JPS58125981A - 電荷転送撮像素子の駆動回路 - Google Patents
電荷転送撮像素子の駆動回路Info
- Publication number
- JPS58125981A JPS58125981A JP57008454A JP845482A JPS58125981A JP S58125981 A JPS58125981 A JP S58125981A JP 57008454 A JP57008454 A JP 57008454A JP 845482 A JP845482 A JP 845482A JP S58125981 A JPS58125981 A JP S58125981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching circuit
- vertical transfer
- circuit
- transfer
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/7795—Circuitry for generating timing or clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＭ荷転送撮鎗素子特にインターライン転送方式
の撮鹸素子の駆ｍ回路に関するものである。
の撮鹸素子の駆ｍ回路に関するものである。
固体撮像素子の小チツプ化あるいは一業種化に伴ない改
良されたインターライン転送方式の固体撮像素子として
＃！１図に示すような２次元的ｔＣＢ数分離配列された
光電変換部１．１に％光電変換部と対応した垂直転送電
極群岡えば２相駆動の場合はＩＮの垂直転送電極群１２
と菖２の垂直転送電極群１３とを交互に配置した垂直電
荷転送レジスタ（以後単に垂直レジスタとする）列１４
と、前記光電変換部１２と対応する垂直転送電極群１２
あるいは１３間に前記垂直転送ＩＥＷ＆で被われたゲ−
ト領域１５とからなる構造の光電変換部から蓄積電荷を
読み出すためのゲート領域上のゲート電極の無い撮像素
子が提案されている。
良されたインターライン転送方式の固体撮像素子として
＃！１図に示すような２次元的ｔＣＢ数分離配列された
光電変換部１．１に％光電変換部と対応した垂直転送電
極群岡えば２相駆動の場合はＩＮの垂直転送電極群１２
と菖２の垂直転送電極群１３とを交互に配置した垂直電
荷転送レジスタ（以後単に垂直レジスタとする）列１４
と、前記光電変換部１２と対応する垂直転送電極群１２
あるいは１３間に前記垂直転送ＩＥＷ＆で被われたゲ−
ト領域１５とからなる構造の光電変換部から蓄積電荷を
読み出すためのゲート領域上のゲート電極の無い撮像素
子が提案されている。
こＯような撮像素子は、第２図に示すように！ｉ！直転
送動作時は第２図２２と２３に示す電位関係にある範囲
内で駆動し、一方光電変換部での蓄積電荷を垂直レジス
タＫｉ１！み出す時には、各垂直転送電極＊［！ＩＩ直
転送時より更に大きな電圧を印加しｈｆｓｚ図２４図示
４電位状態とし１元電変換部の蓄積電荷を読み出すと共
に光電変換部をゲート領域Ｏｔ位にリセットするごとく
駆動する。このような撮像素子を周知のインターレース
走査させるにはｔｌＮ３ＥＫ示すような３ｔレベルの垂
直レジスタ駆動波形によって駆動することが必要となる
。
送動作時は第２図２２と２３に示す電位関係にある範囲
内で駆動し、一方光電変換部での蓄積電荷を垂直レジス
タＫｉ１！み出す時には、各垂直転送電極＊［！ＩＩ直
転送時より更に大きな電圧を印加しｈｆｓｚ図２４図示
４電位状態とし１元電変換部の蓄積電荷を読み出すと共
に光電変換部をゲート領域Ｏｔ位にリセットするごとく
駆動する。このような撮像素子を周知のインターレース
走査させるにはｔｌＮ３ＥＫ示すような３ｔレベルの垂
直レジスタ駆動波形によって駆動することが必要となる
。
ところで、電荷転送撮像素子の各転送電極は完全な容量
負荷であル、かり２相あるいけ４相パルス等で駆動され
る各電極相関結合容量は対基板間て生じる容量と同等あ
るいはそれ以上の場合が多いため、このような転送電極
を駆動する駆動回路は低インピーダンスが不可欠で６ｎ
、＊来の２値−ルの駆動においても消費電力が大きくな
りやすく回路構成部品も多くなることが避けられなかっ
た。このような駆動回路を最も確実に３値レベル化する
Ｋは、第４図に示すように、［来の２値レベルのスイッ
チング駆動回路４１の電源電圧を３値の中間電圧ＶＭと
最大電圧Ｖｍとで切シ換える電源電圧切シ換え回路４２
を付加する方法であるが、このような３値レベルの垂直
転送電極駆動回路では３１［の最大レベル期間の非常に
短か＾第３図に示す駆動波形では消費電力が非常に多く
なる欠点が避けられなかった。
負荷であル、かり２相あるいけ４相パルス等で駆動され
る各電極相関結合容量は対基板間て生じる容量と同等あ
るいはそれ以上の場合が多いため、このような転送電極
を駆動する駆動回路は低インピーダンスが不可欠で６ｎ
、＊来の２値−ルの駆動においても消費電力が大きくな
りやすく回路構成部品も多くなることが避けられなかっ
た。このような駆動回路を最も確実に３値レベル化する
Ｋは、第４図に示すように、［来の２値レベルのスイッ
チング駆動回路４１の電源電圧を３値の中間電圧ＶＭと
最大電圧Ｖｍとで切シ換える電源電圧切シ換え回路４２
を付加する方法であるが、このような３値レベルの垂直
転送電極駆動回路では３１［の最大レベル期間の非常に
短か＾第３図に示す駆動波形では消費電力が非常に多く
なる欠点が避けられなかった。
本発明の目的は前記の欠点を無くシ、低消費電力でかつ
構成部品も少なｉ電荷転送撮像素子の駆動回路を提供す
ること忙ある。
構成部品も少なｉ電荷転送撮像素子の駆動回路を提供す
ること忙ある。
本発＠によれば、同一半導体基板上に２次元的に複数分
離配列された光電変換部と％この光電変換＠に対応して
設けられた垂直転送電極群で構成される複数の垂直電荷
転送レジスタ列と、前記光電変換部と対応する垂直転送
電極群との関に前記垂直転送電極群で被われたゲート領
域と、前起電直電荷転送レジスタ列の並列電荷を順次読
み出す水平転送レジスタとを少なくとも備えた電荷転送
撮像素子の駆動回路において、ｆｉ直転送に必要なパル
ス振巾を発生させる嬉ｌのスイッチング回路と、光電変
換領域の蓄積電荷を読み出す際に必要とする垂直転送パ
ルス振巾を更に上乗せするパルス振巾を発生させるため
のｌＥ２のスイッチング回路と、嬉ｌのスイッチング回
路の電源入力部をカソードとし電源供給側をアノードと
するダイオードと、１１２のスイッチング回路の出力部
と前記ダイオードのカソード関に接続されたコンデンサ
とを少欧くとも備え、第１のスイッチング回路の出力端
を前記−直電荷転送レジスタ電極へのＩＩ続端としたこ
とを特徴とする電荷転送撮像素子の駆動回路が得られる
。
離配列された光電変換部と％この光電変換＠に対応して
設けられた垂直転送電極群で構成される複数の垂直電荷
転送レジスタ列と、前記光電変換部と対応する垂直転送
電極群との関に前記垂直転送電極群で被われたゲート領
域と、前起電直電荷転送レジスタ列の並列電荷を順次読
み出す水平転送レジスタとを少なくとも備えた電荷転送
撮像素子の駆動回路において、ｆｉ直転送に必要なパル
ス振巾を発生させる嬉ｌのスイッチング回路と、光電変
換領域の蓄積電荷を読み出す際に必要とする垂直転送パ
ルス振巾を更に上乗せするパルス振巾を発生させるため
のｌＥ２のスイッチング回路と、嬉ｌのスイッチング回
路の電源入力部をカソードとし電源供給側をアノードと
するダイオードと、１１２のスイッチング回路の出力部
と前記ダイオードのカソード関に接続されたコンデンサ
とを少欧くとも備え、第１のスイッチング回路の出力端
を前記−直電荷転送レジスタ電極へのＩＩ続端としたこ
とを特徴とする電荷転送撮像素子の駆動回路が得られる
。
前記本発明によれｄ、低消費電力でかつ構成部品も少な
いインターライン電荷転送撮像素子用の３値しベル駆動
回路が実現される。
いインターライン電荷転送撮像素子用の３値しベル駆動
回路が実現される。
次に本＠明の一実施ガを示す図面を用いて詳細に説明す
る。
る。
第５図は本発明による駆動回路を示す図で、こζでは説
明を簡単にする九め２相パルスで動作する撮橡素子の駆
動回路を示している。５１はＩＩＩのスイッチング回路
でこのスイッチング回路では垂直転送に必要なパルス発
生させてお〕、５２の電源入力部には電源供給ｌｌ５３
をアノードとしたダイオード５４を通して垂直転送に必
要な振巾和相轟する電圧が印加されて−る。このＫＩＣ
）スイッチング回路は従来の２籠レベルの駆動回路と全
く同一のスイッチング回路でかつ入力信号も全く同一の
タイミングパルスである。ζ（４１のスイッチング回路
は容量負荷を効率良く低インビーダ７ＸＫ動ｆｂ＊め、
Ｐチャンネルエンハンスメン）ＭＯ８）ランジスタ５５
！：ＮチャンネルエンハンスメントＭθＢトランジスタ
５６とによるコンプリメンタリスイッチング回路を構成
している。
明を簡単にする九め２相パルスで動作する撮橡素子の駆
動回路を示している。５１はＩＩＩのスイッチング回路
でこのスイッチング回路では垂直転送に必要なパルス発
生させてお〕、５２の電源入力部には電源供給ｌｌ５３
をアノードとしたダイオード５４を通して垂直転送に必
要な振巾和相轟する電圧が印加されて−る。このＫＩＣ
）スイッチング回路は従来の２籠レベルの駆動回路と全
く同一のスイッチング回路でかつ入力信号も全く同一の
タイミングパルスである。ζ（４１のスイッチング回路
は容量負荷を効率良く低インビーダ７ＸＫ動ｆｂ＊め、
Ｐチャンネルエンハンスメン）ＭＯ８）ランジスタ５５
！：ＮチャンネルエンハンスメントＭθＢトランジスタ
５６とによるコンプリメンタリスイッチング回路を構成
している。
この構成のスイッチング回路は容量負荷ではほとんど負
荷への充電電流しか流れ１に−ため消費電力は非常に少
ない、６１は第２のスイッチング回路でこのスイッチン
グ回路で＃ｉ元電変換領域Ｏ１ｌ積電荷を纜み出すｌＩ
に必要とする重置転送パルス振巾ＫＩ！に上乗せするパ
ルス振巾に相当する電圧が電源入力部６２へ印加されて
いる０本実施岡では１直転送に必要なパルス振巾とｆｉ
ｔ！’等しい電圧であるためｊｌｌのスイッチング電源
供給部５３へ接続しである。この縞２のスイッチング回
路はａｌのスイッチング回路と同機にＰチャンネルエン
ハンスメントＭＯ８）ランジスタロ５とＮチャンネル二
ン＾ンスメントＭＯｅｉト２ンジス／６６とによって；
ンプリメンタリスイッチング回路が構成されてｂる。
荷への充電電流しか流れ１に−ため消費電力は非常に少
ない、６１は第２のスイッチング回路でこのスイッチン
グ回路で＃ｉ元電変換領域Ｏ１ｌ積電荷を纜み出すｌＩ
に必要とする重置転送パルス振巾ＫＩ！に上乗せするパ
ルス振巾に相当する電圧が電源入力部６２へ印加されて
いる０本実施岡では１直転送に必要なパルス振巾とｆｉ
ｔ！’等しい電圧であるためｊｌｌのスイッチング電源
供給部５３へ接続しである。この縞２のスイッチング回
路はａｌのスイッチング回路と同機にＰチャンネルエン
ハンスメントＭＯ８）ランジスタロ５とＮチャンネル二
ン＾ンスメントＭＯｅｉト２ンジス／６６とによって；
ンプリメンタリスイッチング回路が構成されてｂる。
ζＣ）１８２ｏスイッチング回路６１の出方端６７には
、一方の端が第１のスイッチング回路５１の電源入力部
５２に＠続されたコンデンサ６４の他の一方の端が＊ａ
されて−る。なおこのコンデンサ６４０容量は通常駆動
電極容置より十分大きい値に遺ばれる。この第２のスイ
ッチング回路はテレビジ１ン走査の一方プランキング期
間毎に１パルス発生するような入力信号が加えられてい
る。
、一方の端が第１のスイッチング回路５１の電源入力部
５２に＠続されたコンデンサ６４の他の一方の端が＊ａ
されて−る。なおこのコンデンサ６４０容量は通常駆動
電極容置より十分大きい値に遺ばれる。この第２のスイ
ッチング回路はテレビジ１ン走査の一方プランキング期
間毎に１パルス発生するような入力信号が加えられてい
る。
また、２相の垂直転送電極φＶ、７１ 、φへ７２はそ
れぞれ第１のスイッチング回路５１の出力端５７へ接続
されている。この駆動回路における動作は、垂直転送期
間では第２のスイッチング回路のトランジスタ６６がＯ
Ｎしているためコンデンサ６４はｍｌのスイッチング回
路への供給電圧で充電されてｂる。そして垂直ブランキ
ング期間第２のスイッチング回路のトランジスタ６５が
ＯＮすると今までＧＮＤｇ位であったコンデンサ６４の
一端が第２の供給電８Ｅまで上昇する丸め、コンデンサ
６４の他の一端である５２の電位は垂直転送パルス振巾
よりＩ１２のスイッチング回路への供給電圧外上昇する
。すなわち読み出しパルスが上乗せされることになる。
れぞれ第１のスイッチング回路５１の出力端５７へ接続
されている。この駆動回路における動作は、垂直転送期
間では第２のスイッチング回路のトランジスタ６６がＯ
Ｎしているためコンデンサ６４はｍｌのスイッチング回
路への供給電圧で充電されてｂる。そして垂直ブランキ
ング期間第２のスイッチング回路のトランジスタ６５が
ＯＮすると今までＧＮＤｇ位であったコンデンサ６４の
一端が第２の供給電８Ｅまで上昇する丸め、コンデンサ
６４の他の一端である５２の電位は垂直転送パルス振巾
よりＩ１２のスイッチング回路への供給電圧外上昇する
。すなわち読み出しパルスが上乗せされることになる。
そしてこの時ＩＩＩのスイッチング回路５１のトランジ
スタ５５がＯＮＩ、てｂれば第Ｉの出力端５７の電位は
垂直転送パルス振巾に光電変換部を読み出すに必Ｉ！な
パルス振巾が上乗せされる。そこでφ■２．φＶ！の重
置転送パルスを発生させる第１のスイッチング回路５１
が交互に！１直ブランキング期間ハイレベルすなわちト
ランジスタ５５をＯＮするように垂直転送タインングパ
ルスを入力すれば交互に光電変換部を貌み出す際に必要
なｌＥａ図忙示したようなパルスが印加され、インター
レース−作が実現される１以上の夷−丙では、第３−に
示したよりな光電変換−の醜み出しパルスが３１１［レ
ベルの中間レベルＶｗから上乗せされる動作すなわち臨
ｌのスイッチング−路のトランジスタ５５があらかじめ
ＯＮしてお１、その後スイッチング回路のトランジスタ
６５がＯＮする動作の岡を示したが、その逆の場合であ
るｌＩ２のスイッチング回路のトランジスタ６５がＯＮ
した時、第１のスイッチング−路のトランジスタ５６が
（ｊＦＦでその後嬉ｌのスイッチング回路のトランジス
タ５５がＯＮした場合でも、落２０スイッチング回路の
トランジスタ６５が（ＪＮした時点でｍｌのスイッチン
グ−路０電諏入カ端５２Ｏ電圧は光電変換部の続み出し
電圧（３値レベルの最大値ＶＭ）まで上昇し、この時点
では嬉ｌのスイッチング回路のトランジスタ５６がＯＮ
であるため出力端５７のめカｔｉ（ｉＮｊ）電位である
が、トランジスタ５５がＯｈするとその時点て光電変換
部貌み出し電圧が発生し、前記の実施ガとｒｉ４ｍＫ垂
直転送パルス振巾に上乗せされ、このようなパルスタイ
ミングにおいても同１ａＫ駆動が出来る。な也以上の説
明において第１．第２のスイッチング回路のスイッチン
グ動作について、コンプリメンタリトランジスタの一方
のトランジスタのＯＮあるｖＦｉＵＦＦのみで説明した
が、このようなコンプリメンタリトランジスタのスイッ
チングでは一方のトランジスタがＯＮのＨは一方のトラ
ンジスタは確ずＯＦＦである仁とを申しそえる。
スタ５５がＯＮＩ、てｂれば第Ｉの出力端５７の電位は
垂直転送パルス振巾に光電変換部を読み出すに必Ｉ！な
パルス振巾が上乗せされる。そこでφ■２．φＶ！の重
置転送パルスを発生させる第１のスイッチング回路５１
が交互に！１直ブランキング期間ハイレベルすなわちト
ランジスタ５５をＯＮするように垂直転送タインングパ
ルスを入力すれば交互に光電変換部を貌み出す際に必要
なｌＥａ図忙示したようなパルスが印加され、インター
レース−作が実現される１以上の夷−丙では、第３−に
示したよりな光電変換−の醜み出しパルスが３１１［レ
ベルの中間レベルＶｗから上乗せされる動作すなわち臨
ｌのスイッチング−路のトランジスタ５５があらかじめ
ＯＮしてお１、その後スイッチング回路のトランジスタ
６５がＯＮする動作の岡を示したが、その逆の場合であ
るｌＩ２のスイッチング回路のトランジスタ６５がＯＮ
した時、第１のスイッチング−路のトランジスタ５６が
（ｊＦＦでその後嬉ｌのスイッチング回路のトランジス
タ５５がＯＮした場合でも、落２０スイッチング回路の
トランジスタ６５が（ＪＮした時点でｍｌのスイッチン
グ−路０電諏入カ端５２Ｏ電圧は光電変換部の続み出し
電圧（３値レベルの最大値ＶＭ）まで上昇し、この時点
では嬉ｌのスイッチング回路のトランジスタ５６がＯＮ
であるため出力端５７のめカｔｉ（ｉＮｊ）電位である
が、トランジスタ５５がＯｈするとその時点て光電変換
部貌み出し電圧が発生し、前記の実施ガとｒｉ４ｍＫ垂
直転送パルス振巾に上乗せされ、このようなパルスタイ
ミングにおいても同１ａＫ駆動が出来る。な也以上の説
明において第１．第２のスイッチング回路のスイッチン
グ動作について、コンプリメンタリトランジスタの一方
のトランジスタのＯＮあるｖＦｉＵＦＦのみで説明した
が、このようなコンプリメンタリトランジスタのスイッ
チングでは一方のトランジスタがＯＮのＨは一方のトラ
ンジスタは確ずＯＦＦである仁とを申しそえる。
以上のような回路動作から判るように、零宛羽の駆動回
路では３値レベルの最大電８Ｅ％前後の電源電圧しか必
要とせず、また薬２のスイッチング回路は垂直ブランキ
ング期間の光電変換部を読み出し時のみしかスイッチン
グ動作をしな＾なめ消費電力は非常に少なく、従来の２
籠レベル０駆動とはぼＭ機の消費電力が実現されかっＳ
成藝品も最少限にすることか出来る。
路では３値レベルの最大電８Ｅ％前後の電源電圧しか必
要とせず、また薬２のスイッチング回路は垂直ブランキ
ング期間の光電変換部を読み出し時のみしかスイッチン
グ動作をしな＾なめ消費電力は非常に少なく、従来の２
籠レベル０駆動とはぼＭ機の消費電力が実現されかっＳ
成藝品も最少限にすることか出来る。
なお、本発明でＦｉ２相駆励０場会についてａ明したが
、４相駆勅の撮ｆ１１装置に関して同様Ｋｌ！ｌ出現る
。
、４相駆勅の撮ｆ１１装置に関して同様Ｋｌ！ｌ出現る
。
Ｉｌｌ図は光電変換部から蓄積電荷を読み出すためのグ
ー）ｔｌｉＯ無いインターライン転送方式によるｍｓ素
子の構成図、嬉２図は嬉１図の遠慮素子の１１に作を示
す電位模式−１第３図は第１図に示す推量素子の垂直電
荷転送レジスタに印加する駆―波形、８１４１１は従来
の３値レベルの駆動回路のブロック図％ ！１１５ａ１
１は本発１ｊｉによる３値レベルの一誕電荷転送しジス
タｏｗｅ−路である。 図において、１ｌＩＩｉ元電変換部、１２．１３は垂直
転送電１ｉ評ｈ１４は垂直電荷転送レジスタ。 １５はゲート領域、２２．’２３は垂直転送時の電位を
示し、２４は光電変換部読み出し時の電位を示し、４１
はスイッチング駆ｍ１回路、４２は電源電圧切〕換え回
路、５１は第１のスイッチング回路、５２は電源入力１
！、５３は電源供給部、５４はダイオード、５５．６５
はＰチャンネルエンハンスメン）ＭＯ８）ランジスタ、
５６．６６はＮチャンネルエンハンスメントＭＯ８）ラ
ンジスタ。 ５７はＩｌｌのスイッチング回路の出力端、６１は第２
のスイッチング回路、６２は電源入力ｗＩ。 ６４絋コンデンサ、６７は第２のスイッチング回路を示
す。 代理人弁理士内 原 普 第 １ 図 鵬Ｚ図
ー）ｔｌｉＯ無いインターライン転送方式によるｍｓ素
子の構成図、嬉２図は嬉１図の遠慮素子の１１に作を示
す電位模式−１第３図は第１図に示す推量素子の垂直電
荷転送レジスタに印加する駆―波形、８１４１１は従来
の３値レベルの駆動回路のブロック図％ ！１１５ａ１
１は本発１ｊｉによる３値レベルの一誕電荷転送しジス
タｏｗｅ−路である。 図において、１ｌＩＩｉ元電変換部、１２．１３は垂直
転送電１ｉ評ｈ１４は垂直電荷転送レジスタ。 １５はゲート領域、２２．’２３は垂直転送時の電位を
示し、２４は光電変換部読み出し時の電位を示し、４１
はスイッチング駆ｍ１回路、４２は電源電圧切〕換え回
路、５１は第１のスイッチング回路、５２は電源入力１
！、５３は電源供給部、５４はダイオード、５５．６５
はＰチャンネルエンハンスメン）ＭＯ８）ランジスタ、
５６．６６はＮチャンネルエンハンスメントＭＯ８）ラ
ンジスタ。 ５７はＩｌｌのスイッチング回路の出力端、６１は第２
のスイッチング回路、６２は電源入力ｗＩ。 ６４絋コンデンサ、６７は第２のスイッチング回路を示
す。 代理人弁理士内 原 普 第 １ 図 鵬Ｚ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 同一半導体基板上に２次元的に複数分離配列さ転送レジ
スタ列と、前記光電変換部と、対応する垂直転送電極群
との間に前記垂直転送電極群で被われたゲート領域と、
前記−直電荷転送しジスタタりの並列電荷を順次読み出
す水平転送レジスタとを少なくとも備えた電荷転送縁縁
素子の駆動回路において、垂直転送に必要なパルス振巾
な発生させる第１のスイッチング回路と、光電変換領域
の蓄積電荷を読み出す際に必要とする垂直転送パルス振
巾に更に上乗せするパルス振巾を発生させるための第２
のスイッチング回路と、第１のスイッチング回路の電源
入力部をカソードとし電源供給側をアノードとするダイ
オードと、８ｇ２のスイッチング回路の出力部と前記ダ
イオードのカンード関に接続されたコンデンサとを少な
くとも偏え。 第１のスイッチング回路の出力端を前記ｍ厘電荷転送し
ジスタ域極への接続端としたことを特徴とする電荷転送
ｍｓ素子の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008454A JPS58125981A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像素子の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008454A JPS58125981A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像素子の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125981A true JPS58125981A (ja) | 1983-07-27 |
| JPH0117632B2 JPH0117632B2 (ja) | 1989-03-31 |
Family
ID=11693569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008454A Granted JPS58125981A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像素子の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125981A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235590A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子の駆動方法および駆動回路 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008454A patent/JPS58125981A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235590A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子の駆動方法および駆動回路 |
| JPH0528031B2 (ja) * | 1984-05-08 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0117632B2 (ja) | 1989-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5051831A (en) | Solid state image pickup apparatus for accumulating and reading out optical information using multi-phase scanning pulses | |
| JPS6161586B2 (ja) | ||
| US4366503A (en) | Solid state image pick-up device and its charge transfer method | |
| JP3834841B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| EP0621726A1 (en) | Method of and apparatus for solid state imaging device | |
| JP3452444B2 (ja) | ドライバ回路 | |
| JPH0698081A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP4240917B2 (ja) | 走査回路 | |
| JPH10294949A (ja) | カラー方式固体撮像装置 | |
| JPS58125981A (ja) | 電荷転送撮像素子の駆動回路 | |
| KR100203795B1 (ko) | 구동신호를 생성하기 위한 드라이버 회로 및 방법 | |
| US20070216792A1 (en) | Solid-state imaging device and method of operating solid-state imaging device | |
| JPH0698080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2000152090A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US4597092A (en) | Conserving stored charge in apparatus having a charge coupled device | |
| KR920000574B1 (ko) | 고체촬상장치 | |
| US6355949B1 (en) | Solid state imaging apparatus with horizontal charge transfer register which can transfer signal charge faster | |
| JP3318272B2 (ja) | 半導体回路 | |
| JP3449823B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPH06326928A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPH0410569A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH05284428A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6192078A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6331280A (ja) | 撮像装置 | |
| JP2000152091A (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法 |