JP3229986B2 - Cmp用研磨パッド及びそれを用いた研磨装置 - Google Patents
Cmp用研磨パッド及びそれを用いた研磨装置Info
- Publication number
- JP3229986B2 JP3229986B2 JP30588597A JP30588597A JP3229986B2 JP 3229986 B2 JP3229986 B2 JP 3229986B2 JP 30588597 A JP30588597 A JP 30588597A JP 30588597 A JP30588597 A JP 30588597A JP 3229986 B2 JP3229986 B2 JP 3229986B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- epoxy resin
- fine particles
- polished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 140
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 50
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 44
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 36
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 11
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 10
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims description 7
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims description 7
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 claims description 5
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 15
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 15
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 15
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 6
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- -1 polytetramethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUIXAJWGWYVJH-UHFFFAOYSA-M 1,3-dibenzyl-2-methylimidazol-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].C1=C[N+](CC=2C=CC=CC=2)=C(C)N1CC1=CC=CC=C1 BPUIXAJWGWYVJH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBODPHKDNYVCEJ-UHFFFAOYSA-M 1-benzyl-3-dodecyl-2-methylimidazol-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCN1C=C[N+](CC=2C=CC=CC=2)=C1C PBODPHKDNYVCEJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VOSLIUIVGWBSOK-UHFFFAOYSA-N 1-n-phenylbenzene-1,2,4-triamine Chemical compound NC1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 VOSLIUIVGWBSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLVYUIAMRUBRK-UHFFFAOYSA-N 11',12',14',15'-Tetradehydro(Z,Z-)-3-(8-Pentadecenyl)phenol Natural products OC1=CC=CC(CCCCCCCC=CCC=CCC=C)=C1 JOLVYUIAMRUBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAHPQISAXRFLCL-UHFFFAOYSA-N 2,4-Diaminoanisole Chemical compound COC1=CC=C(N)C=C1N BAHPQISAXRFLCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCFRRFKHRJSWTQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methyl-1h-imidazol-5-yl)propanenitrile Chemical compound N#CC(C)C1=CN=C(C)N1 BCFRRFKHRJSWTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-O 2-methyl-1h-imidazol-3-ium Chemical compound CC=1NC=C[NH+]=1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJUJXSUTUOATMS-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-imidazol-2-ylmethoxy)propanenitrile Chemical compound N#CCCOCC1=NC=CN1 DJUJXSUTUOATMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLKVIMNNMLKUGJ-UHFFFAOYSA-N 3-Delta8-pentadecenylphenol Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCC1=CC=CC(O)=C1 YLKVIMNNMLKUGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000501754 Astronotus ocellatus Species 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLVYUIAMRUBRK-UTOQUPLUSA-N Cardanol Chemical compound OC1=CC=CC(CCCCCCC\C=C/C\C=C/CC=C)=C1 JOLVYUIAMRUBRK-UTOQUPLUSA-N 0.000 description 1
- FAYVLNWNMNHXGA-UHFFFAOYSA-N Cardanoldiene Natural products CCCC=CCC=CCCCCCCCC1=CC=CC(O)=C1 FAYVLNWNMNHXGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PTFIPECGHSYQNR-UHFFFAOYSA-N cardanol Natural products CCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC(O)=C1 PTFIPECGHSYQNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- GEQHKFFSPGPGLN-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-diamine Chemical compound NC1CCCC(N)C1 GEQHKFFSPGPGLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨パッド及び研
磨装置に関し、例えば高密度半導体集積回路素子(UL
SI)等を製造するプロセスにおける、半導体ウエハ上
に堆積した絶縁膜又は金属膜表面の平坦化加工(凹凸の
研磨)に用いて好適なCMP用研磨パッド及びそれを用
いた研磨装置に関するものである。
磨装置に関し、例えば高密度半導体集積回路素子(UL
SI)等を製造するプロセスにおける、半導体ウエハ上
に堆積した絶縁膜又は金属膜表面の平坦化加工(凹凸の
研磨)に用いて好適なCMP用研磨パッド及びそれを用
いた研磨装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化、微細化に伴
って半導体製造プロセスの工程が複雑となってきてい
る。これに伴い、半導体デバイスの表面状態が必ずしも
平坦ではなくなってきている。表面における段差の存在
は配線の段切れ、局所的な抵抗値の増大などを招き、断
線や電流容量の低下等をもたらす。また、絶縁膜では耐
圧劣化やリークの発生にもつながる。
って半導体製造プロセスの工程が複雑となってきてい
る。これに伴い、半導体デバイスの表面状態が必ずしも
平坦ではなくなってきている。表面における段差の存在
は配線の段切れ、局所的な抵抗値の増大などを招き、断
線や電流容量の低下等をもたらす。また、絶縁膜では耐
圧劣化やリークの発生にもつながる。
【0003】一方、半導体集積回路の高集積化、微細化
に伴って、光リソグラフィの光源波長は短くなり、開口
数いわゆるNAも大きくなってきていることに伴い、半
導体露光装置の焦点深度が実質的に浅くなってきてい
る。焦点深度が浅くなることに対応するためには、今ま
で以上にデバイス表面の平坦化が要求される。具体的に
は、半導体プロセスに於いては、図7に示すような平坦
化技術が必須になってきたと考えられてきている。図7
において、41はシリコンウエハ、42はSiO2から
なる層間絶縁膜、43はAlからなる金属膜である。
に伴って、光リソグラフィの光源波長は短くなり、開口
数いわゆるNAも大きくなってきていることに伴い、半
導体露光装置の焦点深度が実質的に浅くなってきてい
る。焦点深度が浅くなることに対応するためには、今ま
で以上にデバイス表面の平坦化が要求される。具体的に
は、半導体プロセスに於いては、図7に示すような平坦
化技術が必須になってきたと考えられてきている。図7
において、41はシリコンウエハ、42はSiO2から
なる層間絶縁膜、43はAlからなる金属膜である。
【0004】図7(a)は表面に凹凸を有する層間絶縁
膜42の凸部分を研磨して、層間絶縁膜42を平坦化す
るプロセスの例であり、図7(b)は全面に積層された
金属43を研磨し、金属層のある部分とない部分を出現
させることにより、電極層の埋め込み(象嵌)パターン
を形成するプロセスの例である。このような半導体表面
を平坦化する方法としては、化学的機械的研磨(Chemic
al Mechanical Polishing 又はChemical Mechanical Pl
anarization)(以下、CMPという)技術が有望な方
法と考えられている。
膜42の凸部分を研磨して、層間絶縁膜42を平坦化す
るプロセスの例であり、図7(b)は全面に積層された
金属43を研磨し、金属層のある部分とない部分を出現
させることにより、電極層の埋め込み(象嵌)パターン
を形成するプロセスの例である。このような半導体表面
を平坦化する方法としては、化学的機械的研磨(Chemic
al Mechanical Polishing 又はChemical Mechanical Pl
anarization)(以下、CMPという)技術が有望な方
法と考えられている。
【0005】CMPはシリコンウェハの鏡面研磨法を基
に発展しており、図6に示す装置を用いて行われてい
る。従来の研磨装置37は、回転駆動する定盤31上に
研磨パッド32が設けられる(以下、全体を研磨体とい
う)一方、研磨ヘッド33にウエハ34が保持され、こ
のウエハ34が研磨パッド32上に接触している。この
状態で定盤31を回転駆動し、研磨ヘッド33に上方か
ら荷重をかけ、回転させながら定盤31の半径方向に揺
動運動させる。
に発展しており、図6に示す装置を用いて行われてい
る。従来の研磨装置37は、回転駆動する定盤31上に
研磨パッド32が設けられる(以下、全体を研磨体とい
う)一方、研磨ヘッド33にウエハ34が保持され、こ
のウエハ34が研磨パッド32上に接触している。この
状態で定盤31を回転駆動し、研磨ヘッド33に上方か
ら荷重をかけ、回転させながら定盤31の半径方向に揺
動運動させる。
【0006】かかる動作とともに、研磨剤供給ノズル3
5から研磨剤36を研磨パッド32上に吐出させて、こ
の研磨剤36をウエハ34の研磨面に供給して、ウエハ
34の最表面を平坦に研磨している。即ち、研磨剤36
は、研磨パッド32上で拡散し、研磨パッドとウエハ3
4の相対運動に伴って、両者の間に入り込み、ウエハ3
4の表面を研磨する。このとき、研磨パッド32とウエ
ハ34の相対運動による機械的研磨と研磨剤36の化学
的作用が相乗的に作用して良好な研磨が行われる。
5から研磨剤36を研磨パッド32上に吐出させて、こ
の研磨剤36をウエハ34の研磨面に供給して、ウエハ
34の最表面を平坦に研磨している。即ち、研磨剤36
は、研磨パッド32上で拡散し、研磨パッドとウエハ3
4の相対運動に伴って、両者の間に入り込み、ウエハ3
4の表面を研磨する。このとき、研磨パッド32とウエ
ハ34の相対運動による機械的研磨と研磨剤36の化学
的作用が相乗的に作用して良好な研磨が行われる。
【0007】研磨パッド(研磨パッド)32としては、
発泡ポリウレタンからなるシート状のものが多く用いら
れてきた。しかしながら、発泡ポリウレタンからなるシ
ート状の研磨パッドを用いて、ウエハを研磨した場合、
ウエハの縁だれが大きい、という問題点があり、またこ
の研磨パッドは、一般に、(1)荷重がかかると圧縮変
形を起こしやすい(3)研磨定盤に貼り付けたとき、研
磨パッド(シート)に設けられた接着層のムラにより所
望の平面度が得られない、具体的には、λ以下の面精度
を得るのは困難である(4)目づまりを起こし易いの
で、ドレッシング(目立て)が必要である等の問題点が
ある。
発泡ポリウレタンからなるシート状のものが多く用いら
れてきた。しかしながら、発泡ポリウレタンからなるシ
ート状の研磨パッドを用いて、ウエハを研磨した場合、
ウエハの縁だれが大きい、という問題点があり、またこ
の研磨パッドは、一般に、(1)荷重がかかると圧縮変
形を起こしやすい(3)研磨定盤に貼り付けたとき、研
磨パッド(シート)に設けられた接着層のムラにより所
望の平面度が得られない、具体的には、λ以下の面精度
を得るのは困難である(4)目づまりを起こし易いの
で、ドレッシング(目立て)が必要である等の問題点が
ある。
【0008】このような問題を解決するために、近年、
エポキシ樹脂を主成分とする研磨パッドが提案されてい
る(特願平8−115794号)。前述したように、C
MPの対象となるものとして、SiO2などの層間絶縁
膜や、Al、Wなどの配線膜の2種類が挙げられるが
(以下、研磨対象物という)、これらの硬度は大きく異
なるので、研磨対象物の硬度に比べ研磨パッドの硬度が
小さい場合、研磨対象物より研磨パッドの摩耗が激し
く、研磨パッドの研磨面の形状(精度)が維持できな
い。これに対して、研磨対象物に比べ研磨パッドの硬度
が大きい場合、研磨対象物と研磨パッドの間に混入した
わずかな不純物によっても、スクラッチと呼ばれる傷の
発生が容易となる。従って、研磨パッドの硬度は研磨対
象物の硬度に対応した適切な硬度に調整する必要があ
る。
エポキシ樹脂を主成分とする研磨パッドが提案されてい
る(特願平8−115794号)。前述したように、C
MPの対象となるものとして、SiO2などの層間絶縁
膜や、Al、Wなどの配線膜の2種類が挙げられるが
(以下、研磨対象物という)、これらの硬度は大きく異
なるので、研磨対象物の硬度に比べ研磨パッドの硬度が
小さい場合、研磨対象物より研磨パッドの摩耗が激し
く、研磨パッドの研磨面の形状(精度)が維持できな
い。これに対して、研磨対象物に比べ研磨パッドの硬度
が大きい場合、研磨対象物と研磨パッドの間に混入した
わずかな不純物によっても、スクラッチと呼ばれる傷の
発生が容易となる。従って、研磨パッドの硬度は研磨対
象物の硬度に対応した適切な硬度に調整する必要があ
る。
【0009】このような要求に対して、従来のエポキシ
樹脂を主成分とする研磨パッドでは、エポキシ樹脂と硬
化剤の混合比を変えて硬度を調整する方法、エポキシ樹
脂や硬化剤中に分散させる微粒子の種類、分散量を変え
て硬度を調整する方法、又はその両方の方法により硬度
の調整を行っていた。
樹脂を主成分とする研磨パッドでは、エポキシ樹脂と硬
化剤の混合比を変えて硬度を調整する方法、エポキシ樹
脂や硬化剤中に分散させる微粒子の種類、分散量を変え
て硬度を調整する方法、又はその両方の方法により硬度
の調整を行っていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、主成分である
エポキシ樹脂と硬化剤との混合比を変えて硬度を調整す
る方法の場合、主成分であるエポキシ樹脂と硬化剤の反
応の化学量論比が最適な化学量論比からズレるため、熱
転移温度が低下する、未反応樹脂により耐薬品性(耐ア
ルカリ性、耐酸性)が低下するという問題点が生じる。
エポキシ樹脂と硬化剤との混合比を変えて硬度を調整す
る方法の場合、主成分であるエポキシ樹脂と硬化剤の反
応の化学量論比が最適な化学量論比からズレるため、熱
転移温度が低下する、未反応樹脂により耐薬品性(耐ア
ルカリ性、耐酸性)が低下するという問題点が生じる。
【0011】また、エポキシ樹脂や硬化剤中に分散させ
る微粒子の種類、分散量を変えて硬度を調整する方法の
場合、硬度の調整範囲が限られるという問題点が生じ
る。また、微粒子の種類や分散量によっては、エポキシ
樹脂中への均一分散が困難となり、研磨パッド面内での
硬度の分布が生じるという問題点が生じる。そこで、本
発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであり、
研磨パッドの特性を低減することなく、研磨対象物の硬
度に対応した最適の硬度を有する研磨パッド及びそれを
用いた研磨装置を提供することを目的とする。
る微粒子の種類、分散量を変えて硬度を調整する方法の
場合、硬度の調整範囲が限られるという問題点が生じ
る。また、微粒子の種類や分散量によっては、エポキシ
樹脂中への均一分散が困難となり、研磨パッド面内での
硬度の分布が生じるという問題点が生じる。そこで、本
発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであり、
研磨パッドの特性を低減することなく、研磨対象物の硬
度に対応した最適の硬度を有する研磨パッド及びそれを
用いた研磨装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究の結
果、本発明をするに至った。本発明は第一に「下記A成
分、B成分及びC成分を主成分として含み、表面硬度が
ビッカース硬度で2.5〜40であることを特徴とする
CMP用研磨パッド。
果、本発明をするに至った。本発明は第一に「下記A成
分、B成分及びC成分を主成分として含み、表面硬度が
ビッカース硬度で2.5〜40であることを特徴とする
CMP用研磨パッド。
【0013】A.ビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂、ノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ
樹脂、またはこれらの重合体、これらを変成させたエポ
キシ樹脂 B.芳香族アミン類、芳香族酸無水物類、イミダゾール
類、またはこれらの重合体、これらを変成した硬化剤 C.モノエポキサイド、ポリエポキサイド、ポリチオー
ル、ポリオール、ポリカルボキシル化合物、ウレタンプ
レポリマー、ブロックウレタンプレポリマーの可撓性付
与剤(請求項1)」を提供する。
ボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ
樹脂、またはこれらの重合体、これらを変成させたエポ
キシ樹脂 B.芳香族アミン類、芳香族酸無水物類、イミダゾール
類、またはこれらの重合体、これらを変成した硬化剤 C.モノエポキサイド、ポリエポキサイド、ポリチオー
ル、ポリオール、ポリカルボキシル化合物、ウレタンプ
レポリマー、ブロックウレタンプレポリマーの可撓性付
与剤(請求項1)」を提供する。
【0014】請求項1記載の研磨パットは、モノエポキ
サイド、ポリエポキサイド、ポリチオール、ポリオー
ル、ポリカルボキシル化合物、ウレタンプレポリマー、
ブロックウレタンプレポリマーの可撓性付与剤を添加し
たので、表面硬度をビッカース硬度で2.5〜40の範
囲で調整することができ、エポキシ樹脂、硬化剤、可撓
性付与剤は、反応の化学量論比を満たすように混合され
るので、未反応樹脂がなく、耐薬品性(耐アルカリ性、
耐酸性)に優れ、CMPに特に有効である。
サイド、ポリエポキサイド、ポリチオール、ポリオー
ル、ポリカルボキシル化合物、ウレタンプレポリマー、
ブロックウレタンプレポリマーの可撓性付与剤を添加し
たので、表面硬度をビッカース硬度で2.5〜40の範
囲で調整することができ、エポキシ樹脂、硬化剤、可撓
性付与剤は、反応の化学量論比を満たすように混合され
るので、未反応樹脂がなく、耐薬品性(耐アルカリ性、
耐酸性)に優れ、CMPに特に有効である。
【0015】また、硬化剤として、芳香族アミン、芳香
族酸無水物、イミダゾール類、またはこれらの重合体、
これらを変成した硬化剤を用いたので、耐アルカリ性、
耐酸性に優れている。また、本発明は第二に「前記主成
分中に粒径が0.01〜300μmの無機微粒子を1種
類以上分散させてなり、その分散量が前記主成分と前記
無機微粒子との全重量の0.1〜80%の間であること
を特徴とする請求項1記載のCMP用研磨パッド(請求
項2)」を提供する。
族酸無水物、イミダゾール類、またはこれらの重合体、
これらを変成した硬化剤を用いたので、耐アルカリ性、
耐酸性に優れている。また、本発明は第二に「前記主成
分中に粒径が0.01〜300μmの無機微粒子を1種
類以上分散させてなり、その分散量が前記主成分と前記
無機微粒子との全重量の0.1〜80%の間であること
を特徴とする請求項1記載のCMP用研磨パッド(請求
項2)」を提供する。
【0016】請求項2記載の研磨パッドは、主成分中
に、少なくとも1種類以上の無機微粒子を分散させるこ
とにより、さらに耐薬品性(耐アルカリ性、耐酸性)を
向上し、かつ、表面硬度の調整の自由度が上がる。ま
た、微粒子の粒径は0.01〜300μmであるので、
研磨をおこなっても、ウエハの傷の原因になることがな
い。
に、少なくとも1種類以上の無機微粒子を分散させるこ
とにより、さらに耐薬品性(耐アルカリ性、耐酸性)を
向上し、かつ、表面硬度の調整の自由度が上がる。ま
た、微粒子の粒径は0.01〜300μmであるので、
研磨をおこなっても、ウエハの傷の原因になることがな
い。
【0017】また、本発明は第三に「前記主成分中に粒
径が0.01〜300μmの高分子微粒子を1種類以上
分散させてなり、その分散量が前記主成分と前記高分子
微粒子との全重量の0.1〜80%の間であることを特
徴とする請求項1記載のCMP用研磨パッド(請求項
3)」を提供する。請求項3記載の研磨パッドは、主成
分中に、少なくとも1種類以上の高分子微粒子を分散さ
せることにより、さらに耐薬品性(耐アルカリ性、耐酸
性)を向上し、かつ、表面硬度の調整の自由度が上が
る。また、微粒子の粒径は0.01〜300μmである
ので、研磨をおこなっても、ウエハの傷の原因になるこ
とがない。
径が0.01〜300μmの高分子微粒子を1種類以上
分散させてなり、その分散量が前記主成分と前記高分子
微粒子との全重量の0.1〜80%の間であることを特
徴とする請求項1記載のCMP用研磨パッド(請求項
3)」を提供する。請求項3記載の研磨パッドは、主成
分中に、少なくとも1種類以上の高分子微粒子を分散さ
せることにより、さらに耐薬品性(耐アルカリ性、耐酸
性)を向上し、かつ、表面硬度の調整の自由度が上が
る。また、微粒子の粒径は0.01〜300μmである
ので、研磨をおこなっても、ウエハの傷の原因になるこ
とがない。
【0018】また、本発明は第四に「研磨体と研磨対象
物との間に研磨剤を介在させた状態で、この研磨体と研
磨対象物とを相対移動させることにより、この研磨対象
物を研磨する研磨装置において、前記研磨体が定盤と研
磨パッドからなり、該研磨パッドに請求項1から3のい
ずれかに記載の研磨パッドを用いたことを特徴とする研
磨装置(請求項4)」を提供する。
物との間に研磨剤を介在させた状態で、この研磨体と研
磨対象物とを相対移動させることにより、この研磨対象
物を研磨する研磨装置において、前記研磨体が定盤と研
磨パッドからなり、該研磨パッドに請求項1から3のい
ずれかに記載の研磨パッドを用いたことを特徴とする研
磨装置(請求項4)」を提供する。
【0019】請求項4記載の研磨装置は請求項1から3
のいずれかに記載の研磨パッドを用いたので、研磨対象
物の硬度に対応しており、研磨パッドの面精度を維持し
つつ、研磨対象物に傷などをつけることなく、良好な研
磨をすることができる。
のいずれかに記載の研磨パッドを用いたので、研磨対象
物の硬度に対応しており、研磨パッドの面精度を維持し
つつ、研磨対象物に傷などをつけることなく、良好な研
磨をすることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】図1は、本発明にかかる実施形態
の研磨パッドを定盤上に形成した研磨体の概略断面図で
ある。研磨パッドの主成分はエポキシ樹脂であり、エポ
キシ樹脂の特徴である接着性を利用して定盤上に直接形
成されている。
の研磨パッドを定盤上に形成した研磨体の概略断面図で
ある。研磨パッドの主成分はエポキシ樹脂であり、エポ
キシ樹脂の特徴である接着性を利用して定盤上に直接形
成されている。
【0021】従って、従来の研磨パッドのように研磨パ
ッドを定盤に貼り付けたときに所望の平面度を得ること
ができないという問題が生じない。このエポキシ樹脂に
は、硬化剤、可撓性付与剤が添加され(以下、これらを
まとめて混合物という)、可撓性付与剤により硬度を調
整しつつ、硬化剤は化学量論的添加量の0.7〜1.2
となるように混合されている。
ッドを定盤に貼り付けたときに所望の平面度を得ること
ができないという問題が生じない。このエポキシ樹脂に
は、硬化剤、可撓性付与剤が添加され(以下、これらを
まとめて混合物という)、可撓性付与剤により硬度を調
整しつつ、硬化剤は化学量論的添加量の0.7〜1.2
となるように混合されている。
【0022】また、硬度調整の役割を補完するために、
無機微粒子又は高分子微粒子を添加してもよい。エポキ
シ樹脂としては、ビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂、ノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ
樹脂、またはこれらの重合体、これらを変成させたエポ
キシ樹脂が用いられる。
無機微粒子又は高分子微粒子を添加してもよい。エポキ
シ樹脂としては、ビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂、ノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ
樹脂、またはこれらの重合体、これらを変成させたエポ
キシ樹脂が用いられる。
【0023】ビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂は、化1
で表され、ノボラック型エポキシ樹脂は、化2で表さ
れ、ビスフェノールF型エポキシ樹脂は、化3で表され
る。
で表され、ノボラック型エポキシ樹脂は、化2で表さ
れ、ビスフェノールF型エポキシ樹脂は、化3で表され
る。
【0024】
【化1】
【0025】
【化2】
【0026】
【化3】
【0027】硬化剤として、芳香族アミン類、芳香族酸
無水物類、イミダゾール類、またはこれらの重合体、こ
れらを変成したものが用いられる。芳香族アミン類とし
ては、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミ
ン、p−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノアニゾ
ール、2,4−トルエンジアミン、2,4−ジアミノジ
フェニルアミン、4,4’−メチレンジアニリン、4,
4−ジアミノジフェニルスルフォン、ジアミノジキシリ
ルスルフォン、m−キシレンジアミン、1,3−ジアミ
ノシクロヘキサンが挙げられる。
無水物類、イミダゾール類、またはこれらの重合体、こ
れらを変成したものが用いられる。芳香族アミン類とし
ては、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミ
ン、p−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノアニゾ
ール、2,4−トルエンジアミン、2,4−ジアミノジ
フェニルアミン、4,4’−メチレンジアニリン、4,
4−ジアミノジフェニルスルフォン、ジアミノジキシリ
ルスルフォン、m−キシレンジアミン、1,3−ジアミ
ノシクロヘキサンが挙げられる。
【0028】芳香族酸無水物類としては、無水フタル
酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、3,
3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水
物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテー
ト、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテートが挙
げられる。イミダゾール類としては、2−メチルイミダ
ゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−ウ
ンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾー
ル、2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−メチル
イミダゾール、1−シアノエチル−メチルイミダゾー
ル、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダ
ゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾー
ル、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウム
・トリメリテート、1−シアノエチル−2−フェニルイ
ミダゾリウム・トリメリテート、2−メチルイミダゾリ
ウム・イソシアヌレート、2−フェニルイミダゾリウム
・イソシアヌレート、2,4−ジアミノ−6−[2−メ
チルイミダゾリル−(1)]−エチルS−トリアジン、
2,4−ジアミノ−6−[2−エチル−4−メチルイミ
ダゾリル−(1)]−エチルS−トリアジン、2,4−
ジアミノ−6−[2−ウンデシルイミダゾリル−
(1)]−エチルS−トリアジン、2−フェニル−4,
5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−
4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、1−
シアノエチル−2−フェニル−4,5−ジ(シアノエト
キシメチルイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−
3−ベンジルイミダゾリウム・クロライド、1,3−ジ
ベンジル−2−メチルイミダゾリウム・クロライドが挙
げられる。
酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、3,
3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水
物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテー
ト、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテートが挙
げられる。イミダゾール類としては、2−メチルイミダ
ゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−ウ
ンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾー
ル、2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−メチル
イミダゾール、1−シアノエチル−メチルイミダゾー
ル、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダ
ゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾー
ル、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウム
・トリメリテート、1−シアノエチル−2−フェニルイ
ミダゾリウム・トリメリテート、2−メチルイミダゾリ
ウム・イソシアヌレート、2−フェニルイミダゾリウム
・イソシアヌレート、2,4−ジアミノ−6−[2−メ
チルイミダゾリル−(1)]−エチルS−トリアジン、
2,4−ジアミノ−6−[2−エチル−4−メチルイミ
ダゾリル−(1)]−エチルS−トリアジン、2,4−
ジアミノ−6−[2−ウンデシルイミダゾリル−
(1)]−エチルS−トリアジン、2−フェニル−4,
5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−
4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、1−
シアノエチル−2−フェニル−4,5−ジ(シアノエト
キシメチルイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−
3−ベンジルイミダゾリウム・クロライド、1,3−ジ
ベンジル−2−メチルイミダゾリウム・クロライドが挙
げられる。
【0029】可撓性付与剤として、モノエポキサイド、
ポリエポキサイド、ポリチオール、ポリオール、ポリカ
ルボキシル化合物、ウレタンプレポリマー、ブロックウ
レタンプレポリマーが挙げられる。モノエポキサイドと
しては、カルダノールのエポキシ化物等が挙げられる。
ポリエポキサイドとしては、ポリグリシジルエーテル系
のポリプロピレングリコールのエポキシ化物、ビスフェ
ノールAにプロピレンオキサイドを付加した含核ポリオ
ールをエポキシ化物、ビスフェノールA型液状エポキシ
樹脂と重合脂肪酸の部分付加物、ポリグリシジルエステ
ル系の重合脂肪酸のポリグリシジルエステル等が挙げら
れる。
ポリエポキサイド、ポリチオール、ポリオール、ポリカ
ルボキシル化合物、ウレタンプレポリマー、ブロックウ
レタンプレポリマーが挙げられる。モノエポキサイドと
しては、カルダノールのエポキシ化物等が挙げられる。
ポリエポキサイドとしては、ポリグリシジルエーテル系
のポリプロピレングリコールのエポキシ化物、ビスフェ
ノールAにプロピレンオキサイドを付加した含核ポリオ
ールをエポキシ化物、ビスフェノールA型液状エポキシ
樹脂と重合脂肪酸の部分付加物、ポリグリシジルエステ
ル系の重合脂肪酸のポリグリシジルエステル等が挙げら
れる。
【0030】ポリオールとしては、ポリプロピレングリ
コール、ポリテトラメチレングリコール、水酸基末端ポ
リエステル等が挙げられる。可撓性付与剤は、エポキシ
樹脂と可撓性付与剤との全重量に対して0.1〜80%
の間で、硬度がビッカース硬度で2.5〜40となるよ
うに添加することが好ましい。
コール、ポリテトラメチレングリコール、水酸基末端ポ
リエステル等が挙げられる。可撓性付与剤は、エポキシ
樹脂と可撓性付与剤との全重量に対して0.1〜80%
の間で、硬度がビッカース硬度で2.5〜40となるよ
うに添加することが好ましい。
【0031】混合物中に分散させる無機微粒子として
は、粒径が0.01〜300μmのアスベスト、炭素、
酸化珪素、酸化セリウム、酸化アルミ、酸化チタン、酸
化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭化珪素、窒化ボ
ロンが挙げられる。また、混合物中に分散させる高分子
微粒子としては、粒径が0.01〜300μmのアクリ
ル樹脂、ポリエチレン樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹
脂、珪素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リイプロピレン樹脂のビーズ、粉末が挙げられる。
は、粒径が0.01〜300μmのアスベスト、炭素、
酸化珪素、酸化セリウム、酸化アルミ、酸化チタン、酸
化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭化珪素、窒化ボ
ロンが挙げられる。また、混合物中に分散させる高分子
微粒子としては、粒径が0.01〜300μmのアクリ
ル樹脂、ポリエチレン樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹
脂、珪素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リイプロピレン樹脂のビーズ、粉末が挙げられる。
【0032】混合物中への上記微粒子の分散量は、混合
物と微粒子との全重量に対して0.1〜80%の間で、
硬度がビッカース硬度で2.5〜40となるように添加
することが好ましい。また、微粒子を混入させることに
より、研磨パッドの機械的強度が増大する、熱変形温度
が高温側にシフトする、研磨加工時に発生する摩擦熱が
低減する等の効果がある。
物と微粒子との全重量に対して0.1〜80%の間で、
硬度がビッカース硬度で2.5〜40となるように添加
することが好ましい。また、微粒子を混入させることに
より、研磨パッドの機械的強度が増大する、熱変形温度
が高温側にシフトする、研磨加工時に発生する摩擦熱が
低減する等の効果がある。
【0033】以下、本発明にかかる研磨パッドの製造方
法を以下に示す。図2、3は本発明にかかる研磨パッド
の製造工程である。まず、前述したエポキシ樹脂、可撓
性付与剤、硬化剤(以下、混合物22という)を所定の
重量比で容器21に取り、十分に攪袢棒23で撹拌を行
う(図2(a))。
法を以下に示す。図2、3は本発明にかかる研磨パッド
の製造工程である。まず、前述したエポキシ樹脂、可撓
性付与剤、硬化剤(以下、混合物22という)を所定の
重量比で容器21に取り、十分に攪袢棒23で撹拌を行
う(図2(a))。
【0034】次に、これを研磨パッド製作工具24に配
置した、直径φ300mm〜1000の平板の定盤11
(鋳鉄、又は溶融石英製等)上に、混合物22が2mm
〜10mm厚になるよう滴下する(図2(b))。さら
に、その状態で恒温槽25に入れ、120℃〜200℃
で5〜12時間加熱し、混合物22を十分に硬化させる
(図2(c))。
置した、直径φ300mm〜1000の平板の定盤11
(鋳鉄、又は溶融石英製等)上に、混合物22が2mm
〜10mm厚になるよう滴下する(図2(b))。さら
に、その状態で恒温槽25に入れ、120℃〜200℃
で5〜12時間加熱し、混合物22を十分に硬化させる
(図2(c))。
【0035】最後に、十分に温度が下がってから取り出
し、機械加工で研磨剤が通る溝を切削および研磨パッド
の粗い面出しを行い、研磨体26を製作する(図2
(d))。研磨体26の研磨パッドの平面度出しは、オ
スカー型の研磨機29を使用し、直径φ300mm〜1
200mmの平板の合わせ皿27と5%(重量%)の酸
化セリウム研磨剤28により行い、研磨パッド面の平面
度を、1μm以下にした研磨体30を製作する(図3
(a)、(b))。
し、機械加工で研磨剤が通る溝を切削および研磨パッド
の粗い面出しを行い、研磨体26を製作する(図2
(d))。研磨体26の研磨パッドの平面度出しは、オ
スカー型の研磨機29を使用し、直径φ300mm〜1
200mmの平板の合わせ皿27と5%(重量%)の酸
化セリウム研磨剤28により行い、研磨パッド面の平面
度を、1μm以下にした研磨体30を製作する(図3
(a)、(b))。
【0036】
【実施例】[実施例1]ビスフェノールA型エポキシ樹
脂(油化シェル製 商品名:エピコート828)と、可
撓性付与剤として重合脂肪酸ポリグリシジルエステル
(油化シェル製商品名:エピコート781)とを、重合
脂肪酸ポリグリシジルエステルの割合がビスフェノール
A型エポキシ樹脂と重合脂肪酸ポリグリシジルエステル
との全重量に対して0、10、20、40、60 %と
なる様にそれぞれ容器に取り、十分に攪袢棒で撹拌混合
した。
脂(油化シェル製 商品名:エピコート828)と、可
撓性付与剤として重合脂肪酸ポリグリシジルエステル
(油化シェル製商品名:エピコート781)とを、重合
脂肪酸ポリグリシジルエステルの割合がビスフェノール
A型エポキシ樹脂と重合脂肪酸ポリグリシジルエステル
との全重量に対して0、10、20、40、60 %と
なる様にそれぞれ容器に取り、十分に攪袢棒で撹拌混合
した。
【0037】次に、前記各混合物のエポキシ当量と同当
量のジアミノジフェニルメタン(芳香族アミン類)を加
え、さらに十分に攪袢棒で撹拌混合を行った。これらを
φ36×30tのポリエチレン製の容器にそれぞれ滴下
した。さらに、これらを恒温槽に入れ、120℃で5時
間加熱して、十分に硬化させた。
量のジアミノジフェニルメタン(芳香族アミン類)を加
え、さらに十分に攪袢棒で撹拌混合を行った。これらを
φ36×30tのポリエチレン製の容器にそれぞれ滴下
した。さらに、これらを恒温槽に入れ、120℃で5時
間加熱して、十分に硬化させた。
【0038】次に、十分に温度が下がってからこれらを
取り出し、機械加工によりφ30×2tのディスク形状
に加工し、その表面を#400、#600の耐水サンド
ペーパー、及び5μmアルミナ研磨により、光沢面を形
成し、硬度測定用サンプルを製作した。上記サンプルの
ビッカース硬度を図4に示す。
取り出し、機械加工によりφ30×2tのディスク形状
に加工し、その表面を#400、#600の耐水サンド
ペーパー、及び5μmアルミナ研磨により、光沢面を形
成し、硬度測定用サンプルを製作した。上記サンプルの
ビッカース硬度を図4に示す。
【0039】耐薬品性評価を行ったところ、ビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂と、重合脂肪酸ポリグリシジルエ
ステルと、ジアミノジフェニルメタンとの混合比は、反
応の化学量論比を満たすので、未反応樹脂がなく、耐薬
品性に優れていた。 [実施例2]ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製 商品名:エピコート828)と、可撓性付与剤
として重合脂肪酸ポリグリシジルエステル(油化シェル
製商品名:エピコート781)とを、重合脂肪酸ポリグ
リシジルエステルの割合がビスフェノールA型エポキシ
樹脂と重合脂肪酸ポリグリシジルエステルとの全重量に
対して0、10、20、40、80 %となる様にそれ
ぞれ容器に取り、十分に攪袢棒で撹拌混合した。
ールA型エポキシ樹脂と、重合脂肪酸ポリグリシジルエ
ステルと、ジアミノジフェニルメタンとの混合比は、反
応の化学量論比を満たすので、未反応樹脂がなく、耐薬
品性に優れていた。 [実施例2]ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製 商品名:エピコート828)と、可撓性付与剤
として重合脂肪酸ポリグリシジルエステル(油化シェル
製商品名:エピコート781)とを、重合脂肪酸ポリグ
リシジルエステルの割合がビスフェノールA型エポキシ
樹脂と重合脂肪酸ポリグリシジルエステルとの全重量に
対して0、10、20、40、80 %となる様にそれ
ぞれ容器に取り、十分に攪袢棒で撹拌混合した。
【0040】次に、各混合物のエポキシ当量と同当量の
ジアミノジフェニルメタン(芳香族アミン類)を加え、
さらに十分に攪袢棒で撹拌混合を行った。さらに、各混
合物とSiO2との全重量に対して分散量が5%になる
ように粒径1μmのSiO2を混合し、十分に攪袢棒で
撹拌混合を行った。実施例1と同様な工程で硬度測定用
のサンプルを製作した。
ジアミノジフェニルメタン(芳香族アミン類)を加え、
さらに十分に攪袢棒で撹拌混合を行った。さらに、各混
合物とSiO2との全重量に対して分散量が5%になる
ように粒径1μmのSiO2を混合し、十分に攪袢棒で
撹拌混合を行った。実施例1と同様な工程で硬度測定用
のサンプルを製作した。
【0041】上記サンプルをのビッカース硬度を図4に
示す。耐薬品性評価を行ったところ、ビスフェノールA
型エポキシ樹脂と、重合脂肪酸ポリグリシジルエステル
と、ジアミノジフェニルメタンとの混合比は、反応の化
学量論比を満たすので、未反応樹脂がなく、耐薬品性に
優れていた。 [実施例3]ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製 商品名:エピコート828)と、可撓性付与剤
として重合脂肪酸ポリグリシジルエステル(油化シェル
製商品名:エピコート781)とを、重合脂肪酸ポリグ
リシジルエステルの割合がビスフェノールA型エポキシ
樹脂と重合脂肪酸ポリグリシジルエステルとの全重量に
対して0、10、20、40 %となる様にそれぞれ容
器に取り、十分に攪袢棒で撹拌混合した。
示す。耐薬品性評価を行ったところ、ビスフェノールA
型エポキシ樹脂と、重合脂肪酸ポリグリシジルエステル
と、ジアミノジフェニルメタンとの混合比は、反応の化
学量論比を満たすので、未反応樹脂がなく、耐薬品性に
優れていた。 [実施例3]ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製 商品名:エピコート828)と、可撓性付与剤
として重合脂肪酸ポリグリシジルエステル(油化シェル
製商品名:エピコート781)とを、重合脂肪酸ポリグ
リシジルエステルの割合がビスフェノールA型エポキシ
樹脂と重合脂肪酸ポリグリシジルエステルとの全重量に
対して0、10、20、40 %となる様にそれぞれ容
器に取り、十分に攪袢棒で撹拌混合した。
【0042】次に、各混合物のエポキシ当量と同当量の
ジアミノジフェニルメタン(芳香族アミン類)を加え、
さらに十分に攪袢棒で撹拌混合を行った。さらに、各混
合物とポリスチレンビーズとの全重量に対して分散量が
5%になるように粒径1μmのポリスチレンビーズを混
合し、十分に攪拌棒で撹拌混合を行った。
ジアミノジフェニルメタン(芳香族アミン類)を加え、
さらに十分に攪袢棒で撹拌混合を行った。さらに、各混
合物とポリスチレンビーズとの全重量に対して分散量が
5%になるように粒径1μmのポリスチレンビーズを混
合し、十分に攪拌棒で撹拌混合を行った。
【0043】実施例1と同様にして硬度測定用のサンプ
ルを作製した。上記サンプルのビッカース硬度を図4に
示す。耐薬品性評価を行ったところ、ビスフェノールA
型エポキシ樹脂と、重合脂肪酸ポリグリシジルエステル
と、ジアミノジフェニルメタンとの混合比は、反応の化
学量論比を満たすので、未反応樹脂がなく、耐薬品性に
優れていた。 [比較例1]ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製 商品名:エピコート828)とジアミノジフェ
ニルメタン(芳香族アミン類)とを100:26になる
ように、容器41に取り、次いでこの混合物とポリスチ
レンビースの全重量に対して分散量が0、10、20%
となるように粒径1μmのポリスチレンビーズをそれぞ
れ容器にとり、十分に攪拌棒で撹拌混合を行った。
ルを作製した。上記サンプルのビッカース硬度を図4に
示す。耐薬品性評価を行ったところ、ビスフェノールA
型エポキシ樹脂と、重合脂肪酸ポリグリシジルエステル
と、ジアミノジフェニルメタンとの混合比は、反応の化
学量論比を満たすので、未反応樹脂がなく、耐薬品性に
優れていた。 [比較例1]ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製 商品名:エピコート828)とジアミノジフェ
ニルメタン(芳香族アミン類)とを100:26になる
ように、容器41に取り、次いでこの混合物とポリスチ
レンビースの全重量に対して分散量が0、10、20%
となるように粒径1μmのポリスチレンビーズをそれぞ
れ容器にとり、十分に攪拌棒で撹拌混合を行った。
【0044】また、前記分散量が25%以上になるよう
にポリスチレンビーズを混合することは、粘度上昇によ
り困難であった。実施例1と同様の工程で、硬度測定用
のサンプルを製作した。上記サンプルのビッカース硬度
を図5に示す。これより、ビッカース硬度のコントロー
ル範囲は、可撓性付与剤によるコントロール範囲より狭
いことがわかる。 [実施例4]本発明にかかる研磨パ
ッドを図2、3の製造工程に従って製作した。
にポリスチレンビーズを混合することは、粘度上昇によ
り困難であった。実施例1と同様の工程で、硬度測定用
のサンプルを製作した。上記サンプルのビッカース硬度
を図5に示す。これより、ビッカース硬度のコントロー
ル範囲は、可撓性付与剤によるコントロール範囲より狭
いことがわかる。 [実施例4]本発明にかかる研磨パ
ッドを図2、3の製造工程に従って製作した。
【0045】まず、ビスフェノールA型エポキシ樹脂
(油化シェル製 商品名:エピコート828)と、重合
脂肪酸ポリグリシジルエステル(油化シェル製 商品
名:エピコート781)と、ジアミノジフェニルメタン
とを重量比で100:32:100になるように、容器
21に取り(以下、これらをまとめて混合物という)、
十分に攪袢棒23で撹拌を行った(図2(a))。
(油化シェル製 商品名:エピコート828)と、重合
脂肪酸ポリグリシジルエステル(油化シェル製 商品
名:エピコート781)と、ジアミノジフェニルメタン
とを重量比で100:32:100になるように、容器
21に取り(以下、これらをまとめて混合物という)、
十分に攪袢棒23で撹拌を行った(図2(a))。
【0046】次に、これを研磨パッド製作工具24に配
置した、直径φ300mmの平板の定盤11(鋳鉄、又
は溶融石英製等)上に、混合物が5mm厚になるよう滴
下した(図2(b))。さらに、その状態で恒温槽25
に入れ、120℃で5時間加熱し、混合物を十分に硬化
させた(図2(c))。
置した、直径φ300mmの平板の定盤11(鋳鉄、又
は溶融石英製等)上に、混合物が5mm厚になるよう滴
下した(図2(b))。さらに、その状態で恒温槽25
に入れ、120℃で5時間加熱し、混合物を十分に硬化
させた(図2(c))。
【0047】最後に、十分に温度が下がってから取り出
し、機械加工で研磨液が通る溝を切削および研磨パッド
の粗い面出しを行い、研磨体26を得た。また、この研
磨パッドの硬度は、ビッカース硬度で約9であった。研
磨体26の研磨パッドの平面度出しは、オスカー型の研
磨機29を使用し、直径φ300mmの平板の合わせ皿
27と5%(重量%)の酸化セリウム研磨剤28により
行い、研磨パッド面の平面度を、1μm以下にした研磨
体30を製作した(図3(a)、(b))。
し、機械加工で研磨液が通る溝を切削および研磨パッド
の粗い面出しを行い、研磨体26を得た。また、この研
磨パッドの硬度は、ビッカース硬度で約9であった。研
磨体26の研磨パッドの平面度出しは、オスカー型の研
磨機29を使用し、直径φ300mmの平板の合わせ皿
27と5%(重量%)の酸化セリウム研磨剤28により
行い、研磨パッド面の平面度を、1μm以下にした研磨
体30を製作した(図3(a)、(b))。
【0048】従来の研磨装置の研磨パッドと定盤の替わ
りに実施例5で製作した研磨体30を用いて、半導体平
坦化の研磨加工について説明する。平坦化研磨加工に使
用したウェハは3インチのSiウェハで表面に1μm厚
のアルミ層が適当なパターンで形成されている。その上
にプラズマCVDによる酸化珪素膜(SiO2)が形成
され、図7(a)で示す様な凹凸を有する試料を作成し
た。このパターンが形成されたウェハの最表面を次の条
件により平坦化研磨加工した。
りに実施例5で製作した研磨体30を用いて、半導体平
坦化の研磨加工について説明する。平坦化研磨加工に使
用したウェハは3インチのSiウェハで表面に1μm厚
のアルミ層が適当なパターンで形成されている。その上
にプラズマCVDによる酸化珪素膜(SiO2)が形成
され、図7(a)で示す様な凹凸を有する試料を作成し
た。このパターンが形成されたウェハの最表面を次の条
件により平坦化研磨加工した。
【0049】加工条件 ・ウエハ回転数:20〜100rpm ・研磨ヘッド回転数:20〜100rpm ・揺動距離:35mm ・揺動回数:5往復/分 ・荷重:50〜400g/cm2 ・研磨剤:SiO2アルカリ水溶液 ・研磨時間:2分 この研磨条件により、同一ウェハを200枚連続で研磨
加工したところ、いずれもニュートン縞2〜4本の平面
が得られた。また、ウェハにスクラッチの発生、パター
ンの密度による平面度、縁だれへの影響は見られなかっ
た。研磨後の研磨パッド表面を検査したところ初期状態
と変化はなかった。 [比較例2]ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製 商品名:エピコート828)とジアミノジフェ
ニルメタン(芳香族アミン類)とを重量比で100:2
6になるように、容器に取り、次いで混合物全量に対し
重量比で5%の粒径1μmのポリスチレンビーズを容器
に取り、実施例4と同様の工程で研磨パッドを製作し
た。
加工したところ、いずれもニュートン縞2〜4本の平面
が得られた。また、ウェハにスクラッチの発生、パター
ンの密度による平面度、縁だれへの影響は見られなかっ
た。研磨後の研磨パッド表面を検査したところ初期状態
と変化はなかった。 [比較例2]ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製 商品名:エピコート828)とジアミノジフェ
ニルメタン(芳香族アミン類)とを重量比で100:2
6になるように、容器に取り、次いで混合物全量に対し
重量比で5%の粒径1μmのポリスチレンビーズを容器
に取り、実施例4と同様の工程で研磨パッドを製作し
た。
【0050】実施例4と同様の研磨条件により、同一ウ
ェハを200枚連続で研磨加工したところいずれもニュ
ートン縞2〜4本の平面は得られたが、ウェハにスクラ
ッチの発生が確認された。
ェハを200枚連続で研磨加工したところいずれもニュ
ートン縞2〜4本の平面は得られたが、ウェハにスクラ
ッチの発生が確認された。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる研
磨パッドは、モノエポキサイド、ポリエポキサイド、ポ
リチオール、ポリオール、ポリカルボキシル化合物、ウ
レタンプレポリマー、ブロックウレタンプレポリマーの
可撓性付与剤を添加したので、表面硬度をビッカース硬
度で2.5〜40の範囲で調整することができ、エポキ
シ樹脂、硬化剤、可撓性付与剤は、反応の化学量論比を
満たすように混合されるので、未反応樹脂がなく、耐薬
品性(耐アルカリ性、耐酸性)に優れ、CMPに特に有
効である。
磨パッドは、モノエポキサイド、ポリエポキサイド、ポ
リチオール、ポリオール、ポリカルボキシル化合物、ウ
レタンプレポリマー、ブロックウレタンプレポリマーの
可撓性付与剤を添加したので、表面硬度をビッカース硬
度で2.5〜40の範囲で調整することができ、エポキ
シ樹脂、硬化剤、可撓性付与剤は、反応の化学量論比を
満たすように混合されるので、未反応樹脂がなく、耐薬
品性(耐アルカリ性、耐酸性)に優れ、CMPに特に有
効である。
【0052】無機微粒子を混入させることにより、さら
に、耐薬品性(耐アルカリ性、耐酸性)が向上し、か
つ、表面硬度の調整の自由度が上がる。
に、耐薬品性(耐アルカリ性、耐酸性)が向上し、か
つ、表面硬度の調整の自由度が上がる。
【図1】本発明にかかる実施形態の研磨パッドを定盤上
に形成した研磨体の概略断面図である。
に形成した研磨体の概略断面図である。
【図2】本発明にかかる研磨パッドの製造工程を示す工
程図である。
程図である。
【図3】本発明にかかる研磨パッドの平面度を出す工程
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図4】実施例1、2、3で製作したサンプルの可撓性
付与剤の添加量と表面硬度の関係を示す図である。
付与剤の添加量と表面硬度の関係を示す図である。
【図5】比較例1で製作したサンプルの微粒子の分散量
と表面硬度の関係を示す図である。
と表面硬度の関係を示す図である。
【図6】従来のCMP装置の概略斜視図である。
【図7】半導体平坦化プロセスを示す概略断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 10・・・研磨体 11、31・・・定盤 12・・・エポキシ樹脂、硬化剤、可撓性付与剤を主成
分とする研磨パッド 13・・・微粒子 21・・・混合容器 22・・・エポキシ樹脂、硬化剤、可撓性付与剤、(微
粒子) 23・・・攪拌棒 24・・・研磨パッド作製工具 25・・・硬化用恒温槽 26・・・溝入れ、粗面出し後の研磨パッド 27・・・合わせ皿 28・・・酸化セリウム研磨剤 29・・・オスカー型研磨機 30・・・面出し後の研磨体 32・・・発泡ポリウレタンからなる研磨パッド 33・・・研磨ヘッド 34・・・ウエハ 35・・・研磨剤供給ノズル 36・・・研磨剤 37・・・研磨装置 41・・・シリコンウェハ 42・・・層間絶縁膜(SiO2) 43・・・金属膜(Al)
分とする研磨パッド 13・・・微粒子 21・・・混合容器 22・・・エポキシ樹脂、硬化剤、可撓性付与剤、(微
粒子) 23・・・攪拌棒 24・・・研磨パッド作製工具 25・・・硬化用恒温槽 26・・・溝入れ、粗面出し後の研磨パッド 27・・・合わせ皿 28・・・酸化セリウム研磨剤 29・・・オスカー型研磨機 30・・・面出し後の研磨体 32・・・発泡ポリウレタンからなる研磨パッド 33・・・研磨ヘッド 34・・・ウエハ 35・・・研磨剤供給ノズル 36・・・研磨剤 37・・・研磨装置 41・・・シリコンウェハ 42・・・層間絶縁膜(SiO2) 43・・・金属膜(Al)
Claims (4)
- 【請求項1】下記A成分、B成分及びC成分を主成分と
して含み、表面硬度がビッカース硬度で2.5〜40で
あることを特徴とするCMP用研磨パッド。 A.ビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、または
これらの重合体、これらを変成させたエポキシ樹脂 B.芳香族アミン類、芳香族酸無水物類、イミダゾール
類、またはこれらの重合体、これらを変成した硬化剤 C.モノエポキサイド、ポリエポキサイド、ポリチオー
ル、ポリオール、ポリカルボキシル化合物、ウレタンプ
レポリマー、ブロックウレタンプレポリマーの可撓性付
与剤 - 【請求項2】前記主成分中に粒径が0.01〜300μ
mの無機微粒子を1種類以上分散させてなり、その分散
量が前記主成分と前記無機微粒子との全重量の0.1〜
80%の間であることを特徴とする請求項1記載のCM
P用研磨パッド。 - 【請求項3】前記主成分中に粒径が0.01〜300μ
mの高分子微粒子を1種類以上分散させてなり、その分
散量が前記主成分と前記高分子微粒子との全重量の0.
1〜80%の間であることを特徴とする請求項1記載の
CMP用研磨パッド。 - 【請求項4】研磨体と研磨対象物との間に研磨剤を介在
させた状態で、この研磨体と研磨対象物とを相対移動さ
せることにより、この研磨対象物を研磨する研磨装置に
おいて、 前記研磨体が定盤と研磨パッドからなり、 該研磨パッドに請求項1から3のいずれかに記載の研磨
パッドを用いたことを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30588597A JP3229986B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Cmp用研磨パッド及びそれを用いた研磨装置 |
US09/187,910 US6174227B1 (en) | 1997-11-07 | 1998-11-06 | Polishing pad and polishing apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30588597A JP3229986B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Cmp用研磨パッド及びそれを用いた研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11138421A JPH11138421A (ja) | 1999-05-25 |
JP3229986B2 true JP3229986B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=17950493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30588597A Expired - Fee Related JP3229986B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Cmp用研磨パッド及びそれを用いた研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3229986B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4491857B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2010-06-30 | 日立化成工業株式会社 | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JPWO2012137531A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2014-07-28 | Dic株式会社 | 研磨パッド用ウレタン樹脂組成物、研磨パッド及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP30588597A patent/JP3229986B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11138421A (ja) | 1999-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1284841B1 (en) | Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization | |
TWI500722B (zh) | 包含無機粒子與聚合物粒子之化學機械拋光(cmp)組成物 | |
KR100988749B1 (ko) | 반도체용 연마제, 그 제조 방법 및 연마 방법 | |
CN100457394C (zh) | 用于浅沟槽隔离的化学/机械抛光方法 | |
JP5389973B2 (ja) | 積層研磨パッド及びその製造方法 | |
US6174227B1 (en) | Polishing pad and polishing apparatus using the same | |
TWI513546B (zh) | Laminated polishing pad and manufacturing method thereof | |
WO2013108694A1 (ja) | 積層研磨パッドの製造方法 | |
JP2003324087A (ja) | 研磨材 | |
JP4909706B2 (ja) | 研磨パッド | |
EP1345734B1 (en) | Crosslinked polyethylene polishing pad for chemical-mechnical polishing and polishing apparatus | |
CN100341118C (zh) | 化学机械抛光装置用晶片定位环 | |
US6846225B2 (en) | Selective chemical-mechanical polishing properties of a cross-linked polymer and specific applications therefor | |
JP2016124043A (ja) | 研磨パッド | |
JP3229986B2 (ja) | Cmp用研磨パッド及びそれを用いた研磨装置 | |
US20020004317A1 (en) | Ceria based slurry for chemical-mechanical polishing | |
JP4606733B2 (ja) | 研磨パッドおよび半導体ウエハの研磨方法 | |
WO2003098680A1 (en) | Chemical mechanical planarization of low dielectric constant materials | |
KR20040098671A (ko) | Cmp용 세리아 연마제 및 그 제조 방법 | |
JP3229985B2 (ja) | Cmp用研磨パッド及びそれを用いた研磨装置 | |
JP3467822B2 (ja) | 研磨方法 | |
JP2002292556A (ja) | シリコンウエハ鏡面研磨用スラリー、砥石、パッド及び研磨液、並びにこれらを用いたシリコンウエハの鏡面研磨方法 | |
WO2014103640A1 (ja) | 円形状研磨パッド | |
JP2004235445A (ja) | 研磨パッド | |
JP2001129764A (ja) | シリコン加工用工具及びその製造方法並びにその工具を用いた加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |