JPS58130581A - デイスプレイ装置 - Google Patents
デイスプレイ装置Info
- Publication number
- JPS58130581A JPS58130581A JP57011854A JP1185482A JPS58130581A JP S58130581 A JPS58130581 A JP S58130581A JP 57011854 A JP57011854 A JP 57011854A JP 1185482 A JP1185482 A JP 1185482A JP S58130581 A JPS58130581 A JP S58130581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- wiring
- wiring body
- pellet
- insulating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の鱗する技術分野〕
この発明は発光ダイオード(LED)を用いたディスプ
レイ装置に係わり、特K Lm!:Dの実装構造を改養
し九ディスプレイ装置に関するものである。
レイ装置に係わり、特K Lm!:Dの実装構造を改養
し九ディスプレイ装置に関するものである。
多数のIJDをマトリックス配列し、このIJDに選択
的な電気信号を送って数字や図形を表示する高密変で大
形のディスプレイ装置を得るにはより簡便な接続方法で
且つ簡単な構造にして低廉化を計ることが望まれる。
的な電気信号を送って数字や図形を表示する高密変で大
形のディスプレイ装置を得るにはより簡便な接続方法で
且つ簡単な構造にして低廉化を計ることが望まれる。
従来、このような要求に対処するものに、先に出願した
特願昭55−78939号のディスプレイ装置のように
小形単位の基板を縦、横連結すれば大形のディスプレイ
装置が得られるものや、特願昭55−127181号の
ようにLIDペレットを絶縁樹脂で鳳め込み、その表面
に上層配線1施こす構造によってワイヤボンディングを
不要とした安価かディスプレイ装置が得られるものがあ
る。
特願昭55−78939号のディスプレイ装置のように
小形単位の基板を縦、横連結すれば大形のディスプレイ
装置が得られるものや、特願昭55−127181号の
ようにLIDペレットを絶縁樹脂で鳳め込み、その表面
に上層配線1施こす構造によってワイヤボンディングを
不要とした安価かディスプレイ装置が得られるものがあ
る。
これらの構造で基板と基板との連結部で表示画曹の連結
性を確保することは重要であり、このためには、壕ずマ
トリックス配線のすべての端子を基板の裏面に配設し、
更に上層配線と基板上の配線との接続にあっては絶縁樹
脂を貫通して電気的に接続をなす金属柱等の電極を設け
る必要があった。
性を確保することは重要であり、このためには、壕ずマ
トリックス配線のすべての端子を基板の裏面に配設し、
更に上層配線と基板上の配線との接続にあっては絶縁樹
脂を貫通して電気的に接続をなす金属柱等の電極を設け
る必要があった。
この金属柱の高さはLEDペレットと同等の高さをもつ
もので、又、その構造は第1図のような絶縁基板1を貫
通する端子ピン15の頭部を利用したものや、第2図の
ように金属板を打ちぬいて作ったペレット状のものがあ
る。しかし、第1図のh法は基板精度やその加工にむり
があり、第2図のようにペレット状の金属柱5t−利用
する方法が簡単で安価と言える。
もので、又、その構造は第1図のような絶縁基板1を貫
通する端子ピン15の頭部を利用したものや、第2図の
ように金属板を打ちぬいて作ったペレット状のものがあ
る。しかし、第1図のh法は基板精度やその加工にむり
があり、第2図のようにペレット状の金属柱5t−利用
する方法が簡単で安価と言える。
一力、絶縁性樹脂の表面にはLEDペレットの上面電極
及び金属柱の上面の相互をつなぐ上層配線が配設される
。この上層配線は、導電性ペースト等の印刷法により簡
単に形成できるが、絶縁性樹脂との付着力に乏しいこと
や、電気的抵抗が大であり、細く長くできない。これを
解決するには、あらかじめ表面を露出し良形状で絶縁性
樹脂に埋設固着した金属バタンを作っておき、この金属
パタンと金属柱の表面及びLEDペレット上面電極をつ
なぐ部位だけに導電性ペーストを用いることが考えられ
る。
及び金属柱の上面の相互をつなぐ上層配線が配設される
。この上層配線は、導電性ペースト等の印刷法により簡
単に形成できるが、絶縁性樹脂との付着力に乏しいこと
や、電気的抵抗が大であり、細く長くできない。これを
解決するには、あらかじめ表面を露出し良形状で絶縁性
樹脂に埋設固着した金属バタンを作っておき、この金属
パタンと金属柱の表面及びLEDペレット上面電極をつ
なぐ部位だけに導電性ペーストを用いることが考えられ
る。
そこで、発明者らは、第3図のよりな寮験を試み良。す
なわち、まず第1の配線体2上にIJDペレット及び金
属柱を配設した絶縁基板1を用意し、又粘着性テープの
粘着面に金属箔をはりっけ写真蝕刻によシ、第2の配線
体6となる金属バタン管形成しておく。
なわち、まず第1の配線体2上にIJDペレット及び金
属柱を配設した絶縁基板1を用意し、又粘着性テープの
粘着面に金属箔をはりっけ写真蝕刻によシ、第2の配線
体6となる金属バタン管形成しておく。
そして、この金属パタンの所望部が金属柱の上面にくる
ように配設することKよって、少量の導電性ペーストで
あっても金属柱上面と金属パタンとの接続が可能となる
ものである。
ように配設することKよって、少量の導電性ペーストで
あっても金属柱上面と金属パタンとの接続が可能となる
ものである。
しかしながら、この金属柱は、金属板をプレスで打ちぬ
いて作ったペレット状のものであり、その表面は丸みを
おびている。このために金属柱の上面全域にわたって粘
着性テープの粘着剤を均一に密着しに<<、従って絶縁
樹脂は充填の際に金属柱の上面へ流れ込み、金属柱の表
面と金属パタンとの電気的接続が困難になる問題が生じ
た。
いて作ったペレット状のものであり、その表面は丸みを
おびている。このために金属柱の上面全域にわたって粘
着性テープの粘着剤を均一に密着しに<<、従って絶縁
樹脂は充填の際に金属柱の上面へ流れ込み、金属柱の表
面と金属パタンとの電気的接続が困難になる問題が生じ
た。
本発明の目的は、金属柱の上面と金属パタンの上面との
接続を簡単で確実に行なえるようにする事にある。
接続を簡単で確実に行なえるようにする事にある。
すなわち、絶縁性の基板の一生面側には第1の配線体が
形成され、この第1の配線体上には導電性ペースト轡で
固着配列したIJDペレット及び金属柱がある。
形成され、この第1の配線体上には導電性ペースト轡で
固着配列したIJDペレット及び金属柱がある。
そして、とのLEDペレット及び金属柱の上面と同じ高
さで基板の表面−帯に充填硬化したエポキシ等の絶縁性
樹脂がある。又、基板の主面に対向した面には表面を露
出して絶縁性樹脂で埋設固着した第2の配線体となる金
属パタンかあり、この金属パタンは上記した金属柱の上
面の最高部をはずすように延設されている。
さで基板の表面−帯に充填硬化したエポキシ等の絶縁性
樹脂がある。又、基板の主面に対向した面には表面を露
出して絶縁性樹脂で埋設固着した第2の配線体となる金
属パタンかあり、この金属パタンは上記した金属柱の上
面の最高部をはずすように延設されている。
このために、上面に丸みをおびた金属柱の表面は粘着性
テープの粘着剤で密着され、絶縁性樹脂の腫れ込みか防
ぐことができ、且つ第2の配線体を金属柱と接して配設
することができるので、後工程となる導電性ペースト岬
の第3の配線体形成工程で、金属柱と第2の配線体との
接続が簡単で確実に行なえるようになった。
テープの粘着剤で密着され、絶縁性樹脂の腫れ込みか防
ぐことができ、且つ第2の配線体を金属柱と接して配設
することができるので、後工程となる導電性ペースト岬
の第3の配線体形成工程で、金属柱と第2の配線体との
接続が簡単で確実に行なえるようになった。
以下第4図、第5図を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第4図は本発明の基本構造を示す部分断面図である。ま
ずアルミナ等からなる0、5〜2m厚のシート状セラミ
ック基板に貫通孔を設け、この貫通孔にAuペースト等
の金属を埋め込んだのち焼成する処理を施こしてスルホ
ール接続部11をもつ絶縁基板lを形成する。
ずアルミナ等からなる0、5〜2m厚のシート状セラミ
ック基板に貫通孔を設け、この貫通孔にAuペースト等
の金属を埋め込んだのち焼成する処理を施こしてスルホ
ール接続部11をもつ絶縁基板lを形成する。
次にAuペースト等の印刷やタングステン薄膜にAuメ
ッキを施こす表どして、0.5〜5μmJ%Lの第1の
金属配線体2及び裏面の金属配線体14を形成する。裏
面の金属配線体14には銀ロウ尋によシ入出力端子ピン
15を接続する。−刃表面の第1の金属配線体20所定
部上に、釧ペース1等の導電性接着剤3を用いて例えば
縦0.3■、横0.3■。
ッキを施こす表どして、0.5〜5μmJ%Lの第1の
金属配線体2及び裏面の金属配線体14を形成する。裏
面の金属配線体14には銀ロウ尋によシ入出力端子ピン
15を接続する。−刃表面の第1の金属配線体20所定
部上に、釧ペース1等の導電性接着剤3を用いて例えば
縦0.3■、横0.3■。
高さ0.3−の大きさをもつLEDペレット4と0.4
■直径で高さ0.3■のKOVに^Uメッキした金属柱
5を固着する。このとき、金属柱5は丸みをおび九凸面
を上にして配置する。
■直径で高さ0.3■のKOVに^Uメッキした金属柱
5を固着する。このとき、金属柱5は丸みをおび九凸面
を上にして配置する。
次に例えば厚さおよそ50μmのポリイミド樹脂からな
るテープ支持体に、厚さおよそ50Pmのシリコーン系
粘着剤を一体化してなる粘着性テープに銅箔をはりあわ
せ、この銅箔全写真蝕刻によってバタン形成した第2の
金属配線体6が準備される1、この第2の金属配線体6
の厚さは銅箔の厚さで決まり、粘着性テープの粘着剤の
厚みが50μmにあっては約2011mの厚さが好まし
い。又、この第2の金属配II6のバタン形状は、LE
Dペレット4の上面に延設される部位及び金属柱5の上
面にその最高部をはずすように延設される部と他の部分
とで構成されている。
るテープ支持体に、厚さおよそ50Pmのシリコーン系
粘着剤を一体化してなる粘着性テープに銅箔をはりあわ
せ、この銅箔全写真蝕刻によってバタン形成した第2の
金属配線体6が準備される1、この第2の金属配線体6
の厚さは銅箔の厚さで決まり、粘着性テープの粘着剤の
厚みが50μmにあっては約2011mの厚さが好まし
い。又、この第2の金属配II6のバタン形状は、LE
Dペレット4の上面に延設される部位及び金属柱5の上
面にその最高部をはずすように延設される部と他の部分
とで構成されている。
次に粘着性テープを基板1上のLEDペレット4及び金
属柱5と位置あわせして接触し、粘着性テープの粘着剤
でLEDベレット4及び金属柱の上面に密着して保持す
る。
属柱5と位置あわせして接触し、粘着性テープの粘着剤
でLEDベレット4及び金属柱の上面に密着して保持す
る。
次に粘着性テープで一体化した基板1を裏返しにして、
粘着性テープと基板1とのすき間に例えばエポキシ等の
絶縁性樹脂7も毛細管現象により充填する。この絶縁性
樹脂7を充填したのち、およそ120℃で2時間、更に
150℃で5時間の熱処理を施こして絶縁性樹脂7を硬
化する。次に粘着性テープをはがせば、LEDペレット
4及び金属柱5の高さで統一された絶縁性樹脂7の表面
と、この絶縁性樹脂7にその表面が算出する形で埋設固
着された第2の金属配線体6が形成される。
粘着性テープと基板1とのすき間に例えばエポキシ等の
絶縁性樹脂7も毛細管現象により充填する。この絶縁性
樹脂7を充填したのち、およそ120℃で2時間、更に
150℃で5時間の熱処理を施こして絶縁性樹脂7を硬
化する。次に粘着性テープをはがせば、LEDペレット
4及び金属柱5の高さで統一された絶縁性樹脂7の表面
と、この絶縁性樹脂7にその表面が算出する形で埋設固
着された第2の金属配線体6が形成される。
次に第2の金属配線体6とLEDベレット4及び金属柱
5の上面とを接続する為に、スクリーン印刷法により銀
ペースト等の導電性ペースト8を形成し、しかるのちお
よそ150℃で2時間の熱処理を施こすことで、ディス
プレイ装at完成することができる。
5の上面とを接続する為に、スクリーン印刷法により銀
ペースト等の導電性ペースト8を形成し、しかるのちお
よそ150℃で2時間の熱処理を施こすことで、ディス
プレイ装at完成することができる。
第5図は本発明の効果を上げる各種の変形例を示すもの
で、第2の配線体6は金属柱5にできるだけ接近して配
設することが電気的及び機械的特性で好ましく、平面図
(4)、 (B) 、 (c) 、 (o)に示すよう
に金属柱の最高部となる中央部をさけて配設されるもの
であれば、どのような形状をしてもさしつかえない。要
するに、本発明は銀ペーストのような糖3の配線体を介
して上面に丸みをおびた金属柱と接続をなす第2の配線
体が、この金属柱の最高部を通らないように、且つ、こ
の金属柱に接触するごとく配設させる部位をもたせるこ
とにより、微量の導電性ペーストでも容易に電気的、機
械的接続をなし得る構造が得られるものである。従って
ディスプレイ装置の見ばえや信頼性、更には製造工程の
短縮とその歩留り向上につながるものである。
で、第2の配線体6は金属柱5にできるだけ接近して配
設することが電気的及び機械的特性で好ましく、平面図
(4)、 (B) 、 (c) 、 (o)に示すよう
に金属柱の最高部となる中央部をさけて配設されるもの
であれば、どのような形状をしてもさしつかえない。要
するに、本発明は銀ペーストのような糖3の配線体を介
して上面に丸みをおびた金属柱と接続をなす第2の配線
体が、この金属柱の最高部を通らないように、且つ、こ
の金属柱に接触するごとく配設させる部位をもたせるこ
とにより、微量の導電性ペーストでも容易に電気的、機
械的接続をなし得る構造が得られるものである。従って
ディスプレイ装置の見ばえや信頼性、更には製造工程の
短縮とその歩留り向上につながるものである。
第1図及び第2図社従来の技術によるディスプレイ装置
の構造を示す断面図、第3図は従来の問題を解決しよう
と改善工夫じた実験例を示す断面図ゝ第4図は本発明の
構造を示す断面図、第5図は本発明の変形例を示す平面
図である。 l・・・絶縁性基板 11・・・スルホール接続部 14・・・基板の裏面配線体 15・・・入出力端子ピン 2・・・第1の配線体 3・・・導電性接着剤 4・・・LIDペレット 5・・・金属柱 6・・・第2の配線体 7・・・絶縁性樹脂 8・・・第3の配線体(導電性ペースト)9・・・金属
柱上面の絶縁性樹脂開孔部代理人弁理士 則 近 憲
佑 (蔭か1名)第1図 第2図 第3図 第4図 第5図
の構造を示す断面図、第3図は従来の問題を解決しよう
と改善工夫じた実験例を示す断面図ゝ第4図は本発明の
構造を示す断面図、第5図は本発明の変形例を示す平面
図である。 l・・・絶縁性基板 11・・・スルホール接続部 14・・・基板の裏面配線体 15・・・入出力端子ピン 2・・・第1の配線体 3・・・導電性接着剤 4・・・LIDペレット 5・・・金属柱 6・・・第2の配線体 7・・・絶縁性樹脂 8・・・第3の配線体(導電性ペースト)9・・・金属
柱上面の絶縁性樹脂開孔部代理人弁理士 則 近 憲
佑 (蔭か1名)第1図 第2図 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性基板の一主面に設けた複数の第1の配線体上に固
着し九LEDペレット及び金属柱と、該LEDペレット
及び金属柱の上面とP!譬同じ高さで前記絶縁性基板表
面−帯に充填硬化し九絶縁性樹脂と、該絶縁性樹脂の上
面に表面を露出して埋設固着し九第2の配線体と、 該第2の配線体の表面と前記LEDペレットの上面電極
及び金属柱の上面とを電気的に接続を表す第3の配線と
で構成するディスプレイ装置に於いて、 前記第2の配線体は、前記金属柱の上面の最高部をはず
すように且つ皺金属柱に接触するごとく配設される部位
をもって前記絶縁性樹脂で埋設固着されていることを特
徴とするディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57011854A JPS58130581A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | デイスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57011854A JPS58130581A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | デイスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58130581A true JPS58130581A (ja) | 1983-08-04 |
Family
ID=11789304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57011854A Pending JPS58130581A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | デイスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58130581A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6321038U (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-12 | ||
US5463229A (en) * | 1993-04-07 | 1995-10-31 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Circuit board for optical devices |
JP2011258606A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | Led発光素子及びled発光装置 |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP57011854A patent/JPS58130581A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6321038U (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-12 | ||
US5463229A (en) * | 1993-04-07 | 1995-10-31 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Circuit board for optical devices |
JP2011258606A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | Led発光素子及びled発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5717252A (en) | Solder-ball connected semiconductor device with a recessed chip mounting area | |
JP3502776B2 (ja) | バンプ付き金属箔及び回路基板及びこれを用いた半導体装置 | |
US4420364A (en) | High-insulation multi-layer device formed on a metal substrate | |
US6147311A (en) | Multi layer circuit board using anisotropic electroconductive adhesive layer and method for producing same | |
US7399661B2 (en) | Method for making an integrated circuit substrate having embedded back-side access conductors and vias | |
JP2003338587A5 (ja) | ||
JPH09199635A (ja) | 回路基板形成用多層フィルム並びにこれを用いた多層回路基板および半導体装置用パッケージ | |
US5119272A (en) | Circuit board and method of producing circuit board | |
JPH05144995A (ja) | 半導体パツケージ | |
JP2844058B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JPS58130581A (ja) | デイスプレイ装置 | |
JPH10135366A (ja) | Bga半導体パッケージの外部端子の製造方法 | |
JPS58130582A (ja) | デイスプレイ装置 | |
JP3099768B2 (ja) | 電子部品組立体およびその製造方法 | |
JPH03129745A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
JPH10340925A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JPS6347157B2 (ja) | ||
JP2002076056A (ja) | 異方性導電膜とその製造方法 | |
JP2782374B2 (ja) | 電子部品搭載装置及びその製造方法 | |
JP3973309B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3535102B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2000200848A (ja) | 電子部品実装用回路基板及び半導体装置 | |
JPS6152977B2 (ja) | ||
JPS5831420Y2 (ja) | 半導体装置 |