JPS58136041A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある九４％部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（ｌｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することが出来ること号の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電、材料
にアモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１、１号公報には光電変換ａ取装
置への応用が記載されている。

面乍ら、従来のａ−８ｉで構成された光４電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電、的特性、及び使用環境特性の点、史
には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々
には特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計
る上で史に改良さｎる余地が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、尚暗抵抗化を同時に創ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留−位が残る場合が度々観測
され、この柳の光導電部材は長時間繰返し使用し絖ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ず
１１１１す る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかった。

父、ａ−８ｉ材料で光導１１１ｉｉを構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や地累原子等のハロケン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のだめに他の原子が、各々構成原子と
して光導′電層中に含有されるが、これ等の構成原子の
含廟の仕方如何によっては、形成した層の霜、気的或い
は光導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合かあった。

即ち、例えば、形成した光導電１層中に光照射によつで
発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でない
ことや暗部において、支持体１則よりの電荷の注入の阻
止が充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像
に俗に１白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象に
よると思われる画障欠陥や、例えば、クリーニングに、
フレードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に「
白スレ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりしてい
た。父、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気
中に長時間放置した直後に使用すると俗に云う画像のボ
ケが生ずる場合が少なくなかった。

更には、ｊ−厚が十数μ以上になるとｊ−形成用の真空
堆積室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と
共に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀
裂が生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、
殊に支持体が通常、電子４真分野に於いで使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の
虞に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一力
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とｌ〜、水素原子（）ｉ又はノ・ロケン
原子（３）のいずれか一方を少なくとも含有するアモル
ファス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロケ
ン化アモルファスシリコン、或いはハロケン含有水素化
アモルファスシリコン〔以後こし等の総称的表記として
［’　ａ−８ｉ　（Ｈ、Ｘ　）　Ｊを使用う”る〕から
１１４成される光導電層を崩する光導電部材の層構成を
以後に説明される様な特定化の下に設計されて作成され
た光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかりで
々く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点にお
いて凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材と
して著しく優れた特性を有していることを見出した点に
基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質旧に常時安定しており、耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久
性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測され
ない光導−１郡材を提供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密層性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品潰の島い光導電
部材を提供１′ることである。

本発明の他の目的は、電子再興用像形成部材とし１適用
させた場合、静電像ノ１′／成のだめの帯電処理の際の
電荷保持能力が充分あり、通常の一１千写九法が極めて
有効に適用され得る優れた電子４具特性を有する光導′
＠、部材を提供することである。

本発明の史に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質１１！ｌＩ像を得
ることが容易にできる電子写真用の光導電部材を提供う
ることである。

本発明の史にもう１つの［１的は、ｉ％光光感外性高Ｓ
Ｎ比時性及び昼耐圧性を翁する光導電部材を提供う°る
ことでもある。

本発明の光導電部材は光導電８１３材用の支持体と、シ
リコンｊ皇子を母体とし、構成原子とじて４３　ａｔｏ
ｍｉｃ％首での窒素原子を含有する非晶質材料で構成さ
れた補助１−と、シリコン原子を母体とし、周期律表第
■族に楓うる原子を構成原子として含有する非晶質材料
で構成された鶏４荷注入防１Ｆ層と、シリコン原子を母
体とし、構成原子として水素１息子又はハロケン原子の
いずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成さ
れ、光導電性を示す第一の非晶質層と、前記第一の非晶
質層上に、シリコン原子と炭素原子とハロゲン原子とを
構成側イーとして言む非晶實拐料で構成された第二の非
晶質ｊ−とを有する事を特徴とする。

一ヒ記した様なＩ−構成を取る様にして設計された本発
明の光導電部材は、前記した諸間四の総１を解決し７侍
、極めて優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す、殊に、
霜１子写真用像形成部材として適用させた場合には、画
像形成への残留電位の影咎が全く彦く、その電気的特性
が安定しており？８８量で、高ＳＮ比を有するものであ
って、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、
ハーフトーンが釘明に出て、目つ解像度のν１い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、目、つ支持体との密着性
に著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用
することが出来る。

以−ト、図ｍ］に従って、本発明の光＄一部材に就て詳
細に説明する。

第１図は、本発明のｍｌの実施態様例の光導１を部材の
層構成を説明するために模式的に７Ｋ　ｌ。

た模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、シリコン原子を母体とし、構成
原子として窒素原子を４３　ａｔｏｍｉｃ係未満含む非
晶質材料で構成された補助層１０２゜電荷注入防止層１
０３、光導勤、性を有する第一の非晶質層（１，）　１
０４　、第二の非晶質層（ＩＩ）１０５とを具イ賄し、
非晶質層（ｎ）１０５は自由表面１０６を有している。

補助層１０２け、主に、支持体１０１と電荷注入防止層
１０３との間の密着性を割る目的の為に設けられ、支持
体１０１と電荷注入防止層１０３の両方と親和性がある
様に、後述する特性を有する材質で構成される。

電荷注入防止層１０３は、自由表面１０６が計′醒され
る際に支持体１０１側より第一の非晶質１量（Ｉ）１０
４中へ霜、荷が注入されるのを効果的に防止する機能を
主に有する。

第一の非晶質７ｍ　（１）　１．０４は、該層（Ｉ）　
１０４に感受性の光の照射を受けて該層（１）　１０４
中でフォトキャリアを発生し、所定方向に該フォトキャ
リアを輸送する機能を有する。

本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Ｓｉ）成され
る。

ａ−８ｉａＮ１−Ｂ　で構成される補助層の形成はスハ
ツターリング法、イオンインプランテーション法、イオ
ンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によって
成される。これ等の呻造法は、製造条件、設備費本投下
の負荷程度、製造規模、作成される光導電部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが
、所望する特性を有する光導′ｉｌｊ、部材を製造する
為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
（Ｓｉ　）と共に窒素１県子（Ｎを作製する補助層中に
導入するのが容易に行える等の利点からスパッターリン
グ法成いはエレクトロンビーム法、イオングレーティン
グ法が好適に採用される。

スパッターリング法によって補助層を形成するには、単
結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＳｉ３Ｎ４ウェー
ハー又はｓｉ、Ｎ４が混合されて形成されたＳ＋ウェー
ハーをターゲットとして、これ等を神々のカス雰囲気中
でスパッターリングすることによって行えば巨い。

例えば、８ｉウエーハー及びＳ　ｉ　３　Ｎ４ウエーハ
ーの２つをターゲットとして使用する場合には、Ｈｅ　
、　Ｎ’ｅ　、　Ａｒ等のスパッターリンク用のカスを
、スパッター用の堆積室中に導入してカスプラズマを形
成し、前記Ｓｉウェー・・−及びＳｉ３Ｎ４ウェーハー
をスパッタリングすれは良い。

又、別には、Ｓｉと８ｉ３Ｎ４の混合して形成された一
枚のターケラト全使用することによって、スパッターリ
ング用のカスを装置糸回に導入し、そのカス雰囲気中で
スパッターリングすることによって成される。エレクト
ロビーム法を用いる場合には２個の蒸着ボート内に各々
、単結晶又は多結晶の高純度シリコン及び高純度素化硅
素を入れ、各々独立にエレクトロンビームによって同時
蒸着するか、又は同一蒸着ボート内に入れたシリコン及
び窒化硅素を単一のエレクトロンビームによって蒸着す
ればよい。形成される補助層中のシリコン原子と窒素原
子の組成比は前者の場合、エレクトロンビームの加速電
圧をシリコンと窒化（ｌト素に対して変化させることに
よって制御し１、後者の場合は、あらかじめシリコンと
窒化硅素の混合量を定めることによって制御する。イオ
ンブレーティング法を用いる場合は蒸着槽内に種々のカ
スを導入しあらかじめ槽の周囲にまいたコイルに商用波
を界を印加してグローをおこした状態でエレクトロンビ
ーム法をオリ用してＳｌ及び５ｉ３Ｎ４を蒸着う゛れば
よい。

本発明の補助層を構成するａ−８ｌａＮｌ−３は補助層
の機能が、支持体と電荷注入防止層との間の密層を強固
し、加えて、それ等の間に於ける′出猟的接触性を均一
にするものであるから補助層にその要求される特性が所
望曲りに与えられる様にその作成条件の選択が厳密に成
されて注型法く作成される。

本つ１明の目的に適した特性を廟するａ−８１ａＮ１つ
か作成される為の作成条件の中の重要な要素とし１、作
成時の支持体温度を挙けることができる。

即ち、支持体の表面にａ　Ｓ＋ａＮ１３から成る補助層
を形成りる際、層形成中の支持体温度は、形成される層
の構造及び特性を左右する冨をな因子であって、本発明
に於いては、目的とする特性を有するａ−８ｉａＮ１−
３が所望曲りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御される。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の補助層を
形成する際の支持体温度としては、補助層の形成法に併
せて適宜最適範囲が選択されて、補助層の形成が実行さ
れる。この際の支持体温度とし−Ｃはａ常の場合、２０
〜２００℃好適には２０〜１５０°０とされるのが望ま
しいものである。補助層の形成には、同一系内で補助層
から′電荷注入防止層、非晶質層史には必吸に応じて非
晶質ｊ−上に形成される泥３の鳩首で連続的に形成する
襖が出来る、各層を構成する原子の組成比の微妙が制御
や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である本等
の為に、スパッターリング法やエレクトロンビーム法の
採用が有利であ乙か、これ等の層形成法で補助層を形成
する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の
放電パワーが形成されるａｓｉ３Ｎ１−Ｂの特性を左右
する重要な因子の１つとして挙げ゛ることか出来る。

本発明ＶＣ於ける目的が達成される為の特性を有するａ
−８ｉａＮ１−ａが生産性良く効果的に作成される為の
放電パワー条件としては、ＩＥｌｌｊ常５０　Ｗ〜２５
０Ｗで、好適には８０Ｗ〜１５０Ｗとされるのが望捷し
いものである。

本発明の光導電部材に於ける補助層に含有される窒素原
子（Ｈの量は、補助層の作製条件と同様本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる補助層が形成される重Ｉ
＄な因子である。

Ａ＼発明に於ける補助層に含有される９素原子（Ｎの［
′（内は、ａｔｏｍｉｃ％表示で通常は前記した値の範
囲とされるが、好適にはｌ×１０−３≦Ｃｇｇ＜４３゜
より好捷しくは１≦Ｃ的、＜４３．最適には１０≦Ｃ輛
＜４３とされるのが望ましい。ａ−８１ａＮｌ−８に於
０るａ≦０９とされるのが望ましい。

、一 本発明に於ける補助層の層厚の数値範囲は、本発明の目
的を効果的に達成する様に所望に従って適宜決定される
。

不発明の１」的を効果的に達成する為の補助層の層厚と
しｚ　ｐａｔ、通常の場合、３０Δ〜２μ好されるのが
望−ましいものである。

本発明の光導′也部材を構成する電荷注入防止層は、シ
リコ７１県子（Ｓｉ）を母体と１２、周期律表第１１１
族に属フるｊ甲子（第Ｉｌｌ族扉子）と、好１しくは、
水素ｊす子（１１）又はハロク°ン臓Ｊ”　（Ｘ）　、
或いはこの両者とを構成原子とする非晶質材料（以後１
ａ−８ｉ　（ｌｉｔ　、ｌ−１、Ｘ）、１と記す）で構
成され、ぞの層厚を及び層中の第Ｉｌｌ族原子の含有量
Ｃ■は、本発明の目げ′９が効果的に達成される様に所
望に従って進宜決められ４．。

本発明に於ける電荷ｌ主人防止層の層厚１としては、好
捷しく　ｋｌ二０．３〜５１１．　　より好ましくは０
５〜２μとされるのが望ましく、父、第１■族１９子の
含有−°Ｃ（ト）としては、好ましくはｌＸｌ０’〜Ｉ
　Ｘ　１０’　ａ　１ｏｍ　ｉｃ　ｐｐｍ、より好−Ｉ
Ｌ＜ｉｉｓ刈Ｏ！〜ＩＸ１ｌＸ１０１１ａｔｏ　ｐｐｍ
　　とさＩしるのが望寸しい。

不発明において　電荷注入防止層中に含有される周期律
表第１■族に属する原子として使用きれるのは、Ｂ（硼
素）、ＡＪ（アルミニウム）。

Ｇａ（カリウム）、Ｉｎ（インジウム）、　　Ｔ／：’
（タリウム）等であり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ
、（ｊａで冷・ゐ。

不発Ｌｌｉ」において、必要に応じ１霜５荷注入防止層
中に含廟されるハロケン原子閃としては、風体的にはフ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素か挙けら才り殊にフッ素、塩
素を好適なものとして挙けることが出来る。

ａ　−８ｉ　（ＩＩＩ　、　ＩＩ　、　Ｘ）で構成され
る％＃＋ＦｔＥ人防止層台の）薗杉成法としてはグロー
放翫法、スパッターリング法、イオンインフランチ−ジ
ョン法。

イオンプレーテインダ法、エレクトロンビーム法等が挙
けられる。これ寺の製造法は、１１８！造条件、設（１
ｔｆ＋資本投）の負荷程度、製造規模、作製される光導
電部材に所望きれる特性等の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を廟フる光導電部材を製
造する為の作製条件の制御が比絞的容易である、シリコ
ン原子と共に第１ｆｆ族原子、必要に応じて水素原子（
Ｉ（ｌや〕・ログン原子囚を作製する電りｒ注入防止層
中に導入するのが容易に？ｉえる等の第１−１点からグ
ロー放訃法或いはスパッターリング法が好適に採用され
る。

νｉ−に、本発明に於いては、クロー放霜、法とスパッ
ターリング法とを同−装置系内で１井用して’！Ｊ１．
　’ｉｔ」注入防Ｉ）、層を形成しても良い、。

４メ＋＋えば、クロー故知法によって、ａ−８ｉ（ｍ、
Ｈ。

Ｘ）で構成される電荷注入防止層をに、　ｆＪｙ、する
に０、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し利るＳ
ｉ供給用の原料カスと共に第１１１Ｂ原子を供給し得る
第ｍ族原子導入用の原料カス、必要に応じて水素Ｉｔ＜
　（’　１−１１導入用の又ｄ／及び・・ロケン原子（
Ｘ’）珈人甲の原料カスを、内部が減圧にし、伯る堆稍
室内に尋人し、−（、該月４秋室内にグロー故ｔを／４
Ｅ起させ、予めｎＩＴ位置に設置され、既に補助Ｊｔ＋
−の設け１を・る所定の支持体の補助層十にａｓｉ（Ｉ
ＩＩ、）Ｉ、Ｘ）から在る層を形成さゼわば良い。又、
スパッタリングθ、で形成する場合にね−１例えばＡｒ
、Ｈｅ　　等の不活性カス又はこれ等のカスをベースと
じた混合カスの雰囲気中でＳｉで構成されたターケラト
をスパッタリングする除、第屈族原子導入用の原料カス
を、必要に応じて水素原子（ハ）父は／及びハロケン原
子（３）導入用のカスと共にスパッタリング用の堆積室
に導入してやれば艮い。

本発明においで電荷注入防止Ｉ曽を形成イるのに１史用
される原料カスとなる出発物質としては、次のものが不
動なものとして挙けることが出来る。

先すＳｉ供給用のＩＩＸ料カスとなる出発物質としては
、Ｓ由４　、５Ｉ２Ｈ６、５ｉ３１−、Ｓ１４［（１（
１専のカス状態の又はカス化し狗る水素化硅素（７ラン
類）が不動に使用されるものとして今けられ、殊に、輪
作成作業の扱い易さ、Ｓｉ　供給効率の良さ等の点で５
ｉ）１４　、　Ｓｉ２Ｈ６か好ましいものとして挙し５
られる。

これ寺の出発物質を便１＋Ｊうれば、層形成条件を適切
に選択することによって形成される補助層中にＳｉと共
に［ｌも導入し得る。

Ｓ１供給用の原料カスとなる不動な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子間を含む硅素化
合物、所謂、ハロゲンｊ駅子で置換されだシラン誘導体
、具体的には例えばＳｉＦ４゜Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉＣＩ
！４　、５ｉＦｌｒ４　”＝９のハ１ｌｆｆケン化硅素
が好せしいものとして挙けることが出来、更には、８ｉ
ｔ％Ｆ２　、５ｉＨ２１２、８ｉＨ２Ｃ１２、５ｉｌ−
Ｃ／３　、５ｉＩ−１２８ｒ２　、５ｉｔ−１８ｒ３等
の・・ロゲン置換水累イＥ硅素、等々のカス状態の或い
はカス化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化物も有効な電荷注入防止層形成の為の８ｉ供給用
の出発物質として挙げる串が出来る。

これ等のハロゲン原Ｔ−閃を営む硅素化合物を使用する
場合にも前述した椋に層形ハｙ条件の適切な選択によっ
て形成される電荷注入防止層中にＳｉと共にＸを導入す
ることが出来る。

上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン化硅素化
合Ｉ吻は、補助層形成の際に層中にハロケン原子Ｐ子囚
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて
有効な水素ＩＩ千σりも導入されるので、本発明におい
１．け好適な／・ロク７１県子（Ｘ）＊入用の出発Ｒ’
１ノ質としてイ史用される。

本発明において補助層を形成する除に使用される・・ロ
ケン原子（３）導入用のｊ９、科カスとガる廂ダノな出
発町質としては、上記したものの他に、例えは、フッ素
、地素、臭素、ヨウ素のハロケン　ソｊ　　ス　、　　
１３ｒｔ”　、　　ＣＩＦ　、　　Ｃ／’Ｆ”３　、　
　ＢｒＦ５．　　ＢｒＦ３　、　　ｌＦ３．　１ｈ”、
。

１、ＣＩ　、　ＩＢｒ等のハｌｊケン間化合物、ｉ（Ｆ
　、　ＨＣ／’　。

ｆ」［３ｒ　、　Ｈｌ　　等のハロク“ン化水素を埜げ
ることが出来る。

（１，葡Ｙｌ：人防止層中に第１１族原子を構造的に導
入ラ−るＶζは、層形成の際に第■族原子導入用の出発
物質をノノス状態で堆積室中に、電荷注入防止ｊ曽を形
成−ｊる為の他の出発物質と共に導入し１やわば良い。

この様な第１１族原子搏入用の出発物質と成り囮るもの
としては、常温常圧でカス状の又は−１小なくとも層Ｊ
１〉成条件］で容易にカス化し得るものが採用されるの
が望甘し、い。

その枡な第１ＩＩ族原子轡入用の出発物質とじて具体的
には硼素原子導入用としては、Ｂ、Ｈ６゜Ｂ４Ｈ１６、
Ｂ５Ｌ４＊　、　Ｂ５１１ｏ　＋　Ｈ６Ｈｘｏ　＋　ｆ
３ｓＨ，ｕ　＋　Ｂ６ＨＩ４　　等の水素化硼素、ＢＦ
３　、　ｌｉｃ／！３．　ＢＢｒ３　寺のハロケン化硼
素等が挙げられる。この他、ＡｉＣ／３　、　ＧａＣＩ
Ｆ３　。

Ｇａ　（Ｃｌ−１３）ｓ　、　ＬｎＣｉｓ　、　Ｔ／’
Ｃ／３与も挙けることが出来る。

本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為に電荷注
入防止層中に含崩される第■族原子は、霜、荷注入防止
層の層厚方向に実質的に平行な而（支持体の表面に平行
な面）内及び層厚方向に於いては、実質的に均一に分布
されるのが良いものである。父、スパッタリング法で〜
荷注入防止層を形成する場合には、例えばＡｒ　、Ｈｅ
考の不活性カス又はこれ寺のカスをベースとした混合カ
スの雰囲気中で８ｉで構成されたターグツ；・をスパッ
タリングする際、第■族原子導入用の機料カスを、磨製
に応じて水素原子（ハ）導入用の又は／及びハロケン原
子（３）導入用の原料カスと共にスパッタリングを行う
真空堆積室内に導入しでやれば良い。

本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入される第■族
原子の含有量は、堆積室中に流入される第■族ｊ皇子導
入用の出発物質のカス流量、カス流量比、放電パワー、
支持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによって
任意に制御され得る。

本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈カスと
しては、所謂、希ガス、例えばｔ（ｅ　、　Ｎｅ　、　
Ａｒ　等が好適々ものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層（１）を形成するには例えばグロー放電法、スパッ
タリング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現
象を利用する真空堆積法によって成される。例えば、グ
ロー放を法によって、ａ−８ｉ　（１−１、Ｘ）で構成
される非晶質層（１１を形成するには、基本的にはシＩ
Ｊ　’ｙ”””７原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料カスと共に、水素原子（１−１）導入用の父は／
及びハロゲン原子（３）導入用の原料カスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め態別位置に設置されである所定の支
持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る腹を形成させ
れば良い。

父、スパッタリング法で形成する場合には、例えはＡｒ
　、　Ｈｅ寺の不？古性カス又はこれ等のカスをベース
とした混合カスの雰囲気中で８ｉで構成されたターゲッ
トをスパッタリングする際、水素原子（ｔｌ）又け／及
びハロゲン原子（３）導入用のカスをスパッタリング用
の堆積室に碑、大してやれば良い。

本発明において、必要に応じて非晶質層（１１中に含有
されるハロケン原子囚としては、電荷注入防止層の場合
に挙げたのと同様のものを挙けることが出来る。

本発明において非晶質１ｍ　（１１を〕し成する際に使
用されるＳ１供給用の原料カスとしては、知、荷注入防
止層に就て説明１−る際に挙げた５ｉｒ−１４，Ｓｉ２
Ｈ６゜Ｓｉ、Ｈ＠　、　５ｉ４Ｈ１６等のカス状態の又
はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が鳴動に使用さ
れるものとしで挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ
、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ，、５ｉｌｌ−１
６が好ましいものとして挙けられる。

本発明において非晶質層（Ｉ）を形成する場合に使用さ
れるハロケン原子導入用の原料カスとして鳴動なのは、
電荷注入防止層の場合と同様に多くのハロゲン化合物が
挙げられ、例えばノ・ロゲンカス、ハロゲン化物、ノ・
ロゲン間化合物、ハロケンで置換されたシラン誘導体等
のカス状態の又はガス化し得るノ・ロゲン化合物が好捷
しく挙げられる。

又、更には、シリコン原子（Ｓｉ）とノ・ロゲン原子（
３）とを構成要素とするカス状態の又はカス化し得る、
ノ・ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして本
発明においては挙げることが出来る。

本発明において、形成される光導電部材の１゛１荷注入
防止層非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｉ−１
の量又は）・ロゲン原子（３）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量のＨ（Ｈ十Ｘ）ｉｆ通常の場合１〜４０　
ａｔｏｍｉｃ％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

電荷注入防止Ｊ緬又は、非晶質層（１）中に含有される
水素原子〇−１１父は／及びハロケン原子（３）の量を
制御するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子（
転）、或いは・・ロケン原子（３）を含有さぜる為に使
用される出発物質の堆積装置系内へ導入する童、放〜、
々力等を制御してやれば艮い。

本発明において、非晶質層（１）をグロー放電法で形成
する際に使用される稀釈カス、或いはスパッタリング法
で形成される際に使用されるスパッターリング用のカス
とじ又は、所謂稀カス、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ　寺が
好適なものとして挙けることが出来る。

本発明に於いて、非晶質層（１）の層厚としては、作成
される光導′＃ＩＬ部材に要求される特性に応じて適宜
法められるものであるが、通常は、１〜１００μ、好１
しくけ１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望
ましいものである。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の非
晶質層（Ｔ）　１０４上に杉成される第二の非晶質層（
１）　１０５は自由表向１０６ケ有し、主に耐湿性、連
秒繰返し使用特性、１制圧性９便用填境特性、耐久性に
於いて本発明の目的全達成する為に設けられる。

父、本発明に於いては、第一の非晶質層（１１１０２と
第二の非晶質１ｍ　（１１’）　ｔｒ＋５とを構成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面に於いて化学的な安定性の
確保が充分成されている。

第二の非晶質層（ｎ）　１．０５は、シリコン原子と炭
素原子とハロゲン原子（Ｘ）とで構成される非晶質材料
〔ａ　　（ＳＩＸＣＩ　ｘｌｙＸＩｙ＋但し０（ｘ、ｙ
〈１〕で杉成さｔ）る。

ａ　−（ＳｉｘＣ＋−ｘ）ｙ′Ｘ１−７で構成される第
二の非晶質ＩＭ（Ｕ）の形成はグロー放電法、スパッタ
リング法、イオンプランテーション法、イオンブレーテ
ィング法、エレクトロンビーム汰等によって成される。

こわ寺の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光４篭部材に所望きれる特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性全有する光導電部材を製造する為の作装朱件の制イ
卸が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及
びハロクン原子を、作製する第二の非晶質層（■［）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー放１１
３１法或いはスパッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法と全同一装置系内で併用して第二の非晶質層（Ｉ
Ｔ）　ｋ形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質１１　（ｎ）全形成
するには、ａ　−（ＳｉｘＣ，−）ＯｙＸ、−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室
に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させる
ことでガスプラズマ化しして前記支持体上に既に形成さ
れである第一の非晶質ノー（１）上ＶＣａ　−（５ｉｘ
Ｃ＋−ｘ）ｙＸ、−３’　ｋ　ｍｉｘさせれば良い。

本昆明に於いて、ａ　−（ｓｉｘｌ−ｘ）ｙＸ４−３’
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｉ）、炭
素原子（Ｃ）、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少〃くとも１
つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
全ガス化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｘ　の中の１つとしてＳｉｋ構成原子とする
原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子とす
る原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｘを構
成原子とする原料ガスとに＋’５ｒ望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉミラｈｖ原子とする原料ガスと
、Ｃ及びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又所
望の混合比で混合するか、或いは、５ｉｆｔ構成原子と
する原料ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、ＳｉとＸ　とを構成原子とする原料ガスに
Ｃを構成原子とする原料ガス全混合して使用しても良い
。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）中に含有され
るハロケン原子＜Ｘ＞とじて好適なのはＦ。

Ｃ４，Ｂｒ、Ｉ　　であり、殊にＦ、Ｃ６が望ましいも
のである。

本発明Ｖこ於いて、第二の非晶質層（Ｔｒ）は、ａ−（
Ｓｉｘ（４−ｘ）ｙＸｌ−ｙで構成されるものであるが
、￥に水素原子を含有させることが出来る。

第二の非晶質Ｉ＠　（ＩＩ）への水素原子の含有は、第
一の非晶質７！（Ｉ）との連続層形成の際［原料ガス棟
の一部共通化を計ることが出来るので生産コスト面の上
で好都合である。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩｆＪを形成するの
に鳴動に使用される原料ガスと成り得るものとしては、
常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得
る？Ｉ′Ｊｔヲ挙げることが出来る。

この様な第二の非晶質１ｍ　（ＩＩ）形成用の物質とし
ては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素。

炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素飲２〜３のア
セチレン糸炭化水素、ハロゲン単体。

ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、
ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる墨が出
来る。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨｔ）、
エタン（ＣｔＨａ）　＋グロバン（ＣＪ］８）　、　ｎ
　−７タン（ｎ　Ｃ４Ｉ（，１０）　、ペンタン（Ｃ５
ＨＩ２）　、　　エチレン系炭化氷菓としては、エチレ
ン（ＣＪＬ　）　、プロピレン（ＣｓＨＪ、ブテン−１
（Ｃ４Ｈａ）、ブデンー２（Ｃ４Ｈ８）。

イソブチレン（Ｃ，Ｈ，）、ペンテン（Ｃ６ＨＩｏ）、
アセチレン糸炭化水素としては、アセチレン（ＣｔＨｔ
）、　　メチルアセチレン（ＣｓＨａ　）　、ブチン（
０４Ｈ６）、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ累のハロケンカス、ハロゲン化水素トしては、
Ｆ’Ｈ−。

ＨＩ　、　ＩＩＣ，ｌ　、　ＨＢｒ　、　　ハロゲン間
化合物としては、ＢｒＦ”　、　ＣｔＦ　、　Ｃ１Ｆ、
、　Ｃ４Ｆ、、　ＢｒＦ、、　ＢｒＦ５．　ＩＦｙ　＋
ＩＦ、　、　　ＩＣ１，ＩＢｒ、ハロゲン化硅素として
はＳｉＦ、。

１１１ Ｓ１２Ｆａ＋　５ｔＣ４，５ＩＣ４Ｂｒ、　ＳｔＣ４Ｂ
ｒｔ　ｌ　５ｔＣｔＢｒｓ。

５ｉＣ４Ｉ、　ＳｉＢｒ４．　ハロゲン置換水素化硅素
としては、５ＩＨ２Ｆ１　、５１３ｃ４　、　Ｓ＋ＨＣ
４、Ｓｔ■％Ｃ４ＳｔＨａＢｒ。

５Ｆ３Ｂｒ、　、　５ｉＨＢｒ、　、　水素化硅素とし
ては、５ｉ）（ｌ。

Ｓ　ｉｌ）％　、　Ｓ　ｉｔＨ＋ｏ等のシラ７　（Ｓｉ
ｌａｎｅＪ類、等々を挙げることが出来る。

これ等の他に、ＣＣ４，ＣＨＦ５．　ＣＩ−ＬＰ’！、
　ＣＩ−］ａＦ’　。

ＣＩ（ｌＣ４ＣＩ（Ｊｌｒ、　（Ｊ（ｓＬ　ＣＪ％Ｃ１
等のハロケン置換パラフィン糸炭化水素、　ＳＦ４　、
　ＳＦａ等のフッ素化硫黄化合物、　Ｓｉ　（ＯＩｓ）
４．　Ｓｉ　（（４に）４９等のケイ化アルキルや５ｉ
Ｃｚ（ＣＨｓ）ｓ　、　５ｉＣ４（ＣＨａ）ｔ　、　５
ｌｃ１４ｃＨ＊　等のハロケン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出来る。

これ寺の第二の非晶質層（ＩＦ）形成物質は、形成され
る第二の非晶質層（ＩＩ）中に、所定の組成比でシリコ
ン原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素
原子とが含有される様に、第二の非晶質層（ＴＩ）の形
成の際に所望に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（Ｃル）４と、ハロゲン原子を含有させるものとしての
５ｉＨＣ４、５ｉＣ４、５ｉＩ（２Ｃ４。

或いはＳｉＨ，Ｃｔ等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質Ｊ＊　（ＩＴ）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによってａ−（Ｓ　ｉ　ｘ
Ｑ　−ｘ）　ｙ　（Ｃ４＋Ｈ）ｒ　−ｙ　から成る第二
の非晶質ｊ−（ＩＩ）’を形成することが出来る。

スパッターリング法によって第二の非晶）Ｘｌ−（ｎ）
　’！ｒ形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェー
ハー又はＣウェーハー又はＳｔとＣが混合されて含有さ
れているウェーハー全ターゲットとして、これ等全ハロ
ゲン原子と必要に応じて水素原子ケ構成要素として含む
種々のカス雰囲気中でスパッターリングすることによっ
て行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＸ？導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
カスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマケ形成してＭＭＪ記Ｓｔウエ
ーノ・−全スパッターリンダすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲフトとして、又
はＳｌとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、少なくともハロケン原子を含有するガス雰囲
気中でスパッターリングすることによって成される。Ｃ
及びＸ、必要に応じて■（の導入用の原料ガスとなる物
質としては先述したグロー放′−の例で示した第二の非
晶１ｉ！（ＴＩ）形成用の物質がスパッターリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第二の非晶質ｍ　（ＩＩ）をグロー放
電法又はスパッターリング法で形成する際に１史用され
る稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ
、Ａｒ等が好適なものとして挙けることが出来る。

本発明に於ける第二の非晶質層（Ｉｆ）は、その髪求さ
れる特性が所望通りに与えられる様に注慧深く形成され
る。

即ち、Ｓｉ、Ｃ及びＸ、必要に応じてＨを構成原子とす
る物質は、その作成条件によって構造的には結晶からア
モルファスまでの形態を取り、電気物性的には、４電性
から半導体性、絶縁性寸での間の１寸′ｍを、又光導電
的性′ｉｕから非尤専奄的性質葦での間の性質を、谷々
示すので本光明に於いては、目的に応じた所望の特性を
４ｊするａ−（ＳｉｘＣ，−→ＶＸ１−ｙが形成される
様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る。

例えば、第二の非晶質層（ｎ）全耐圧付の向上金主な目
的として設けるにはａ　　（ＳｉｘＣ＋−ｘ庁Ｘ’＋−
７は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕媚な非晶質
材料として作成される。

父、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶Ｊｉｍ（ＩＩ）が設けらｔ）る場
合には上記Ω電気絶縁性の度合はある桿）膨か和さｒｌ
、照射される光に対しである程度の感駄分有する非晶實
材刺としてａ−（ＳｉｘＣ＋　−ｘ）　ｙ　Ｘ−ｙが作
成される。

第一の非晶！１！（Ｉ）の表向にａ　−（ＳｊｘＣ＋−
ｘ）ｙ＼−７から成る第二の非晶質層（ＩＩ）　ｋ形成
する際・□ 層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び有性
を左右する電接な因子であって、本発明に於いては、目
的とする特性含有するａ−（Ｓ　１　ｘｃ＋　Ｘ　）　
ｙ　ＸＩ−ｙがト！１１望通りに作成され得る様に１曽
作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成芒れる為の
第二の非晶質層（ロ）の形成法に併せて適宜最瑚範囲が
選択芒ねて、第二の非晶質層（Ｉｒ）の形成が実行され
るが、通常の場合、５０〜３５０℃、好適には１００〜
２５０℃とされるのが望捷しいものである。第二の非晶
ｉ１ｍ（Ｉｆ）の形成ＶＣは、贋金構成する原子の組成
比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的
容易である事等の為に、グロー放電法やクバッターリン
グ法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の
非晶質層（Ｕ）全形成する場合には、前記の支持体温朋
と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ　　（
Ｓ　１ＸＣＩ　−Ｘ）　ｙ入−７の特性を左右する重要
な因子の１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ　
　（Ｓ　ｉｘＱ　−Ｘ）　ｙ　Ｘ−７が生産性良く効果
的に作成される為の放霜：バワー条件としては通常１０
〜３００Ｗ、好適には２０〜２００Ｗである。

堆積室内のガス圧は通常は０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ、好
適には、０．１〜０．５Ｔｏｒｒ稈暦とされるのが望ま
しい。

本発明に於いては第二の非晶質層（Ｉｆ）　ｋ作成する
為の支持体温朋、放電パワーの望捷しい数値範囲として
前記した範囲の値が挙けられるが、これ等の層作成ファ
クターは、独立的に別々に決めらｔするものでｉｄ′な
く、所望特性のａ−（ＳｉｘＣ，−叡ＸＩ−ｙから成る
第二の非晶質層（Ｈ）が形成される様に相互的有機的関
連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められ
るのが望ましい。　・本弁明の光導電部材に於ける第二
の非晶質層（ＩＦ）に含有される炭素原子及びハロゲン
原子のｔは、第二の非晶質層（Ｉｆ）の作製条件と同様
、本発明の目的を達成する所望の特性が倚られる第二の
非晶質層（Ｉｒ）が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第二の非晶質１ｍ　（ＩＩ）に含有され
る炭素原子の量は通常ｌＸｌ０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ
覧好適には１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適にはｌＯ〜
８０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望捷しいものである。

ノ・ロゲン原子の含有量としては、通常の場合、１〜２
０　ａｔｏｍｉｃ％　好適には１〜１８　ａｔｏｍｉｃ
％、最適ＶＣは２〜１５　ａｔｏｍｉｃチとされるのが
望捷しく、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場
合に作成される元導電部拐を実際面に充分適用させ得る
ものである。必要に応じて含有される水素原子の含有蓋
としては、通常の場合１９　ａｔｏｍｉｃチ。

好適には１３　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望せし
いものである。即ち先のａ　　（ＳｉｘＣ＋−ｘｌｙ：
）Ｇ−７のｘｔ　ｙ表示で行えばＸが通常０．１〜０．
９９９９９　、好適には０．１−０．９９　、最適には
０．１５〜０．９　、　ｙが通常０．８〜０．９９．好
適には０．８２〜０９９で最適には０．８５〜０．９８
あるのが望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方が含
まれる場合、先と同様のａ−（ＳｉｘＣ＋−ｘ）’！（
Ｈ”Ｘ）＋　−ｙ　　の表示で行えばこの場合の”＋Ｖ
の数値範囲ａ　−（ＳｉｘＣ，−２）ｙ凡−アの場合と
、略々同様である。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＦ）の層厚の数範囲
に、本発明の目的を効果的に達ＩＪ１２１　する為の重
要な因子の１つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て隣室所望に従って決められる。

また、第二の非晶質層（１１）の層厚は、第一の域１０
３の層厚との関係に於いても、おのおのの層領域に要求
される特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従って
適決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＴ）の層厚としては
、通常０００３〜３０μ、好適には０００４〜２０μ。

最適には０００５〜１０μ　とされるのが望ましいもの
である。

本発明において使用される支持体として＃Ｊ：。

導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体と
しては、例えは、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａ４　Ｃｒ、Ｍｏ、　Ａｌｌ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、
　Ｔｉ、　Ｐｔ　、　Ｐｄ　　等の金属又はこれ等の合
金が挙けられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリゾロピレン、ポリ増化ビニル。

ポリｊ福化ビニリデン、ボリスナレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表向を導電
処理され、該導電処理された表面イロ１１に他の層がｔ
役けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａ４　Ｃｒ、　ＭＯ，Ａ、１１．　Ｉ　ｒ、　Ｎｂ、　
Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ、ｏｓ、　５ｎｏ２．　ＩＴＯ（ＩｎｔＯｎ　＋Ｓ
ｎＯ，）　　等から成る薄膜を設けることによって４Ｙ
Ｌ性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成
樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａ４　Ａｇ、　Ｐ
ｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ。

Ｍ、ｏ、　Ｉ　ｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、コ゛ｉ、　
Ｐｔ等の金属の薄膜ヲ真空蒸着、電子ビーム蒸涜、スパ
ッタリング等でその表面に設け□、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与さ
れる。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等任意の形状とし得、所望によって、その形状は／２（
定さｉｚるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電
子写真用像形成部材として使用するのであわば連＠尚速
抜写の場合には、無＋４ｉベルト状又は円筒状とするの
が望ましい。支持体の厚６は、所望曲りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、元４屯部材として可
撓性が要求される場合には、支持体として機ｉニが充分
発揮される範囲内であれは可能な限り薄くされる。面乍
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機砿的
強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

第２図には、本発明のうｔ導電部材の他の好適な実施態
様例の層構成が示される。

第２図（（示される光導電部材２００が、第１図に示さ
れる光導電部材１００と異なるところ（づ、電荷注入防
止層２０３と光導電性を示す第一の非晶買増（Ｔ）　２
０５との間に下部補助Ｎ２Ｏ４を有することである。

即ち、光導電部材２００は、支持体２０１、該支持体２
０１上に順に！＊１脅された、下部補助ノ１ｍ　２０２
、電荷注入防止）ｆｉｔ　２０３　、上部補助層２０４
、第一の非晶質層（Ｉ）　２０５及び第二の非晶質層（
ＩＩ）　２０６と全具備し、非晶質層（［）　２０６は
自由人１ｉ　２０７を有する。

上部曲助層２０ｉま、′電荷注入防止層２０３と非晶質
層（Ｉ）　２０５との間の密着を強固にし、両層の接触
界面に於ける１１：気的接触を均一にしていると同時に
、電荷注入防止層２０３の上に直に設けることによって
電荷注入防止層２０３の層負を強靭なものとしている。

第２図に示される光導電部材２００全構成する下部補助
Ｊｆｉ＃２０２及び上部補助１ｍ　２０４は、第１図に
示した光導電部材１００を構成する補助層１０２の場合
と同様の非晶質材料を使用して、同様の特性が与えられ
る様に同様な層作成手順と条件によって形成される。

′電荷注入防止１＠　２０３及び非晶質＠　（■）　２
０５、非晶質１−（月２０６も、夫々第１図に示す１４
３Ｉ荷注入防止１１１０３、非晶’ＪｔＪｍ　（Ｉ）　
１０４、非晶質層（ＩＩ）１０５の夫々と同様の特性及
び機能を有し、第１図の場合と同様な増作成手順と条件
によって作成される。

次に本拍明の光４電部材の製造方法の一例を図に捩って
簡明する。

第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の３０２〜３０６のガスボンベには本発明の夫々の
層を形成するために使用されるガスが密封されており、
その１例として、たとえば、３０２はＨｅで稀釈された
ＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓｉｎ、／Ｈ
ｅと略す。）ボンベ、３０３はＨｅで稀釈さ第１．た＆
ｈガス（純度９９．９９１以下１％Ｈｅ／Ｈｅと略す。

）、３０４はＮガス（純度９９．９９％）か又は、Ｃ４
Ｈ，ガス（純［９９，９９％）のボンベ、３０５はＡｒ
ガス（純度９９４９９９％）ボンベ、３０６はｒ（ｅで
稀釈感れたＳｉＦ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ
ｉＦ、／’）Ｉｅと略す）ボンベである。

こねらのガスを反応室３０１に流入させるには・、１１ ガスボンベ３０２〜３０６のバルブ３２２〜３２６、リ
ークバルブ３３５が閉じられていることを確認し、又、
流入バルブ３１２〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１
、補助バルブ３３２が開かれていること全確認して先ず
メインバルブ３３４全開いて反応室３０１及びガ配管内
を非気する。

次に真空計３３６の読みが５　Ｘ　ＩＯ−’　ｔｏｒｒ
　ＶＣなった時点で、補助バルブ３３２、流入バルブ３
１２〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１　’ｅ閉じる
。

その後、反応室３０１内に導入すべきカスのボンベに接
続されているガス配管のバルブを所定通り操作して、所
望するガスを反応第３０１内に導入する。

次に第１図に示す構成と同様の構成の元導篭部材を作成
する場合の一例の概略を述べる。

所定の支持体３３７上に、先ず補助層全スパッタリング
法によって形成するには、先ず、シャッター３４２を開
く。すべてのガス供給バルブは、一旦閉じら力１、反応
室３０１はメインバルブ３３４を全開することにより、
排気される。高圧電力が印加される電極３４１上に高純
度シリコンウェハ３４２−１　、及び置純度窒化シリコ
ンウエノ・３４２−２が所望のスパッター面積比率でタ
ーゲットとして設置されている。

ガスボンベ３０５よりＡｒガスを、必要に応じてガスボ
ンベ３０４よりＮ２ガス全夫々所定のパル７−　ｑ操作
して反応室３０１内に導入し、反応室３０１の内圧が０
．０５〜ＩＴｏｒｒ　となるよう、メインバルブ３３４
の開口を調整する。高圧′電源３４０をＯＮとし、シリ
コンウェハ３４２−１　窒化シリコンウェハ・３４２−
２とを同時にスハ・ツタリングすることにより、シリコ
ン原子、窒素原子よりなる非晶質材料で構成された補助
層を支持体３３７上に形成することが出来る。補助層中
に含有される９素原子量は、シリコンウェハと窒化シリ
コンウェハ１のスパッター面積比率やＮガス全導入する
際には、Ｎ２ガスの流量比全調整することで所望に従っ
て制仙１することが出来る。又、ターゲットの作成の際
にシリコン粉末の５ｊｓＮｌ　粉末の混合比を変えるこ
とでも行うことが出来る。この際に層形成中は、支持体
３３７は、加熱ヒータ３３８によって所望の温度に加熱
される。

次に、…Ｉ韻の補助層上に電荷注入防止層全形成する。

補助ｊ―の形成終了後、電源３４０をＯＦＦに１．７て
放電を中止し、一旦、装置のガス導入用の配管の全系の
バルブを閉じ、反応室３０１内に残存するガスを反応室
３０１外に排出して所定の真伊ｊ変にする。

その後、シャッター３４２ヲ閉じ、ガスボンベ３０２よ
りＳ　ｉＨ４／　Ｈｅガスを、ガスボンベ３０３よりＢ
Ｊ’＆　／　Ｈｅ　　ガスｆ、夫々バルブ３２２．３２
３夫々開いて、出口圧ゲージ３２７．３２８の圧ｋ　１
ｋｙ／ｃｒ；１に調整し、流入バルブ３１２　、３１３
金徐々に開けてマスフロコントローラ３０７　、３０８
　内ニ夫々流入させる。引き続いて流出バルブ３１７　
、３１８、補助バルブ３３２ヲ徐々に開いて夫々のガス
全反応室３０１に流入させる。このときの５ｊＨ４／Ｈ
ｅカス流量、Ｂ２Ｔ（ｌ／Ｈｅガス流稲の夫々の比が所
望の値になるよう流出バルブ３１７　、　：３１Ｂ全調
整し、捷た、反応室３０１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空１３３６の読みを見ながらメインバルブ３３４
の開口を調整する。そして支持体３３７の温度が加熱ヒ
ーター３３８により５０〜４００℃の範囲の温夷に設定
されていることが仰；認された後、市、源：（４０をＯ
Ｎにしてすｌ望の′…゛１力に設定し反応室３０１内に
グロー放′市を生起させて支持体３；３７上ｌＬ山荷注
入防止を形成する。市荷注入防市層上に設けら）′１．
る、光導霜；性を示す非晶質層（Ｔ）の形成は、Ｗ１］
えばボンベ３０２内に充填さねているＳｉル／Ｈｅ　ガ
ス金使用し、前ｄ１．シた電荷注入防止層の」柄付と同
様の中１唄によって行うことが出来る。

非晶質ｊ曽（Ｔ）の形成の除に使用さ１＋る原料カス（
４・としては、５１１（ガスの他に、ａｃｓ＋、３　　
ガスが層形成速度の向上を計る為に有効である。

第一の非晶質層（１）中にハロゲン原子全含有させる場
合には上記のガスに、例えばＳｉＦ４／ｌｉｅを、史に
相加して反応室３０１内に送り込む。

第一の非晶質１１ｉｔ　（Ｔ）上に第二の非晶質層（Ｉ
Ｔ）全形成するＶＣｉは、例えば次の様に行う。ます７
ヤ、ン□。

ター３４２金開く。すべてめガス供給バルブは一汁閉じ
られ、反応室３０１ぽ、メインバルブ３３４ケ全開する
ことにより、排気される。

筒圧市力が印加さねる電極３４１上には、予め商純度シ
リコンウェハ３４２−１　、及び商純度グラファイトウ
ェハ３４２−２が所望の面積比率で設置きわだターケソ
トが設けられている。ガスボンベ３０６よりＳｊＦ＋／
Ｔｉｅガスを、反応室３０１内に導入し、反応室３０１
の内圧が０６０５〜ＩＴｏｒｒ　となるようメインバル
ブ３３４全調節する。尚圧電源をＯＮとし上記のターゲ
ットをスパッタリングすることにより、第一の非晶質１
−ＣＩ）土に第二の非晶質層（■）’を形成することが
出来る。

第二の非晶質１＠　（ｆｆ）　ｋ形成する他の方法とし
ては、第一の非晶質層（Ｉ）の形成の際と同様なバルブ
操作によって例えば、５ｉｒ−Ｌガス、５ＩＦ４ガス、
Ｃ，Ｔ（＋ガスの大々全会費に応じてＨｅ等の稀釈ガス
で稀釈して、所望の流量比で反応室３０１中に流しＦＪ
ｒ望の条件に従ってグロー放電を生起させることによっ
て成される。

夫々の虐を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言う徒でもなく、又夫々
のＪｍ（ｉ＝層形成る除、前層の形成に使用したガスが
反応室３０１内、流出バルブ３１７〜３２１から反応室
３０１内に至るガス配管内に残留することを避けるため
に、流出バルブ３１７〜３２１’に閉じ補助バルブ３３
２　’ｉ開いてメインバルブ３３４ヲ全開して系内金一
旦筒真空に排気する操作を必要に応じて行う。

第二の非晶質層ＣＩＩ）中に含有される炭素原子の量は
例えば、５ｉｎ（、ガスと、Ｃ，）−ガスの反応室３０
１内に導入される流量比を所望に従って変えるか、或い
は、スパッターリングでｉｓ　形成する場合には、ター
ゲノトヲ形成する際シリコンウェハとグラファイトウェ
ハのスパッタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉末と
グラファイト粉末の混合比率を変えてターゲントを成型
することによって所望に応じて制御することが出来る。

第二の非晶質層（ｆｆｌ）中に含廟されるノ・ロゲン原
子（３）の菫は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例え
ばＳ　ｊ　ｌ、％ガスが反応室３０１内に導入される際
の流量を調整することによって成される。

実施例１ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム基板上に
、以下の条件で層形成全行った。

第　　ｌ　　表 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
（〜、申５　ｋＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯’ｉｔを
行い直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプ
を用い、１．０１ｕｘ−５ｅｔ、の光量を、透過型のテ
ストチャートを用いて照射した。

その後直ちにＯ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）全部材表面全カスケードすることによって、部材表
面上に良好なトナー画像を得た。

このようにして得られたトナー像を、一旦ゴムブレード
でクリーニングし、再び上記作像クリーニング工程ケ繰
り返ｉ−だ。繰り返し回数１５万回以上行っても、画像
の劣化は見られなかったＯ 実施例２ 第３図に示１〜た製造装置により、ＡＩ基板上に以下の
条件で層形成を行った。

第　　２　　表 その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、の５　ｋＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光［象を照射した。光源はタングステンランプを
用い、　　］、　０７１ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型の
テストチャートを用いて照射した。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面全カスケードすることによって、部材表
面上に良好なトナー画像を得た。

このようにして得らｎたトナー像を一旦ゴムブレードで
クリーニング１２、再び上記作像１クリーニング工程を
繰り返した。繰り返し回数１０万回以上行っても画像の
劣化は見られなかった。

実施例３ 第３図に示した装置により、Ａ！基板上に以下の条件で
層形成金行った。

第　　３　　表 その他の条件は、実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、（１３５ｋＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ放電を行い
、直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを
用い、　　１．０　＃＋ｘ−ｓｅｃの光量全透過型のテ
ストチャー）？ｒ−用いて照射した。

その後直ちにＱ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に濃度の極めて高い良好なトナー画障を得た。

このようにして得ら扛たトナー像を一旦ゴムブレードで
クリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程を繰
り返した。繰り返し回数１５万回以上行っても、−鐵の
劣化は見られなかった０ 実施例４ 非晶質１＃（１）の層の形成時、Ｓ市、ガス、ＳｉＦ、
ガス、　Ｃ，ＴＩ、ガスの流通比ケ変えて、非晶質層（
ＩＩ）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によって像
形成部材ケ作成した。こうして得られた像形成部材につ
き実施例１に述べた如き作像、現像、クリーニングの工
程を約５万回繰り返した後５画像針価金行ったところ第
４表の如き結果を　得ブこ。

第　　４　　表 実施例５ 非晶質層（１］）の層の層厚を変える以外は、実施例１
と全く同様な方法によって像形成部材を作成した。実施
例１に述べ冬如き５作像、３Ａ峰、クリーニングの工程
金繰り返（−下記の結果を得た０ 第　　５　　表 実施例６ 非晶質層（１１）以外の層の層形成方法を下表の如く変
える以外は、実施例Ｉと同様な方法で像形成部拐葡作成
し、実施例１と同様な方法で評価を行ったところ良好な
結果か得られた２、第　　（ｉ　　表 実施例７ 非晶質層（ＩＩ）の層の層形成方法全下表の如く変える
以外は、実施例１と同様な方法で１象杉成部材全作成し
、実施例１と同様々方法で評価ケ行ったところ、良好な
結果が得られた。

第　　７　　表 実施例８ 非晶質層（Ｉｔ）　’ｒ下記の如き条件によってスパッ
タリング法によって作成する以外は、実施例３と同様な
方法で像形成部材を作成し、実施例３と同様な方法で評
価を行ったところ、良好な結束が得らｎた。

第　　８　　表

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の光導電部材の好適な
実施態様例の構成を示す模式的構成図、第３図は本発明
の光導電部材を製造する為の装置の一例を示す模式的説
明図である０１００　、２００・・光導電部材 １０１　、２０１・・・支持体 １０２　、２０２　、２０４・・補助層１０３　、２０
３・・・電荷注入防止層１０ら、２０７・・・自由表面 出願人　　ギヤノン株式会社 ゝ　、＋１．＋伽１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
   し、構成原子として４３　ａｔｏｍｉｃ　ｌ　壕での窒
   素原子を含有する非晶質材料で構成された補助層と、シ
   リコン原子４・母体とし、周朋律表第１１族に属する原
   子を構成ｊ甲子として含有する非晶質材料で構成された
   電荷注入防止層と、シリコン１９子を母体とし、構成原
   子として水素原子又はハロゲン原子のいずれか一方を少
   なくとも含不する非晶質制科で構成され、光害−１性を
   示す第一の非晶質層と、前記第一の非晶質層上に、シリ
   コン原子と炭素ＪＱ子とハロゲンＴ県子とを構成原子と
   して含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層を有す
   る事を特徴とする光導電部材。