JPS58134632A - 感光性積層物 - Google Patents
感光性積層物Info
- Publication number
- JPS58134632A JPS58134632A JP1777582A JP1777582A JPS58134632A JP S58134632 A JPS58134632 A JP S58134632A JP 1777582 A JP1777582 A JP 1777582A JP 1777582 A JP1777582 A JP 1777582A JP S58134632 A JPS58134632 A JP S58134632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- film
- protective film
- photosensitive laminate
- adhesion
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プリント配線板等の製造に使用可能なフィル
ム状感光性積ノー物に関する。
ム状感光性積ノー物に関する。
従来よυ、プリント配線板の画像形成には、印刷法とド
ライフィルム法の２つの方式が用いられてきた。
ライフィルム法の２つの方式が用いられてきた。
コストバランスを考慮しながら、低精度、大量生産型に
は印刷法が、高精度、少量多品種型にはドライフィルム
方式が採用されてきたが、近年、コンピューターに代表
されるように、極めて高精度の要求される分野で使用さ
れるプリント配線板の用途が増え、ドライフィルム方式
によるプリント板製造量が増大している。また装置の小
型化、大容量化が進むと共に、プリント基板の加工精度
に対する要求が高まり、使用されるドライフィルムレジ
ストに対する要求性能も益々高度なものとなってきてい
る。
は印刷法が、高精度、少量多品種型にはドライフィルム
方式が採用されてきたが、近年、コンピューターに代表
されるように、極めて高精度の要求される分野で使用さ
れるプリント配線板の用途が増え、ドライフィルム方式
によるプリント板製造量が増大している。また装置の小
型化、大容量化が進むと共に、プリント基板の加工精度
に対する要求が高まり、使用されるドライフィルムレジ
ストに対する要求性能も益々高度なものとなってきてい
る。
現在一般に使用されているドライフィルムレジストは、
ポリエチレンテレフタレートフィルムとポリエチレンフ
ィルムの間に光重合性層を積層したものであるが、この
ドライフィルムレジストは、以下に示すようないくつか
の欠点を有している。
ポリエチレンテレフタレートフィルムとポリエチレンフ
ィルムの間に光重合性層を積層したものであるが、この
ドライフィルムレジストは、以下に示すようないくつか
の欠点を有している。
最も大きな欠点は、液状レジストに比べ、画像形成用基
板への接着性が不充分である点である。これは主として
、不規則な凹凸を有する基板表面にレジスト材を密着さ
す際、エアーポケットが形成することによるものである
。このようなエアーポケットは、露光時の硬化ムラや、
現像、エツチング、メッキ呻のレジストの部分的な剥離
現象を誘発し、不鼻品を生む原因となっている。
板への接着性が不充分である点である。これは主として
、不規則な凹凸を有する基板表面にレジスト材を密着さ
す際、エアーポケットが形成することによるものである
。このようなエアーポケットは、露光時の硬化ムラや、
現像、エツチング、メッキ呻のレジストの部分的な剥離
現象を誘発し、不鼻品を生む原因となっている。
このような密着不良を防″症する方法として、比較的高
温で、あらかじめ加熱した基板にレジスト材を圧着する
加熱圧着方式が採用されているが、充分な密着状態を得
るためには加熱温度を高くする必要があシ、この結果レ
ジスト材の部分的な熱硬化が生じるという問題点をかか
えている。密着性を改良するもう一つの方法として、基
板への密着性のよい物質をレジスト組成物中に導入する
方法が考えられるが、これらの物質はポリエチレンテレ
フタレートフィルムとの密層性も同時に向上さすため、
霧光後の支持フィルムの剥離が困難と々シ、作業性が低
下するという新たな問題を生ずる。
温で、あらかじめ加熱した基板にレジスト材を圧着する
加熱圧着方式が採用されているが、充分な密着状態を得
るためには加熱温度を高くする必要があシ、この結果レ
ジスト材の部分的な熱硬化が生じるという問題点をかか
えている。密着性を改良するもう一つの方法として、基
板への密着性のよい物質をレジスト組成物中に導入する
方法が考えられるが、これらの物質はポリエチレンテレ
フタレートフィルムとの密層性も同時に向上さすため、
霧光後の支持フィルムの剥離が困難と々シ、作業性が低
下するという新たな問題を生ずる。
もう一つの欠点として、保存時のブロッキング防１ｈの
ため、感光層のもう一方の面に、保護層としてポリエチ
レンフィルムを積層し、三層構造としているが、このポ
リエチレンフィルムは、基板への積−〇際には除去する
必要があり、作業性を悪くする原因となっていることが
あげ、：：、・、。
ため、感光層のもう一方の面に、保護層としてポリエチ
レンフィルムを積層し、三層構造としているが、このポ
リエチレンフィルムは、基板への積−〇際には除去する
必要があり、作業性を悪くする原因となっていることが
あげ、：：、・、。
られる。 、・：、・：、。
本発明者等はり：ｉこのような従来のドライフィルムレ
ジストの欠点を克服すべく鋭意検討した結果、特定の特
性を有する保護膜を設けた感光性積層物を用いることに
より、これらの問題点が一挙に解決できると共に、経済
的にも、作業性においても好ましい感光性積層物が得ら
れることを見い出し、本発明を完成した。
ジストの欠点を克服すべく鋭意検討した結果、特定の特
性を有する保護膜を設けた感光性積層物を用いることに
より、これらの問題点が一挙に解決できると共に、経済
的にも、作業性においても好ましい感光性積層物が得ら
れることを見い出し、本発明を完成した。
すなわち本発明の要旨とするところは厚さ４〜５０μの
ポリエチレンテレフタレートフィルム１、厚さ２〜２０
０μのレジスト層２及び厚さ０５〜１０μの保護皮膜３
からなる感光性積層物において、保護皮膜６が４０℃以
下の温度ではレジスト層２よシも高い弾性率を有する剛
直な膜でお夛７０℃以上１５０℃以下の温度で基板へ加
熱圧着する際には軟化もしくは融解してレジスト層２よ
シも低粘度となシ、かつレジスト層２及び画像形成用固
体表面との密着性を促進する性質を有する組成物からな
ることを特徴とする感光性積層物にある。
ポリエチレンテレフタレートフィルム１、厚さ２〜２０
０μのレジスト層２及び厚さ０５〜１０μの保護皮膜３
からなる感光性積層物において、保護皮膜６が４０℃以
下の温度ではレジスト層２よシも高い弾性率を有する剛
直な膜でお夛７０℃以上１５０℃以下の温度で基板へ加
熱圧着する際には軟化もしくは融解してレジスト層２よ
シも低粘度となシ、かつレジスト層２及び画像形成用固
体表面との密着性を促進する性質を有する組成物からな
ることを特徴とする感光性積層物にある。
本発明の感光性積層物は第１図に示すようにロ、−ル状
に巻いて保存されるが、このとき保護皮膜３は、レジス
ト層２と接着し、ポリエチレンテレフタレートフィルム
１から容易に剥離して、基板面に積層できる性質を有し
ている。したがって、保護皮膜ろは、レジストのブロッ
キング防止膜の性質を４有しているわけである。
に巻いて保存されるが、このとき保護皮膜３は、レジス
ト層２と接着し、ポリエチレンテレフタレートフィルム
１から容易に剥離して、基板面に積層できる性質を有し
ている。したがって、保護皮膜ろは、レジストのブロッ
キング防止膜の性質を４有しているわけである。
このため従来のような保護フィルムを使用時に剥離する
必要がなくなり作業性がよいものである。
必要がなくなり作業性がよいものである。
本発明の感光性積層物を構成するポリエチレンテレフタ
レートフィルム１としては、厚さ４〜５０μの範囲のも
ので、平滑な表面を有するものが好ましく用いられる。
レートフィルム１としては、厚さ４〜５０μの範囲のも
ので、平滑な表面を有するものが好ましく用いられる。
ポリエチレンテレフタレートフィルムは耐溶剤性、耐熱
性、機械的強度に優れ、かつ、表面の平滑性が高いもの
として、市販フィルムの中では、最も好ましいものであ
る。
性、機械的強度に優れ、かつ、表面の平滑性が高いもの
として、市販フィルムの中では、最も好ましいものであ
る。
レジスト層２は、厚さ２〜２００μ、通常は１０〜１０
０μの厚みであり、活性光で露光した際、露光部のみが
選択的に硬化する組成物からなっている。本発明を実施
するのに好ましい組成物の構成の一例として、フィルム
形成用バインダー高分子重合体、光重合開始剤、架橋剤
及び熱重合素止剤からなる組成物を挙げることができる
。
０μの厚みであり、活性光で露光した際、露光部のみが
選択的に硬化する組成物からなっている。本発明を実施
するのに好ましい組成物の構成の一例として、フィルム
形成用バインダー高分子重合体、光重合開始剤、架橋剤
及び熱重合素止剤からなる組成物を挙げることができる
。
フィルム形成用バインダー高分子重合体としては、メチ
ルメタクリレートを単量体モルチにして少なくとも５０
モル係含意だものが好ましく用いられる。メチルメタク
リレートに共重合可能な単量体としてはメチルアクリレ
ート、エチルアクリレート、メタクリル酸、グリシジル
メタクリレート、β−メチルグリシジルメタクリレート
、ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、
２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、メタクリル酸
アミド。
ルメタクリレートを単量体モルチにして少なくとも５０
モル係含意だものが好ましく用いられる。メチルメタク
リレートに共重合可能な単量体としてはメチルアクリレ
ート、エチルアクリレート、メタクリル酸、グリシジル
メタクリレート、β−メチルグリシジルメタクリレート
、ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、
２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、メタクリル酸
アミド。
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート。
Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート。
１ン
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート。
Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレート、２−ヒド
ロキシエチルアクリロイルホスフェート。
ロキシエチルアクリロイルホスフェート。
テトラヒドロフルフリルメタクリレート、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、グリシジルアクリレート、２
−アクリルアミド、２−メチルプロパンスルホン酸等が
挙げられる。
フルフリルアクリレート、グリシジルアクリレート、２
−アクリルアミド、２−メチルプロパンスルホン酸等が
挙げられる。
光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、ミヘラーズケ
トン、ｔ−ブチルアントラキノン。
トン、ｔ−ブチルアントラキノン。
チオキサントン類、ベンゾインアルキルエーテル類等が
挙げられる。
挙げられる。
架橋剤としては、エチレングリコール類のジアクリレー
ト、ペンタエリスリットールジアクリレート、ペンタエ
リスリットールトリアクリレート、ペンタエリスリット
ールテトラアクリレート、トリメチロールプロパンジア
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート
などが挙げられる。これらは一般に１種又は２種以上混
合した状態で使用される。熱重合禁止剤としては公知め
ものが用いられる。
ト、ペンタエリスリットールジアクリレート、ペンタエ
リスリットールトリアクリレート、ペンタエリスリット
ールテトラアクリレート、トリメチロールプロパンジア
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート
などが挙げられる。これらは一般に１種又は２種以上混
合した状態で使用される。熱重合禁止剤としては公知め
ものが用いられる。
保護皮膜６は０）” ｓ〜１０μの厚みであシ、１１．
４０℃以下の温ｍｌ゛士はレジスト層２よりも高い１
弾性率を有し７０℃以上１５０℃以下の温度で基板へ加
熱圧着する際には、軟化もしくは融解してレジスト層２
よりも低粘度となり、かつレジスト層２及び画像形成用
固体表面との密着性を促進する性質を有する組成物から
なっている。
熱圧着する際には、軟化もしくは融解してレジスト層２
よりも低粘度となり、かつレジスト層２及び画像形成用
固体表面との密着性を促進する性質を有する組成物から
なっている。
このような性質を有する保護皮膜３の構成は、バインダ
ーポリマー、密着促進剤を必須成分とし、構成成分に応
じ架橋剤、光開始剤を追加成分として含む系からなって
いる。
ーポリマー、密着促進剤を必須成分とし、構成成分に応
じ架橋剤、光開始剤を追加成分として含む系からなって
いる。
バインダーポリマーとしては、メチルメタクリレートを
主成分とする重合体又は共重合体が用いられる。共重合
可能な単量体の具体例としてはメチルアクリレート、エ
チルアクリレート。
主成分とする重合体又は共重合体が用いられる。共重合
可能な単量体の具体例としてはメチルアクリレート、エ
チルアクリレート。
ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート
、ｎ−ブチルアクリレート、 ｓｅｅ’−ブチルアクリ
レート、イソブチルアクリレート。
、ｎ−ブチルアクリレート、 ｓｅｅ’−ブチルアクリ
レート、イソブチルアクリレート。
ｎ−ブチルメタクリレート、 ５ｅｃ−ブチルメタクリ
レート、イソブチルメタクリレート、スチレン、ヒドロ
キシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒド
ロキシプロピルメタクリレート等が挙げられる。
レート、イソブチルメタクリレート、スチレン、ヒドロ
キシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒド
ロキシプロピルメタクリレート等が挙げられる。
密着促進剤としては、以下の一般式で示されるものが挙
げられる。
げられる。
ＨＯＯＣ（ＣＨ２）ｎｃＯＯＨｎ ＝ ３〜２０ＨＯＯ
Ｃ（ＣＩ（２）ｎＣＨ＝ＣＨ２ｎ＝９〜２０Ｈ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２ｎ＝８〜２０ＨＯＯＣ（ＣＨ２）ｎＯＨ
ｎ ＝ ８〜２０ＨＯ（ＣＨ，）ｎＯＨ’ ｎ＝
８〜２０これらの化合物は、通常は４０℃以上１５０℃
以下の融点を持ち、室温では結晶状態で存在する。
Ｃ（ＣＩ（２）ｎＣＨ＝ＣＨ２ｎ＝９〜２０Ｈ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２ｎ＝８〜２０ＨＯＯＣ（ＣＨ２）ｎＯＨ
ｎ ＝ ８〜２０ＨＯ（ＣＨ，）ｎＯＨ’ ｎ＝
８〜２０これらの化合物は、通常は４０℃以上１５０℃
以下の融点を持ち、室温では結晶状態で存在する。
バインダーポリマーと密着促進剤との混合割合は、４０
℃以下の温度でレジスト層２よりも高い弾性率を有する
剛直な皮膜を形成し、７０℃以上の温度では、反対に溶
融、軟化して低い弾性率となるように設定する。このよ
うに、保護皮膜３の剛直性の温度依存性を、レジスト層
２と異なり、急激に変化さすようにするこ゛とにより、
ロール状に巻いたときに保護皮膜６がレジスト層２に容
易に転写できるようになり、かつ基板への加熱圧着の際
には、エアーポケットを生じることなく、強固に密着す
る性質が生まれるのである。なお現像、エツチング、及
びメッキ時に密着促進剤の溶出を防止するため、前記保
護皮膜６の弾性率の温度依存性を損なわない範囲で、架
橋剤、光重合開始剤を添加することはさしつかえない。
℃以下の温度でレジスト層２よりも高い弾性率を有する
剛直な皮膜を形成し、７０℃以上の温度では、反対に溶
融、軟化して低い弾性率となるように設定する。このよ
うに、保護皮膜３の剛直性の温度依存性を、レジスト層
２と異なり、急激に変化さすようにするこ゛とにより、
ロール状に巻いたときに保護皮膜６がレジスト層２に容
易に転写できるようになり、かつ基板への加熱圧着の際
には、エアーポケットを生じることなく、強固に密着す
る性質が生まれるのである。なお現像、エツチング、及
びメッキ時に密着促進剤の溶出を防止するため、前記保
護皮膜６の弾性率の温度依存性を損なわない範囲で、架
橋剤、光重合開始剤を添加することはさしつかえない。
このとき添加可能な架橋剤の具体例としては、エチレン
グリコールジアクリレート、ポリエチレングリコール類
のジアクリレート、ペンタエリスリットールジアクリレ
ート、ペンタエリスリットールトリアクリレート、ペン
タエリスリットールテトラアクリレート、トリメチロー
ルプロパンジアクリレート。
グリコールジアクリレート、ポリエチレングリコール類
のジアクリレート、ペンタエリスリットールジアクリレ
ート、ペンタエリスリットールトリアクリレート、ペン
タエリスリットールテトラアクリレート、トリメチロー
ルプロパンジアクリレート。
トリメチロールプロパントリアクリレートが挙げられる
。また光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、ミヘラ
ーズケトン、ｔ−ブチルアントラキノン、チオキサント
ン類、ベンゾインアルキルエーテル類が挙げられる。
。また光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、ミヘラ
ーズケトン、ｔ−ブチルアントラキノン、チオキサント
ン類、ベンゾインアルキルエーテル類が挙げられる。
本発明の感光性積層物シ、−造する方法としては第２図
に示す如くポリエチレンテレフタレートフィルム１の上
面にレジスト層形成用樹脂組成物の溶液２を、また該フ
ィルムの下面に保護皮膜形成用組成物の溶液６をロール
コータ−４で塗布し、次いで溶剤を乾燥塔５で蒸発させ
乾燥した後巻取り器６にロール状に巻き取る。このよう
なポリエチレンテレフタレートフィルム内面への同時塗
布方式はレジスト層上へ保護皮膜をコーティングする２
段塗布方式に比べ生産性が尚く、かつ皮膜の厚み精度が
よいので好ましい方法である。ロール状に巻取った際保
護皮膜３はレジスト層２と密着する。
に示す如くポリエチレンテレフタレートフィルム１の上
面にレジスト層形成用樹脂組成物の溶液２を、また該フ
ィルムの下面に保護皮膜形成用組成物の溶液６をロール
コータ−４で塗布し、次いで溶剤を乾燥塔５で蒸発させ
乾燥した後巻取り器６にロール状に巻き取る。このよう
なポリエチレンテレフタレートフィルム内面への同時塗
布方式はレジスト層上へ保護皮膜をコーティングする２
段塗布方式に比べ生産性が尚く、かつ皮膜の厚み精度が
よいので好ましい方法である。ロール状に巻取った際保
護皮膜３はレジスト層２と密着する。
本発明の感光性積層物をプリント基板にラミネートする
場合には第６図に示すように保護皮膜５を支持体のポリ
エチレンテレフタレートフィルム１面から剥離し、ラミ
ネーター７の加熱ローラー間でプリント基板１０上に熱
圧着される。その後の画像形成は従来と同様な方式によ
り行うことがで登る。なおプリント基板１０は銅箔８と
ガラス１エポキシ樹脂９とから構成され・・□。
場合には第６図に示すように保護皮膜５を支持体のポリ
エチレンテレフタレートフィルム１面から剥離し、ラミ
ネーター７の加熱ローラー間でプリント基板１０上に熱
圧着される。その後の画像形成は従来と同様な方式によ
り行うことがで登る。なおプリント基板１０は銅箔８と
ガラス１エポキシ樹脂９とから構成され・・□。
る。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１
厚さ２５μのポリエチレンテレフタレートフィルム（商
品名ダイヤホイル）の両面に第２図に示した製造装置を
用い、下記の組成からなるレジスト層形成用溶液及び保
護皮膜形成用溶液を塗布し、溶剤を蒸発乾燥させて、厚
さ４０μのレジスト層及び厚さ５μの保護皮膜を形成さ
セタ後、ロール状に巻き取ってドライフィルムレジスト
を作成した。
品名ダイヤホイル）の両面に第２図に示した製造装置を
用い、下記の組成からなるレジスト層形成用溶液及び保
護皮膜形成用溶液を塗布し、溶剤を蒸発乾燥させて、厚
さ４０μのレジスト層及び厚さ５μの保護皮膜を形成さ
セタ後、ロール状に巻き取ってドライフィルムレジスト
を作成した。
レジスト層形成用溶液
ポリメチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート
共重合体 １００重量部（共重合比
：メチルメタクリレート／グリシジルメタクリレート−
８０／２０）テトラエチレングリコールジアクリレート
５０ １ベンゾフエノン
１．ＯｊＦミヘラーズケトン
０，２ ／／メチルエチルケトン
１５０ 〃Ｐ−メトキシフェノール ０．０
２５ １１保護皮膜形成用溶液 ポリメチルメタクリレート １０重
量部ベンタエリスリットールトリアクリに一ト
５ 〃テトラエチレングリコールジアクリレート
５ 〃ベンゾフェノン ０．
５〃ミヘラーズケトン ０，１〃
アゼライン酸 ８０ 〃メ
チルエチルケトン １００ 〃次に第
６図に示したようなラミネーターを用い、基板の銅箔面
にドライフィルムレジストの保護皮膜面が接触するよう
に重ね、１１０℃±５℃に加熱したローラー間を通過さ
せて圧着した。第４図に示したような厚さ５０μのポリ
エステルフィルムからなるテストパターンをのせ、オー
ク株式会社製露光器ＨＭＷ−６−Ｋを用い、５０ｍＪ／
ｃｍ”露光した後、１，１．１− ）リクロルエタン中
で現像し、レジストパターンを作成した。このときの解
像性は、５０μであった。次いで、公知の方法により、
２０μの厚みのハンダメツキを行った。ハンダメッキ液
のレジスト−銅板界面への浸み込みは全く認められず、
レジストは現像後のパターンを完全に保持し、密着性は
極めて良好であった。
共重合体 １００重量部（共重合比
：メチルメタクリレート／グリシジルメタクリレート−
８０／２０）テトラエチレングリコールジアクリレート
５０ １ベンゾフエノン
１．ＯｊＦミヘラーズケトン
０，２ ／／メチルエチルケトン
１５０ 〃Ｐ−メトキシフェノール ０．０
２５ １１保護皮膜形成用溶液 ポリメチルメタクリレート １０重
量部ベンタエリスリットールトリアクリに一ト
５ 〃テトラエチレングリコールジアクリレート
５ 〃ベンゾフェノン ０．
５〃ミヘラーズケトン ０，１〃
アゼライン酸 ８０ 〃メ
チルエチルケトン １００ 〃次に第
６図に示したようなラミネーターを用い、基板の銅箔面
にドライフィルムレジストの保護皮膜面が接触するよう
に重ね、１１０℃±５℃に加熱したローラー間を通過さ
せて圧着した。第４図に示したような厚さ５０μのポリ
エステルフィルムからなるテストパターンをのせ、オー
ク株式会社製露光器ＨＭＷ−６−Ｋを用い、５０ｍＪ／
ｃｍ”露光した後、１，１．１− ）リクロルエタン中
で現像し、レジストパターンを作成した。このときの解
像性は、５０μであった。次いで、公知の方法により、
２０μの厚みのハンダメツキを行った。ハンダメッキ液
のレジスト−銅板界面への浸み込みは全く認められず、
レジストは現像後のパターンを完全に保持し、密着性は
極めて良好であった。
実施例２
レジスト層形成用溶液及び保護皮膜形成用溶液の組成を
下記のものにする以外は、実施例１と同様の方法でレジ
ストの解像性及び密着性を検討した。
下記のものにする以外は、実施例１と同様の方法でレジ
ストの解像性及び密着性を検討した。
レジスト層形成用溶液
ポリメチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート
共重合体 １００重量部（共重合比
：メチルメタクリレート／グリシジルメタクリレート−
８０／２０）テトラエチレングリコールジアクリレート
５０ 〃ベンゾフェノン
１．０１・□・、： ミヘラーズケトン ０．２＃Ｐ−
メトキシフェノール ０．０２５ ／／
メチルエチルケトン １５０ 〃保護
皮膜形成用溶液 ポリメチルメタクリレート １０
重量部ペンタエリスリットールトリアクリレート
１０ 〃ベンゾフェノン ０．
１Ｎミヘラーズケトン ０．０２
Ｉｌｌ、１２−ジアミノドデカン
８０ 〃メチルエチルケトン
２００ 〃現像後の解像性は５０μであシ、ノ・ンダ
メツキ後もレジストパターンは完全に保持され、密着性
は極めて良好であった。
共重合体 １００重量部（共重合比
：メチルメタクリレート／グリシジルメタクリレート−
８０／２０）テトラエチレングリコールジアクリレート
５０ 〃ベンゾフェノン
１．０１・□・、： ミヘラーズケトン ０．２＃Ｐ−
メトキシフェノール ０．０２５ ／／
メチルエチルケトン １５０ 〃保護
皮膜形成用溶液 ポリメチルメタクリレート １０
重量部ペンタエリスリットールトリアクリレート
１０ 〃ベンゾフェノン ０．
１Ｎミヘラーズケトン ０．０２
Ｉｌｌ、１２−ジアミノドデカン
８０ 〃メチルエチルケトン
２００ 〃現像後の解像性は５０μであシ、ノ・ンダ
メツキ後もレジストパターンは完全に保持され、密着性
は極めて良好であった。
実施例３
レジスト層形成用溶液及び保護皮膜形成用溶液の組成を
下記のものにする以外は、実施例１と同様の方法でレジ
ストの解像性及び密着性を検討した。
下記のものにする以外は、実施例１と同様の方法でレジ
ストの解像性及び密着性を検討した。
１．１
と〕已スト層型事りｍ声ワ軒
ポリメチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体（共
重合比：メチルメタ １００重量部クリレート／メ
タクリル酸＝９０／１０ ）テトラエチレングリコール
ジアクリレート ５０重量部ベンゾフェノン
１．ＯＮミヘラーズケトン
０２ 〃ハイドロキノン
０．０２５ ７メチルエチルケトン
１５０ 〃保護皮膜形成用溶液 ポリメチルメタクリレート １０重
量部ペンタエリスリットールトリアクリレート １
０ 〃ベンゾフェノン ０，１
１ミヘラーズケトン ｏ、ｏ２ ＃
１．１２−ドデカンジオール ８０
Ｎメチルエチルケトン ２０
０ 〃現像後の解像性は５０μであり、ノ・ンダメツキ
後も、レジストパターンは完全に保持され、密着性は、
極めて良好であった。
重合比：メチルメタ １００重量部クリレート／メ
タクリル酸＝９０／１０ ）テトラエチレングリコール
ジアクリレート ５０重量部ベンゾフェノン
１．ＯＮミヘラーズケトン
０２ 〃ハイドロキノン
０．０２５ ７メチルエチルケトン
１５０ 〃保護皮膜形成用溶液 ポリメチルメタクリレート １０重
量部ペンタエリスリットールトリアクリレート １
０ 〃ベンゾフェノン ０，１
１ミヘラーズケトン ｏ、ｏ２ ＃
１．１２−ドデカンジオール ８０
Ｎメチルエチルケトン ２０
０ 〃現像後の解像性は５０μであり、ノ・ンダメツキ
後も、レジストパターンは完全に保持され、密着性は、
極めて良好であった。
実施例４
レジスト層形成用溶液及び保護皮膜形成用溶液の組成を
下記のものにする以外は、実施例１と同様の方法で、レ
ジストの解像性、及び密着性を検討した。
下記のものにする以外は、実施例１と同様の方法で、レ
ジストの解像性、及び密着性を検討した。
レジスト層形成用浴液
ポリメチルメタクリレート−メチルアクリレート共重合
体（共重合比：メチルメタク １００重量部リレート
／メチルアクリレート−９９７１）テトラエチレングリ
コールジアクリレート ５０ 〃ベンゾフェノン
１．０〃ミヘラーズケトン
０，２〃ハイドロキノン
０．０２５ ｔｔメチルエチルケトン
１５０ 〃ポリメチルメタクリレート
１０重量部ペンタエリスリットー
ルトリアクリレート １０ 〃ベンゾフェノン
０５ 〃ミヘラーズケトン
０．１〃ヘブタデカレン酸
８０ 〃メチルエチルケトン
２００ 〃現像後の解像性Ｆｉ５０μであり、ハ
ンダメッキ後もレジストパターンは完全に保持され、密
着性は極めて良好であった。
体（共重合比：メチルメタク １００重量部リレート
／メチルアクリレート−９９７１）テトラエチレングリ
コールジアクリレート ５０ 〃ベンゾフェノン
１．０〃ミヘラーズケトン
０，２〃ハイドロキノン
０．０２５ ｔｔメチルエチルケトン
１５０ 〃ポリメチルメタクリレート
１０重量部ペンタエリスリットー
ルトリアクリレート １０ 〃ベンゾフェノン
０５ 〃ミヘラーズケトン
０．１〃ヘブタデカレン酸
８０ 〃メチルエチルケトン
２００ 〃現像後の解像性Ｆｉ５０μであり、ハ
ンダメッキ後もレジストパターンは完全に保持され、密
着性は極めて良好であった。
第１図は本発明の感光性積層物のロール状巻取図で、１
はポリエチレンテレフタレートフィルム、２はレジスト
層、６は保護皮膜である。 第２図は本発明の感光性積層物を製造するフローシート
、第３図は本発明の感光性積層物をプリント基板にラミ
ネートする実施態様例、第４図はテストパターンである
。 ＋ｆ図
はポリエチレンテレフタレートフィルム、２はレジスト
層、６は保護皮膜である。 第２図は本発明の感光性積層物を製造するフローシート
、第３図は本発明の感光性積層物をプリント基板にラミ
ネートする実施態様例、第４図はテストパターンである
。 ＋ｆ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、厚さ４〜５０μのポリエチレンテレフタレートフィ
ルム１、厚さ２〜２００μのレジスト層２及び厚さ０．
５〜１０μの保護皮膜３からなる感光性積層物において
、保護皮膜３が、４０℃以下の温度ではレジスト層２よ
シも高い弾性率を有する剛直な膜であり７０℃以上１５
０℃以下の温度で基板へ加熱圧着する際には、軟化もし
くは融解してレジスト層２よりも低粘度となり、かつレ
ジスト層２及び画像形成用固体表面との密着性を促進す
る性質を有する組成物からなることを特徴とする感光性
積層物。 ２ レジスト層２と保護皮膜６が、７０℃以上１５０℃
以下の温度で加熱圧着する際、熱反応を生じ、互いに結
合する性質を有する組成物からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の感光性積層物。 ５、 レジスト層２と保護皮膜６が露光時、光反応を生
じ、互いに結合する性質を有する組成物からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の感光性積層物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1777582A JPS58134632A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 感光性積層物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1777582A JPS58134632A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 感光性積層物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58134632A true JPS58134632A (ja) | 1983-08-10 |
Family
ID=11953085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1777582A Pending JPS58134632A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 感光性積層物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58134632A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154625A (en) * | 1976-05-07 | 1977-12-22 | Letraset International Ltd | Method of producing dry transfer material |
| JPS5382322A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-20 | Hoechst Ag | Method of producing relief recording material |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP1777582A patent/JPS58134632A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154625A (en) * | 1976-05-07 | 1977-12-22 | Letraset International Ltd | Method of producing dry transfer material |
| JPS5382322A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-20 | Hoechst Ag | Method of producing relief recording material |
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