JPS58135180A - 拡散接合方法 - Google Patents

拡散接合方法

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JPS58135180A
JPS58135180A JP1541882A JP1541882A JPS58135180A JP S58135180 A JPS58135180 A JP S58135180A JP 1541882 A JP1541882 A JP 1541882A JP 1541882 A JP1541882 A JP 1541882A JP S58135180 A JPS58135180 A JP S58135180A
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JP
Japan
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bonding
insert material
diffusion bonding
silicon
sic
Prior art date
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JP1541882A
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English (en)
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JPS6110420B2 (ja
Inventor
健司 山根
荒川 芳樹
矢原 猛夫
正昭 青木
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Shinmaywa Industries Ltd
Original Assignee
Shin Meiva Industry Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発盟はセラミックス特にシリコン系セラミックスと
鉄系金属との拡散接合方法に関する。
シリコン系セラミックスは特に近時開興され、そのすぐ
れた性質は注目を浴びている。しかしながらこのような
セラミックスを実用に供するには、少量のセラミツ“ク
スですませるため台となる金属と接合して使用すること
が多い。ところが特にシリコン系セラミックスと金属と
の接合は種々困難屋2 な問題点がある。
すなわち従来からセラミックスと金属との接合法として
、メタライジング法、高融点法、および有機または無機
接着剤を用いる方法などであるが、前二者においては接
合に手間を要し、充分な接合強度が得られないなどの欠
点がアリ、また後者においては耐水性、気密性に劣り、
接合部の寿命が短い等の欠点がある。
一方近時発達しつつある拡散接合方法は、一般には有効
な接合方法として知られているが、接合対象がセラミッ
クスと金属との場合は、種々困難な問題があり、今迄に
実用になったものはない。
そこでこの発明の発明者は、特にシリコン系のセラミッ
クスと鉄系金属との拡散接合に挑戦して前述問題点を解
決せんとし、種々努力を重ねた結果、この発明方法を完
成するに至ったものである。
すなわち発明者はシリコン系セラミックスのうち、耐摩
耗性にすぐれ、実用度の高いシリコンカーバイド(Si
C)に主眼をおき、さらに鉄系金属のうちステンレス鋼
(例えば5US804)を選屋 8 択して種々インサート材を換えて拡散接合をこころみた
。そしてついに、インサート材としてアルミニウム(A
Z)またはAt合金を使用すれば、良好なる接合をなし
うろことを知見するに至シ、この発明を完成したもので
ある。
以下この発明実施例を述べるに先立ち、これらと対照す
べき対照例を述べる。
対照例;(インサート材なし) テストピースとしてlO閣φ、5 m tのSiC焼結
材lと、20mφ、8 m tのSUS 804材2と
をアセトン中で10分間超音波洗浄して前処理後、これ
らを重ね合せて、約10−5To、rrの真空中で、か
つ接合温度800°C1850°Cおよび900°Cの
8種類、接合圧力はいずれも約2.5鵬八1としそれぞ
れ60分間拡散接合を行なった。しかしこれらの場合い
ずれも接合せず、接合界面近辺のSiC側で破壊がおこ
った。
実施例1;(インサート材1f4 ’Atシート)対照
例と同様のテストピースとし、インサート材8として約
1■tの純At(At>99.8チ)シートを用い、こ
れらを対照例と同様または簡単なアセトン脱脂による前
処理を行ない、約10−57orrの真空中で接合温度
6500C1接合圧力約2.5助/−で60分間拡散接
合を行なった。との結果良好な接合が得られた。剪断強
度は6〜8kg/−であり、5iC−’Al界面また仲
At−S U S 804界面において破壊がおこった
実施例2;(インサート材純At箔) テストピースは対照例と同様とし、インサート材8とし
て約0.05m5+tの純At箔(JIS規格AlN8
0H−H2S)を用い、これらを実施例1と同様の前処
理を行ない、約10 ’Torrの真空中で接合温度6
50°C1接合圧力約2.5kf/−で60分間拡散接
合した。その結果は良好であり、剪断強度は4〜6神/
−であり、SiC−At界面で破壊がおこった。
実施例3;(インサート材At−C孫合金シート)テス
トピースは鉛照例と同様とし、インサート材8として約
1 tram tのkl−Cu系合金シート(JIS規
格A2024PC−T3)を用い、他の条件は5 実施例2と同様にして、但し接合圧力2kf/−として
拡散接合した。その結果は良好であり、剪断強度は1〜
4kg/−であり、界面SiC側で破壊がおこった。
実施例4;(インサート材At−Mg系合金シート)テ
ストピースは対照例と同様とし、インサート材3として
約1 w tのAt−Mg系合金シート(J工S規格A
3052P−H112)を用い、他の条件は実施例3と
同様として、拡散接合した。その結果は良好であり、剪
断強度は1〜4梅/−で、界面SiC側で破壊がおこっ
た。
実施例5;(インサート材At−MgzSi系合金シー
 ト ) テストピースは対照例と同様とし、インサート材3とし
て約1 sm tのAt−Mg2Si系合金シート(J
IS規格A6061P−0)を用い、他の条件は実施例
3と同様にして拡散接合した。その結果は良好であり、
剪断強度は4〜ekg/−で、SiCとインサート材と
の界面で破壊した。
実施例6;(インサート材At−Z昧合金シート)煮 
6 テストピースは対照例と同様とし、インサート材8とし
て約1 m tのht−Zn、−1%合金シート(JI
S規格A7075PC−”O)を用い、他の条件は実施
例3と同様にして拡散接合した。その結果は良好であり
、剪断強度は4〜6kf/−で、SiCとインサート材
との界面で破壊した。
以上の実施例から見ても、インサート材3としてのAt
eたはAt合金板の厚さは、0.01ないし3ン基材に
コーティングしたものを用いても、同様の結果が得られ
た。また鉄系としてステンレス鋼以外の他の鉄系の金属
であっても同様結果が得られた。またさらにシリコン系
セラミックスとしてSiCのほか、シリコンナイトライ
ド(5i3N4)を使用して実施しても、はぼ同等の結
、果が得られた。
以上の説明によって明らかにされたように、この発明方
法によるときは、簡単な構成で、シリコン系セラミック
スと鉄系金属とを確実強固に拡散接合なし得て、さらに
、耐水性、気密性をも満7足せしめるという、特有かつ
顕著な効果を奏しうるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例に対応する対照例を示す側面
図、第2図はこの発明の実施例を示す狽1面図、である
。 1・・・SiC材、2・・・SUS材、8・・・インサ
ート材。 出願人 新明和工業株式会社 代理人 弁上 正 (ほか1名) 第1図  第2図 手  続  補  正  書 昭和58年2月21日 特許庁長官篤わ争〕人 殿 眩、IL几合力j五 3、補正をする者 事件との関係        奢析出願人住所  兵庫
県西宮市小曽根町1丁目5番25号5、補正命令の日付
  角健 ム 2 (1)明細書の発明の詳細な説明の欄 (2)明細書の図面の簡単な説明の欄 (8)  図面 8、補正の内容 1)ミ  −細書第6頁第10行と同第11行との間に
、以下の記載を挿入する。 「前述実施例中、実施例1によって実施したサンプル−
の接合個所の金属顕微鏡写真を第8図に、さら□にこの
写真の接合個所の、符号1ないし10の−) 各位置の点分析結果を次表に示す。この場合の分析装置
は■日立製作所製のEPMAX−560形(エネルギー
分散形)によった。これによると、接合個所に拡散がみ
とめられる。 」との間に、「第8図はこの発明実施例の接合個所の金
属顕微鏡写真」の記載を挿入する。 (8)第8図を別紙のとおり補充する。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  シリコン系セラミックスと鉄系金属とを拡散
    接合する方法であって、AtまたはAt合金をインサー
    ト材として用いることを特徴とする、前記拡散接合方法
  2. (2)前記セラミックスはSiCであシ、前記鉄系金属
    はステンレス鋼である、特許請求の範囲第1項記載の拡
    散接合方法。
JP1541882A 1982-02-01 1982-02-01 拡散接合方法 Granted JPS58135180A (ja)

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