JPS58124744A - 新規ネマチツク液晶化合物 - Google Patents
新規ネマチツク液晶化合物Info
- Publication number
- JPS58124744A JPS58124744A JP818182A JP818182A JPS58124744A JP S58124744 A JPS58124744 A JP S58124744A JP 818182 A JP818182 A JP 818182A JP 818182 A JP818182 A JP 818182A JP S58124744 A JPS58124744 A JP S58124744A
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- JP
- Japan
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- compound
- liquid crystal
- equatorial
- formula
- compound shown
- Prior art date
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- Granted
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気光学的表示材料として有用なシクロヘキサ
ンカルボン酸誘導体の新規ネｉチック液晶化合物に関す
る。
ンカルボン酸誘導体の新規ネｉチック液晶化合物に関す
る。
本発明によって提供される新規ネマチック液晶化合４ｔ
ｌで表わされる４−（トランス（エカトリアル−エカト
リアル）−４−アルキルシクロへキシルメトキシ）フェ
ニルトランス（エカトリアル−エカトリアル） ａ／
−アルキルシフ四ヘキサ／カルボキンレートである。
ｌで表わされる４−（トランス（エカトリアル−エカト
リアル）−４−アルキルシクロへキシルメトキシ）フェ
ニルトランス（エカトリアル−エカトリアル） ａ／
−アルキルシフ四ヘキサ／カルボキンレートである。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット（Ｍｌ
＠５ｅｈａｄｔ ）等（ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＫＹＢＩＣ
８ＬＥＴＴＩＲ８１８１２７〜１２８（１９７１））に
よって提案された電界効果Ｗセル（フィールド・エフェ
クトΦモード・セル）又はジー・エイチ・バイルマイヤ
ー（Ｇ−ＨＨ・ｌｂｎ＊ｌ＊ｒ）等（ＰＲＯＣＩＪＤＩ
ＮＧ ＯＦ Ｔ北ＩＪ、Ｅ、に、５６ １１６２〜１１
７１（１９６８））によって提案された動的光散型セル
（ダイミック・スキャツタリング・モード・セル）又は
ジー・エイチ・バイルマイヤー（Ｇ・Ｈ）Ｉｅｉ１ｍｅ
ｌ＠ｒ）等［ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣ８ＬｇＴＴ
ＥＲ８１５、９１（１９６８）］あるいはディー・エル
・ホワイ） （Ｄ Ｌ Ｗｈｉｔ・）等［ＪＯＵＲＮ
ＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹ８ＩＣ８４５，４
７１８（１９７４）］によって提案されたゲスト・ホス
ト型セルなどかある。
＠５ｅｈａｄｔ ）等（ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＫＹＢＩＣ
８ＬＥＴＴＩＲ８１８１２７〜１２８（１９７１））に
よって提案された電界効果Ｗセル（フィールド・エフェ
クトΦモード・セル）又はジー・エイチ・バイルマイヤ
ー（Ｇ−ＨＨ・ｌｂｎ＊ｌ＊ｒ）等（ＰＲＯＣＩＪＤＩ
ＮＧ ＯＦ Ｔ北ＩＪ、Ｅ、に、５６ １１６２〜１１
７１（１９６８））によって提案された動的光散型セル
（ダイミック・スキャツタリング・モード・セル）又は
ジー・エイチ・バイルマイヤー（Ｇ・Ｈ）Ｉｅｉ１ｍｅ
ｌ＠ｒ）等［ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣ８ＬｇＴＴ
ＥＲ８１５、９１（１９６８）］あるいはディー・エル
・ホワイ） （Ｄ Ｌ Ｗｈｉｔ・）等［ＪＯＵＲＮ
ＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹ８ＩＣ８４５，４
７１８（１９７４）］によって提案されたゲスト・ホス
ト型セルなどかある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、 室温を含む広い温度範囲でネマチック相を有することは
各種表示セルに共通して要求されている歇要な特性であ
る。
特性が要求されるが、 室温を含む広い温度範囲でネマチック相を有することは
各種表示セルに共通して要求されている歇要な特性であ
る。
このような特性を有する実用可能な材料の多くは、通常
、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温より高
い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る数種
又はそれ以上の成分を混合すること罠よって調製される
。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多くは
、少なくとも一３０℃〜＋６５℃の全温度範囲に亙って
ネマチック相を有することが要求されている。かかる要
求を湾すために、室温より高い温度領域にネマチック相
を有する化合物とし−ｃ、ａ 、 ａ’−を換ターフェ
ニル、４ 、４’−置換ビフェニルシクロヘキサン、４
，４′−置換ベンゾイルオキシ安息香酸フェニルエステ
ルの如き、約１００℃の結晶相−ネマチック相転移温度
（Ｃ−Ｎ点）を有すると共に約２００℃のネマチック相
−等方性液体相転移温度（Ｎ−Ｉ点）を有する化合物が
使用される場合が多い。しかしながら、これらの化合物
は、混合液晶のＮ−Ｉ点を６５℃又はそれ以上の温度と
するのに充分な量を混合した場合、得られる混合液晶の
粘度を上昇せしめ、このことによって応答速度を低下せ
しめる好ましからざる性質を有している。
、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温より高
い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る数種
又はそれ以上の成分を混合すること罠よって調製される
。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多くは
、少なくとも一３０℃〜＋６５℃の全温度範囲に亙って
ネマチック相を有することが要求されている。かかる要
求を湾すために、室温より高い温度領域にネマチック相
を有する化合物とし−ｃ、ａ 、 ａ’−を換ターフェ
ニル、４ 、４’−置換ビフェニルシクロヘキサン、４
，４′−置換ベンゾイルオキシ安息香酸フェニルエステ
ルの如き、約１００℃の結晶相−ネマチック相転移温度
（Ｃ−Ｎ点）を有すると共に約２００℃のネマチック相
−等方性液体相転移温度（Ｎ−Ｉ点）を有する化合物が
使用される場合が多い。しかしながら、これらの化合物
は、混合液晶のＮ−Ｉ点を６５℃又はそれ以上の温度と
するのに充分な量を混合した場合、得られる混合液晶の
粘度を上昇せしめ、このことによって応答速度を低下せ
しめる好ましからざる性質を有している。
本発明に係る式（Ｉ）の化合物は、この性質が改良され
た新規な化合物である。即ち、式（［）の化合物は、他
の１種又は２種以上のネマチック液晶化合物と混合する
ことによって６５℃以上のＮ−Ｉ点を有する実用可能な
混合液晶をｖ！４製する際、繭記公知の液晶化合物に比
べて混合液晶の粘度上昇を遥“かに小幅に抑えることが
できる。更Ｋ、式（１）の化合物は、本出願人が特開昭
５４−８３Ｓ９４号公報の中で時分割駆動特性の優れた
ネマチック液晶材料として報告した４、４′−置換シク
ロヘキシルカルボン酸フェニルエステルと極めて良好な
相溶性を有するから、これらの化合物と混合することに
よって更に優れた混合液晶を得ることができる。
た新規な化合物である。即ち、式（［）の化合物は、他
の１種又は２種以上のネマチック液晶化合物と混合する
ことによって６５℃以上のＮ−Ｉ点を有する実用可能な
混合液晶をｖ！４製する際、繭記公知の液晶化合物に比
べて混合液晶の粘度上昇を遥“かに小幅に抑えることが
できる。更Ｋ、式（１）の化合物は、本出願人が特開昭
５４−８３Ｓ９４号公報の中で時分割駆動特性の優れた
ネマチック液晶材料として報告した４、４′−置換シク
ロヘキシルカルボン酸フェニルエステルと極めて良好な
相溶性を有するから、これらの化合物と混合することに
よって更に優れた混合液晶を得ることができる。
本発明に係る式（１）の化合物は次の製造方法に従って
製造することができる。
製造することができる。
〈呼ＣＨ，Ｂｒ （ＩＴ）ＨＯ（今ＯＣＨ
，子シＲ’ （ｍ ）第１段階一式００の化合
物とノ・イドロキノンとをエタノール中で水酸化カリウ
ムある（４水酸化す） ＩＪウムの如赦アルカリの存在
下で反応させて式（■１）の化合物な製造する。
，子シＲ’ （ｍ ）第１段階一式００の化合
物とノ・イドロキノンとをエタノール中で水酸化カリウ
ムある（４水酸化す） ＩＪウムの如赦アルカリの存在
下で反応させて式（■１）の化合物な製造する。
第２段階−一第１段階で製造された式（［ｌＴ）の化合
物に、エーテル、ベンゼン、トルエンの如き不活性有機
溶媒中で、′ ピリジンの如き塩基性化合物を触媒と
して式（ＩＶ）の化合物を反応させ本発明に係る式（Ｄ
の化合物を製造する。
物に、エーテル、ベンゼン、トルエンの如き不活性有機
溶媒中で、′ ピリジンの如き塩基性化合物を触媒と
して式（ＩＶ）の化合物を反応させ本発明に係る式（Ｄ
の化合物を製造する。
斯くして製造された式（【）の化合物の転移温度を第１
表に揚げる、 第１表 １ ｎ−Ｃ，）ｌｙ−ｆｌ Ｃ１Ｈ？−１１５（Ｃ→
Ｎ） １６９（Ｎ：１ ）２ ｎ Ｃ５）（＋、−
ｎ Ｃ＠Ｆｂ−１０２（Ｃ→Ｎ） １６９（Ｎ２２）
５ ｎ Ｃｓ Ｈｙ −Ｃｔ Ｈｓ −９７（Ｃ→Ｎ
） １４６ （Ｎ ＪＩ）４ ｎ−Ｃ３Ｈ１，−
ＣｔＨ＠−８５（Ｃ→Ｎ） １４５（Ｎ、ＪＩ）表中
、Ｃは結晶相、Ｎはネマチック相、■は等方性液体相を
夫々表わす。
表に揚げる、 第１表 １ ｎ−Ｃ，）ｌｙ−ｆｌ Ｃ１Ｈ？−１１５（Ｃ→
Ｎ） １６９（Ｎ：１ ）２ ｎ Ｃ５）（＋、−
ｎ Ｃ＠Ｆｂ−１０２（Ｃ→Ｎ） １６９（Ｎ２２）
５ ｎ Ｃｓ Ｈｙ −Ｃｔ Ｈｓ −９７（Ｃ→Ｎ
） １４６ （Ｎ ＪＩ）４ ｎ−Ｃ３Ｈ１，−
ＣｔＨ＠−８５（Ｃ→Ｎ） １４５（Ｎ、ＪＩ）表中
、Ｃは結晶相、Ｎはネマチック相、■は等方性液体相を
夫々表わす。
本発明に係る式（Ｈの化合物は弱い負の誘電率異方性を
有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば、負
又は弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶
化合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料
として使用することができ、また強い正の誘電率異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
電界効果型表示セルの材料として使用することができる
。
有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば、負
又は弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶
化合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料
として使用することができ、また強い正の誘電率異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
電界効果型表示セルの材料として使用することができる
。
このように、式（Ｄの化合物と混合して使用することの
できる好ましい代表例としては、例えば４，４′−置換
安息香酸フェニルエステル、ｄ、４’−［換シクロヘキ
サンカルボン酸フェニルエステル、４ 、４’−Ｒ換シ
クロヘキサンカルボン酸ピフェニルエステル、４（４−
［換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４′−
置換フェニルエステル４ （４−ｆｉｌｅシクロヘキシ
ル）安息香酸４′−置換フェニルエステル、４（４−置
換シクロヘキシル）安息香ｒｌＩ４７〜置換シクロヘキ
シルエステル、４．４’−ビフェニル、４．４−フェニ
ルシクロヘキサ／、４ ＊ ４’ ｆ換タフ エニル
。
できる好ましい代表例としては、例えば４，４′−置換
安息香酸フェニルエステル、ｄ、４’−［換シクロヘキ
サンカルボン酸フェニルエステル、４ 、４’−Ｒ換シ
クロヘキサンカルボン酸ピフェニルエステル、４（４−
［換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４′−
置換フェニルエステル４ （４−ｆｉｌｅシクロヘキシ
ル）安息香酸４′−置換フェニルエステル、４（４−置
換シクロヘキシル）安息香ｒｌＩ４７〜置換シクロヘキ
シルエステル、４．４’−ビフェニル、４．４−フェニ
ルシクロヘキサ／、４ ＊ ４’ ｆ換タフ エニル
。
４、Ａ′−ビフェニルシクロヘキサン、２ （４’−Ｎ
ｉ換フェニル）５−１ｆｌｔ換ピリミジンなどを挙げる
ことができる。
ｉ換フェニル）５−１ｆｌｔ換ピリミジンなどを挙げる
ことができる。
第２表は時分割駆動％性の優れたネマチック液晶材料と
して現在汎用されている母体液晶（Ａ）の８０重景％と
第１表に示した式（［）の化合物層１、肩’ｌ、ｙｆ６
５．Ａ４の各々の２０１量％とから成る各混合液晶につ
いて測定されたＮ−１点と粘度を掲示し、比較のために
母体液晶（Ａ、）自体につ（・て測定されたＮ−Ｉ点と
粘度を掲示したものである。尚、母体液晶（紬耘 １５モル％のｎ Ｃ３Ｈ？に可ΣｃｏｏＫ司ΣＱＣ，
Ｍｌ及び １５モル％のｎ −Ｃ晶−＜；１テに〉←−ｃ ００
立ＯＣｓ ）％から成るものである。
して現在汎用されている母体液晶（Ａ）の８０重景％と
第１表に示した式（［）の化合物層１、肩’ｌ、ｙｆ６
５．Ａ４の各々の２０１量％とから成る各混合液晶につ
いて測定されたＮ−１点と粘度を掲示し、比較のために
母体液晶（Ａ、）自体につ（・て測定されたＮ−Ｉ点と
粘度を掲示したものである。尚、母体液晶（紬耘 １５モル％のｎ Ｃ３Ｈ？に可ΣｃｏｏＫ司ΣＱＣ，
Ｍｌ及び １５モル％のｎ −Ｃ晶−＜；１テに〉←−ｃ ００
立ＯＣｓ ）％から成るものである。
第 ２ 表
（℃） （センチポイズ／２０℃）
（Ａ） ４２．５ ２１
２（Ａ）＋（４１） ６７．５ ２５
．４（Ａ）＋ （７％２） ６７．５
２５．６（Ａ）＋ （馬り） ６５，０
２５．３（Ａ） ＋ （Ａ４） ６２．
８ ２５．６第２表に掲示したデータから、式
（［）のイし合物＆家、混合液晶の粘度を大幅上昇せし
めることなく、混合液晶のＮ−Ｉ点を実用上充分なまで
に上昇せしめ得ることカー理解できるであろう。約２５
センチボイズ／２０℃なる粘度値台家、現在の平均的実
用水準にある６５℃以上のＮ−Ｉ点をもつ各種の混合液
晶の粘度値を比較してかなり低い値である。このように
低い粘度の混合液晶が得られるところに式（Ｄの化合物
の実用上の高い価値がある。
２（Ａ）＋（４１） ６７．５ ２５
．４（Ａ）＋ （７％２） ６７．５
２５．６（Ａ）＋ （馬り） ６５，０
２５．３（Ａ） ＋ （Ａ４） ６２．
８ ２５．６第２表に掲示したデータから、式
（［）のイし合物＆家、混合液晶の粘度を大幅上昇せし
めることなく、混合液晶のＮ−Ｉ点を実用上充分なまで
に上昇せしめ得ることカー理解できるであろう。約２５
センチボイズ／２０℃なる粘度値台家、現在の平均的実
用水準にある６５℃以上のＮ−Ｉ点をもつ各種の混合液
晶の粘度値を比較してかなり低い値である。このように
低い粘度の混合液晶が得られるところに式（Ｄの化合物
の実用上の高い価値がある。
本発明の効果は、下記の比較実験によっても明らかにさ
れる。化学構造が本発明に係る式（Ｈの化合物に類似し
ており、且つ混合液晶のＮ−Ｉ点を高める目的で広く使
用されている式 の公知化合物を前記の母体液晶（Ａ）に種々の割合で混
合した。
れる。化学構造が本発明に係る式（Ｈの化合物に類似し
ており、且つ混合液晶のＮ−Ｉ点を高める目的で広く使
用されている式 の公知化合物を前記の母体液晶（Ａ）に種々の割合で混
合した。
同様に本発明に係る化合物の１つ、即ち式の化合物を母
体液晶（Ａ）に種々の割合で混合した。斯くして得られ
た２種類の混合液晶について、夫々のＮ−Ｉ点と粘度を
測定した。これらの測定結果に基いて、添付図面の第１
図にＮ−Ｉ点と添加量の関係を、第２図に粘度と添加量
の関係を、第３図にはＮ−Ｉ点と粘度の関係を示した。
体液晶（Ａ）に種々の割合で混合した。斯くして得られ
た２種類の混合液晶について、夫々のＮ−Ｉ点と粘度を
測定した。これらの測定結果に基いて、添付図面の第１
図にＮ−Ｉ点と添加量の関係を、第２図に粘度と添加量
の関係を、第３図にはＮ−Ｉ点と粘度の関係を示した。
これらの事実から、本発明に係る式（Ｄの化合物は代表
的な公知の類似化合物に比べてＮ−Ｉ点の上昇に伴う粘
度の上昇が遥かに小さいことが理解できるであろう。
的な公知の類似化合物に比べてＮ−Ｉ点の上昇に伴う粘
度の上昇が遥かに小さいことが理解できるであろう。
実施例１
エタノール３００ＣｅＫ８５％水酸化カリウＡ１９．８
ｊ（α３００ｍｏｌ）ハイドロキノ７１６．５Ｉｉ（α
１ｓｏｍｅｊ）を加え還流しながらトランス−Ａ−ｎ−
プロビルシクロヘキシルメチルプロマイド２１９Ｆ（α
１００ｍｏｊ）を徐々に滴下した。滴下終了後２時間還
流しエタノールを留去した。
ｊ（α３００ｍｏｌ）ハイドロキノ７１６．５Ｉｉ（α
１ｓｏｍｅｊ）を加え還流しながらトランス−Ａ−ｎ−
プロビルシクロヘキシルメチルプロマイド２１９Ｆ（α
１００ｍｏｊ）を徐々に滴下した。滴下終了後２時間還
流しエタノールを留去した。
反応生成物をベンゼンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後
、この液からベンゼンを留去しｆ、得られた反応生成物
をエタノールから再結晶させ、次いでメタノールから再
結晶させて下記化合物１１．９Ｎ（１０４８０ｎ％ｏｊ
）を得もＨｏ■）ｏｃＨ！％ｃ、ｕ、 ｍ、ｐ、１
０７℃上記化合物１１９９ （０，０４８０ｍｏｌ）を
ペンゼ／１００ｅｅに溶解させ、これにピリジン５．６
９ｇ（０，０７２０（２）りを加え、室温で攪拌しなが
らトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボニ
ルクロライド９０５Ｉ（０，０４８０ｍｏ／）を滴下し
た。滴下終了後２時間還流し、反応終了後反応生成物を
ベンゼンで抽出した。抽出液を水洗、乾燥後、この液か
らベンゼンを留去し、得られた反応生成物をメタノール
−エタノールから再結晶させて下記化合物１６４ｇ（（
ＬＯｄｌｏｍｏｊ）を得た。
、この液からベンゼンを留去しｆ、得られた反応生成物
をエタノールから再結晶させ、次いでメタノールから再
結晶させて下記化合物１１．９Ｎ（１０４８０ｎ％ｏｊ
）を得もＨｏ■）ｏｃＨ！％ｃ、ｕ、 ｍ、ｐ、１
０７℃上記化合物１１９９ （０，０４８０ｍｏｌ）を
ペンゼ／１００ｅｅに溶解させ、これにピリジン５．６
９ｇ（０，０７２０（２）りを加え、室温で攪拌しなが
らトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボニ
ルクロライド９０５Ｉ（０，０４８０ｍｏ／）を滴下し
た。滴下終了後２時間還流し、反応終了後反応生成物を
ベンゼンで抽出した。抽出液を水洗、乾燥後、この液か
らベンゼンを留去し、得られた反応生成物をメタノール
−エタノールから再結晶させて下記化合物１６４ｇ（（
ＬＯｄｌｏｍｏｊ）を得た。
収 率 ４ｔＯ％
転移温度 １１５℃ （Ｃ−ｅＮ）１６９℃ （
Ｎ、！ Ｘ ） 実権例２ 実施例１と同様の要領で下記化合物を得へ収率 ４五７
％ 転移温度 １０２℃ （Ｃ−ｅＮ）１６９℃
（Ｎ、！ Ｉ ） 実施例３ 実施例１と同様の要領で下記化合物を得た。
Ｎ、！ Ｘ ） 実権例２ 実施例１と同様の要領で下記化合物を得へ収率 ４五７
％ 転移温度 １０２℃ （Ｃ−ｅＮ）１６９℃
（Ｎ、！ Ｉ ） 実施例３ 実施例１と同様の要領で下記化合物を得た。
収率 ４５．２％ 転移温度 ９７℃ （Ｃ−ｅ
Ｎ）１４６℃ （ＮヰＩ） 実施例４ 実施例１と同様の要領で下記化合物を得へ収率 ４α８
％ 転移温度 ８５℃（ＣＡＮ）１４５℃（Ｎ；！
Ｉ）
Ｎ）１４６℃ （ＮヰＩ） 実施例４ 実施例１と同様の要領で下記化合物を得へ収率 ４α８
％ 転移温度 ８５℃（ＣＡＮ）１４５℃（Ｎ；！
Ｉ）
図面は、本発明に係る化合物の１つである／に１の化合
物と、類似の化学構造を有する公知の化合物である／１
６５の化合物とを、夫々現在汎用されている母体液晶（
Ｎに種々の割合で添加することによって生ずる混合液晶
のＮ−Ｉ点の変化及び粘度の変化を示している。 第１図はＮ−Ｉ点と添加量、第２図は粘度と添加量、第
６図はＮ−Ｉ点と粘度の各関係を示したものである。 特許出願人 大日本インキ化学工業株式会社Ｖ７１
図 ＣＡ）＋ＣｔＪｏ５月；対ｆ２）（Ｎｏ５ ）１１１（
Ａ）＋（ＮｏＩ）Ｅ対１ろ＜Ｎｏｒ＞ｃｈｉ−１−ｘ第
２図 ０７０ ２０ （△）＋（Ｎｏ５］４１ｆろＣＮｏ５）ス１ゴ（△）＋
（ｔ４ｏ１）！一対Ｔも（１０１島４ｉ第ろ凹 ４０ ５ｏ ６０ ７０ ８０７ｇ−ｚ沖、
（°Ｃ）
物と、類似の化学構造を有する公知の化合物である／１
６５の化合物とを、夫々現在汎用されている母体液晶（
Ｎに種々の割合で添加することによって生ずる混合液晶
のＮ−Ｉ点の変化及び粘度の変化を示している。 第１図はＮ−Ｉ点と添加量、第２図は粘度と添加量、第
６図はＮ−Ｉ点と粘度の各関係を示したものである。 特許出願人 大日本インキ化学工業株式会社Ｖ７１
図 ＣＡ）＋ＣｔＪｏ５月；対ｆ２）（Ｎｏ５ ）１１１（
Ａ）＋（ＮｏＩ）Ｅ対１ろ＜Ｎｏｒ＞ｃｈｉ−１−ｘ第
２図 ０７０ ２０ （△）＋（Ｎｏ５］４１ｆろＣＮｏ５）ス１ゴ（△）＋
（ｔ４ｏ１）！一対Ｔも（１０１島４ｉ第ろ凹 ４０ ５ｏ ６０ ７０ ８０７ｇ−ｚ沖、
（°Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP818182A JPS58124744A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP818182A JPS58124744A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124744A true JPS58124744A (ja) | 1983-07-25 |
| JPS6141505B2 JPS6141505B2 (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=11686135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP818182A Granted JPS58124744A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124744A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516044A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display |
| JPS5677231A (en) * | 1979-09-28 | 1981-06-25 | Hoffmann La Roche | Novel manufacture of transs1*44disubstituted cyclohexane derivative |
-
1982
- 1982-01-21 JP JP818182A patent/JPS58124744A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516044A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display |
| JPS5677231A (en) * | 1979-09-28 | 1981-06-25 | Hoffmann La Roche | Novel manufacture of transs1*44disubstituted cyclohexane derivative |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6141505B2 (ja) | 1986-09-16 |
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