JPH0368383B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0368383B2 JPH0368383B2 JP57021717A JP2171782A JPH0368383B2 JP H0368383 B2 JPH0368383 B2 JP H0368383B2 JP 57021717 A JP57021717 A JP 57021717A JP 2171782 A JP2171782 A JP 2171782A JP H0368383 B2 JPH0368383 B2 JP H0368383B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- atoms
- gas
- amorphous
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 44
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 43
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 43
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 32
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 132
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 44
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- -1 hydrogen halides Chemical class 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 18
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910007260 Si2F6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- UAZDIGCOBKKMPU-UHFFFAOYSA-O azanium;azide Chemical compound [NH4+].[N-]=[N+]=[N-] UAZDIGCOBKKMPU-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N hydrogen azide Chemical compound N=[N+]=[N-] JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N trans-but-2-ene Chemical compound C\C=C\C IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N trifluoro(trifluorosilyl)silane Chemical compound F[Si](F)(F)[Si](F)(F)F SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/0825—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用撮像形成部材や原稿読取装置における光導
電層を形成する光導電材料としては、光感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料、
所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化ア
モルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化
アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記
として「ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕から構成
される光導電層を有する光導電部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成
された光導電部材は実用上著しく優れた特性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみて
もあらゆる点において凌駕していること、殊に電
子写真用の光導電部剤として著しく優れた特性を
有していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於れる
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とし、構成原子として１
〜20atomic％のハロゲン原子と、１×
10-3atomic％以上、30atomic％までの窒素原子
を含有する非晶質材料で構成された補助層と、シ
リコン原子を母体とし、周期律表第族に属する
原子を構成原子として含有する非晶質材料で構成
された電荷注入防止層と、シリコン原子を母体と
し、構成原子として水素原子又はハロゲン原子の
いずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料で
構成され、光導電性を示す第一の非晶質層と、前
記第一の非晶質上に、シリコン原子と炭素原子と
水素原子とを構成原子として含む非晶質材料で構
成された第二の非晶質層と、を有することを特徴
とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、シリコン原子を
母体とし、構成原子としてハロゲン原子と、窒素
原子を30atomic％未満含む非晶質材料で構成さ
れた補助層１０２、電荷注入防止層１０３、光導
電性を有する第一の非晶質層（）１０４、第二
の非晶質層（）１０５とを具備し、非晶質層
（）１０５は自由表面１０６を有している。 補助層１０２は、主に、支持体１０１と電荷注
入防止層１０３との間の密着性を計る目的の為に
設けられ、支持体１０１と電荷注入防止層１０３
の両方と親和性がある様に、後述する特性を有す
る材質で構成される。 電荷注入防止層１０３は、自由表面１０６が帯
電される際に、支持体１０１側より第一の非晶質
層（）１０４中へ電荷が注入されるのを効果的
に防止する機能を主に有する。 第一の非晶質層（）１０４は、該層（）１
０４に感受性の光の照射を受けて該層（）１０
４中でフオトキヤリヤを発生し、所定方向に該フ
オトキヤリアを輸送する機能を有する。 本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Si）
を母体とし、構成原子として、窒素原子（Ｎ）と
ハロゲン原子（Ｘ）と、必要に応じて水素原子(H)
とを含有し、窒素原子（Ｎ）の含有量C(N)が
30atomic％未満である非晶質材料（以後「ａ−
（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-b」と記す。但し、0.6＜
ａ、0.8≦ｂ）で構成される。 ａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bで構成される補助
層の形成はグロー放電法、スパツターリング法、
イオンインプランテーシヨン法、イオンプレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある。シリコン原子と共に窒素原子及びハロゲン
原子を、作製する補助層中に導入するのが容易に
行える等の利点からグロー放電法或いはスパツタ
ーリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して補助
層を形成しても良い。 グロー放電法によつて補助層を形成するにはａ
−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-b形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、支持体の設置してある真空堆積用の堆積室に
導入し、導入されたガス雰囲気中に、グロー放電
を先起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上にａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bを堆積させれ
ば良い。 本発明に於いて、ａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-b
形成用の原料ガスとしては、Si、Ｎ、Ｘの中の少
なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。 Si、Ｎ、Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｎ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使
用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ま
しいものである。 本発明に於いて、補助層は、シリコン原子と窒
素原子とハロゲン原子とを含む非晶質材料で構成
されるものであるが、前述した様に補助層には更
に水素原子を含有させることが出来る。 補助層への水素原子の含有は、電荷注入防止層
や非晶質層との連続層形成の際に原料ガス種の一
部共通化を計ることが出来るので生産コスト面の
上で好都合である。 本発明に於いて、補助層を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得る出発物質として
は、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な補助層形成用の出発物質としては、例
えば、窒素、窒化物、弗素化窒素及びアジ化物等
の窒素化合物、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、
ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置
換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来
る。 具体的には、窒素（N2）、窒素化合物としては
アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、
三弗化窒素（F3N）、四弗化窒素（F4N2）、アジ
化水素（HN3）、アジ化アンモニウム（NH4N3）
等、ハロゲン単体としては、フツ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素とし
ては、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン化合物と
しては、BrF、ClF、ClF3、BrF5、BrF3、IF7、
IF5、ICl、IBr、ハロゲン化硅素としてはSiF4、
Si2F6、SiCl4、SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、
SiCl3I、SiBr4、ハロゲン置換水素化硅素として
は、SiH2F2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、
SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅素として
は、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン
（Silane）類、等々を挙げることが出来る。 これ等の補助層形成用の出発物質は、形成され
る補助層中に、所定の組成比でシリコン原子窒素
原子及びハロゲン原子と、必要に応じて水素原子
とが含有される様に、補助層形成の際に所望に従
つて選択されて使用される。 例えば、シリコン原子と水素原子との含有が容
易に成し得て且つ所望の特性の補助層が形成され
得るSiH4やSi2H6と窒素原子を含有させるものと
してのN2又はNH3とハロゲン原子を含有させる
ものとしてのSiF4、SiH2F2、SiHCl3、SiCl4、
SiH2Cl2或いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状
態で補助層形成用の装置系内に導入してグロー放
電を生起させることによつて補助層を形成するこ
とが出来る。 或いは、形成される補助層にシリコン原子とハ
ロゲン原子とを含有させることが出来るSiF4等と
窒素原子を含有させるものとしてのN2等を所定
の混合比で、必要に応じてHe、Ne、Ar等の稀
ガスと共に中間層形成用の装置系内に導入してグ
ロー放電を生起させて、補助層を形成することも
出来る。 スパツターリング法によつて補助層を形成する
には、高純度単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はSi3N4ウエーハー又はSiとSi3N4が混合されて
形成されたウエーハーをターゲツトとして、これ
等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を構成
要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツター
リングすることによつて行なえば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＮとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、少なくと
もハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパツ
ターリングすることによつて成される。Ｎ及び
Ｘ、必要に応じてＨの導入用の原料ガスとなる物
質としては先述したグロー放電の例で示した補助
層形成用の出発物質がスパツターリング法の場合
にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はス
パツターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所謂・稀ガス、例えばHe、Ne、
Ar等が好適なものとして挙げることが出来る。 本発明の補助層を構成するａ−（SiaN1-a）b
（Ｈ、Ｘ）1-bは、補助層の機能が、支持体と電荷
注入防止層との間の密着を強固にし、加えてそれ
等の間に於ける電気的接触性を均一にするもので
あるから、補助層に要求される特性が所望通りに
与えられる様に、その作成条件の選択が厳密に成
されて注意深く形成される。 本発明の目的に適した特性を有する ａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bが作成される為の
作成条件の中の重要な要素として、作成時の支持
体温度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体の表面にａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、
Ｘ）1-bからなる補助層を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であつて、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、
Ｘ）1-bが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の補助層を形成する際の支持体温度として
は、補助層の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、補助層の形成が実行されるが、通常の場
合、50〜350℃、好適には100〜250℃とされるの
が望ましいものである。補助層の形成には、同一
系内で補助層から電荷注入防止層、非晶質層、更
には必要に応じて非晶質層上に形成される他の層
まで連続的に形成することが出来る事、各層を構
成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に較べて比較的容易である事等の為に、
グロー放電法やスパツターリング法の採用が有利
であるが、これ等の層形成法で補助層を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際
の放電パワー及びガス圧が作成されるａ−（Sia
N1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bの特性を左右する重要な因子
として挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SiaN1-b）b（Ｈ、Ｘ）1-bが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー条件としては、
通常１〜300W、好適には２〜100Wである。 堆積室内のガス圧はグロー放電法にて層形成を
行う場合に於いて通常0.01〜5Torr、好適には、
0.1〜0.5Torr程度に、スパツタリング法にて層形
成を行う場合に於いては、通常１×10-3〜５×
10-2Torr、好適には８×10-3〜３×10-2Torr程
度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける補助層に含有され
る窒素原子及びハロゲン原子の量は、補助層の作
製条件と同様本発明の目的を達成する所望の特性
が得られる補助層が形成される為の重要な因子で
ある。 本発明に於ける補助層に含有される窒素原子の
量C(N)は、通常は、前記した値の範囲とされる
が、atomic％で表示すれば、好適には１×10-3
≦C(N)＜30、より好ましくは、１≦C(N)＜30、最
適には10≦C(N)＜30とされるのが望ましい。又、
ハロゲン原子（Ｘ）の量としては、好適には１〜
20atomic％、最適には２〜15atomic％とされる
のが望ましく、水素原子(H)が含まれる場合には、
その量は好適には19atomic％以下、最適には
13atomic％以下とされるのが望ましい。 ａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bに於けるａ、ｂの
表示で示せばａの値としては、好適には0.6＜ａ
≦0.9999、より好ましくは0.6＜ａ≦0.99最適には
0.6＜ａ≦0.9、ｂの値としては、好適には0.8≦ｂ
≦0.99、より好適には0.85≦ｂ≦0.98とされるの
が望ましい。 本発明に於ける補助層の層厚の数値範囲は、本
発明の目的を結果的に達成する様に所望に従つて
適宜決定される。 本発明の目的を効果的に達成する為の補助層の
層厚としては、通常の場合、30Å〜2μ、好適に
は40Å〜1.5μ、最適には50Å〜1.5μとされるのが
望ましいものである。 本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層
は、シリコン原子（Si）を母体とし、周期律表第
族に属する原子（第族原子）と、好ましく
は、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）、或いは
この両者とを構成原子とする非晶質材料（以後
「ａ−Si（、Ｈ、Ｘ）」と記す）で構成され、そ
の層厚ｔ及び層中の第族原子の含有量C(〓)は、
本発明の目的が効果的に達成される様に所望に従
つて適宜決められる。 本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとして
は、好ましくは0.3〜5μ、より好ましくは0.5〜2μ
とされるのが望ましく、又、第族原子の含有量
C(〓)としては、好ましくは１×102〜１×
105atomic ppmより好ましくは、５×102〜１×
105atomic ppmとされるのが望ましい。 本発明において、電荷注入防止層中に含有され
る周期律表第族に属する原子として使用される
のは、Ｂ（硼素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウ
ム）、In（インジウム）、Tl（タリウム）等であり、
殊に好適に用いられるのはＢ、Caである。 本発明において、必要に応じて電荷注入防止層
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 ａ−Si（、Ｈ、Ｘ）で構成される電荷注入防
止層合の層形成法としてはグロー放電法、スパツ
ターリング法、イオンインプランテーシヨン法、
イオンプレーテイング法、エレクトロンビーム法
等が挙げられる。これ等の製造法は、製造条件、
設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される
光導電部材に所望される特性等の要因によつて適
宜選択されて採用されるが、所望とする特性を有
する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が
比較的容易である、シリコン原子と共に第族原
子、必要に応じて水素原子(H)やハロゲン原子
（Ｘ）を作製する電荷注入防止層中に導入するの
が容易に行える等の利点からグロー放電法或いは
スパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して電荷
注入防止層を形成しても良い。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（、
Ｈ、Ｘ）で構成される電荷注入防止層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得
るSi供給用の原料ガスと共に、第族原子を供給
し得る第族原子導入用の原料ガス、必要に応じ
て水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置され、既に補助層
の設けてある所定の支持体の補助層上にａ−Si
（、Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツトをスパツタリングする際、第族原子
導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスと共に
スパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。 本発明において電荷注入防止層を形成するのに
使用される原料ガスとなる出発物質としては、次
のものが有効なものとして挙げることが出来る。 先ず、Si供給用の原料ガスとなる出発物質とし
ては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点で
SiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げられる。 これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を
適切に選択することによつて形成される補助層中
にSiと共にＨも導入し得る。 Si供給用の原料ガスとなる有効な出発物質とし
ては、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子
（Ｘ）を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体、具体的には例えば
SiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン化硅素
が好ましいものとして挙げることが出来る。 更には、SiH2F2、SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、
SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、
等々のガス態の或いはガス化し得る、水素原子を
構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な電荷
注入防止層形成の為のSi供給用の出発物質として
挙げる事が出来る。 これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物
を使用する場合にも前述した様に層形成条件の適
切な選択によつて形成される電荷注入防止層中に
Siと共にＸを導入することが出来る。 上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン
化硅素化合物は、補助層形成の際に層中にハロゲ
ン原子（Ｘ）の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子(H)も導入され
るので、本発明においては好適なハロゲン原子
（Ｘ）導入用の出発物質として使用される。 本発明において補助層を形成する際に使用され
るハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、上記したものの他に、例
えばフツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、BrF、ClF、ClF3、BrF5、BrF3、IF3、IF7、
ICl、IBr等のハロゲン間化合物、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素を挙げることが出
来る。 電荷注入防止層中に第族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に第族原子導入用の出発
物質をガス状態で堆積室中に、電荷注入防止層を
形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば
良い。この様な第族原子導入様の出発物質と成
り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。 その様な第族原子導入用の出発物質として具
体的には硼素原子導入用としては、B2H6、
B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14
等の水素化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3、
GaCl3、Ga（CH3）3、InCl3、TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為
に電荷注入防止層中に含有される第族原子は、
電気注入防止層の層厚方向に実質的に平行な面
（支持体の表面に平行な面）内及び層厚方向に於
いては、実質的に均一に分布されるのが良いもの
である。 又、スパツタリング法で電荷注入防止層を形成
する場合には、例えばAr、He等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でSiで構成されたターゲツトをスパツタリング
する際、第族原子導入用の原料ガスを、必要に
応じて水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスと共にスパツタリング
を行う真空堆積室内に導入してやれば良い。 本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放電
法又はスパツタリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明において、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され
る非晶質層（Ｉ）を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成される非晶質層（）を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を
供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子
(H)導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されてある所定の支持体表面上
にａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、電
荷注入防止層の場合に挙げたのと同様のものを挙
げることが出来る。 本発明において非晶質層（）を形成する際に
使用されるSi供給用の原料ガスとしては、電荷注
入防止層に就て説明する際に挙げたSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱
い易さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH4、Si2H6
が好ましいものとして挙げられる。 本発明において非晶質層（）を形成する場合
に使用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て有効なのは、電荷注入防止層の場合と同様に多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲ
ンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又は
ガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。 又、更には、シリコン原子（Si）とハロゲン原
子（Ｘ）とを構成要素とするガス状態の又はガス
化し得る、ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効
なものとして本発明においては挙げることが出来
る。 本発明において、形成される光導電部材の電荷
注入防止層非晶質層（）中に含有される水素原
子(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原
子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場
合１〜40atomic％、好適には５〜30atomic％と
されるのが望ましい。 電荷注入防止層又は非晶質層（）中に含有さ
れる水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の
量を制御するには、例えば支持体温度又は／及び
水素原子(H)、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有さ
せる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導
入する量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明において、非晶質層（）をグロー放電
法で形成する際に使用される稀釈ガス、或いはス
パツタリング法で形成される際に使用されるスパ
ツタリング用のガスとしては、所謂、稀ガス、例
えばHe、Ne、Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）の層厚として
は、作成される光導電部材に要求される特性に応
じて適宜決められるものであるが、通常は、１〜
100μ、好ましくは１〜80μ、最適には２〜50μと
されるの望ましいものである。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０５は、自由表面１０６
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的を
達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、非晶質層（）１０２
を構成する第一の非晶質層（）１０２と第二の
非晶質層（）１０５とを形成する非晶質材料の
各々がシリコン原子という共通の構成要素を有し
ているので、積層界面に於いて化学的な安定性の
確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（SixC1−ｘ）yH1−ｙ、但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で
形成される。 ａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙで構成される第二の
非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパツタ
ーリング法、イオンインプランテーシヨン法、イ
オンプレーテイング法、エレクトロンビーム法等
によつて成される。これ等の製造法は、製造条
件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作成さ
れる光導電部材に所望される特性等の要因によつ
て適宜選択されて採用されるが、所望する特性を
有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である。シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子を作製する第二の非晶質層（）
中に導入するが容易に行える等の利点からグロー
放電法或いはスパツターリング法が好適に採用さ
れる。 更に本発明に於いては、グロー放電法とスパツ
ターリング法とを同一装置系内で併用して第二の
非晶質層（）を形成してもよい。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置してある真空堆
積用の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー
放電を生起させることでガスプラズマ化して前記
支持体上に既に形成されてある第一の非晶質層
（）上にａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙを堆積させ
れば良い。 本発明に於いてａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙ形成
用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、炭
素原子(C)、水素原子(H)の中の少なくとも一つを構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。 Si、Ｃ、Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4、Si2H6、Si3H8、
Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（CH8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、プテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3H4）、ブ
チン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なもの
として使用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶又は多
結晶のSiウエーハー又はＣウエーハー又はSiとＣ
が混合されて含有されているウエーハーをターゲ
ツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパ
ツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe、Ne、Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si、Ｃ、及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙが
形成される様に、所望に従つてその作成条件の選
択が厳密に成される。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（SixC1−ｘ）
yH1−ｙは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動
の顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1−ｘ）
yH1−ｙが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1−
ｘ）yH1−ｙから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙが所望通りに作成され
得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御され
るのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50℃
〜350℃、好適には100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。第二の非晶質層（）の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の非晶質層（）を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙの特性
を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙが生産性良く効果
的に作成される為の放電パワー条件としては、通
常、10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが
望ましい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜
1Torr、好適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが
望ましい。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−（SixC1
−ｘ）yH1−ｙから成る第二の非晶質層（）が
形成される様に相互的有機的関連性に基いて、各
層作成フアクターの最適値が決められるの望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
第二非晶質層（）の作成条件と同様、本発明の
目的を達成する所望の特性が得られる第二の非晶
質層（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常は１×10-3〜90atomic
％とされ、好ましくは１〜90atomic％、最適に
は10〜80atomic％とされるのが望ましいもので
ある。水素原子の含有量としては、通常の場合１
〜40atomic％、好ましくは２〜35atomic％最適
には５〜30atomic％とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される
光導電部材は、実際面に於いて優れたものとして
充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙの表示で
行えばｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜
0.99、最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好
適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが
望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子や水素原子の量、
第一の非晶質層（）の層厚等との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従つて適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加
味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ好適には0.004〜20μ最適
には、0.005〜10μとされるのが望ましいものであ
る。 本発明に於いて使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は10μ以上
とされる。 第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な
実施態様例の層構成が示される。 第２図に示される光導電部材２００が、第１図
に示される光導電部材１００と異なるところは、
電荷注入防止層２０３と光導電性を示す第一の非
晶質層（）２０５との間に上部補助層２０４を
有することである。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１、該
支持体２０１上に順に積層された。下部補助層２
０２、電荷注入防止層２０３、上部補助層２０
４、第一の非晶質層（）２０５及び第二の非晶
質層（）２０６とを具備し、第二の非晶質層
（）２０６は自由表面２０７を有する。 上部補助層２０４は、電荷注入防止層２０３と
第一の非晶質層（）２０５との間の密着を強固
にと、両層の接触界面に於ける電気的接触を均一
にしていると同時に、電荷注入防止層２０３の上
に直に設けることによつて、電荷注入防止層２０
３の層質を強靭なものとしている。 第２図に示される光導電部材２００を構成する
下部補助層２０２及び上部補助層２０４は、第１
図に示した光導電部材１００を構成する補助層１
０２の場合と同様の非晶質材料を使用して、同様
の特性が与えられる様に同様な層作成手順を条件
によつて形成される。 電荷注入防止層２０３及び非晶質層（）２０
５、非晶質層（）２０６も、夫々、第１図に示
す電荷注入防止層１０３、非晶質層（）１０
４、非晶質層（）１０５の夫々と同様の特性及
び機能を有し、第１図の場合と同様な層作成手順
と条件によつて作成される。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例を図
に従つて説明する。 第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。 図中の３０２〜３０６のガスボンベには、本発
明の夫々の層を形成するために使用されるガスが
密封されており、その１例として、たとえば３０
２はHeで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、３０３はHeで
稀釈されたB2H6ガス（純度99.99％、以下
B2H6／Heと略す。）、３０４はNH3ガス（純度
99.99％）ボンベ、３０５はArガスボンベ、３０
６はC2H4ガス（純度99.99％）ボンベである。 これらのガスを反応室３０１に流入させるには
ガスボンベ３０２〜３０６のバルブ３２２〜３２
６、リークバルブ３３５が閉じられていることを
確認し、又、流入バルブ３１２〜３１６、流出バ
ルブ３１７〜３２１、補助バルブ３３２が開かれ
ていることを確認して先ずメインバルブ３３４を
開いて反応室３０１、及びガス配管内を非気す
る。 次に真空計３３６の読みが約５×10-6torrにな
つた時点で、補助バルブ３３２、流入バルブ３１
２〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１を閉じ
る。 その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボ
ンベに接続されているガス配管のバルブを所定通
り操作して、所望するガスを反応室３０１内に導
入する。 次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部
材を作成する場合の一例の概略を述べる。 所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパツ
タリング法によつて形成するには、先ず、シヤツ
ター３４２を開く。すべてのガス供給バルブは、
一旦閉じられ、反応室３０１はメインバルブ３３
４を全開することにより、排気される。高圧電力
が印加される電極３４１上に高純度シリコンウエ
ハ３４２−１、及び高純度窒化シリコンウエハ３
４２−２が所望のスパツター面積比率でターゲツ
トとして設置されている。 ガスボンベ３０５よりArガスを、予めSiF4／
Heガスを充満しておいたボンベ３０２より
SiF4／Heガスをガスボンベ３０４よりNH3ガス
を、夫々、所定のバルブを操作して反応室３０１
内に導入し、反応室３０１の内圧が0.05〜1Torr
となるよう、メインバルブ３３４の開口を調整す
る。高圧電源３４０をONとし、シリコンウエハ
３４２−１と窒化シリコンウエハ３４２−２とを
同時にスパツタリングすることにより、シリコン
原子、窒素原子、弗素原子よりなる非晶質材料で
構成された補助層を支持体３３７上に形成するこ
とが出来る。補助層中に含有される窒素原子の量
は、シリコンウエハと窒化シリコンウエハのスパ
ツター面積比率やN2ガスを導入する際には、N3
ガスの流量を調整することで所望に従つて制御す
ることが出来る。又、ターゲツトの作成の際にシ
リコン粉末とSi3N4粉末の混合比を変えることで
も行うことが出来る。この際に層形成中は、支持
体３３７は加熱ヒータ３３８によつて所望の温度
に加熱される。 グロー放電法によつて、補助層を形成する場合
には、例えばSiF4／HeガスとN2ガス又はNH3ガ
スと、必要に応じてSiH4／Heガスとを、夫々所
望の流量比で反応室３０１内に導入し、グロー放
電を生起させ、該放電を所望時間継続させること
で所望厚の補助層を形成することが出来る。補助
層中の窒素原子の含有量は、使用ガスの流量比を
調整することによつて任意に制御出来る。 次に、前記の補助層上に電荷注入防止層を形成
する。補助層の形成終了後、電源３４０をOFF
にして放電を中止し、一旦、装置のガス導入用の
配管の全系のバルブを閉じ、反応室３０１内に残
存するガスを反応室３０１外に排出して所定の真
空度にする。 その後、シヤツター３４２を閉じ、ガスボンベ
３０２よりSiH4／Heガスを、ガスボンベ３０３
よりB2H6／Heガスを、夫々バルブ３２２，３２
３を夫夫開いて、出口圧ゲージ３２７，３２８の
圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３１２，３１
３を徐々に開けて、マスフロコントローラ３０
７，３０８内に夫々流入させる。引き続いて流出
バルブ３１７，３１８、補助バルブ３３２を徐々
に開いて夫々のガスを反応室３０１内に流入させ
る。このときのSiH4／Heガス流量、B2H6／He
ガス流量の夫々の比が所望の値になるよう流出バ
ルブ３１７，３１８を調整し、また、反応室３０
１内の圧力が所望の値になるように真空計３３６
の読みを見ながらメインバルブ３３４の開口を調
整する。そして支持体３３７の温度が加熱ヒータ
ー３３８により50〜400℃の範囲の温度に設定さ
れていることが確認された後、電源３４０をON
にして所望の電力に設定し、反応室３０１内にグ
ロー放電を生起させて支持体３３７上に電荷注入
防止層を形成する。電荷注入防止層上に設けられ
る。光導電性を示す非晶質層（）の形成は、例
えばボンベ３０２内に充填されているSiH4／He
ガスを使用し、前記した電荷注入防止層の場合と
同様の手順によつて行うことが出来る。 非晶質層（）の形成の際に使用される原料ガ
ス種としては、SiH4ガスの他に、殊にSiH6ガス
が層形成速度の向上を計る為に有効である。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF4／He
を、更に付加して反応室３０１内に送り込む。 上記の様な操作によつて、第一の非晶質層
（）上に第二の非晶質層（）を形成するには、
第一の非晶質層（）の形成の際と同様なバルブ
操作によつて例えば、SiH4ガス、C2H4ガスの
夫々を、必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀釈し
て、所望の流量比で反応室３０１中に流し、所望
の条件に従つて、グロー放電を生起させることに
よつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又、夫々の層を形成する際、前層の形成
に使用したガスが反応室３０１内、流出バルブ３
１７〜３２１から反応室３０１内に至るガス配管
内に残留することを避けるために、流出バルブ３
１７〜３２１を閉じ補助バルブ３３２を開いてメ
インバルブ３３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、SiH4ガスと、C2H4ガスの反応室
３０１内に導入される流量比を所望に従つて任意
に変えることによつて、所望に応じて制御するこ
とが出来る。 実施例 １ 第３図に示した製造装置により、ドラム状アル
ミニウム基板上に以下の条件で層形成を行つた。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用撮像形成部材や原稿読取装置における光導
電層を形成する光導電材料としては、光感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料、
所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化ア
モルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化
アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記
として「ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕から構成
される光導電層を有する光導電部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成
された光導電部材は実用上著しく優れた特性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみて
もあらゆる点において凌駕していること、殊に電
子写真用の光導電部剤として著しく優れた特性を
有していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於れる
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とし、構成原子として１
〜20atomic％のハロゲン原子と、１×
10-3atomic％以上、30atomic％までの窒素原子
を含有する非晶質材料で構成された補助層と、シ
リコン原子を母体とし、周期律表第族に属する
原子を構成原子として含有する非晶質材料で構成
された電荷注入防止層と、シリコン原子を母体と
し、構成原子として水素原子又はハロゲン原子の
いずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料で
構成され、光導電性を示す第一の非晶質層と、前
記第一の非晶質上に、シリコン原子と炭素原子と
水素原子とを構成原子として含む非晶質材料で構
成された第二の非晶質層と、を有することを特徴
とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、シリコン原子を
母体とし、構成原子としてハロゲン原子と、窒素
原子を30atomic％未満含む非晶質材料で構成さ
れた補助層１０２、電荷注入防止層１０３、光導
電性を有する第一の非晶質層（）１０４、第二
の非晶質層（）１０５とを具備し、非晶質層
（）１０５は自由表面１０６を有している。 補助層１０２は、主に、支持体１０１と電荷注
入防止層１０３との間の密着性を計る目的の為に
設けられ、支持体１０１と電荷注入防止層１０３
の両方と親和性がある様に、後述する特性を有す
る材質で構成される。 電荷注入防止層１０３は、自由表面１０６が帯
電される際に、支持体１０１側より第一の非晶質
層（）１０４中へ電荷が注入されるのを効果的
に防止する機能を主に有する。 第一の非晶質層（）１０４は、該層（）１
０４に感受性の光の照射を受けて該層（）１０
４中でフオトキヤリヤを発生し、所定方向に該フ
オトキヤリアを輸送する機能を有する。 本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Si）
を母体とし、構成原子として、窒素原子（Ｎ）と
ハロゲン原子（Ｘ）と、必要に応じて水素原子(H)
とを含有し、窒素原子（Ｎ）の含有量C(N)が
30atomic％未満である非晶質材料（以後「ａ−
（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-b」と記す。但し、0.6＜
ａ、0.8≦ｂ）で構成される。 ａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bで構成される補助
層の形成はグロー放電法、スパツターリング法、
イオンインプランテーシヨン法、イオンプレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある。シリコン原子と共に窒素原子及びハロゲン
原子を、作製する補助層中に導入するのが容易に
行える等の利点からグロー放電法或いはスパツタ
ーリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して補助
層を形成しても良い。 グロー放電法によつて補助層を形成するにはａ
−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-b形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、支持体の設置してある真空堆積用の堆積室に
導入し、導入されたガス雰囲気中に、グロー放電
を先起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上にａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bを堆積させれ
ば良い。 本発明に於いて、ａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-b
形成用の原料ガスとしては、Si、Ｎ、Ｘの中の少
なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。 Si、Ｎ、Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｎ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使
用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ま
しいものである。 本発明に於いて、補助層は、シリコン原子と窒
素原子とハロゲン原子とを含む非晶質材料で構成
されるものであるが、前述した様に補助層には更
に水素原子を含有させることが出来る。 補助層への水素原子の含有は、電荷注入防止層
や非晶質層との連続層形成の際に原料ガス種の一
部共通化を計ることが出来るので生産コスト面の
上で好都合である。 本発明に於いて、補助層を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得る出発物質として
は、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な補助層形成用の出発物質としては、例
えば、窒素、窒化物、弗素化窒素及びアジ化物等
の窒素化合物、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、
ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置
換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来
る。 具体的には、窒素（N2）、窒素化合物としては
アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、
三弗化窒素（F3N）、四弗化窒素（F4N2）、アジ
化水素（HN3）、アジ化アンモニウム（NH4N3）
等、ハロゲン単体としては、フツ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素とし
ては、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン化合物と
しては、BrF、ClF、ClF3、BrF5、BrF3、IF7、
IF5、ICl、IBr、ハロゲン化硅素としてはSiF4、
Si2F6、SiCl4、SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、
SiCl3I、SiBr4、ハロゲン置換水素化硅素として
は、SiH2F2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、
SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅素として
は、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン
（Silane）類、等々を挙げることが出来る。 これ等の補助層形成用の出発物質は、形成され
る補助層中に、所定の組成比でシリコン原子窒素
原子及びハロゲン原子と、必要に応じて水素原子
とが含有される様に、補助層形成の際に所望に従
つて選択されて使用される。 例えば、シリコン原子と水素原子との含有が容
易に成し得て且つ所望の特性の補助層が形成され
得るSiH4やSi2H6と窒素原子を含有させるものと
してのN2又はNH3とハロゲン原子を含有させる
ものとしてのSiF4、SiH2F2、SiHCl3、SiCl4、
SiH2Cl2或いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状
態で補助層形成用の装置系内に導入してグロー放
電を生起させることによつて補助層を形成するこ
とが出来る。 或いは、形成される補助層にシリコン原子とハ
ロゲン原子とを含有させることが出来るSiF4等と
窒素原子を含有させるものとしてのN2等を所定
の混合比で、必要に応じてHe、Ne、Ar等の稀
ガスと共に中間層形成用の装置系内に導入してグ
ロー放電を生起させて、補助層を形成することも
出来る。 スパツターリング法によつて補助層を形成する
には、高純度単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はSi3N4ウエーハー又はSiとSi3N4が混合されて
形成されたウエーハーをターゲツトとして、これ
等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を構成
要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツター
リングすることによつて行なえば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＮとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、少なくと
もハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパツ
ターリングすることによつて成される。Ｎ及び
Ｘ、必要に応じてＨの導入用の原料ガスとなる物
質としては先述したグロー放電の例で示した補助
層形成用の出発物質がスパツターリング法の場合
にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はス
パツターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所謂・稀ガス、例えばHe、Ne、
Ar等が好適なものとして挙げることが出来る。 本発明の補助層を構成するａ−（SiaN1-a）b
（Ｈ、Ｘ）1-bは、補助層の機能が、支持体と電荷
注入防止層との間の密着を強固にし、加えてそれ
等の間に於ける電気的接触性を均一にするもので
あるから、補助層に要求される特性が所望通りに
与えられる様に、その作成条件の選択が厳密に成
されて注意深く形成される。 本発明の目的に適した特性を有する ａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bが作成される為の
作成条件の中の重要な要素として、作成時の支持
体温度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体の表面にａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、
Ｘ）1-bからなる補助層を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であつて、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、
Ｘ）1-bが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の補助層を形成する際の支持体温度として
は、補助層の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、補助層の形成が実行されるが、通常の場
合、50〜350℃、好適には100〜250℃とされるの
が望ましいものである。補助層の形成には、同一
系内で補助層から電荷注入防止層、非晶質層、更
には必要に応じて非晶質層上に形成される他の層
まで連続的に形成することが出来る事、各層を構
成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に較べて比較的容易である事等の為に、
グロー放電法やスパツターリング法の採用が有利
であるが、これ等の層形成法で補助層を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際
の放電パワー及びガス圧が作成されるａ−（Sia
N1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bの特性を左右する重要な因子
として挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SiaN1-b）b（Ｈ、Ｘ）1-bが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー条件としては、
通常１〜300W、好適には２〜100Wである。 堆積室内のガス圧はグロー放電法にて層形成を
行う場合に於いて通常0.01〜5Torr、好適には、
0.1〜0.5Torr程度に、スパツタリング法にて層形
成を行う場合に於いては、通常１×10-3〜５×
10-2Torr、好適には８×10-3〜３×10-2Torr程
度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける補助層に含有され
る窒素原子及びハロゲン原子の量は、補助層の作
製条件と同様本発明の目的を達成する所望の特性
が得られる補助層が形成される為の重要な因子で
ある。 本発明に於ける補助層に含有される窒素原子の
量C(N)は、通常は、前記した値の範囲とされる
が、atomic％で表示すれば、好適には１×10-3
≦C(N)＜30、より好ましくは、１≦C(N)＜30、最
適には10≦C(N)＜30とされるのが望ましい。又、
ハロゲン原子（Ｘ）の量としては、好適には１〜
20atomic％、最適には２〜15atomic％とされる
のが望ましく、水素原子(H)が含まれる場合には、
その量は好適には19atomic％以下、最適には
13atomic％以下とされるのが望ましい。 ａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bに於けるａ、ｂの
表示で示せばａの値としては、好適には0.6＜ａ
≦0.9999、より好ましくは0.6＜ａ≦0.99最適には
0.6＜ａ≦0.9、ｂの値としては、好適には0.8≦ｂ
≦0.99、より好適には0.85≦ｂ≦0.98とされるの
が望ましい。 本発明に於ける補助層の層厚の数値範囲は、本
発明の目的を結果的に達成する様に所望に従つて
適宜決定される。 本発明の目的を効果的に達成する為の補助層の
層厚としては、通常の場合、30Å〜2μ、好適に
は40Å〜1.5μ、最適には50Å〜1.5μとされるのが
望ましいものである。 本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層
は、シリコン原子（Si）を母体とし、周期律表第
族に属する原子（第族原子）と、好ましく
は、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）、或いは
この両者とを構成原子とする非晶質材料（以後
「ａ−Si（、Ｈ、Ｘ）」と記す）で構成され、そ
の層厚ｔ及び層中の第族原子の含有量C(〓)は、
本発明の目的が効果的に達成される様に所望に従
つて適宜決められる。 本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとして
は、好ましくは0.3〜5μ、より好ましくは0.5〜2μ
とされるのが望ましく、又、第族原子の含有量
C(〓)としては、好ましくは１×102〜１×
105atomic ppmより好ましくは、５×102〜１×
105atomic ppmとされるのが望ましい。 本発明において、電荷注入防止層中に含有され
る周期律表第族に属する原子として使用される
のは、Ｂ（硼素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウ
ム）、In（インジウム）、Tl（タリウム）等であり、
殊に好適に用いられるのはＢ、Caである。 本発明において、必要に応じて電荷注入防止層
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 ａ−Si（、Ｈ、Ｘ）で構成される電荷注入防
止層合の層形成法としてはグロー放電法、スパツ
ターリング法、イオンインプランテーシヨン法、
イオンプレーテイング法、エレクトロンビーム法
等が挙げられる。これ等の製造法は、製造条件、
設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される
光導電部材に所望される特性等の要因によつて適
宜選択されて採用されるが、所望とする特性を有
する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が
比較的容易である、シリコン原子と共に第族原
子、必要に応じて水素原子(H)やハロゲン原子
（Ｘ）を作製する電荷注入防止層中に導入するの
が容易に行える等の利点からグロー放電法或いは
スパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して電荷
注入防止層を形成しても良い。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（、
Ｈ、Ｘ）で構成される電荷注入防止層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得
るSi供給用の原料ガスと共に、第族原子を供給
し得る第族原子導入用の原料ガス、必要に応じ
て水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置され、既に補助層
の設けてある所定の支持体の補助層上にａ−Si
（、Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツトをスパツタリングする際、第族原子
導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスと共に
スパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。 本発明において電荷注入防止層を形成するのに
使用される原料ガスとなる出発物質としては、次
のものが有効なものとして挙げることが出来る。 先ず、Si供給用の原料ガスとなる出発物質とし
ては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点で
SiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げられる。 これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を
適切に選択することによつて形成される補助層中
にSiと共にＨも導入し得る。 Si供給用の原料ガスとなる有効な出発物質とし
ては、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子
（Ｘ）を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体、具体的には例えば
SiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン化硅素
が好ましいものとして挙げることが出来る。 更には、SiH2F2、SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、
SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、
等々のガス態の或いはガス化し得る、水素原子を
構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な電荷
注入防止層形成の為のSi供給用の出発物質として
挙げる事が出来る。 これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物
を使用する場合にも前述した様に層形成条件の適
切な選択によつて形成される電荷注入防止層中に
Siと共にＸを導入することが出来る。 上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン
化硅素化合物は、補助層形成の際に層中にハロゲ
ン原子（Ｘ）の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子(H)も導入され
るので、本発明においては好適なハロゲン原子
（Ｘ）導入用の出発物質として使用される。 本発明において補助層を形成する際に使用され
るハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、上記したものの他に、例
えばフツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、BrF、ClF、ClF3、BrF5、BrF3、IF3、IF7、
ICl、IBr等のハロゲン間化合物、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素を挙げることが出
来る。 電荷注入防止層中に第族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に第族原子導入用の出発
物質をガス状態で堆積室中に、電荷注入防止層を
形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば
良い。この様な第族原子導入様の出発物質と成
り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。 その様な第族原子導入用の出発物質として具
体的には硼素原子導入用としては、B2H6、
B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14
等の水素化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3、
GaCl3、Ga（CH3）3、InCl3、TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為
に電荷注入防止層中に含有される第族原子は、
電気注入防止層の層厚方向に実質的に平行な面
（支持体の表面に平行な面）内及び層厚方向に於
いては、実質的に均一に分布されるのが良いもの
である。 又、スパツタリング法で電荷注入防止層を形成
する場合には、例えばAr、He等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でSiで構成されたターゲツトをスパツタリング
する際、第族原子導入用の原料ガスを、必要に
応じて水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスと共にスパツタリング
を行う真空堆積室内に導入してやれば良い。 本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放電
法又はスパツタリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明において、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され
る非晶質層（Ｉ）を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成される非晶質層（）を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を
供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子
(H)導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されてある所定の支持体表面上
にａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、電
荷注入防止層の場合に挙げたのと同様のものを挙
げることが出来る。 本発明において非晶質層（）を形成する際に
使用されるSi供給用の原料ガスとしては、電荷注
入防止層に就て説明する際に挙げたSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱
い易さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH4、Si2H6
が好ましいものとして挙げられる。 本発明において非晶質層（）を形成する場合
に使用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て有効なのは、電荷注入防止層の場合と同様に多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲ
ンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又は
ガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。 又、更には、シリコン原子（Si）とハロゲン原
子（Ｘ）とを構成要素とするガス状態の又はガス
化し得る、ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効
なものとして本発明においては挙げることが出来
る。 本発明において、形成される光導電部材の電荷
注入防止層非晶質層（）中に含有される水素原
子(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原
子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場
合１〜40atomic％、好適には５〜30atomic％と
されるのが望ましい。 電荷注入防止層又は非晶質層（）中に含有さ
れる水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の
量を制御するには、例えば支持体温度又は／及び
水素原子(H)、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有さ
せる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導
入する量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明において、非晶質層（）をグロー放電
法で形成する際に使用される稀釈ガス、或いはス
パツタリング法で形成される際に使用されるスパ
ツタリング用のガスとしては、所謂、稀ガス、例
えばHe、Ne、Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）の層厚として
は、作成される光導電部材に要求される特性に応
じて適宜決められるものであるが、通常は、１〜
100μ、好ましくは１〜80μ、最適には２〜50μと
されるの望ましいものである。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０５は、自由表面１０６
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的を
達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、非晶質層（）１０２
を構成する第一の非晶質層（）１０２と第二の
非晶質層（）１０５とを形成する非晶質材料の
各々がシリコン原子という共通の構成要素を有し
ているので、積層界面に於いて化学的な安定性の
確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（SixC1−ｘ）yH1−ｙ、但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で
形成される。 ａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙで構成される第二の
非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパツタ
ーリング法、イオンインプランテーシヨン法、イ
オンプレーテイング法、エレクトロンビーム法等
によつて成される。これ等の製造法は、製造条
件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作成さ
れる光導電部材に所望される特性等の要因によつ
て適宜選択されて採用されるが、所望する特性を
有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である。シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子を作製する第二の非晶質層（）
中に導入するが容易に行える等の利点からグロー
放電法或いはスパツターリング法が好適に採用さ
れる。 更に本発明に於いては、グロー放電法とスパツ
ターリング法とを同一装置系内で併用して第二の
非晶質層（）を形成してもよい。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置してある真空堆
積用の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー
放電を生起させることでガスプラズマ化して前記
支持体上に既に形成されてある第一の非晶質層
（）上にａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙを堆積させ
れば良い。 本発明に於いてａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙ形成
用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、炭
素原子(C)、水素原子(H)の中の少なくとも一つを構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。 Si、Ｃ、Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4、Si2H6、Si3H8、
Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（CH8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、プテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3H4）、ブ
チン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なもの
として使用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶又は多
結晶のSiウエーハー又はＣウエーハー又はSiとＣ
が混合されて含有されているウエーハーをターゲ
ツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパ
ツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe、Ne、Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si、Ｃ、及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙが
形成される様に、所望に従つてその作成条件の選
択が厳密に成される。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（SixC1−ｘ）
yH1−ｙは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動
の顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1−ｘ）
yH1−ｙが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1−
ｘ）yH1−ｙから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙが所望通りに作成され
得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御され
るのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50℃
〜350℃、好適には100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。第二の非晶質層（）の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の非晶質層（）を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙの特性
を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙが生産性良く効果
的に作成される為の放電パワー条件としては、通
常、10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが
望ましい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜
1Torr、好適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが
望ましい。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−（SixC1
−ｘ）yH1−ｙから成る第二の非晶質層（）が
形成される様に相互的有機的関連性に基いて、各
層作成フアクターの最適値が決められるの望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
第二非晶質層（）の作成条件と同様、本発明の
目的を達成する所望の特性が得られる第二の非晶
質層（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常は１×10-3〜90atomic
％とされ、好ましくは１〜90atomic％、最適に
は10〜80atomic％とされるのが望ましいもので
ある。水素原子の含有量としては、通常の場合１
〜40atomic％、好ましくは２〜35atomic％最適
には５〜30atomic％とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される
光導電部材は、実際面に於いて優れたものとして
充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SixC1−ｘ）yH1−ｙの表示で
行えばｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜
0.99、最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好
適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが
望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子や水素原子の量、
第一の非晶質層（）の層厚等との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従つて適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加
味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ好適には0.004〜20μ最適
には、0.005〜10μとされるのが望ましいものであ
る。 本発明に於いて使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は10μ以上
とされる。 第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な
実施態様例の層構成が示される。 第２図に示される光導電部材２００が、第１図
に示される光導電部材１００と異なるところは、
電荷注入防止層２０３と光導電性を示す第一の非
晶質層（）２０５との間に上部補助層２０４を
有することである。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１、該
支持体２０１上に順に積層された。下部補助層２
０２、電荷注入防止層２０３、上部補助層２０
４、第一の非晶質層（）２０５及び第二の非晶
質層（）２０６とを具備し、第二の非晶質層
（）２０６は自由表面２０７を有する。 上部補助層２０４は、電荷注入防止層２０３と
第一の非晶質層（）２０５との間の密着を強固
にと、両層の接触界面に於ける電気的接触を均一
にしていると同時に、電荷注入防止層２０３の上
に直に設けることによつて、電荷注入防止層２０
３の層質を強靭なものとしている。 第２図に示される光導電部材２００を構成する
下部補助層２０２及び上部補助層２０４は、第１
図に示した光導電部材１００を構成する補助層１
０２の場合と同様の非晶質材料を使用して、同様
の特性が与えられる様に同様な層作成手順を条件
によつて形成される。 電荷注入防止層２０３及び非晶質層（）２０
５、非晶質層（）２０６も、夫々、第１図に示
す電荷注入防止層１０３、非晶質層（）１０
４、非晶質層（）１０５の夫々と同様の特性及
び機能を有し、第１図の場合と同様な層作成手順
と条件によつて作成される。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例を図
に従つて説明する。 第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。 図中の３０２〜３０６のガスボンベには、本発
明の夫々の層を形成するために使用されるガスが
密封されており、その１例として、たとえば３０
２はHeで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、３０３はHeで
稀釈されたB2H6ガス（純度99.99％、以下
B2H6／Heと略す。）、３０４はNH3ガス（純度
99.99％）ボンベ、３０５はArガスボンベ、３０
６はC2H4ガス（純度99.99％）ボンベである。 これらのガスを反応室３０１に流入させるには
ガスボンベ３０２〜３０６のバルブ３２２〜３２
６、リークバルブ３３５が閉じられていることを
確認し、又、流入バルブ３１２〜３１６、流出バ
ルブ３１７〜３２１、補助バルブ３３２が開かれ
ていることを確認して先ずメインバルブ３３４を
開いて反応室３０１、及びガス配管内を非気す
る。 次に真空計３３６の読みが約５×10-6torrにな
つた時点で、補助バルブ３３２、流入バルブ３１
２〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１を閉じ
る。 その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボ
ンベに接続されているガス配管のバルブを所定通
り操作して、所望するガスを反応室３０１内に導
入する。 次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部
材を作成する場合の一例の概略を述べる。 所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパツ
タリング法によつて形成するには、先ず、シヤツ
ター３４２を開く。すべてのガス供給バルブは、
一旦閉じられ、反応室３０１はメインバルブ３３
４を全開することにより、排気される。高圧電力
が印加される電極３４１上に高純度シリコンウエ
ハ３４２−１、及び高純度窒化シリコンウエハ３
４２−２が所望のスパツター面積比率でターゲツ
トとして設置されている。 ガスボンベ３０５よりArガスを、予めSiF4／
Heガスを充満しておいたボンベ３０２より
SiF4／Heガスをガスボンベ３０４よりNH3ガス
を、夫々、所定のバルブを操作して反応室３０１
内に導入し、反応室３０１の内圧が0.05〜1Torr
となるよう、メインバルブ３３４の開口を調整す
る。高圧電源３４０をONとし、シリコンウエハ
３４２−１と窒化シリコンウエハ３４２−２とを
同時にスパツタリングすることにより、シリコン
原子、窒素原子、弗素原子よりなる非晶質材料で
構成された補助層を支持体３３７上に形成するこ
とが出来る。補助層中に含有される窒素原子の量
は、シリコンウエハと窒化シリコンウエハのスパ
ツター面積比率やN2ガスを導入する際には、N3
ガスの流量を調整することで所望に従つて制御す
ることが出来る。又、ターゲツトの作成の際にシ
リコン粉末とSi3N4粉末の混合比を変えることで
も行うことが出来る。この際に層形成中は、支持
体３３７は加熱ヒータ３３８によつて所望の温度
に加熱される。 グロー放電法によつて、補助層を形成する場合
には、例えばSiF4／HeガスとN2ガス又はNH3ガ
スと、必要に応じてSiH4／Heガスとを、夫々所
望の流量比で反応室３０１内に導入し、グロー放
電を生起させ、該放電を所望時間継続させること
で所望厚の補助層を形成することが出来る。補助
層中の窒素原子の含有量は、使用ガスの流量比を
調整することによつて任意に制御出来る。 次に、前記の補助層上に電荷注入防止層を形成
する。補助層の形成終了後、電源３４０をOFF
にして放電を中止し、一旦、装置のガス導入用の
配管の全系のバルブを閉じ、反応室３０１内に残
存するガスを反応室３０１外に排出して所定の真
空度にする。 その後、シヤツター３４２を閉じ、ガスボンベ
３０２よりSiH4／Heガスを、ガスボンベ３０３
よりB2H6／Heガスを、夫々バルブ３２２，３２
３を夫夫開いて、出口圧ゲージ３２７，３２８の
圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３１２，３１
３を徐々に開けて、マスフロコントローラ３０
７，３０８内に夫々流入させる。引き続いて流出
バルブ３１７，３１８、補助バルブ３３２を徐々
に開いて夫々のガスを反応室３０１内に流入させ
る。このときのSiH4／Heガス流量、B2H6／He
ガス流量の夫々の比が所望の値になるよう流出バ
ルブ３１７，３１８を調整し、また、反応室３０
１内の圧力が所望の値になるように真空計３３６
の読みを見ながらメインバルブ３３４の開口を調
整する。そして支持体３３７の温度が加熱ヒータ
ー３３８により50〜400℃の範囲の温度に設定さ
れていることが確認された後、電源３４０をON
にして所望の電力に設定し、反応室３０１内にグ
ロー放電を生起させて支持体３３７上に電荷注入
防止層を形成する。電荷注入防止層上に設けられ
る。光導電性を示す非晶質層（）の形成は、例
えばボンベ３０２内に充填されているSiH4／He
ガスを使用し、前記した電荷注入防止層の場合と
同様の手順によつて行うことが出来る。 非晶質層（）の形成の際に使用される原料ガ
ス種としては、SiH4ガスの他に、殊にSiH6ガス
が層形成速度の向上を計る為に有効である。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF4／He
を、更に付加して反応室３０１内に送り込む。 上記の様な操作によつて、第一の非晶質層
（）上に第二の非晶質層（）を形成するには、
第一の非晶質層（）の形成の際と同様なバルブ
操作によつて例えば、SiH4ガス、C2H4ガスの
夫々を、必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀釈し
て、所望の流量比で反応室３０１中に流し、所望
の条件に従つて、グロー放電を生起させることに
よつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又、夫々の層を形成する際、前層の形成
に使用したガスが反応室３０１内、流出バルブ３
１７〜３２１から反応室３０１内に至るガス配管
内に残留することを避けるために、流出バルブ３
１７〜３２１を閉じ補助バルブ３３２を開いてメ
インバルブ３３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、SiH4ガスと、C2H4ガスの反応室
３０１内に導入される流量比を所望に従つて任意
に変えることによつて、所望に応じて制御するこ
とが出来る。 実施例 １ 第３図に示した製造装置により、ドラム状アル
ミニウム基板上に以下の条件で層形成を行つた。
【表】
〓
Claims (1)
- １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とし、構成原子として１〜20atomic％のハロ
ゲン原子と、１×10-3atomic％以上、30atomic
％までの窒素原子を含有する非晶質材料で構成さ
れた補助層と、シリコン原子を母体とし、周期律
表第族に属する原子を構成原子として含有する
非晶質材料で構成された電荷注入防止層と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子又
はハロゲン原子のいずれか一方を少なくとも含有
する非晶質材料で構成され、光導電性を示す第一
の非晶質層と、前記第一の非晶質上に、シリコン
原子と炭素原子と水素原子とを構成原子として含
む非晶質材料で構成された第二の非晶質層と、を
有することを特徴とする光導電部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021717A JPS58139150A (ja) | 1982-02-13 | 1982-02-13 | 光導電部材 |
| US06/463,043 US4452874A (en) | 1982-02-08 | 1983-02-01 | Photoconductive member with multiple amorphous Si layers |
| CA000420977A CA1183380A (en) | 1982-02-08 | 1983-02-04 | Photoconductive member including amorphous si matrix in each of interface, rectifying and photoconductive layers |
| FR8301874A FR2521316B1 (fr) | 1982-02-08 | 1983-02-07 | Element photoconducteur |
| DE19833304198 DE3304198A1 (de) | 1982-02-08 | 1983-02-08 | Photoleitfaehiges bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021717A JPS58139150A (ja) | 1982-02-13 | 1982-02-13 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139150A JPS58139150A (ja) | 1983-08-18 |
| JPH0368383B2 true JPH0368383B2 (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12062823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021717A Granted JPS58139150A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-13 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139150A (ja) |
-
1982
- 1982-02-13 JP JP57021717A patent/JPS58139150A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58139150A (ja) | 1983-08-18 |