JP3229985B2

JP3229985B2 - Ｃｍｐ用研磨パッド及びそれを用いた研磨装置

Info

Publication number: JP3229985B2
Application number: JP30588497A
Authority: JP
Inventors: 彰石川
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-11-07
Filing date: 1997-11-07
Publication date: 2001-11-19
Anticipated expiration: 2017-11-07
Also published as: JPH11138420A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、研磨パッド及び研
磨装置に関し、例えば高密度半導体集積回路素子（ＵＬ
ＳＩ）等を製造するプロセスにおける、半導体ウエハ上
に堆積した絶縁膜又は金属膜表面の平坦化加工（凹凸の
研磨）に用いて好適なＣＭＰ用研磨パッド及びそれを用
いた研磨装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高集積化、微細化に伴
って半導体製造プロセスの工程が複雑となってきてい
る。これに伴い、半導体デバイスの表面状態が必ずしも
平坦ではなくなってきている。表面における段差の存在
は配線の段切れ、局所的な抵抗値の増大などを招き、断
線や電流容量の低下等をもたらす。また、絶縁膜では耐
圧劣化やリークの発生にもつながる。

【０００３】一方、半導体集積回路の高集積化、微細化
に伴って、光リソグラフィの光源波長は短くなり、開口
数いわゆるＮＡも大きくなってきていることに伴い、半
導体露光装置の焦点深度が実質的に浅くなってきてい
る。焦点深度が浅くなることに対応するためには、今ま
で以上にデバイス表面の平坦化が要求される。具体的に
は、半導体プロセスに於いては、図５に示すような平坦
化技術が必須になってきたと考えられてきている。図５
において、４１はシリコンウエハ、４２はＳｉＯ２から
なる層間絶縁膜、４３はＡｌからなる金属膜である。

【０００４】図５（ａ）は表面に凹凸を有する層間絶縁
膜４２の凸部分を研磨して、層間絶縁膜４２を平坦化す
るプロセスの例であり、図５（ｂ）は全面に積層された
金属４３を研磨し、金属層のある部分とない部分を出現
させることにより、電極層の埋め込み（象嵌）パターン
が形成するプロセスの例である。このような半導体表面
を平坦化する方法としては、化学的機械的研磨（Chemic
al Mechanical Polishing 又はChemical Mechanical Pl
anarization）（以下、ＣＭＰという）技術が有望な方
法と考えられている。

【０００５】ＣＭＰはシリコンウェハの鏡面研磨法を基
に発展しており、図４に示す装置を用いて行われてい
る。従来の研磨装置３７は、回転駆動する定盤３１上に
研磨パッド３２が設けられる（以下、全体を研磨体とい
う）一方、研磨ヘッド３３にウエハ３４が保持され、こ
のウエハ３４が研磨パッド３２上に接触している。この
状態で定盤３１を回転駆動し、研磨ヘッド３３に上方か
ら荷重をかけ、回転させながら定盤３１の半径方向に揺
動運動させる。

【０００６】かかる動作とともに、研磨剤供給ノズル３
５から研磨剤３６を研磨パッド３２上に吐出させて、こ
の研磨剤３６をウエハ３４の研磨面に供給して、ウエハ
３４の最表面を平坦に研磨している。即ち、研磨剤３６
は、研磨パッド３２上で拡散し、研磨パッドとウエハ３
４の相対運動に伴って、両者の間に入り込み、ウエハ３
４の表面を研磨する。このとき、研磨パッド３２とウエ
ハ３４の相対運動による機械的研磨と研磨剤３６の化学
的作用が相乗的に作用して良好な研磨が行われる。

【０００７】研磨パッド（ポリッシャ）３２としては、
発泡ポリウレタンからなるシート状のものが多く用いら
れてきた。しかしながら、発泡ポリウレタンからなるシ
ート状の研磨パッドを用いて、ウエハを研磨した場合、
ウエハの縁だれが大きい、という問題点があり、またこ
の研磨パッドは、一般に、（１）荷重がかかると圧縮変
形を起こしやすい（３）研磨定盤に貼り付けたとき、研
磨パッド（シート）に設けられた接着層のムラにより所
望の平面度が得られない、具体的には、λ以下の面精度
を得るのは困難である（４）目づまりを起こし易いの
で、ドレッシング（目立て）が必要である等の問題点が
ある。

【０００８】このような問題を解決するために、近年、
エポキシ樹脂を主成分とする研磨パッドが提案されてい
る（特願平８−１１５７９４号）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、ＣＭ
Ｐの対象となるものとして、ＳｉＯ₂などの層間絶縁膜
や、Ａｌ、Ｗなどの配線膜の２種類が挙げられ、それぞ
れに用いる研磨剤のｐＨが大きく異なる。即ち、前者は
ｐＨ１１前後のアルカリ性の研磨剤を用いて研磨し、後
者は、ｐＨ３前後の酸性の研磨剤を用いて研磨する。従
って、研磨パッドは、耐アルカリ性、耐酸性の両方を備
えていることが必要となる。

【００１０】しかしながら、エポキシ樹脂を主成分とす
る研磨パッドの硬化剤として、脂肪族アミン類を用いた
場合は、耐酸性がなく、脂肪酸無水物を用いた場合は、
耐アルカリ性がなく、このような研磨パッドは、研磨剤
により溶解、腐食されるという問題点がある。そこで、
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであ
り、研磨剤による溶解、腐食が生じないＣＭＰ用研磨パ
ッドを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】発明者は鋭意研究の結
果、本発明をするに至った。本発明は第一に「下記Ａ成
分及びＢ成分を主成分として含み、表面硬度がビッカー
ス硬度で２．５〜４０であることを特徴とするＣＭＰ用
研磨パッド。Ａ．ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、または
これらの重合体、これらを変成させたエポキシ樹脂Ｂ．芳香族アミン類、芳香族酸無水物類、イミダゾール
類、またはこれらの重合体、これらを変成した硬化剤
（請求項１）」を提供する。

【００１２】請求項１記載の研磨パットは、エポキシ樹
脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、
またはこれらの重合体、これらを変成させたエポキシ樹
脂を用い、硬化剤として、芳香族アミン、芳香族酸無水
物、イミダゾール類、またはこれらの重合体、これらを
変成した硬化剤を用いたので、耐アルカリ性、耐酸性の
両方を有し、ＣＭＰに特に有効である。

【００１３】また、本発明は第二に「前記主成分中に粒
径が０．０１〜３００μｍの無機微粒子を１種類以上分
散させてなり、その分散量が前記主成分と前記無機微粒
子との全重量の０．１〜８０％の間であることを特徴と
する請求項１記載のＣＭＰ用研磨パッド（請求項２）」
を提供する。請求項２記載の研磨パッドは、主成分中
に、少なくとも１種類以上の無機微粒子を分散させるこ
とにより、さらに耐アルカリ性、耐酸性を向上し、か
つ、表面硬度の調整が可能となる。また、微粒子の粒径
は０．０１〜３００μｍであるので、研磨をおこなって
も、ウエハの傷の原因になることがない。

【００１４】また、本発明は第三に「前記主成分中に粒
径が０．０１〜３００μｍの高分子微粒子を１種類以上
分散させてなり、その分散量が前記主成分と前記高分子
微粒子との全重量の０．１〜８０％の間であることを特
徴とする請求項１記載のＣＭＰ用研磨パッド（請求項
３）」を提供する。請求項３記載の研磨パッドは、主成
分中に、少なくとも１種類以上の高分子微粒子を分散さ
せることにより、さらに耐アルカリ性、耐酸性を向上
し、かつ、表面硬度の調整が可能となる。また、微粒子
の粒径は０．０１〜３００μｍであるので、研磨をおこ
なっても、ウエハの傷の原因になることがない。

【００１５】また、本発明は第四に「研磨体と研磨対象
物との間に研磨剤を介在させた状態で、この研磨体と研
磨対象物とを相対移動させることにより、この研磨対象
物を研磨する研磨装置において、前記研磨体が定盤と研
磨パッドからなり、該研磨パッドに請求項１から３のい
ずれかに記載の研磨パッドを用いたことを特徴とする研
磨装置（請求項４）」を提供する。

【００１６】請求項４記載の研磨装置は請求項１から３
のいずれかに記載の研磨パッドを用いたので、荷重をか
けても圧縮変形することがなく、ウエハの縁だれはほと
んど生じることなく面内を均一に研磨することができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明にかかる実施形態
の研磨パッドを定盤上に形成した研磨体の概略断面図で
ある。研磨パッドの主成分はエポキシ樹脂であり、エポ
キシ樹脂の特徴である接着性を利用して定盤上に直接形
成されている。

【００１８】従って、従来の研磨パッドのように研磨パ
ッドを定盤に貼り付けたときに所望の平面度を得ること
ができないという問題が生じない。エポキシ樹脂として
は、ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、または
これらの重合体、これらを変成させたエポキシ樹脂が用
いられる。

【００１９】ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂は、化１
で表され、ノボラック型エポキシ樹脂は、化２で表さ
れ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、化３で表され
る。

【００２０】

【化１】

【００２１】

【化２】

【００２２】

【化３】

【００２３】硬化剤として、芳香族アミン類、芳香族酸
無水物類、イミダゾール類、またはこれらの重合体、こ
れらを変成したものが用いられる。硬化剤は、化学量論
的添加量の０．７〜１．２となるように混合されてい
る。これらのエポキシ樹脂、硬化剤は、ずべてベンゼン
環を有し、このベンゼン環により、耐アルカリ性、耐酸
性を向上させることができる。

【００２４】芳香族アミン類としては、ｍ−フェニレン
ジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジ
アミン、２，４−ジアミノアニゾール、２，４−トルエ
ンジアミン、２，４−ジアミノジフェニルアミン、４，
４’−メチレンジアニリン、４，４−ジアミノジフェニ
ルスルフォン、ジアミノジキシリルスルフォン、ｍ−キ
シレンジアミン、１，３−ジアミノシクロヘキサンが挙
げられる。

【００２５】芳香族酸無水物類としては、無水フタル
酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水
物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテー
ト、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテートが挙
げられる。イミダゾール類としては、２−メチルイミダ
ゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウ
ンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−メチル
イミダゾール、１−シアノエチル−メチルイミダゾー
ル、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾー
ル、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウム
・トリメリテート、１−シアノエチル−２−フェニルイ
ミダゾリウム・トリメリテート、２−メチルイミダゾリ
ウム・イソシアヌレート、２−フェニルイミダゾリウム
・イソシアヌレート、２，４−ジアミノ−６−［２−メ
チルイミダゾリル−（１）］−エチルＳ−トリアジン、
２，４−ジアミノ−６−［２−エチル−４−メチルイミ
ダゾリル−（１）］−エチルＳ−トリアジン、２，４−
ジアミノ−６−［２−ウンデシルイミダゾリル−
（１）］−エチルＳ−トリアジン、２−フェニル−４，
５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−
４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−
シアノエチル−２−フェニル−４，５−ジ（シアノエト
キシメチルイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−
３−ベンジルイミダゾリウム・クロライド、１，３−ジ
ベンジル−２−メチルイミダゾリウム・クロライドが挙
げられる。

【００２６】エポキシ樹脂及び硬化剤中に無機微粒子、
高分子微粒子等を混入させてもよい。これによってさら
に、耐アルカリ性、耐酸性を向上させることができる。
エポキシ樹脂及び硬化剤中に分散させる無機微粒子とし
ては、粒径が０．０１〜３００μｍのアスベスト、炭
素、酸化珪素、酸化セリウム、酸化アルミ、酸化チタ
ン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭化珪素、
窒化ボロンが挙げられる。

【００２７】また、エポキシ樹脂及び硬化剤中に分散さ
せる高分子微粒子としては、粒径が０．０１〜３００μ
ｍのアクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ウレタン樹脂、
フッ素樹脂、珪素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリイソプロピレン樹脂のビーズ、粉末が挙げら
れる。その他炭素繊維、ガラス繊維を分散させてもよ
い。

【００２８】エポキシ樹脂及び硬化剤中への上記微粒子
の分散量は、前記主成分と前記微粒子との全重量の０．
１〜８０％の間で、硬度がビッカース硬度で２．５〜４
０となるように調製することが好ましい。また、微粒子
を混入させることにより、研磨パッドの機械的強度が増
大する、熱変形温度が高温側にシフトする、研磨加工時
に発生する摩擦熱が低減する等の効果がある。

【００２９】以下、本発明にかかる研磨パッドの製造方
法を以下に示す。図２、３は本発明にかかる研磨パッド
の製造工程である。まず、前述したエポキシ樹脂及び硬
化剤（以下、エポキシ樹脂等２２という）を所定の重量
比で容器２１に取り、十分に攪袢棒２３で撹拌を行う
（図２（ａ））。

【００３０】次に、これを研磨パッド製作工具２４に配
置した、直径φ３００ｍｍ〜１０００の平板の定盤１１
（鋳鉄、又は溶融石英製等）上に、エポキシ樹脂等２２
が２ｍｍ〜１０ｍｍ厚になるよう滴下する（図２
（ｂ））。さらに、その状態で恒温槽２５に入れ、１２
０℃〜２００℃で５〜１２時間加熱し、樹脂等を十分に
硬化させる（図２（ｃ））。

【００３１】最後に、十分に温度が下がってから取り出
し、機械加工で研磨剤が通る溝を切削および研磨パッド
の粗い面出しを行い、研磨体２６を製作する（図２
（ｄ））。研磨体２６の研磨パッドの平面度出しは、オ
スカー型の研磨機２９を使用し、直径φ３００ｍｍ〜１
２００ｍｍの平板の合わせ皿２７と５％（重量％）の酸
化セリウム研磨剤２８により行い、研磨パッド面の平面
度を、１μｍ以下にした研磨体３０を製作した（図３
（ａ）、（ｂ））。

【００３２】

【実施例】［実施例１］ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（油化シェル製商品名：エピコート８２８）とジア
ミノジフェニルメタン（芳香族アミン類）を重量比で１
００：２６になるように容器に取り、十分に攪袢棒で撹
拌を行った。

【００３３】これをφ３６×３０ｔのポリエチレン製の
容器に滴下した。次いで恒温槽に入れ、１２０℃で５時
間加熱して、樹脂を十分硬化させた。次に、十分に温度
が下がってから取り出し、機械加工によりφ３０×２ｔ
のディスク形状に加工し、耐薬品性評価用サンプル１〜
３を製作した。実施例１で製作したサンプル１〜３の耐
薬品性を以下に示す方法を用いて評価した。

【００３４】サンプル１〜３をそれぞれ純水、ｐＨ１２
のＫＯＨ水溶液、ｐＨ２のＨＣｌ／Ｈ₂Ｏ₂混合水溶液に
６０℃で５時間浸漬した。この時の各サンプルの浸浸前
後の重量変化を評価した。評価結果は表１に示す。これ
からサンプル１〜３は、耐アルカリ性、耐酸性の両方を
有することがわかる。また、サンプル１〜３のビッカー
ス硬度は、約１８であった。［実施例２］ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル製商品名：エピコート８２８）と無水トリメリッ
ト酸（芳香族酸無水物類）を重量比１００：３３で混合
し、実施例１と同様な工程で、２００℃で５時間加熱し
て樹脂を硬化して、サンプル４〜６を製作した。

【００３５】実施例２で製作したサンプル４〜６の耐薬
品性の評価を、実施例１と同様の方法を用いて行った。
評価結果は表１に示す。これより、サンプル４〜６は耐
アルカリ性、耐酸性の両方を有することがわかる。ま
た、サンプル４〜６のビッカース硬度は、約２５であっ
た。［実施例３］ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル製商品名：エピコート８２８）とジアミノジフェ
ニルメタン（芳香族アミン類）と粒径１μｍのＳｉＯ₂
を重量比１００：２６：６．６で混合し、実施例１と同
様な工程で、１２０℃で５時間加熱して樹脂を硬化して
サンプル７〜９を製作した。

【００３６】実施例３で製作したサンプル７〜９の耐薬
品性の評価を、実施例１と同様の方法を用いて行った。
評価結果は表１に示す。これより、微粒子を混入させる
ことにより、実施例１にくらべ耐アルカリ性、耐酸性が
向上した。また、サンプル７〜９のビッカース硬度は、
約２２であった。［実施例４］ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル製商品名：エピコート８２８）とジアミノジフェ
ニルメタン（芳香族アミン類）と粒径１μｍのポリスチ
レン微粒子を重量比１００：２６：６．６で混合し、実
施例１と同様な工程で、１２０℃で５時間加熱して樹脂
を硬化してサンプル１１〜１３を製作した。

【００３７】実施例４で製作したサンプル１１〜１３の
耐薬品性の評価を実施例１と同様の方法を用いて行っ
た。評価結果は表１に示す。これより、微粒子を混入さ
せることにより、実施例１にくらべ耐アルカリ性、耐酸
性が向上した。また、サンプル１１〜１３のビッカース
硬度は、約１６であった。［比較例１］ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル製商品名：エピコート８２８）とテトラエチレン
ペンタミン（脂肪族アミン類）を重量比１０：７で混合
し、実施例１と同様な工程で、８０℃で８時間加熱して
樹脂を硬化して、サンプル１４〜１６を製作した。

【００３８】比較例１で製作したサンプル１４〜１６の
耐薬品性の評価を実施例１と同様の方法を用いて行っ
た。評価結果は表１に示す。これより、耐アルカリ性が
悪く、ｐＨ２のＨＣｌ／Ｈ₂Ｏ₂混合水溶液への浸漬にお
いて、腐食が生じた。

【００３９】

【表１】

【００４０】［実施例５］本発明にかかる研磨パッドを
図２、３の製造工程に従って製作した。まず、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製商品名：エピ
コート８２８）と、ジアミノジフェニルメタンと、粒径
１μｍの黒鉛末を重量比１００：２６：６．６になるよ
うに、容器２１に取り（以下、これらの混合物をエポキ
シ樹脂等２２という）、十分に攪袢棒２３で撹拌を行っ
た（図２（ａ））。

【００４１】次に、これを研磨パッド製作工具２４に配
置した、直径φ３００ｍｍの平板の定盤１１（鋳鉄、又
は溶融石英製等）上に、エポキシ樹脂等が５ｍｍ厚にな
るよう滴下した（図２（ｂ））。さらに、その状態で恒
温槽２５に入れ、１２０℃で５時間加熱し、エポキシ樹
脂等を十分に硬化させた（図２（ｃ））。

【００４２】最後に、エポキシ樹脂等が十分に温度が下
がってから、研磨パッド製作工具２４から取り出し、機
械加工で研磨剤が通る溝を切削および研磨パッドの粗い
面出しを行い、研磨体２６を製作した。また、この研磨
パッドの硬度は、ビッカース硬度で約２０であった（図
２（ｄ））。研磨体２６の研磨パッドの平面度出しは、
オスカー型の研磨機２９を使用し、直径φ３００ｍｍの
平板の合わせ皿２７と５％（重量％）の酸化セリウム研
磨剤２８により行い、研磨パッド面の平面度を、１μｍ
以下にした研磨体３０を製作した（図３（ａ）、
（ｂ））。

【００４３】従来の研磨装置の研磨パッドと定盤の替わ
りに実施例５で製作した研磨体３０を用いて、半導体平
坦化の研磨加工について説明する。平坦化研磨加工に使
用したウェハは３インチのＳｉウェハで表面に１μｍ厚
のアルミ層が適当なパターンで形成されている。その上
にプラズマＣＶＤによる酸化珪素膜（ＳｉＯ₂）が形成
され、図５（ａ）で示す様な凹凸を有する試料を作成し
た。このパターンが形成されたウェハの最表面を次の条
件により平坦化研磨加工した。

【００４４】加工条件・ウエハ回転数：２０〜１００ｒｐｍ・研磨ヘッド回転数：２０〜１００ｒｐｍ・揺動距離：３５ｍｍ・揺動回数：５往復／分・荷重：５０〜４００ｇ／ｃｍ² ・研磨剤：ＳｉＯ₂アルカリ水溶液・研磨時間：２分この研磨条件により、同一ウェハを２００枚連続で研磨
加工したところいずれもニュートン縞２〜４本の平面が
得られた。パターンの密度による平面度、縁だれへの影
響は見られなかった。研磨後の研磨パッド表面を検査し
たところ初期状態と変わってはいなかった。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる研
磨パッドは、耐アルカリ性、耐酸性の両方を有するの
で、ＣＭＰに特に有効である。また、微粒子を混入させ
ることにより、さらに耐アルカリ性、耐酸性を向上させ
ることができ、表面硬度の調整が可能となる。

【００４６】また、本発明にかかる研磨パッドは、主成
分がエポキシ樹脂であるので、エポキシ樹脂の接着性に
より、定盤に直接形成することができ、機械加工により
簡単に精度よく所望の平面度を得ることができるため、
従来の研磨パッドのように、研磨定盤に貼り付けたと
き、研磨パッド（シート）に設けられた接着層のムラに
より所望の平面度が得られない、という問題が生じな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる実施形態の研磨パッドを定盤上
に形成した研磨体の概略断面図である。

【図２】本発明にかかる研磨パッドの製造工程を示す工
程図である。

【図３】本発明にかかる研磨パッドの平面度を出す工程
を示す工程図である。

【図４】従来のＣＭＰ装置の概略斜視図である。

【図５】半導体平坦化プロセスを示す概略断面図であ
る。

【符号の説明】１０・・・研磨体１１、３１・・・定盤１２・・・エポキシ樹脂及び硬化剤を主成分とする研磨
パッド１３・・・微粒子２１・・・混合容器２２・・・エポキシ樹脂、硬化剤、（微粒子）２３・・・攪拌棒２４・・・研磨パッド作製工具２５・・・硬化用恒温槽２６・・・溝入れ、粗面出し後の研磨パッド２７・・・合わせ皿２８・・・酸化セリウム研磨剤２９・・・オスカー型研磨機３０・・・面出し後の研磨体３２・・・発泡ポリウレタンからなる研磨パッド３３・・・研磨ヘッド３４・・・ウエハ３５・・・研磨剤供給ノズル３６・・・研磨剤３７・・・研磨装置４１・・・シリコンウェハ４２・・・層間絶縁膜（ＳｉＯ₂）４３・・・金属膜（Ａｌ）

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下記Ａ成分及びＢ成分を主成分として含
み、表面硬度がビッカース硬度で２．５〜４０であるこ
とを特徴とするＣＭＰ用研磨パッド。Ａ．ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、または
これらの重合体、これらを変成させたエポキシ樹脂Ｂ．芳香族アミン類、芳香族酸無水物類、イミダゾール
類、またはこれらの重合体、これらを変成した硬化剤
【請求項２】前記主成分中に粒径が０．０１〜３００μ
ｍの無機微粒子を１種類以上分散させてなり、その分散
量が前記主成分と前記無機微粒子との全重量の０．１〜
８０％の間であることを特徴とする請求項１記載のＣＭ
Ｐ用研磨パッド。
【請求項３】前記主成分中に粒径が０．０１〜３００μ
ｍの高分子微粒子を１種類以上分散させてなり、その分
散量が前記主成分と前記高分子微粒子との全重量の０．
１〜８０％の間であることを特徴とする請求項１記載の
ＣＭＰ用研磨パッド。
【請求項４】研磨体と研磨対象物との間に研磨剤を介在
させた状態で、この研磨体と研磨対象物とを相対移動さ
せることにより、この研磨対象物を研磨する研磨装置に
おいて、前記研磨体が定盤と研磨パッドからなり、該研磨パッドに請求項１から３のいずれかに記載の研磨
パッドを用いたことを特徴とする研磨装置。