＾
崗＃ＭｌｌｌＣよって、ｌ１ｊＩＩ＃をダリフシング板
ＩｃｔＮ射し、該ｄｌリフシング板自体を発熱させてｔ
ｇｏｂ（使用するワックスなど、用いる熱＃ｌｌ注性物
質融点等で真なる）１ｍ度に加熱した後、ポリフンング
歇平圓上でワックス！−爵融させて見金なる水平向と成
した上に被研摩物体としてのウェハーを数置した倣、冷
却すること（より該ウェハーはワックスの固化でもって
ｌリルングＪＩｒｉに固定される。しかる故、定盤上の
化学研摩液を含浸させた繊布屹圧接させた状態でポリッ
シング板と定盤を相対遅動させることによってウェハー
表面は研摩される。この場合、ポリッシング板はほぼ均
一な温度分布状秦で加熱され、熱膨張率が小さいことに
より冷却時の収縮の度合も少いことからウニ戸箋−に対
する圧ｍ歪なもたらすこともなく、正確なる平面【成す
位置状態でワックス固定されて研摩されることからウェ
ハ−ｔ！１ｌｉｉには曲りが生じることもない、また本
発明による炭化珪素製ポリッシング板を用い、上記方法
によりウェハーをワックス固定して研摩な試みたところ
４インを四方のウェハー−向の平坦度は平均象Ｏμｍ、
Ｆ１インチ四方のもので−じ＜４．８μ調のきわめて優
れた鏡面状１ｌＩＩ＃ｃ−研摩することができた。
また、炭化珪素製のものはｌｌ！ｊに化学薬品尋に対す
る耐性があることから、研摩時に使用する化学研摩剤に
よって悪影響を受ける度合はきわめ℃小さい。
る耐性があることから、研摩時に使用する化学研摩剤に
よって悪影響を受ける度合はきわめ℃小さい。
なお、上記実施岡においては被研摩物体をポリフＶング
＠Ｃ固定するため、ワックスな用いた場合ｔ’述べたが
、このほか、松脂、松脂ワックスを混ぜたもの、ピンチ
などのｍｓ−性物實を用いてもよい、また研摩剤として
は化学研摩液を含浸させた績布によるもの化挙げたが、
これに限らず、皮革にダイヤ七ンド倣粉末を含有せしめ
たダイヤセンドペーストを逅布したものなど被研摩物体
や研摩の程度に応じて最適の研摩剤を使用すればよ（１
゜ 以上のように本発明によれば、研摩ｍを構成するポリッ
シング板として、＾周波発熱性を有し、熱膨張率が小さ
く、熱伝導率が大きい、しかも高硬度でヤング率が大き
く、さらに耐蝕性、耐熱性のある物体で形成したもので
あるから、被研摩物体の固定が容易に、かつ精鴨＃ｃ朽
うことかできる結果、被研摩物が半導体ウニ／１−であ
るような場合、研摩された鏡面の平坦度がきわめて高（
１もσ）となり、歩留りよく、高品賀、高信頼性の半導
体製品を得るためにきわめて有効である。さらにポリッ
シング板を短時間に所足温度にまで高周波の照射によっ
て加＃ｌイることができるため、メリフｙング截への被
研摩物体のＭ＃＃性物体を用いた一定工程だけでなく、
−足工程に始まる全研摩工程を自−化すること４に容易
にμ■晩となる。
＠Ｃ固定するため、ワックスな用いた場合ｔ’述べたが
、このほか、松脂、松脂ワックスを混ぜたもの、ピンチ
などのｍｓ−性物實を用いてもよい、また研摩剤として
は化学研摩液を含浸させた績布によるもの化挙げたが、
これに限らず、皮革にダイヤ七ンド倣粉末を含有せしめ
たダイヤセンドペーストを逅布したものなど被研摩物体
や研摩の程度に応じて最適の研摩剤を使用すればよ（１
゜ 以上のように本発明によれば、研摩ｍを構成するポリッ
シング板として、＾周波発熱性を有し、熱膨張率が小さ
く、熱伝導率が大きい、しかも高硬度でヤング率が大き
く、さらに耐蝕性、耐熱性のある物体で形成したもので
あるから、被研摩物体の固定が容易に、かつ精鴨＃ｃ朽
うことかできる結果、被研摩物が半導体ウニ／１−であ
るような場合、研摩された鏡面の平坦度がきわめて高（
１もσ）となり、歩留りよく、高品賀、高信頼性の半導
体製品を得るためにきわめて有効である。さらにポリッ
シング板を短時間に所足温度にまで高周波の照射によっ
て加＃ｌイることができるため、メリフｙング截への被
研摩物体のＭ＃＃性物体を用いた一定工程だけでなく、
−足工程に始まる全研摩工程を自−化すること４に容易
にμ■晩となる。
亀１図は平板状の４１１研摩物体の研摩１礒を示す研摩
銀の１ＩＩＩｉ図、第ｓｗＡは研摩銀な構成するボリフ
シング板のｍｓとソリを説明する図、第３図は各種材質
によるｌリフＶング板の鳥′Ｉ４ｖ発熱特性を示したグ
フフである。 出−人 京都竜フミツク株式会社 代表書柵盛和夫 第１図
銀の１ＩＩＩｉ図、第ｓｗＡは研摩銀な構成するボリフ
シング板のｍｓとソリを説明する図、第３図は各種材質
によるｌリフＶング板の鳥′Ｉ４ｖ発熱特性を示したグ
フフである。 出−人 京都竜フミツク株式会社 代表書柵盛和夫 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ｘ）電離と、被研摩物体な固定するｄＩｌッＶング板
とからなる研摩盤Ｃおいて、該ｄ／１＃ッＶング板を高
周波ｌＩ熱体で構成したことを特徴とする研摩盤。 （３）鏑配ゼ曽ツＶング板が表化珪素焼結体、炭化珪素
及びもしくはフ慕フィト質を含むセラミックより成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の鰭摩盤。 （ＩＩＪＩ＆１１＃ＩＬ発熱体よりなるｌリフシング板
に熱湊融性物質を付着する工程と、該ポリッシング板に
被研摩物体を載置する工程とを経た後、嵩周波加熱装置
により加熱して被研摩物体を固定したポリッシング板と
足■とを相対運動させ、＊研摩物体を研摩することｔｅ
ａとする研摩方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020495A JPS58137555A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 研摩盤とそれを用いた研摩方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020495A JPS58137555A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 研摩盤とそれを用いた研摩方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137555A true JPS58137555A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12028735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57020495A Pending JPS58137555A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 研摩盤とそれを用いた研摩方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137555A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63139662A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-11 | Showa Denko Kk | 炭化ケイ素焼結体からなるトッププレート |
| JPH01159171A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-22 | Toshiba Corp | 研磨定盤 |
| WO1996030164A1 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-03 | Norton Company | Dielectric curing |
| EP0810635A1 (en) * | 1996-05-31 | 1997-12-03 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for mounting a semiconductor wafer on a polishing block by applying radiant heat |
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|---|---|---|---|---|
| JPS51111993A (en) * | 1975-03-27 | 1976-10-02 | Supiide Fuamu Kk | Apparatus for fabricating thin work as semiconductor or the like |
| JPS5311432A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Hitachi Ltd | Automotive fuel consumption rate indicator |
| JPS5596267A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-22 | Citizen Watch Co Ltd | Parts working method |
| JPS5710205A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-19 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Method of bonding element for arrester |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP57020495A patent/JPS58137555A/ja active Pending
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