JPS58124641A - 多層シ−ト構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、１層またはそれ以上の適宜ドーピングを行つ
九４リアセチレンを含んでいるラミネートまたはシート
状の複合体（ｃｏ惧ｐｏｓｉｔｅ　）およびそれらの製
造法に関する。本複合体（ｅｏｍ−ｐｏｓｎｄ　）はポ
リアセチレン層に機械的、化学的および電気的な安定化
効果を与え、そのため、まず４リアセチレンをきわめて
多種多様な用途に対してそのまま使用することをｃｉＪ
’能にする。ラミネート構造の設計は用途に依存し、例
えばそれらがとくに機械的な手段で応力を加えることが
でき、大気中の酸素の有害な影響に対してポリアセチレ
ンフィルムを保−し、そして金庫としてポリアセチレン
フィルムが単独では持たない多様な性質全書つように適
応させることができる。したがって、ポリアセチレンフ
ィルムをほかの電気ｔｔＪ　Ｋ活性な覧 材料、例えば金部、半導体または光ｉと並置することに
より、灸＜の目的に対してきわめＭ用で性質が達成され
る。

ポリアセチレンが成子的に半導体ま九はさらには金属の
ように挙動する電導性ポリマーであることは一般に公知
である。そのｉまの条件下で、ポリアセチＶ／の電気伝
導性は、ｃｉｓ−またはｔｒａｔＬｓ−異性体の割合に
依存して、１０−′〜１０−’＃／ｍである。無機半導
体と同様に、電子受容体または供与体を化学的にドーピ
ングすることにより、ポリアセチレンの域気伝・浄狂を
数桁にわたって金属の範囲′にまで壇加嘔−ｔ！：／ｂ
ことが可能である（ツヤ−ナル・オプ・グミカル、フイ
ソックスｔ　Ｊ、ｏｆ　Ｃｈ−ｍ、Ｐｈｙｓ、）。

７３巻、９４６＠（１９８０年）参照）。

ぼりアセチレンは公知の方法によってフィルムの形で製
造してもよいし、ある種の改良された形（例えばぎざぎ
ざ形（６％デデーｄ−ｓ１％ａｐｅｄ）また社繊維状の
ポリアセチレン粒子）から出発してさら忙フィルムに加
工してもよい、 その並はずれた電気的性質のため、そのようなフィルム
は主として多くの商業的用途に対して適ポリアセチレン
フィルムは例えば大気中の酸素の影響下で短時間に高い
電気伝導性を失ＬＡ％　４ろくなる。

ポリアセチレンフィルムの両側をｉｌ！累不透過性のフ
ィルムでコーティングし、緻をシールするとき、ポリア
セチレンフィルムの可撓性と電気伝導性が◆真上低下せ
ずに維持されることが見いだされている。フィルム材料
に依存してポリアセチレンフィルムの両１）ｌｌｉｌｋ
ガス不透過性のカバーフィルムで被接するために種々の
方法が利用できる。例えば、３枚のフィルムを２個のロ
ーラーの１−に通し、それらを加圧下でプレスするか、
カバーフィルムｔ−ｔｉｔｓポリアセチレンフィルムの
上に結付することが可能である。いずれの場合において
も、突き川している縁はシールするか弘いに結合する。

複ＯｆｌＦ　要素（ｃｏｍｐｏｕｎｄ　　ｅｌｅｍｅｎ
ｔ　）は不活性ガス４囲気ドで製造するのが屯つと屯Ｍ
利である。ガス不透過性カバーフィルムはわずかな機械
的応力しか加えられないポリアセチレンフィルムに対す
る付加的な保護である。４’ｌｔ性ポリアセチレン増を
有する複合体要素はＷＩ３率で容易な方法で取り扱う仁
とができる。３枚のフィルムの圧縮は通常ある条件下で
もとの厚さの１名へのポリアセチレンフィルムの厚さの
減少をひき起こす。し几かって、複合体要素が全体でよ
ねうすくなるばが抄で立く、ポリアセチレンフィルムの
比伝導率が増加する。これは多くの目的に対して、例え
ば大面積の加熱要素としてこのタイプのラミネートの使
用に対して非常に望ましい、付加的な有用な性質として
、電気伝導性ポリアセチレンフィルムは力／脅−フイル
ムで包むことによって電気的に絶縁し、その結果それは
例えば平らな加熱要素として安全に用いることができる
。がスもしくは水蒸気透過性、機械的強度または電気絶
縁性に関してとくに有効表性質を達成するために、カバ
ーフィルム自体が複合体フィルムを形成することができ
る。

基体的にすべてのフィルム材料が４リアセチレンとの積
層化に対して含まれる。金属のフィルムまたはコーティ
ング、例えばＡｌ、Ｃｘ％　ＳｍおよびＮ（，４リエチ
レンとポリプロピレンのようがポリオレフィン、ポリ塩
化ビニル、４り塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン
、ポリテトラフルオロエチレンのようなハロダン化ポリ
エしレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポ
リアセタール、ポリスチレン、ぼりエステル、ポリカー
ボネート、ポリスルホン、ポリウレタン、ポリアミドな
らびに水利セルロースまたは酢酸セルロースのようなセ
ルロース誘導体がとくに適当である。重合体はまた適宜
共重合体として存在してもよい。

本目的のため、ポリアセチレンを有する複合体要素の幾
何学的な形状と寸法は制限を受けない。

小面積および大面積の構造の両方が打紙である。

大面積のシート状の構造、とくに任意の長さと巾の細片
がとくに好ましい。

本発明は、少なくと４２層からなり、そのうちの少なく
とも１層が適宜ドーピングしたポリアセチレンからなり
、それに結合した少なくと本ほかのｔｒ−がフィルムま
たはコーティングを形成するプラスチック材料または無
機材料からなる可撓性の多層シート構造を与える。とく
に、本発明はグラスチックまたは無機材料の層がｆＩ！
累に対して不透過性であるシート構造を与える。１つの
特定の具体化例において、ポリアセチレン層はプラスチ
ックまたは無機材料の酸素不透過性層の間にはさみ、そ
のようにして形成させたラミネートの縁は酸素の影舎を
防ぐためＶ−ルする。別の好ましい具体化例において、
ポリアセチレン層は密接な一１ゴ 気的な接触があるように、フィルムまたコーティングを
形成する砿気伝導性グラスチックまたは金属の罐気伝導
体、あるいは有機または無機の電気半導体または元４１
体の層に結合する。別の具体化例において、グラスチッ
クま九は無機材料の１輪はポリアセチレン層の両側に供
給される。

多くの目的のため、ラミネートは被合体ＪＩ＆集中のポ
リアセチレンｌ−がカバー７曽を形成し、そのためそれ
が自由に近ずくことができる１−まであることが必女で
ある。

本劣明に関連して、ラミネートまたはシート拭上 の複合体要素はもろり簡単な横置には１つのポリアセチ
レン成分と任意の有機または無機材料の第二の成分から
なる。

すでに述べたポリアセチレンノーの＃Ｉｋ索感受感受性
め、少なくとも１つの成分が酸累不ｉ！ｉｉ！Ｌ性・−
であるラミネートまたは値会体壷素がとくに好ましい。

ポリアセチレンフィルムと比較したポリアセチレンラミ
ネートの利点は、改良さ扛た機械的強度および酸化性ガ
スに対する不活性にあるばかりですく、ポリアセチレン
フィルム自体が持′ｆｃない、ポリアセチレンとほかの
半４怖または金属゛電導性材料との結合によってのみ生
じる新しい電子的注質にある。

本発明による複合体要素において、ポリアセチレンフィ
ルムは４４性有機材料または無機材料と平らな電子的接
触を形成する。ポリアセチレン上に適用した電気的に牛
導性または蝋導性の層は、いかなる構造をもった表面を
もおおうことができ、例えばくし形電極またはグリント
し光電導体の形をとって４よい。

次のものがそのような材料の例に含まれる。（導性４リ
マー、金属、半導体、光電導体ま九は固体電解質。

本発明によるラミネートや複合体要素はきわめて多様な
方法によって製造することができる。

もつとも簡単な場合に、任意の・方法によって襄遺シた
シート状のドーピングまたは未ドーピングの４リアセチ
レン構造物は加圧下で、適宜高温においてそして適宜接
着剤を用いて有機または無機フィルム材料によっておお
う。この方法によって、いくつかのフィルム層をまたポ
リアセチレンの片側または両側に通用することができる
。この方法によって任意のフィルム材料の両側を適宜ド
ーピングしたポリアセチレンで＆おい、この？）Ｉ＆フ
ィルムをほかの、適宜酸累不透過性のフィルム材料で４
Ｌ榎することが可能である。

任意の方法によって製造したシート状の、適宜ドーピン
グしたポリアセチレン構遺物の片側または両側をポリマ
ーまｆｃはポリマー前駆体でラッカー塗布することもま
た可能であり、塗稚した恢、ポリマー前駆体は続く反応
で重台して連続的なコーティングになる。

ポリアセチレンフィルムのＪｃ空バッキングもまた可能
であり、多くの場合、フィルム材料の闇の密接な接触を
生ずる。

片側ま九は両側を金稠化したポリアセチレン１−ま九は
ポリアセチレンフィルムもまた、本発明に関連してポリ
アセチレンラミネートまたはボリア例えば、金属をシー
ト状のポリアセチレン構造の上に真空下で蒸着させて（
ｈａ　　−ναｐｏｒａｔｅｄ　）もよい。さらに、金
属層は高真空下でスパッタリング（ａｐｕｔｔｅｒｉｘ
σ）によって適用してもよい。

さらに１シート状、Ｈｅ　＋３アセチレン構造の金属化
は電子的または無電流のメッキ（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
アセチレン層［２０μ篤だけ侵入し、そのためとくに強
い電気的な接触を生じることができる。

次のものがとくに適当な金属として含まれる。

Ａ％、Ｐｔ、Ａｇ％Ｃｕ％ＮｉおよびＣａ２原則として
、任意の金属がポリアセチレンとの複会体檜造（ｃｏｍ
ｐｏｕｎｄ　　５ｔｒｕｃｔｕｒｅ　）に過する。次の
ものがとくに好ましい。ＡｘＸ　Ｐ−ｔ。

ＡＱ、Ｎ１、Ｃｏ、Ｃｗ％　Ａｌ　、に’ｓ、Ｓ＃、Ｂ
ｌＷ、Ｍｏ、ＳｎおよびＺｎｅｓ僧触金属の選択Ｆｉ斐
求に依存する。・夕１］えば、電流供給または電流除去
接触表面に対しては、ポリアセチレンに対して抵抗特性
がとくに抵抗の低り電気的接触を作り出すような金属を
選ぶ。ポリアセチレン／Ａｔ接触表面はとくに有効にこ
の要求に合致する。しかしながら、ポリアセチレン／Ａ
ｔ接触は整流時性（ｒｅＣｌｉｆｙｉｎｇ　　ｏｈａｒ
ａｅｔａｒ　）を有する。

ポリアセチレンへの電気的な結合はまた区導性グラファ
・イト層によって生じさせてもよい。ポリアセチレング
ラファイトラミネートは高い一食抵抗を特徴とする。

半導体または光゛−導体層を適用するため、一般に化学
的または＠理的蒸着（ｖａｐｏｒ　　ｄｇｐｏａｉ−ｔ
ｓｏ％）と呼ばれる方法を用いることができる。

ラミネートま友はシート状の４Ｏ曾体要素の製造の丸め
の方法は、例えばＮ、またはＡｒのような不活性ガス雰
囲気下で行うのが好ましい。

し九がって、本発明はまたは、ポリアセチレン層の次の
層が４リマーま九は導′亀性ポリマー、金属、半導体、
光導電体および／または固体電解質フィルムであってよ
＜、／リアセチレン層が隣接し走電導性境界面と強い電
子的接触を形成する、ラミネートまたは複曾体要索を与
える。

本発明に関連して、ポリアセチレン成分を複合体要素ま
たはラミネートにおいてどのように作り゛出すかに関し
てはまった制限がない。原則として、３つの異女った方
法を区別することができる。

ｔ　ラミネートの製造に対する出発点はほかのポリマー
フィルムおよび／または金属フィルムに軸台されるか、
公知の方法および上記の方法にしたがってほかの材料で
［榎された、平らなポリアセチレンフィルムである。

２　ラミネートは適当なサブストレート表面上でアセチ
レンガスを直接重付することによって作る。

λ　−成分または多成分サブストレートの表面はポリア
セチレンで直接＊ａする。

鍾後にあげた操作がラミネートの製造ＶＣ対して好まし
く、それによって４リアセチレンノーは平らなサブスト
レートに直接適用する。直径α０１〜ｌａｍで多数のａ
繊維状の伸び（［＠°ざさ゛ざ（ｂｕ−ｒデ８）」）　
を有するぎざぎざ形−または繊維状の、適宜ドーピング
し九ポリアセチレン粒子の安定な懸濁欺がサブストレー
トをポリアセテレ／でコーティングするためにとくに通
し、での懸濁液はアセチレンを有様懸淘剤の中に連続的
（混合しながら、懸濁剤ｌｊ８九りアルミニウム１０〜
１００ｍｍｏｌと四酪酸チタン５〜ＳＯｍｍｏｌｔたは
ビス−（２，２−ジメチルプロポキク）−パナヅウム・
オキシクロリド１−１Ｏｍｔ１−１Ｏに対応する量の）
、有様金属混合触媒の存在下で、懸濁剤１ｊあた抄約３
ｇのポリアセチレンが生成するまで、導入することによ
って得る。

上記の懸濁ｆＬｒｉ、適宜触媒を除きセして／または溶
媒を交換した後、さらに処理し異麦った方法で用いても
よい。それはいかなるサブストレート表面上にでも非常
に効果的にスプレーすることができ、溶媒を蒸発させた
彼、サブストレート上に均一で強固に接着した、適宜ド
ーピングしたポリアセチレン層が残る。

ポリアセチレン層とサブストレートの間の良好な結合が
決定的な基準である。ポリアセチレンの酸素感受性のた
め、後者を不活性ガス孝１１３Ａ気Ｆでサブストレート
表面に適用するのが好ましい。例えば、ガス圧噴射のス
プレーガンがスプレーに適する。電気的に駆動するスプ
レーガン（１エアレスｌ）は、ポリアセチレン層の厚さ
が正確に調節でき、約０．１μｍから上に変えることが
できるので、調節された平らなコーティングに対してと
くによく通する。

真突スプレー法はラミネートの製造に対してとくに有利
であることがわかっている。この方法において、コーテ
ィングすべきす１ストレートは低圧室に噴かれ、その甲
に低圧室の壁に外温からフランツで取り付けた改良し九
スプレーガンを用いてポリアセチレン暦？４液をスプレ
ーする。サブストレー表面から啓発しており、盈たたび
ボンデで除かれる溶剤が新しく供給される溶剤の菫と？
ＩＦＪ甘うように注意するとき、この方法はとくに均一
なポリアセチレンコーティングを保証する。ポリアセチ
レンｌ−の成長速度はスプレーするポリアセチレン懸濁
液の量を調節することによってとくに効果的に制御する
ことができる。ラミネートまたはサグストレートはスプ
レーの場所を適当な速度でゆっくりと通過させる。これ
らの方法は連続的にも行うことができモ、ポリアセチレ
ンによるサブストレートの均一な量の被接を保障する。

さらに、低圧蔓は水分がなく、酸素がない環境を保証す
る。

スプレーまたはスプリンクラ−のほかに、ポリアセチレ
ン懸濁液はまた注型（ｃａｓｔイ％ｇ）、ロール塗、ド
クターブレードまたははけ塗によっても適用することが
できる。フィルム注型機および設備はポリアセチレンラ
ミネートの連続的な製造に適する。この装置で、懸濁液
は、ローラー上を走っているサブストレートフィルムに
１点で連続的に適用する。サブストレートフィルムは、
なめらかにブラシを掛けるかロール掛けしながら、浴剤
蒸気を吸引除去してポリアセチレン固体を９口熱炉に通
して行く。

上記のコーティング技術は、ポリアセチレンをサブスト
レート次面に均一に分布させる。通用する童を調節する
ことによって１曽の厚さを百十殖し、ａｌｌｍすること
が容易に可能である。

本元明によるラミネートは電気伝導性または半導性の構
煩要素として、例えば平らな加熱′亀尋俸において、電
子装置において、バッテリー硬素として、蓄電器に対し
て、または元−＜り（交侠器（ｐｈｏｔｏ−ｖｏＬｔａ
ｉｃ　　ｔｒａｎｄｕｃａｒ）に刈して用いることがで
きる。

ポリアセチレンラミネートはまた光−熱父換器において
選択吸収面として逸する。

通常の圧縮がスでまたは亀気凶に操作するラッカースプ
レーガンはポリアセチレン粒子の懸漬准を充てんし、こ
れを異なつ九サブストレート上にスプレーする。溶剤が
蒸発するとき、均一なＰＡＣ（、ポリアセチレン）フィ
ルムが表面に強固に接着して残る。ＲＡＣの酸化感受性
のため、窒素または貴ガスのような不活性圧縮ガス管用
いる。とくに均−表、強固に接着したフィルムは低圧室
を用いることによって得られる。この室は酸素のない環
境を確実にするばかりでなく、開時に表面から蒸発する
溶剤の吸引除去の調節を可能にする。

スプレーする溶剤の童と吸引によって除く溶剤の量の間
に動的な平衡を作り出すのが好ましい。本方法に対して
用いる低圧室は高級鋼から作られ、のぞき窓と吸引フラ
ンジおよび外側から操作することができ、室の中に完成
されたスプレーガンを有している。

コーティングすべきサブストレートフィルムは室内で適
当な間隔でスプレーヘッドのそばを通す。

ＰＡＣによるコーティング酸は過当な訂測云（列えは水
晶共振器）によって同時に調節する。

異なった厚さのポリアセチレン層をＨするラミネートが
製造された。ＰＡＣ層は七れぞれのサブストレートフィ
ルムの性質に柔軟に適合し友。ポリアセチレンＩ−はラ
ミネートま九は砿曾俸景索中の異なったサブストレート
階、例えば苔属、ポリマー、半導体（丙えばセレン、；
ｌｎｏ、　　インノウムー酸化スズ、ＳｉおよびＧａＡ
ｓ）、ガラスおよびセラミックス（ｎえばＳｉＯ，およ
びＡｔ、０．）と組み合わせた。すべての場合に／　Ｉ
Ｊアセチレンとサブストレートの間に非常に艮＾結合が
作られた。

実施ガ 実施例　１ スプレー懸濁液の製造 トルエン１．３ノを２１のかきまぜ機會備えたビ−カー
装置に入れ、トルエン３００−を窒素気流下で貿去する
。トルエン中α５モル濃度のビス−（２，２−ノメチル
グロポキシ）−パナノウム・オキシクロリド４ｍ　（２
ｔｎモル）およびトルエン中１モル濃度のトリイソブチ
ルアルミニウム２０ｍ　（２０ｍモル）をドライアイス
で一７８℃に冷却して加える。この操作の間、装置は窒
素の連続的表流れのもとに置く。かきまぜながら純粋な
アセチレンを１時【山、毎時１０１の速度で通す。ポリ
アセチレンは析出物として沈殿する。析出物はα０５〜
α５鑓の直径をイする桃色から紫色のき゛ざぎざ形の構
造をしている。このようにして得られた懸濁液はＩＩあ
たり４ｇのポリアセチレンを含む。反応は絶乾トルエン
（αｂ’ｍｏＬ％ｔ６Ｌｏｇ％−ａｓ）４００ｍ中の４
−メチル−２，６−ゾーｔ−ブチルフェノール（イオノ
ール）α５１を用いて停止し、反応混合物は窒素で７９
−ゾし、温度を室温に上げる。

触媒を除くため、溶剤は部分的にＦ壇によって除き、七
の間ｒしい溶剤を連続的に加える。この方法において、
トルエンはまた別の＃剤によって厘き換えることができ
る。

実施例　２ スプレー懸濁液の装造 絶乾塩化メｆレン（ａｂｓｏｌ　ｕｔ　ａ　ｍｇ　ｔｈ
ｙｌ　＃％＃ｃｈｌｏｒｉｄｅ　）１００Ｇ−を２１の
がきまぜＩＦ！ｋを備えたビーカー装置に入れる。−７
８℃に冷却し、四酪酸チタン（１ｏｏ％）表２ｓｄ（１
１５ｍモル）と塩化メチ２７９１モルｌ１ｌＩ＆のトリ
イソグチルアルミニウム５０ｍ（５０ｍモル）ヲ加える
。

−７８℃でかきまぜながら触媒溶液にアセチレン１０＆
を１時間がけて通すと、黒いポリアセチレンが沈殿する
。反応はメタノール５ｄ中［４−メチル−２，６−ソー
ｔ−プチルフェ／−ル（イオノール）α５ｇの溶液を用
いて停止し、温度は窒素気流下で室温に上昇させる。懸
倣鏡下で反応混合物は、直径約α１ｇを有する暗紫色の
ぎざぎざ形のポリアセチレン構造を示す。懸濁液は１ｊ
あたりポリアセチレン２５〃を含む。

触媒は前の実施例と同様にして除く。

実施例　３ ドーピングしたポリアセチレンを含んでいるスプレー懸
濁液の製造 トルエン１００−中にヨウ素４ＩＩの溶液を実施例ｉ＜
ｔ、＋がって製造したポリアセチレン懸濁液ＩＩに室温
でかきまぜながら、続いて混合物を￥温で２時間かきま
ぜる。はじめ紫色であった溶液は変色し、ドーピングさ
れたぎざぎざ形のポリアセチレン粒子を含んでいる懸濁
液を得る。

実施例４〜１１はポリアセチレン懸濁液をサラストレー
トにスプレーすることによるコーティングの夷」骨を６
己載する。

実施例４〜１１に対する一般的な方法：コーティンググ
ロセスの出発点はポリアセチレン粒子の有機溶媒中の安
定な懸濁液である。

ポリアセプレンは以下ではＰＡＣと略称する。

実施例　４ 巾２０１、厚さ２０μｍのアルミニウムフィルムを室内
で不活性勢−気下においてロールから巻きもどし、フィ
ルムの片肯はポリアセチレンスグレーヘッドの近くを毎
秒ＩＪＥＩの速度で３０ｍの間隔で通した。スプレー操
作の間、スプレーヘッドは上下させ、均一なコーティン
グｔを与えるよりにした。室内の低王は、サブストレー
ト表−への堆積（ｄｇｐｏｇｉｔｒ、ｎｇ）後、溶剤が
自発的に蒸発し、ＦＡ、Ｃフィルムがアルミニウムフィ
ルム次面上に生艇するように調節した。フィルムの形成
はスプレーＪ３ｇ１度を調節することによって幼果的に
制御できた。スプレーされたポリアセチレン噛の厚さと
スプレー量／単位表面檀の間の関係は直線ｓｗｑ／−に
なるように選んだ。

実施例　５ 実施例４と同様。Ａｔフィルムのかわりに同じ大きさの
ポリカーボネートフィルム。

実施例　６ 片側をアルミニウムで金属化し九ポリカーボネートフィ
ルムは、実施例５のようにアルミニウムの上を４リアセ
チレンでコーティングした。

実施例　７ Ａｔで両側をコーティングしたポリカーボネートフィル
ムもまた実施例５のように両側をポリアセチレンでコー
ティングした。

実施例　８ Ｃ１Ｌで被嶺した３０Ｘ３０Ｃ１ｌのエポキシを指板を
実施例４のようにＰＡＣでコーティングした。

実施例　９ その長さ方向に２枚のＡｔの接触細片を積項させた（ｄ
ｅｐｏｓｉｔｅｄ）、長さＩｍ、中３０１、厚さ２０μ
累のポリエチレンフィルムを実施例４のよう（ドーピン
グしたポリアセチレンでコーティングしく３００μｍ１
Ｌ）、巾２１の細長い縁をそのまま残した。次に効果的
に絶縁するテフロン■層を完成したシート構造上にスプ
レーし、ポリアセチレンｊ−を２つのプラスチック層に
よってすっかり密閉した。ラミネート中にあるＰＡＣ層
は１０Ωの二次表面祇導度を示した。約４ｏＶの低い′
磁圧を加え九とき、ラミネートは３０〜４０℃に加熱す
ることができ、したがって加熱フィルムとして用いるこ
とができ友。

実施例　１０ １Ｗｌのガラス板を実施例４のようにＰＡＣでコーティ
ングした。

実施例　１１ 長さ１ｍ、巾３０１、厚さ３０μ凰のＩリエステルフイ
ルムをインヅウムー酸化スズの透明な電実施例１２〜１
５ｔｌｉ注型、ロール塗、「フタ−ブレード、ブラシ塗
ま九はこれらの方法の組合せによる不活性ガス雰囲気下
でのポリアセチレン懸濁液のサブストレートフィルムへ
の適用によるポリアセチレンラミネートの製造を記載す
る。

実施例　１２ 巾１ｍ、厚さ３０μ翼のポリカーボネートフィルムをロ
ールから巻きもどし、ＰＡＣ懸濁液を含んでおりスリッ
ト巾が変えられるスリット形の開口を持っている貯蔵容
器の下に導く。ポリアセチレン懸濁液ａ液はスリットを
通してサブストレートフィルム上に連続的に適用し、下
流でドクターブレードによってなめらかにした。次にコ
ーティングしたポリカーボネートフィルムはノＪロ熱炉
ｔｌ−通して吸引により溶剤を除いた。乾礫礫作恢、フ
ィルムは２個のプレスロールの間に導き、ポリカーボネ
ートフィルムとＰＡＣ膚の間に強い結δが作り出された
。

′実施例　１３ 実施例１２と同様。ポリカーボネートフィルムのかわ快
にニッケルで金属化したポリカーボネートフィルム。

実施例　１４ アルミニウムフィルムそ実施例１２と同じ方法によって
コーティングする。

実施例　１５ 実施例１２と同じであるが、乾燥操作は光結させず、そ
の結果ＰＡＣ層はまだ湿ってお口、残留溶剤を含む、ロ
ール掛は操作の間、セリドア（Ｃｇ目ｉｄｏデ）とポリ
塩化ビニリデンのカバーラミネートを同時にブレスした
。残留溶剤はポリエチレン層の表面を溶解し、七の結米
強固なフィルムの結合が作り出された。

実施例　１６ ドーピングしていないポリアセチレンフィルムをぼりビ
ニルアルコールの２％水溶液に浸漬した。

液を切り、乾燥した後、両側をコーティングしたぼりア
セチレンフィルムを得る。被横の厚さは片１Ｉｉ１５μ
諺である。

１！施例　１７ ドーピングしていない厚さ１００μ累のポリアセチレン
フィルムを２０μ重の厚さのポリエチレンフィルムで被
覆する。両方のフィルムを２００パール、１００℃で１
分間プレスする。７０μ諷の厚さを・ｈ−するラミネー
トを得る。

実施−１８ 前の実施例と同様にポリアセチレンフィルムの両側をポ
リエチレンでコーティングした。ラミネートは厚さ８５
μｍである。

実施例　１９ 実施例１７と同体に、ポリアセチレンフィルムの両１４
１１’ｔ／リエステルとポリ塩化ビニリデンのグ合フィ
ルムで＃Ｅ積し、ポリエステル−をポリアセチレンと接
触させた。

実施例　２０ ヨウ素でドーピングしたポリアセチレンフィルムの両側
を２ｏμ机の厚さのポリ塩化ビニリデンで被接した。ポ
リ種化ビニリデンフィルムの突き出した縁は真空上気密
に接層した。

実施例　２１ ポリクロログレンにもとづいた接７ｆ剤を用いてポリカ
ーボネートフィルム會ポリアセチレンのフィルムに結合
する。安定な結合を得る。

実施例　２２ ポリアセチレンフィルムの片偶にクロロホルム１１あた
りｌタゾエン・二塩化ノぞラソウム０．１　＆の＠液（
吹付剤フリグン（Ｆｒｉｇｅ％））を規貝Ｕ的にスプレ
ーする。

次にフィルムを室温で乾燥し、塩化ニッケル３ｏｒｔ／
Ｉ％　ヅメチルアミノボラン３１１／Ｉおよびクエンａ
Ｉｔｏｊ／ｊを含んでいるアルカ９性ニツケルメツキ浴
に浸漬し、浴をアンモニアでｐＨ＆１に調節した。約３
０秒後、表面が黒くなりは（しめ、１０分後、強固に接
層した、金属光沢のあるニッケル層が析出した。

すべての作業サイクルは９ｉ１素の不活性ガス雰囲気下
で行う。

実施例　２３ ドーピングしていないポリアセチレンフィルムｔりｑロ
ホルムｌＥ中にノシクロペンタヅエノー金＜１）−クロ
リ）”Ｑ、３．９（２）溶Ｑ［３０秒＋ｄ３浸漬し、室
温で乾祿し、次に実施例２２によってアルカリ性ニッケ
ルメッキ浴中で２０分間ニッケルメッキする。

両側を強固に破着したニッケル層で、各々の鯛を厚さ４
μ翼にコーティングしたフィルム全骨る。

すべての操作は窒Ｘ＃囲気下で行９゜ 特許出願人　　　バイエル・アクチェンｒゼルシャフト
１　−　］

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ）　少なくとも２層からな凱少なくともそのうちの１
   つが適宜ドーピングしたポリアセチレンであり、少なく
   と本そのうちの別の１つがそれに結合したフィルム形成
   性グラスチックまたは無機材料である複合体。 ２）　グラスチックまたは無機材料のノーが酸素を透過
   しない、特許請求の範囲第１項記載の複合体。 ３）　ポリアセチレン層がプラスチックと無機材料層の
   間にありその縁がシールされている、特許請求の範囲第
   １項または第２項記載の複合棒。 ４）　ポリアセチレン層を導鴫体Ｊ１１１、半導体ｆ―
   または光Ｊ屯体層に結合している、特許請求の範囲第１
   ４１−＠３項のいずれかに記載のｒ、Ｖ百庫。 ５）　プラスチックまたは５１＠機材料＋１がポリアセ
   チレン１−の間にある、特許−氷の範囲嚇ｌ唄、第２項
   および第４項のいずれかに記載のｖＬ館体。 ６）　とくに実施夕１ｊを参照して央買刊にここＶこ記
   載した、彎Ｍ請釆の範囲第１項記載の復付庫。 ７）７°ラスチツクまたは無機材料嚇の上にポリアセチ
   レン＋ｄを形成させるかまたは七の逆からなる、柿ｆＦ
   請求の範囲第１項ｍｌ載の仮合棒の袈遺法。 ８）　層を圧力および／または熱の影響ドで償盾化する
   １、倚許請求の範囲第７塊記載の方法。 ９）　金属層を蒸墳によって、電流でまたは無′醋流で
   ポリアセチレン１１１の片ｉｌｌまたは両−ＩＫ形成さ
   せる、特許請求の範囲第７項記載の方法。 １０）　　有機懸濁剤中のポリアセチレン粒子のＷＩＡ
   ｉ（４ｔＫを峰楽のない状態モプラスチックよたは無機
   材料層上にスプレーし懸濁剤を除く、特許請求の範囲第
   ７項記載の方法。