JPS58124905A - パタ−ン測定方法 - Google Patents
パタ−ン測定方法Info
- Publication number
- JPS58124905A JPS58124905A JP815982A JP815982A JPS58124905A JP S58124905 A JPS58124905 A JP S58124905A JP 815982 A JP815982 A JP 815982A JP 815982 A JP815982 A JP 815982A JP S58124905 A JPS58124905 A JP S58124905A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pattern
- transmitted
- measured
- measurement
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターンの測定方法にかがシ、特に半導体装置
用のホトマスクの微細パターン寸法の測定方法に関する
。
用のホトマスクの微細パターン寸法の測定方法に関する
。
半導体装置特に集積回路は小型化側密度化が進むと共に
ウェーハは大型となってきている。従ってこれに使用す
るホトマスクのパターンの寸法精度の要求は塘すまずき
びしくなってきておシ、作成したホトマスクパターン精
度の測定が困難になってきている。
ウェーハは大型となってきている。従ってこれに使用す
るホトマスクのパターンの寸法精度の要求は塘すまずき
びしくなってきておシ、作成したホトマスクパターン精
度の測定が困難になってきている。
従来ホトマスク上のパターンの測定は第１図（ａ）に示
すように基準パターンを透過した光又はレーザー光を上
部よりパターン１を有するホトマスク基板２上にあてホ
トマスク２を透過した光をホトセンサーによシ感知する
。然るときは第１図ｔｂ＋に示すように透過照度曲線５
が得られる。なお図中３はホトマスクのないときの透過
照度で、６はホトセンサーに光が当らない時のレベルで
ある。
すように基準パターンを透過した光又はレーザー光を上
部よりパターン１を有するホトマスク基板２上にあてホ
トマスク２を透過した光をホトセンサーによシ感知する
。然るときは第１図ｔｂ＋に示すように透過照度曲線５
が得られる。なお図中３はホトマスクのないときの透過
照度で、６はホトセンサーに光が当らない時のレベルで
ある。
透過照度曲線５よりわかるとおシ、透過光は回折現象に
よシ透過光の信号の立ち上り立ち下Ｑは傾斜を持ってい
る。従って測定にあたってはスライスレベル４でトリガ
パルス７を発生させ、そのトリガパルスの間隔よりパタ
ーン寸法＋ ｍ＋＋定していた。（第１図（Ｃ１参照）
しかしながらホトマスクパターン幅が第２図（ａｌのよ
うに極めて小さくなると透過照度曲線はダのように急峻
となる。これをスライスレベル４′で切るとトリガパル
スτハ第２図（Ｃ１のように２つの山が重なシ正確な測
定が困難になる。々お第２図（ａ）（ｂＨｃ）に示す他
の符号は第１図（ａｌ（ｂＨｃｌに対応させて付されて
いる。
よシ透過光の信号の立ち上り立ち下Ｑは傾斜を持ってい
る。従って測定にあたってはスライスレベル４でトリガ
パルス７を発生させ、そのトリガパルスの間隔よりパタ
ーン寸法＋ ｍ＋＋定していた。（第１図（Ｃ１参照）
しかしながらホトマスクパターン幅が第２図（ａｌのよ
うに極めて小さくなると透過照度曲線はダのように急峻
となる。これをスライスレベル４′で切るとトリガパル
スτハ第２図（Ｃ１のように２つの山が重なシ正確な測
定が困難になる。々お第２図（ａ）（ｂＨｃ）に示す他
の符号は第１図（ａｌ（ｂＨｃｌに対応させて付されて
いる。
またこの方法によるときはスライスレベルの変動により
測定値が変って来るという問題点も含んでいる。
測定値が変って来るという問題点も含んでいる。
捷た従来の他の測定方法としては第３図に示すように平
行光線とした光１０を反射鏡１２で集光レンズ１３に導
き、こ＼でスポットとし、この光をマスクパターン１４
にあてる方法がある。
行光線とした光１０を反射鏡１２で集光レンズ１３に導
き、こ＼でスポットとし、この光をマスクパターン１４
にあてる方法がある。
すなわちマスクパターンの平面においては光は直上に反
射し散乱しない。従ってパターンの側面上方に設けられ
た受光素子１６および１７は受光しない。ところがマス
クパターンを基台１５と共に右方向に移動式せてビーム
がパターンエッチＰ。
射し散乱しない。従ってパターンの側面上方に設けられ
た受光素子１６および１７は受光しない。ところがマス
クパターンを基台１５と共に右方向に移動式せてビーム
がパターンエッチＰ。
にあたると光は図示のように散乱し受光素子１６にあた
り受光素子の端子Ｂより受光信号を出しＰｌのエッヂが
確認できる。その後マスクを右方向に移動させ、Ｐ２の
位置がビーム下に来ると再ひビームは散乱し受光素子１
７にあたりその受光素子の端子Ａより受光信号が出てｈ
が確認でき、この間の移動距離よシバターン幅が測定で
きる。
り受光素子の端子Ｂより受光信号を出しＰｌのエッヂが
確認できる。その後マスクを右方向に移動させ、Ｐ２の
位置がビーム下に来ると再ひビームは散乱し受光素子１
７にあたりその受光素子の端子Ａより受光信号が出てｈ
が確認でき、この間の移動距離よシバターン幅が測定で
きる。
しかしながらパターンが微細、例えは１μｍ以下になる
と第３図に示すパターンエッチＰＩとパターンエッヂ１
１の散乱光が負なシ合って検出が困難になるという問題
が発生する。
と第３図に示すパターンエッチＰＩとパターンエッヂ１
１の散乱光が負なシ合って検出が困難になるという問題
が発生する。
従って本発明（弓、以上の問題点に対処してなされたも
ので微細パターンを正確に測定する方法を提供するにあ
る。
ので微細パターンを正確に測定する方法を提供するにあ
る。
すなわち本発明の要旨は、ホトマスクのパターン寸法測
定において、基準パターンを透過した光を前記ホトマス
クの被測定パターン部分と、遮光材が存在しない部分と
、遮光材が存在する部分にそれぞれ当て、それぞれのｂ
分の透過光蓋よシバターン寸法を測定することを％徴と
するパターン測定方法にある。
定において、基準パターンを透過した光を前記ホトマス
クの被測定パターン部分と、遮光材が存在しない部分と
、遮光材が存在する部分にそれぞれ当て、それぞれのｂ
分の透過光蓋よシバターン寸法を測定することを％徴と
するパターン測定方法にある。
以下図面全参照し本発明の粁細につき説明する。
第４図（ａｔ（ｂ）は本発明の一実施例によるパターン
測定方法の説明図である。図において８は光源で、例え
ばキセノンランプが使用できる。光はレンズ９により平
行光線１０に変換され、基準パターンプレート１９に設
けられた基準パターン１８を透過させる。この透過した
光２０を＠接ホトセンサー２３にあてるとホトマスクが
ないときの基準光針が得られる。次にホトマスク２１を
基準パターンプレート１９とホトセンサー２３の間に位
置させ、そのマスクの遮光材のない部分、すなわち明部
りを基準パターン１８の下に移動させ、それを透過した
光量を同じくホトセンサー２３により測定する。この光
量はホトマスク基板で吸収された分だけ少ない光量とな
る。次に再びホトマスク２１を移動させ遮光材の付着し
ている部分、すなわち暗部りに基準パターン１８を透過
した光２０をあて、その透過光量をホトセンサー２３で
測定する。
測定方法の説明図である。図において８は光源で、例え
ばキセノンランプが使用できる。光はレンズ９により平
行光線１０に変換され、基準パターンプレート１９に設
けられた基準パターン１８を透過させる。この透過した
光２０を＠接ホトセンサー２３にあてるとホトマスクが
ないときの基準光針が得られる。次にホトマスク２１を
基準パターンプレート１９とホトセンサー２３の間に位
置させ、そのマスクの遮光材のない部分、すなわち明部
りを基準パターン１８の下に移動させ、それを透過した
光量を同じくホトセンサー２３により測定する。この光
量はホトマスク基板で吸収された分だけ少ない光量とな
る。次に再びホトマスク２１を移動させ遮光材の付着し
ている部分、すなわち暗部りに基準パターン１８を透過
した光２０をあて、その透過光量をホトセンサー２３で
測定する。
すなわち光の照射のないときのレベルから僅かであるが
あがった迦光材のめるときの透過光量が得られる。
あがった迦光材のめるときの透過光量が得られる。
５−
次にホトマスク２１を移動させ測定パターンＭ。
Ｍ、 Ｍ、 Ｍ４を基準パターン１８の下におき基準パ
ターンを通った光２０を測定パターンを通過させ、その
光２２の光量をホトセンサー２３で測定する。
ターンを通った光２０を測定パターンを通過させ、その
光２２の光量をホトセンサー２３で測定する。
第５図は本発明の信号レベル図である。図において光の
全くないときのレベルを２９とし、基準パターンを通過
した光がそのままホトセンサーにあたった、すなわちホ
トマスクのないときのレベルを２５とし、また遮光材の
ない透明なホトマスク部、すなわち明部を通過した光の
レベルを２６とし、また基準パターンを透過した光がホ
トマスクの遮光材のある部分、すなわち暗部を透過した
元のレベルを２８とすると、３０はフォトマスク基板明
部の吸収光量となシ、３１は基準マスクを透過した光２
０が遮光材のないホトマスクの明部を通過した光量とな
る。また３５は辿九拐があるときの透過光量である。ま
た３３はフォトマスクの測定パターンを透過した光量と
なる。
全くないときのレベルを２９とし、基準パターンを通過
した光がそのままホトセンサーにあたった、すなわちホ
トマスクのないときのレベルを２５とし、また遮光材の
ない透明なホトマスク部、すなわち明部を通過した光の
レベルを２６とし、また基準パターンを透過した光がホ
トマスクの遮光材のある部分、すなわち暗部を透過した
元のレベルを２８とすると、３０はフォトマスク基板明
部の吸収光量となシ、３１は基準マスクを透過した光２
０が遮光材のないホトマスクの明部を通過した光量とな
る。また３５は辿九拐があるときの透過光量である。ま
た３３はフォトマスクの測定パターンを透過した光量と
なる。
このような数値が得られるときはパターン寸法の明確で
ある基準パターンを透過しホトマスクの−６＝ 明部を透過した光量と、基準パターンを透過し、ホトマ
スクの測定パターン部を透過した光量から暗部に相当す
るレベルの光景を差し引いた３２と３４を比較演ηする
ことにより測定パターン幅を測定することができる。
ある基準パターンを透過しホトマスクの−６＝ 明部を透過した光量と、基準パターンを透過し、ホトマ
スクの測定パターン部を透過した光量から暗部に相当す
るレベルの光景を差し引いた３２と３４を比較演ηする
ことにより測定パターン幅を測定することができる。
次に測定の詳細につき説明する。壕ず基準パターンによ
り測定ホトマスクの暗部透過量と明部透過光量を測定し
、明部測定値より暗部測定値を引いた値を基準信号とす
る。第５図の３２がこれに相当する。次に測定しようと
するパターンが第４図（ａｌ（ｂ）に示すようにｆＶｌ
、 Ｍ、 Ｍ、 Ｍ。の矩形の明部パターンとし、測定
はＭ、 Ｉνｊ４とへ４１Ｍ３ の間隔を測定するも
のとする。街１１定に先立ち基準パターン寸法は正確に
測定しておく、すなわちホトマスクの基準パターンの投
影パターンＳ＋ Ｓｔ Ｓｓ Ｓ４の寸法は公知である
。測定にあたシ基準パターンの高さ８１ Ｆ）４は測定
しようとするパターンの高さＩ病Ｎ４よシ小さいものと
する。また基準パターンの幅Ｓ。
り測定ホトマスクの暗部透過量と明部透過光量を測定し
、明部測定値より暗部測定値を引いた値を基準信号とす
る。第５図の３２がこれに相当する。次に測定しようと
するパターンが第４図（ａｌ（ｂ）に示すようにｆＶｌ
、 Ｍ、 Ｍ、 Ｍ。の矩形の明部パターンとし、測定
はＭ、 Ｉνｊ４とへ４１Ｍ３ の間隔を測定するも
のとする。街１１定に先立ち基準パターン寸法は正確に
測定しておく、すなわちホトマスクの基準パターンの投
影パターンＳ＋ Ｓｔ Ｓｓ Ｓ４の寸法は公知である
。測定にあたシ基準パターンの高さ８１ Ｆ）４は測定
しようとするパターンの高さＩ病Ｎ４よシ小さいものと
する。また基準パターンの幅Ｓ。
Ｓ２は測定しようとするパターン幅Ｍ、 Ｍ６より２〜
５倍の大きさにしておくのがよい。また基準パターンと
測定パターンは直交させる。
５倍の大きさにしておくのがよい。また基準パターンと
測定パターンは直交させる。
このようにするときは測定パターンの測定部分は基準パ
ターン透過部分ｓ、 ｓ２ｓ、 ｓ、と重なる部分ｈｌ
、 Ｍ、 Ｍ７Ｍ、である。このパターンの高さＭ。
ターン透過部分ｓ、 ｓ２ｓ、 ｓ、と重なる部分ｈｌ
、 Ｍ、 Ｍ７Ｍ、である。このパターンの高さＭ。
Ｍ８は基準パターンのＳ、 Ｓ、 と同じであるので
基準パターンと測定パターンの寸法比兜は８１Ｓ２とＭ
、 Ｍ、の比率となる。従ってさきに測定した基準信号
３２に対し上記関係位置にある測定パターンの叱責を第
５図の３３とすれば、この光景よシ暗部測定値３５を引
いた値は測定信号となる。この２つの信号の比較よりＭ
、 Ｍ４とＭ２Ｍ３の間隔が測定できる。なお逆に第３
図の測定パターンＭ、 Ｍ２Ｍ、 Ｍ、が暗部パターン
であるとき、そのパターン幅を求める場合は上記測定結
果は明部の割合であるから演算結果を１よシ引いた値が
暗部パターンの占める割合となる。
基準パターンと測定パターンの寸法比兜は８１Ｓ２とＭ
、 Ｍ、の比率となる。従ってさきに測定した基準信号
３２に対し上記関係位置にある測定パターンの叱責を第
５図の３３とすれば、この光景よシ暗部測定値３５を引
いた値は測定信号となる。この２つの信号の比較よりＭ
、 Ｍ４とＭ２Ｍ３の間隔が測定できる。なお逆に第３
図の測定パターンＭ、 Ｍ２Ｍ、 Ｍ、が暗部パターン
であるとき、そのパターン幅を求める場合は上記測定結
果は明部の割合であるから演算結果を１よシ引いた値が
暗部パターンの占める割合となる。
値化部、３７は暗部測定値数値化部、３８は被測定値数
値化部、３９は基準匍゛号演算（ロ）路部、４０は被測
定信号演算回路、４１は測定値演算回路部、４２は表示
装置である。
値化部、３９は基準匍゛号演算（ロ）路部、４０は被測
定信号演算回路、４１は測定値演算回路部、４２は表示
装置である。
すなわち明部測定直よび暗部測定品それぞれ３６および
３７の測定値数値化部で数値化されたあと基準信号演算
回路に入り基準信号化される。
３７の測定値数値化部で数値化されたあと基準信号演算
回路に入り基準信号化される。
され、さきに測定された暗部測定ヒ瞥共に入力し、演算
し、測定信号として測定値演算回路４１に送出する。ま
たさきに演算された基準信号も同様に測定値演算回路に
送られる。この２つの信号はこ＼で演算処理されその結
果は測定値として表示装置４２に表示される。なお本測
定において基準パターン幅を被測定パターン幅の２〜５
倍にしたのは被測鉦パターン幅の占める割合が小さくな
ると測定誤差が大きくなジ、またあまシ接近すると位置
合せが大変である。しかし精度をあげたいときは基準パ
ターン寸法と測定しようとするパターン寸法を近づける
ことによシ達成できる。
し、測定信号として測定値演算回路４１に送出する。ま
たさきに演算された基準信号も同様に測定値演算回路に
送られる。この２つの信号はこ＼で演算処理されその結
果は測定値として表示装置４２に表示される。なお本測
定において基準パターン幅を被測定パターン幅の２〜５
倍にしたのは被測鉦パターン幅の占める割合が小さくな
ると測定誤差が大きくなジ、またあまシ接近すると位置
合せが大変である。しかし精度をあげたいときは基準パ
ターン寸法と測定しようとするパターン寸法を近づける
ことによシ達成できる。
すなわち本−実施例によれば透過光量により寸＝９−
法測定するのでトリガ発生は不要であり、従ってスライ
スレベルによる誤差は発生しない。壕だ基準パターンの
透過光量に対し測定しようとするパターンの透過光量の
比率によシ測定するため回折現象による影響も受けない
。また１μｍ以下の微細パターンでも測定できる特徴が
ある。それに加え測定は透過光量であるから測定中の光
源さえ一定にしておけばよく光源の糧類に左右されない
という特徴もある。
スレベルによる誤差は発生しない。壕だ基準パターンの
透過光量に対し測定しようとするパターンの透過光量の
比率によシ測定するため回折現象による影響も受けない
。また１μｍ以下の微細パターンでも測定できる特徴が
ある。それに加え測定は透過光量であるから測定中の光
源さえ一定にしておけばよく光源の糧類に左右されない
という特徴もある。
以上説明したように本発明方法によれば微細パターンを
測定粂件の影響に左右されることなく正確に測定するこ
とができる。
測定粂件の影響に左右されることなく正確に測定するこ
とができる。
第１図（ａｌ（ｂ）（Ｃ１〜第３図は従来のパターンの
測定方法を示す説明図、第４図（ａｌは本発明の一実施
例の詩明図、第４図（ｂＪは第４図（ａｌの測定パター
ン部の拡大図、第５図は本発明の一実施例の信号レベル
図、第６図は本発明の一実施例による測定結果の演算を
示すブロック図。 １０− １．１′・・・・・・遮光材、２．２′・・・・・・ホ
トマスク基板、３．３′・・・・・・ホトマスクのない
ときの透過照度、４．４′・・・・・・スライスレベル
、５．５’・・・・・・透過照度信号、６．６′・・・
・・・ホトセンサーに光が当らない時の透過照度、７．
７′・・・・・・トリガパルス信号、８・・・・・・光
源、９・・・・・・レンズ、１０・・・・・・レンズを
透過した平行光、１２・・・・・・反射鏡、１３・・・
・・・集光レンズ、１４・・・・・・マスクパターン、
１５・旧・・基台、１６．１７・・・・・・受光素子、
１８・・・・・・基準パターン、１９・・・・・・基準
パターンプレート、２０・・・・・・基準パターンを透
過した光、２１・・・・・・ホトマスク、２２・・・・
・・ホトマスクを透過した光、２３・・印・ホトセンサ
ー、２５・・・・・・ホトマスクのないときの透過ｌｉ
ｔレベル、２６・・・・・・遮光材のないときの透過光
量レベル、２７・・・・・・測定パターンの透過光量レ
ベル、２８・・・・・・遮光材のあるときの透過光量レ
ベル、２９・・・・・・光の照射のないときのレベル、
３ｏ・・・・・・ホトマスク基板の吸収光量、３１・・
・・・・遮光材のないホトマスクの透過光量、３２・・
・・・・基準信号、３３・・・・・・測定パターンの透
過光量、３４・・・・・・被測定信号、３５・・・・・
・遮光材のあるホトマスクの透過光量、３６・・・・・
・明部測定価数値化部、３７・・・・・・暗部測定値数
値化部、３８・・・・・・被測定パターン測定値数値化
部、３９・・・・・・基準信号演算回路部、４ｏ・・・
・・・被測定信号演算回路部、４１・・・・・・測定値
演算回路部、４２・・川・表（Ｃ）７ 第 １ 図 第２図 始３図 （ａ、） 第５図
測定方法を示す説明図、第４図（ａｌは本発明の一実施
例の詩明図、第４図（ｂＪは第４図（ａｌの測定パター
ン部の拡大図、第５図は本発明の一実施例の信号レベル
図、第６図は本発明の一実施例による測定結果の演算を
示すブロック図。 １０− １．１′・・・・・・遮光材、２．２′・・・・・・ホ
トマスク基板、３．３′・・・・・・ホトマスクのない
ときの透過照度、４．４′・・・・・・スライスレベル
、５．５’・・・・・・透過照度信号、６．６′・・・
・・・ホトセンサーに光が当らない時の透過照度、７．
７′・・・・・・トリガパルス信号、８・・・・・・光
源、９・・・・・・レンズ、１０・・・・・・レンズを
透過した平行光、１２・・・・・・反射鏡、１３・・・
・・・集光レンズ、１４・・・・・・マスクパターン、
１５・旧・・基台、１６．１７・・・・・・受光素子、
１８・・・・・・基準パターン、１９・・・・・・基準
パターンプレート、２０・・・・・・基準パターンを透
過した光、２１・・・・・・ホトマスク、２２・・・・
・・ホトマスクを透過した光、２３・・印・ホトセンサ
ー、２５・・・・・・ホトマスクのないときの透過ｌｉ
ｔレベル、２６・・・・・・遮光材のないときの透過光
量レベル、２７・・・・・・測定パターンの透過光量レ
ベル、２８・・・・・・遮光材のあるときの透過光量レ
ベル、２９・・・・・・光の照射のないときのレベル、
３ｏ・・・・・・ホトマスク基板の吸収光量、３１・・
・・・・遮光材のないホトマスクの透過光量、３２・・
・・・・基準信号、３３・・・・・・測定パターンの透
過光量、３４・・・・・・被測定信号、３５・・・・・
・遮光材のあるホトマスクの透過光量、３６・・・・・
・明部測定価数値化部、３７・・・・・・暗部測定値数
値化部、３８・・・・・・被測定パターン測定値数値化
部、３９・・・・・・基準信号演算回路部、４ｏ・・・
・・・被測定信号演算回路部、４１・・・・・・測定値
演算回路部、４２・・川・表（Ｃ）７ 第 １ 図 第２図 始３図 （ａ、） 第５図
Claims (2)
- （１） ホトマスクのパターン寸法測定において、基
準パターンを透過した光を前記ホトマスクの被測定パタ
ーン部分と、連光材が存在しない部分と、連光材が存在
する部分にそれぞれ当て、それぞれの部分の透過光量よ
シバターン寸法を測定することを特徴とするパターン測
定方法。 - （２） 基準パターン寸法を被測定パターン寸法よシ
長さは短かく幅は大きくしたことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載のパターン測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP815982A JPS58124905A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | パタ−ン測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP815982A JPS58124905A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | パタ−ン測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124905A true JPS58124905A (ja) | 1983-07-25 |
Family
ID=11685547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP815982A Pending JPS58124905A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | パタ−ン測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1696271A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithography measurements using scatterometry |
-
1982
- 1982-01-21 JP JP815982A patent/JPS58124905A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1696271A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithography measurements using scatterometry |
| US7443486B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for predicting a critical dimension of a feature imaged by a lithographic apparatus |
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