JPS58131630U - 半導体ウエハの支持装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の拡散ボートの斜視図、第２図は従来の他
の拡散ボートの平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線断面
図、第４図は本考案による半導体ウェハの支持装置の一
実施例を示す平面図、第５図は、同上分解斜視図、第６
図はＢ−Ｂ線断面図、第７図はシリコン棒と側枠の結合
状態を示す側面図、第８図、第９図及び第１０図はそれ
ぞれ他の結合例を示す断面図、第１１図はシリコン棒と
半導体ウェハ支持体の結合時の側面図である。 ２０．２１．２２・・・シリコン棒、２３・・・突条、
２５・・・柄、２６・・・係止凹部、２７．２８・・・
側枠、２９．３０．３１・・・取付は孔、３２・・・係
止部、−３３・・・半導体ウェハ支持体、３４・・・嵌
込み溝、３５・・・半導体ウェハを立てかける溝。 第９図

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 （１）シリコン棒の両端に柄を形成し、この柄に形成し
   た係止凹部の少なくとも一部が、石英ガラス板からなる
   側枠より突出するように、前記柄を側枠に穿設した取付
   孔に挿入し、前記係止凹部に側枠と一体に固着して設け
   られた石英ガラスからなる係止部を係合させて、少なく
   とも前記２本のシリコン棒を互いに略水平な間隔をもっ
   て前記両側枠に固定し、前記シリコン棒の上面にシリコ
   ンからなる半導体ウェハ支持体を設け、この半導体ウェ
   ハ支持体に半導体ウエノ１を立てかける溝を等間隔で多
   数形成してなることを特徴とする半導体ウェハの支持装
   置。 （２）係止凹部は溝状に形成し、係止部は前記溝に嵌合
   するような石英ガラス片からなり、−この石英ガラス片
   を側枠に溶着してなる実用新案登録請求の範囲第１項記
   載の半導体ウェハの支持装置。 （３）係止部は、石英ガラスを係止凹部に充填しつつ側
   枠に溶着してなる実用新案登録請求の範囲第１項記載の
   半導体ウェハの支持装置。 −（４）係止部は、石英ガラスからなる側枠の一部を溶
   融して係止凹部に詰め込んでなる実用新案登録請求の範
   囲第１項記載の半導体ウェハの支持装置。 （５）係止凹部は柄の長さ方向に対し直角な貫通孔とし
   、この貫通孔に石英ガラスからなるくさび状の係止部を
   挿入し、この係止部の端部を側枠に溶着してなる実用新
   案登録請求の範囲第１項記載の半導体ウェハの支持装置
   。 （６）シリコン棒と半導体ウェハ支持体を一体に形成し
   てなる実用新案登録請求の範囲第１項、第２項、第３項
   、第４項又は第５項記載の半導体ウェハの支持装置。 （７）シリコン棒と半導体ウェハ支持体は、別体に形成
   し、かつそれぞれに設けた突条とそれに嵌合する嵌込み
   溝とで着脱自在に結合するようにした実用新案登録請求
   の範囲第１項、第２項、第３項、第４項又は第５項記載
   の半導体ウェハの支持装置。 （８）　　半導体ウェハ支持体は、長さ方向１こ複数本
   に分割してシリコン棒に取付けるようにした実用新案登
   録請求の範囲第７項記載の半導体ウェハの支持装置。