JPS58128021A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS58128021A JPS58128021A JP887582A JP887582A JPS58128021A JP S58128021 A JPS58128021 A JP S58128021A JP 887582 A JP887582 A JP 887582A JP 887582 A JP887582 A JP 887582A JP S58128021 A JPS58128021 A JP S58128021A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- coil
- layer
- magnetic head
- lower coil
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■発明の属する技術分野
本発明は、磁気記録媒体からの信号磁界を高周波を印加
した同調−路O共振点O変化および先鋭度(Q)の変化
として捉え再生する磁気再生装置1llK用いられる磁
性体とコイルよp、成る磁気ヘッドに関する。
した同調−路O共振点O変化および先鋭度(Q)の変化
として捉え再生する磁気再生装置1llK用いられる磁
性体とコイルよp、成る磁気ヘッドに関する。
c発@O技術的背景
チープレ;−ダおよびビデオテープレコーダ等に用いら
れる磁気テープ、番るいは磁気デスクなどの磁気記#に
媒体の再生には、通常空隙を有するリング状の磁性体コ
アにコイルを巻部して、磁気記録媒体からの磁束の時間
便化を出力電圧として得る。いわゆ為リングヘッドが使
用されてきた。
れる磁気テープ、番るいは磁気デスクなどの磁気記#に
媒体の再生には、通常空隙を有するリング状の磁性体コ
アにコイルを巻部して、磁気記録媒体からの磁束の時間
便化を出力電圧として得る。いわゆ為リングヘッドが使
用されてきた。
これに対して、磁性体をコイル中に含むインダクタンス
素子を磁気ヘッドとし、これと容量とで構成され九同調
回路に高周波を印加し、磁気紀鎌媒体からO1l界によ
p磁性体O透磁率μ変化、および高周波損失変化で同調
回路の共振点と先鋭−が変わることを有用して、同調a
mからの高周波の出力電圧変化として信号を取)だす磁
気再生装置が注1されている。
素子を磁気ヘッドとし、これと容量とで構成され九同調
回路に高周波を印加し、磁気紀鎌媒体からO1l界によ
p磁性体O透磁率μ変化、および高周波損失変化で同調
回路の共振点と先鋭−が変わることを有用して、同調a
mからの高周波の出力電圧変化として信号を取)だす磁
気再生装置が注1されている。
第1■唸この磁気記録再生装置の基本的構成を示すtの
である0図に5Pvhて、板状の磁性体(31)はコイ
ル(、セ)が巻回されて磁気ヘッドを構成している。コ
イルCjC2)には容量03)が並列に接続され同調回
路を構成し、その一端は接地されている。
である0図に5Pvhて、板状の磁性体(31)はコイ
ル(、セ)が巻回されて磁気ヘッドを構成している。コ
イルCjC2)には容量03)が並列に接続され同調回
路を構成し、その一端は接地されている。
又、他の一端は容量(34)を介して嶌周波発*a(5
)K接地されている。容量(34)は高周波発振器c3
5)を等制約KIK151源とみなし得るようにする丸
め、及び直流をカットする丸めのもので、前記同調回路
に影響を与えないような小さな容量値に設定されている
。−1方又、前記容量C33)の輸の一端はさらに直流
カット用客、1(36)を介してピーク検波回路(47
) K接続されている。このピーク検波回路(37)は
ダイオードC314)と、このダイオード(弼)のカン
ードと接地間に接続された抵抗@)及びこの抵抗(j9
)に並列に接続された容量(2))とから構成されてい
る。又、ダイオード(2))のアノードと接地間にはチ
盲−クインダクタンス(41)が接続されている。この
ような構成において、信号が紀鎌された磁気記録媒体(
4りK、前記磁性体(31)にコイル(、(2)を巻回
して成る磁気ヘゲドを対接させると、磁気記録媒体(4
2)の紀鍮に応じて変化する磁界が磁気ヘッドに加わり
、これKよυ磁性体(31)の透磁率^が、第2図に示
す如く変化する。ここで磁性体(31)としてμの変化
が大きい材料、例えば薄膜化パーマロイ、センダスト・
Mn−Zn系フェライト(単結晶ある一部ホットプレス
)などを選択すると、この岸の変化によりコイル(32
)のインダクタンスが大きく変化し、これKよってコイ
ル((転)と容量((3)とで構成される同調回路の同
調周波数が変化する。従って、例えば、この同調回路の
初期の同調周波数を、93図(履)実線の特性曲線で示
す如(froと設定しておくと、コイル(、電)のイン
ダクタンスが変化することによりその同調周波数が第3
図(→の破線の特性曲線で示す如(f(o’に変化する
。従って、高周波発振器(35)からとの゛同l11回
路に供給される高周波信号の周波数をtg3図(荀のf
ro’Q如く設定すると、同調回路の両端に発生する電
圧はVlからVfiの如く変化する。従って高周波発振
器(36)の出力は513図(b)のように磁気記録媒
体C42)の紀鎌信号によシ振幅変調をうけたものとな
る。この変調をうけ丸高周波信号はピーク検波回路07
)K供給されてそのピーク値が検波される。その結果第
3図(C)に示すような検波出力、他ち信号再生出力が
得られる。
)K接地されている。容量(34)は高周波発振器c3
5)を等制約KIK151源とみなし得るようにする丸
め、及び直流をカットする丸めのもので、前記同調回路
に影響を与えないような小さな容量値に設定されている
。−1方又、前記容量C33)の輸の一端はさらに直流
カット用客、1(36)を介してピーク検波回路(47
) K接続されている。このピーク検波回路(37)は
ダイオードC314)と、このダイオード(弼)のカン
ードと接地間に接続された抵抗@)及びこの抵抗(j9
)に並列に接続された容量(2))とから構成されてい
る。又、ダイオード(2))のアノードと接地間にはチ
盲−クインダクタンス(41)が接続されている。この
ような構成において、信号が紀鎌された磁気記録媒体(
4りK、前記磁性体(31)にコイル(、(2)を巻回
して成る磁気ヘゲドを対接させると、磁気記録媒体(4
2)の紀鍮に応じて変化する磁界が磁気ヘッドに加わり
、これKよυ磁性体(31)の透磁率^が、第2図に示
す如く変化する。ここで磁性体(31)としてμの変化
が大きい材料、例えば薄膜化パーマロイ、センダスト・
Mn−Zn系フェライト(単結晶ある一部ホットプレス
)などを選択すると、この岸の変化によりコイル(32
)のインダクタンスが大きく変化し、これKよってコイ
ル((転)と容量((3)とで構成される同調回路の同
調周波数が変化する。従って、例えば、この同調回路の
初期の同調周波数を、93図(履)実線の特性曲線で示
す如(froと設定しておくと、コイル(、電)のイン
ダクタンスが変化することによりその同調周波数が第3
図(→の破線の特性曲線で示す如(f(o’に変化する
。従って、高周波発振器(35)からとの゛同l11回
路に供給される高周波信号の周波数をtg3図(荀のf
ro’Q如く設定すると、同調回路の両端に発生する電
圧はVlからVfiの如く変化する。従って高周波発振
器(36)の出力は513図(b)のように磁気記録媒
体C42)の紀鎌信号によシ振幅変調をうけたものとな
る。この変調をうけ丸高周波信号はピーク検波回路07
)K供給されてそのピーク値が検波される。その結果第
3図(C)に示すような検波出力、他ち信号再生出力が
得られる。
このように上記の磁気再生装置は、従来のリングヘッド
のように磁束の時間変化(dシ積)ではなく、磁気その
ものを検出する丸め1周波数411性が良好でしかも高
周波と印加し、その変化分として再生電圧を取り出す方
式の丸め、高感度でしかも大きい再生電圧が得られる特
徴がある。
のように磁束の時間変化(dシ積)ではなく、磁気その
ものを検出する丸め1周波数411性が良好でしかも高
周波と印加し、その変化分として再生電圧を取り出す方
式の丸め、高感度でしかも大きい再生電圧が得られる特
徴がある。
さて、この磁気再生装置に用いられる磁性体01)とコ
イル(32)とからなる磁気ヘッドは、@4図に示す形
状が一般的である◇第4図(→紘従来の磁気ヘッドの斜
視図を示し、第4図(呻は(荀のムー人線に宿った断面
図を示す。
イル(32)とからなる磁気ヘッドは、@4図に示す形
状が一般的である◇第4図(→紘従来の磁気ヘッドの斜
視図を示し、第4図(呻は(荀のムー人線に宿った断面
図を示す。
非磁性、非導電体性の基板αυの上には、コイルuQの
一部を構成する下部コイルtlりが形成されている。下
部コイル(L湯は、Cu、Au、AJ等の金属を蒸着等
により形成するものである。この下部コイル11上の一
部には絶縁層(2))を介して、下部コイルυ上に磁性
体層a尋が所定の再生トラック幅T、ならびに′ラドの
空隙長とほぼ等しい厚さに選ばれる。また磁性体層a4
は、パーマロイ、センダネト等を蒸着等によ〉被着させ
て得られる0この磁性体層a◆の表wiには絶縁層(1
3))が再び形成され、さらに上部コイル(2)を一部
下部コイルalK導通するように設けることで、磁性体
層α尋を囲む、lターンのコイルaeが形成される0こ
うして、lターンのコイル舖中に磁性体層α4を有して
なる従来の磁気ヘッド[株]が得られる。
一部を構成する下部コイルtlりが形成されている。下
部コイル(L湯は、Cu、Au、AJ等の金属を蒸着等
により形成するものである。この下部コイル11上の一
部には絶縁層(2))を介して、下部コイルυ上に磁性
体層a尋が所定の再生トラック幅T、ならびに′ラドの
空隙長とほぼ等しい厚さに選ばれる。また磁性体層a4
は、パーマロイ、センダネト等を蒸着等によ〉被着させ
て得られる0この磁性体層a◆の表wiには絶縁層(1
3))が再び形成され、さらに上部コイル(2)を一部
下部コイルalK導通するように設けることで、磁性体
層α尋を囲む、lターンのコイルaeが形成される0こ
うして、lターンのコイル舖中に磁性体層α4を有して
なる従来の磁気ヘッド[株]が得られる。
■背景技術の問題点
さて、磁気ヘッド■の感度は、第4図(b)に示される
コイルa・のコイル深さDcに大きく依存し、l)cの
減少くともなって高感度になる。また、コイル輪の先鋭
度Q唸Q = #L/B (・二角周波数、L:インダ
クタンス、R=直流抵抗)で示され、コイルばLが増す
ことにより、中tlQを大きくすることができる。
コイルa・のコイル深さDcに大きく依存し、l)cの
減少くともなって高感度になる。また、コイル輪の先鋭
度Q唸Q = #L/B (・二角周波数、L:インダ
クタンス、R=直流抵抗)で示され、コイルばLが増す
ことにより、中tlQを大きくすることができる。
以上、磁気ヘッド■の特性を高めるための要求をまとめ
ると、 tll コイル深さDCは小さい方が良く、シかもコ
イルaeの直流抵抗を減少させるため、厚く形成さとな
る゛。
ると、 tll コイル深さDCは小さい方が良く、シかもコ
イルaeの直流抵抗を減少させるため、厚く形成さとな
る゛。
しかしながら、まず磁性体層収◆の深さは、その構成上
、磁性体層a4が下部コイル下部働上く形成されている
ため、下部コイル働の深さDcよシ大きでコイル深さD
cと一致しなければならない。さら上記の要求t1)中
の「DCを小さくする」という要求は果せなくなる。し
たがって、できる@り磁気ヘッド轡の特性を高める丸め
には、下部、上部コイルα々、(ハ)の厚さを厚くする
ととKllる以外ない。
、磁性体層a4が下部コイル下部働上く形成されている
ため、下部コイル働の深さDcよシ大きでコイル深さD
cと一致しなければならない。さら上記の要求t1)中
の「DCを小さくする」という要求は果せなくなる。し
たがって、できる@り磁気ヘッド轡の特性を高める丸め
には、下部、上部コイルα々、(ハ)の厚さを厚くする
ととKllる以外ない。
しかし、例えば下部、上部コイル(2)、−を数10μ
IIn楊度に形成すると、第4図(b)に示すように、
コイル(2)の終端上湯部分で下部コイル(lり、磁性
体層α尋、上部コイル(ハ)が、短絡してしまうOこれ
は、現在の蒸着、スパッタリング等O膜形成技術では、
多層の厚い膜を正確に位置合せして形成することがvA
Illなことによるofえ、短絡が起きないとしてもコ
イル終端の不揃いは往々にして起き、いずれの場合にお
いても磁気ヘッドの機能が著しく損われることになる。
IIn楊度に形成すると、第4図(b)に示すように、
コイル(2)の終端上湯部分で下部コイル(lり、磁性
体層α尋、上部コイル(ハ)が、短絡してしまうOこれ
は、現在の蒸着、スパッタリング等O膜形成技術では、
多層の厚い膜を正確に位置合せして形成することがvA
Illなことによるofえ、短絡が起きないとしてもコ
イル終端の不揃いは往々にして起き、いずれの場合にお
いても磁気ヘッドの機能が著しく損われることになる。
■発明の目的
本発明は上記の問題点く鑑み、先に示した磁気ヘッドの
特性を高める丸めに要求されるふたつの事項を満たす磁
気ヘッドを提供することを目的とする。
特性を高める丸めに要求されるふたつの事項を満たす磁
気ヘッドを提供することを目的とする。
■発明の概要
本発明の磁気ヘッドは、基板に8i等の半導体を用い、
下部コイルを半導体表面に拡散層として設さらに磁性体
層先端付近に上部コイルを下部コイルと同様に直流分抵
抗が少なくなるように厚く設けてなるものである。
下部コイルを半導体表面に拡散層として設さらに磁性体
層先端付近に上部コイルを下部コイルと同様に直流分抵
抗が少なくなるように厚く設けてなるものである。
■実施例
以下、図面を参照し1本発明の実施例を製造方法ととも
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
まず、第5図に示すようにS五等の半導体基板01)上
に拡飲あるいはイオン注入等の手段で拡散層を設け、下
部コイル(2)を形成する。下部コイル(2)の形状は
一例として図示の如くL字形状とし、電流を通電させる
ための電極として折一部@1)を利用する。下部コイル
@の厚みは、直流分抵抗が低下するように十分な厚みを
もって形成さ九る。
に拡飲あるいはイオン注入等の手段で拡散層を設け、下
部コイル(2)を形成する。下部コイル(2)の形状は
一例として図示の如くL字形状とし、電流を通電させる
ための電極として折一部@1)を利用する。下部コイル
@の厚みは、直流分抵抗が低下するように十分な厚みを
もって形成さ九る。
次に、第6図の如く、絶縁層(23a)で半導体基板(
2〃上を覆い、さらに磁性体層−を形成する。絶縁層■
a)は、加熱酸化あるいは酸化シリコンの蒸着、スパッ
タ等によシ設けられる。この際、後に形成される上部コ
イル(至)と下部コイル(2)の一部とが接触できるよ
うに、また折曲部ma>の一部が電極として利用できる
ように1半導体基41[gtX)上の一部であるコイル
接触部(6G11)と電極部(60b)Kは絶縁コイル
(2)の深さDcと等しいか、それ以上に設ける。
2〃上を覆い、さらに磁性体層−を形成する。絶縁層■
a)は、加熱酸化あるいは酸化シリコンの蒸着、スパッ
タ等によシ設けられる。この際、後に形成される上部コ
イル(至)と下部コイル(2)の一部とが接触できるよ
うに、また折曲部ma>の一部が電極として利用できる
ように1半導体基41[gtX)上の一部であるコイル
接触部(6G11)と電極部(60b)Kは絶縁コイル
(2)の深さDcと等しいか、それ以上に設ける。
さらに、lE’1図に示すように、磁性体層(至)の表
面上に第2の絶縁層(231))を形成した後に、上部
コイル(至)を磁性体層c14i先端を覆うように形成
する。
面上に第2の絶縁層(231))を形成した後に、上部
コイル(至)を磁性体層c14i先端を覆うように形成
する。
第2の絶縁層(23b)は、酸化シリコン等を蒸着、ス
パッタ等の手段により設けられる0i部コイル(至)の
一部は、下部コイル(2)の一部(e)と導通して形成
され、下部;イ′ル(2)とともに磁性体層@を包むよ
うKして1ターンのコイル(61)を形成する0なお、
このコイル(61)に電流を流すには、上部コイhQ5
の一部を電極部(6GC)とし、電極部(60b)、(
60c)間で通電が行われる。
パッタ等の手段により設けられる0i部コイル(至)の
一部は、下部コイル(2)の一部(e)と導通して形成
され、下部;イ′ル(2)とともに磁性体層@を包むよ
うKして1ターンのコイル(61)を形成する0なお、
このコイル(61)に電流を流すには、上部コイhQ5
の一部を電極部(6GC)とし、電極部(60b)、(
60c)間で通電が行われる。
以上の如くして、本発明の磁気ヘッド(η)を得ること
ができる。実際にこの磁気ヘッド(妃)を紀鎌媒体に一
部させ、再生を行うには、磁気ヘッド(70) K11
1面を形成し、かつ磁気ヘッド(親)自体を保−する目
的で、露出している上部コイル@部分を覆う保一部材を
さらに付加することが行われるが、図示を省く。
ができる。実際にこの磁気ヘッド(妃)を紀鎌媒体に一
部させ、再生を行うには、磁気ヘッド(70) K11
1面を形成し、かつ磁気ヘッド(親)自体を保−する目
的で、露出している上部コイル@部分を覆う保一部材を
さらに付加することが行われるが、図示を省く。
■発明の効果
第8図は、第7図中0B−B線に沿って切断したときの
、磁気ヘッド(79)のwRrIfJ図である。本発明
の磁気ヘッド(70)は、コイル(61)の一部である
り深く形成することができ、かつ下部、上部コイル(2
)、(ハ)ともに磁性体層(至)の先端付近く厚く形成
することを可能とする。まえ、磁性体層@と下部上部コ
イル@、四間の絶縁も確実に行うことができ、短絡とい
った不実の発生が皆無である。
、磁気ヘッド(79)のwRrIfJ図である。本発明
の磁気ヘッド(70)は、コイル(61)の一部である
り深く形成することができ、かつ下部、上部コイル(2
)、(ハ)ともに磁性体層(至)の先端付近く厚く形成
することを可能とする。まえ、磁性体層@と下部上部コ
イル@、四間の絶縁も確実に行うことができ、短絡とい
った不実の発生が皆無である。
以上の如く、本発明の磁気ヘッド虫)は前述した磁気ヘ
ッドの特性を高めるために要求される事項を余すことな
く満たしておシ、優れ九磁気ヘッドだといえる。
ッドの特性を高めるために要求される事項を余すことな
く満たしておシ、優れ九磁気ヘッドだといえる。
541図は、本発明の磁気ヘッドが使用される磁気再生
装置の基本構成図、g′2図は、磁界の変化に対する磁
性体の透磁率声の変化を示す図、第3図は同調回路の同
調周波数の変化により同調回路の両端の電圧が変化する
様子を示す図、第4図−)は従来の磁気ヘッドの斜視図
、第4図(b)は同断面図、第5図乃至[I7図は本発
明の磁気ヘッドが形成される1椙を示す図、第8図は本
発明の磁気ヘッドのWR面図である。 (21)・・・半導体基板、 (22)・・・下部コ
イル、C24)・・・磁性体層、 (61)・・・
コイル(ほか1名ン 第1図 第2図 第4図 2ρ 第8図
装置の基本構成図、g′2図は、磁界の変化に対する磁
性体の透磁率声の変化を示す図、第3図は同調回路の同
調周波数の変化により同調回路の両端の電圧が変化する
様子を示す図、第4図−)は従来の磁気ヘッドの斜視図
、第4図(b)は同断面図、第5図乃至[I7図は本発
明の磁気ヘッドが形成される1椙を示す図、第8図は本
発明の磁気ヘッドのWR面図である。 (21)・・・半導体基板、 (22)・・・下部コ
イル、C24)・・・磁性体層、 (61)・・・
コイル(ほか1名ン 第1図 第2図 第4図 2ρ 第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 コイルがIlb装されえ磁性体よシなる磁界検出用のイ
ンダクタンス素子を磁気゛ヘッドとし、この磁気ヘッド
と容量とで構成される同調回路に高周波を印加し、磁気
記録媒体からの磁界により変化する前記磁気ヘッドの―
性体の透磁率声および為周波損失に応じて変化する曽記
同mWNaK印加される高周波の共振点および先鋭度q
の変化を検出し。 前記磁気紀鎌6媒体に紀鍮され良信号を再生する磁気再
生装置において用いられる前記磁気ヘッドは、半導体基
板の表面中に設けられ良導体層を下部;イルとし、この
下1iarイルOコイル深さ以上に堆積形成された磁性
体層を有す為ことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP887582A JPS58128021A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP887582A JPS58128021A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58128021A true JPS58128021A (ja) | 1983-07-30 |
Family
ID=11704851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP887582A Pending JPS58128021A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58128021A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0163998A2 (en) * | 1984-06-06 | 1985-12-11 | Hitachi, Ltd. | Multi-track magnetic thin film heads and a method of producing the same |
WO1997030442A1 (fr) * | 1996-02-15 | 1997-08-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Tete magnetique verticale a bobinage integre et son procede de realisation |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP887582A patent/JPS58128021A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0163998A2 (en) * | 1984-06-06 | 1985-12-11 | Hitachi, Ltd. | Multi-track magnetic thin film heads and a method of producing the same |
WO1997030442A1 (fr) * | 1996-02-15 | 1997-08-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Tete magnetique verticale a bobinage integre et son procede de realisation |
FR2745111A1 (fr) * | 1996-02-15 | 1997-08-22 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique verticale a bobinage integre et son procede de realisation |
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