JPS58124972A - 半導体装置の信頼性試験方法 - Google Patents
半導体装置の信頼性試験方法Info
- Publication number
- JPS58124972A JPS58124972A JP57007354A JP735482A JPS58124972A JP S58124972 A JPS58124972 A JP S58124972A JP 57007354 A JP57007354 A JP 57007354A JP 735482 A JP735482 A JP 735482A JP S58124972 A JPS58124972 A JP S58124972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- pct
- semiconductor
- insulating film
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に半導体集積回路装置をプレッ
シャークツカーテストにより信頼性試験を行なう場合に
於て、簡便にかつ短時間に試験結果を調査することを目
的とした半導体装置の信頼性試験方法に関するものであ
る。半導体装置、特に半導体集積回路装置はその規模、
機能の高度化が目ざましく、かつ素子密度は非常に大き
くなっている。この為例えば金属配線層の線幅は３ミク
ロン（μ）前後の設計となり、金属配線層の段部におけ
る段切れを防止するためにシリケート・ガラス、特に高
モル濃度のリン珪酸ガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓＳｉ
ｌｉｃａｔｅ Ｇｒａｓｓ ） （ＰＳＧ）膜が利用さ
れている。
シャークツカーテストにより信頼性試験を行なう場合に
於て、簡便にかつ短時間に試験結果を調査することを目
的とした半導体装置の信頼性試験方法に関するものであ
る。半導体装置、特に半導体集積回路装置はその規模、
機能の高度化が目ざましく、かつ素子密度は非常に大き
くなっている。この為例えば金属配線層の線幅は３ミク
ロン（μ）前後の設計となり、金属配線層の段部におけ
る段切れを防止するためにシリケート・ガラス、特に高
モル濃度のリン珪酸ガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓＳｉ
ｌｉｃａｔｅ Ｇｒａｓｓ ） （ＰＳＧ）膜が利用さ
れている。
一方、半導体集積回路装置は今日多方面に利用されると
共に高信頼性、高品質への要求は一段と厳しくなってい
る。
共に高信頼性、高品質への要求は一段と厳しくなってい
る。
半導体装置の多くの高信頼性試験のひとつとしてプレノ
ンヤークソカーテスト（以下ＰＣＴという）がある。こ
れは高圧力下における高温高湿環境下に半導体装置を置
き、かかる環境下における半導体装置の信頼性を調査す
るものである。
ンヤークソカーテスト（以下ＰＣＴという）がある。こ
れは高圧力下における高温高湿環境下に半導体装置を置
き、かかる環境下における半導体装置の信頼性を調査す
るものである。
従来半導体装置のＰＣＴを実施し、この結果を調査する
方法として、第１図に示すように、少くとも金属配線ま
で終了した複数の半導体素子チップ１を同一半導体基板
２に形成し、この半導体素子チップ１を切断分離して金
属基体３にマウントし、ボンディングワイヤ４を介して
半導体素子チップ１上の金属電極とリードフレームいと
にボンディングし、続いて有機化合物の樹脂６を半導体
素子チツブ１、ボンディングワイヤ４、金属基体６及び
リードフレームの一部を包みこみ、樹脂封止した後、リ
ードを切断して半導体装置を作る。該半導体装置より電
気的特性試験によって選定された良品サンプルＴをあら
かじめ純水Ｗを内にだくわえた金属ガマ７の中へ入れ、
密封した後１２５°Ｃの恒温槽中に金属ガマ７を長時間
保管する。この結果金属ガマ７の内空間は２３気圧で湿
度１００％温度を保つ。ＰＣＴ試験後該良品サンすルＴ
の電気的特性試験を行いＰＣＴによる信頼性確認を行う
。もし電気的特性試験にて不良となった場合は、通常半
導体装置の樹脂パッケージを溶解し、半導体素子チップ
の表面調査が行われる。
方法として、第１図に示すように、少くとも金属配線ま
で終了した複数の半導体素子チップ１を同一半導体基板
２に形成し、この半導体素子チップ１を切断分離して金
属基体３にマウントし、ボンディングワイヤ４を介して
半導体素子チップ１上の金属電極とリードフレームいと
にボンディングし、続いて有機化合物の樹脂６を半導体
素子チツブ１、ボンディングワイヤ４、金属基体６及び
リードフレームの一部を包みこみ、樹脂封止した後、リ
ードを切断して半導体装置を作る。該半導体装置より電
気的特性試験によって選定された良品サンプルＴをあら
かじめ純水Ｗを内にだくわえた金属ガマ７の中へ入れ、
密封した後１２５°Ｃの恒温槽中に金属ガマ７を長時間
保管する。この結果金属ガマ７の内空間は２３気圧で湿
度１００％温度を保つ。ＰＣＴ試験後該良品サンすルＴ
の電気的特性試験を行いＰＣＴによる信頼性確認を行う
。もし電気的特性試験にて不良となった場合は、通常半
導体装置の樹脂パッケージを溶解し、半導体素子チップ
の表面調査が行われる。
従来のＰＣＴ調査方法によると、例えば半導体素子チッ
プの設計、製造方法改善後のＰＣＴ信頼性向」二効果確
認を得るために、第１図に示す製造工程を進めると共に
前述の試験方法を行う必要があり、非常に長期間の日数
及び労力を要し、半導体装置の早期改良改善に対し大き
な障害となっていた。
プの設計、製造方法改善後のＰＣＴ信頼性向」二効果確
認を得るために、第１図に示す製造工程を進めると共に
前述の試験方法を行う必要があり、非常に長期間の日数
及び労力を要し、半導体装置の早期改良改善に対し大き
な障害となっていた。
一方、半導体基板２から半導体素子チップ１を切断分離
せず、半導体基板２自体のＰＣＴを行い、その影響を調
査する方法もあるが、半導体素子表面は第１図に示され
る樹脂封止されたものと異なるため、その調査結果が樹
脂封止された製品のＰＣＴ結果と異なるという欠点があ
る。
せず、半導体基板２自体のＰＣＴを行い、その影響を調
査する方法もあるが、半導体素子表面は第１図に示され
る樹脂封止されたものと異なるため、その調査結果が樹
脂封止された製品のＰＣＴ結果と異なるという欠点があ
る。
本発明は半導体基板自体のＰＴＣを行なう場合にかかる
欠点を除去し、短期間でしかも簡便なる方法にて樹脂封
止した製品のＰＣＴと同様な効果が得られる半導体装置
のＰＣＴ信頼性確認を提供するものである。、第２図に
本発明の一実施例を示す。少くとも金属配線層が形成さ
れた半導体素子チップ１が半導体基板２上に形成され、
該半導体基板２の表面には例えば樹脂パッケージと同質
の有機物の絶縁膜６、又はこれに類似するポリイミド等
を設置した後、切断分離や組立を行うことなしに、該半
導体基板２をあらかじめ純水Ｗを内にだくわえた金属ガ
マ７の中へ入れて密封し、ＰＣＴを実施する。ＰＣＴを
終了後膣半導体基板２を取り出し、該絶縁膜 ６ を除
去し、半導体チップの表面を露出しだ後電気的特性試験
及び外観調査を実施する。
欠点を除去し、短期間でしかも簡便なる方法にて樹脂封
止した製品のＰＣＴと同様な効果が得られる半導体装置
のＰＣＴ信頼性確認を提供するものである。、第２図に
本発明の一実施例を示す。少くとも金属配線層が形成さ
れた半導体素子チップ１が半導体基板２上に形成され、
該半導体基板２の表面には例えば樹脂パッケージと同質
の有機物の絶縁膜６、又はこれに類似するポリイミド等
を設置した後、切断分離や組立を行うことなしに、該半
導体基板２をあらかじめ純水Ｗを内にだくわえた金属ガ
マ７の中へ入れて密封し、ＰＣＴを実施する。ＰＣＴを
終了後膣半導体基板２を取り出し、該絶縁膜 ６ を除
去し、半導体チップの表面を露出しだ後電気的特性試験
及び外観調査を実施する。
本発明は以上のように一基板表面に直接有機物の絶縁膜
を施こしてＰＣＴを実施するため、本発明方法を従来法
と比較すると、明らかなとうり、本発明によれば、半導
体基板２の切断分離から組立迄の工程を削除でき、しか
も、半導体基板２に有機物の絶縁膜を設置するため、樹
脂パンケージからなる製品のＰＣＴの試験結果と同様な
結果を得ることができる効果を有するものである。
を施こしてＰＣＴを実施するため、本発明方法を従来法
と比較すると、明らかなとうり、本発明によれば、半導
体基板２の切断分離から組立迄の工程を削除でき、しか
も、半導体基板２に有機物の絶縁膜を設置するため、樹
脂パンケージからなる製品のＰＣＴの試験結果と同様な
結果を得ることができる効果を有するものである。
第１図は従来の半導体装置の信頼性試験方法の工程を示
す図、第２図は本発明の一実施例を示す工程図である。 １・・・半導体チップ ２・・・半導体基板６・
・・有機物の絶縁膜 特許出願人 日本電気株式会社 第２図
す図、第２図は本発明の一実施例を示す工程図である。 １・・・半導体チップ ２・・・半導体基板６・
・・有機物の絶縁膜 特許出願人 日本電気株式会社 第２図
Claims (1)
- （１）少くとも金属配線層が形成された複数の半導体素
子チップを同一半導体基板上に形成し、該半導体基板表
面に有機物の絶縁膜を設置した後、該半導体基板のプレ
ッシャークツカーテストを実施し、該テストの終了後絶
縁膜を除去し、半導体素子チップの電気的特性試験及び
外観調査を行うことを特徴とする半導体装置の信頼性試
験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007354A JPS58124972A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007354A JPS58124972A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124972A true JPS58124972A (ja) | 1983-07-25 |
Family
ID=11663616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007354A Pending JPS58124972A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124972A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6353625B1 (en) | 1998-02-16 | 2002-03-05 | Nec Corporation | Array type laser diode |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP57007354A patent/JPS58124972A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6353625B1 (en) | 1998-02-16 | 2002-03-05 | Nec Corporation | Array type laser diode |
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