JPS58123761A - 光集積回路及びその製法 - Google Patents
光集積回路及びその製法Info
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- JPS58123761A JPS58123761A JP57005708A JP570882A JPS58123761A JP S58123761 A JPS58123761 A JP S58123761A JP 57005708 A JP57005708 A JP 57005708A JP 570882 A JP570882 A JP 570882A JP S58123761 A JPS58123761 A JP S58123761A
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- Japan
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- light emitting
- forming
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- active layer
- emitting device
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
半導体接合レーザおよび端面放射型発光ダイオードのう
ち、帯状ｔＬ極をもち、この端部がら光出力が放射され
る素子又はこれを用い九元漬槓回路において、光放射面
の構造およびその一造法の改良に関する。
ち、帯状ｔＬ極をもち、この端部がら光出力が放射され
る素子又はこれを用い九元漬槓回路において、光放射面
の構造およびその一造法の改良に関する。
光通信の４濃と共に、小型化・システムの安尾化・動作
性能の向上等を目的として、各種の光素子を一体化した
、光集積回路を形成する試みがなされている。例えば′
ｓ１図に示すようなものが提案されている。
性能の向上等を目的として、各種の光素子を一体化した
、光集積回路を形成する試みがなされている。例えば′
ｓ１図に示すようなものが提案されている。
ＧａＡｍ基板５１上に形成された集積レーザ５２からの
レーザ光を基板に形成された光導波路５３でＲ、Ｉ４１
ｍ ５４ ＊ 光カップラー５５．モニタ用検知器５６
、光スィッチ５７に導き、７アイバ５８に結合するもの
である。６０は光ファイバ５９からの光゛を受光する光
検知器、６１はファイバケーブルである。ところで従来
のレーザダイオードＬＤ、発光ダイオード（Ｌ Ｅ Ｄ
）の構造は半導体が電極と直交する骨間ｒｋＪＫよって
形成され、第２図のＬＤを示す斜視図の如く直方体とな
っている。ｎ−ＧａＡｓ基板２１上にｎ−ＧａＡｔＡｓ
クラッド層２２．ｎ又はｐ ＧａＡａ活性層２３． ｐ
−ＧａＡＡＡｓクラＶド層２４゜ｐ”−〇ｍＡｍコンタ
クト層２５を職次エビタ午シャル成長後、ｎ−電極（図
示Ｑ＋）及びストライプ状のｐ＠鴫他極２６形成し、骨
間によシ光放射端面Ａ、 Ｂを形成したものであるｏし
かし、この構造りに集積する光集積回路に用いることは
、■基板を含めたへき開を行う必要があるため、不可能
である。また■へき開面位置の制御性が良くないため、
電極長を精度よく選べない０さらに■ＬＤにおいては両
端面がへき開面である必要がＴｏシ、製造工程中のハン
ドリングの不便のため、小さい電極長の素子は実現でき
ない。■また光集積回路でＬＤ、ＬＥＤをつくる場合、
イオンエッチ、反応性イオンエッチ、プラスマエタチな
どのドライエッチ、あるいは化学混液利用によるウェッ
トエッチにようて直接光放射端面をつくる方法が用いら
れることがある。しかし、エツチング面の形状。
レーザ光を基板に形成された光導波路５３でＲ、Ｉ４１
ｍ ５４ ＊ 光カップラー５５．モニタ用検知器５６
、光スィッチ５７に導き、７アイバ５８に結合するもの
である。６０は光ファイバ５９からの光゛を受光する光
検知器、６１はファイバケーブルである。ところで従来
のレーザダイオードＬＤ、発光ダイオード（Ｌ Ｅ Ｄ
）の構造は半導体が電極と直交する骨間ｒｋＪＫよって
形成され、第２図のＬＤを示す斜視図の如く直方体とな
っている。ｎ−ＧａＡｓ基板２１上にｎ−ＧａＡｔＡｓ
クラッド層２２．ｎ又はｐ ＧａＡａ活性層２３． ｐ
−ＧａＡＡＡｓクラＶド層２４゜ｐ”−〇ｍＡｍコンタ
クト層２５を職次エビタ午シャル成長後、ｎ−電極（図
示Ｑ＋）及びストライプ状のｐ＠鴫他極２６形成し、骨
間によシ光放射端面Ａ、 Ｂを形成したものであるｏし
かし、この構造りに集積する光集積回路に用いることは
、■基板を含めたへき開を行う必要があるため、不可能
である。また■へき開面位置の制御性が良くないため、
電極長を精度よく選べない０さらに■ＬＤにおいては両
端面がへき開面である必要がＴｏシ、製造工程中のハン
ドリングの不便のため、小さい電極長の素子は実現でき
ない。■また光集積回路でＬＤ、ＬＥＤをつくる場合、
イオンエッチ、反応性イオンエッチ、プラスマエタチな
どのドライエッチ、あるいは化学混液利用によるウェッ
トエッチにようて直接光放射端面をつくる方法が用いら
れることがある。しかし、エツチング面の形状。
表面状態などは基板の性質、エッチ条件など櫨々なパフ
メータによ）変化するため、嵐質の光共振器を得るため
の端面を形成することは極めて困難であった。
メータによ）変化するため、嵐質の光共振器を得るため
の端面を形成することは極めて困難であった。
発明の目的
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、光放射面と
して、表面が光学的に完全に平滑であることを要求され
る部分についてのみ、！？開を行りてへき開面を利用し
、−その他の部分は基板から隔離されてしまわない構造
を実現した光半導体集積回路を提供することを目的とす
る。
して、表面が光学的に完全に平滑であることを要求され
る部分についてのみ、！？開を行りてへき開面を利用し
、−その他の部分は基板から隔離されてしまわない構造
を実現した光半導体集積回路を提供することを目的とす
る。
本発明では電極と直交する部分で光放射面を形成する端
面は、他部分のエツチングによる除去を行り九際形成さ
れる棒状半導体を折ることＫよりて、へき開面とするの
が要点である。エツチングによシ棒状部は基板から隔離
されているから、局部的に伸開面を形成することが可能
となろ０へき開が局所的でＴｏ予九め位置精度がよく、
さらに基板自体はへ１！開で小面積になりてはいないた
め、電極長の小さいものもつくることができ、集積回路
にも適用できる。４１ＫＧａＡｊＡ畠／ＧａＡ畠などの
璽−族を用いたものについては、この構造の製作工程に
化学的エツチング法を用いることができ工程の信頼性が
高い。
面は、他部分のエツチングによる除去を行り九際形成さ
れる棒状半導体を折ることＫよりて、へき開面とするの
が要点である。エツチングによシ棒状部は基板から隔離
されているから、局部的に伸開面を形成することが可能
となろ０へき開が局所的でＴｏ予九め位置精度がよく、
さらに基板自体はへ１！開で小面積になりてはいないた
め、電極長の小さいものもつくることができ、集積回路
にも適用できる。４１ＫＧａＡｊＡ畠／ＧａＡ畠などの
璽−族を用いたものについては、この構造の製作工程に
化学的エツチング法を用いることができ工程の信頼性が
高い。
発明の実施例
以下本発明をＧａＡｔＡｓｚ勺ａＡｓＤＨレーザを例と
して図面を参照しながら説明する。第３図はエピ構造を
示す。
して図面を参照しながら説明する。第３図はエピ構造を
示す。
ｎ−ＧａＡｓ基板（１０Ｇ）３１上にｎ−ＡＬｏ、４Ｇ
ｈａ、ａＡｓ層３２（１〜２ｓｓ＋）、Ｐ−Ａ４．ｔＧ
ａ＊−５Ａａ活性層３３ （０，２〜Ｇ、３ ｊｍ）、
ｐ−ムｊ＠、４Ｇａ＠、＠Ａ、一層３４（ｌ〜ｚｓＩｌ
＆）、Ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層３５（１〜３７１１１
１）を順次液相、分子ビーム、有機金属気相成！ｊ＃、
法等によシエピタキシャル率長し、ｎ−ＧａＡｍ基板１
１を厚さ５０〜１００ｊｓ＠Ｊ［に研摩した後基板側Ｋ
ＡｕＧ＠Ｎｌ０ｎ電極３７及びｐ＋ＧａＡｓ３５ 側に
、ＡｕＺｎのストライプ状ｐｔ極３６を形成したもので
あ七〇 次にへき開面を形成する方法を述べる。′ｍ４図に工程
を示す。第４図（ａ）は半導体レーザの斜視図、第４図
（ｂ）〜（ｄ）ハ平ｉ１図”？”６ル。（Ｉｒ）〜（ｄ
）ハ（ｏ ＹＹ’断面図である６ （ａ） ｐ ｍ ｃ
ｏｎｔａｃｔ １６形成＃（ｂ）マスク形成−！スフ１
フはフォトレジスト又は８１０ｍなどの密着性の嵐い絶
縁膜形成後フォトレジスト工程で形成する。（Ｃ）化学
エツチング。ＧａＡａ組対してはＢｒａメタノールＡ１
［ＨｍＳＯａ・ＨｔＯｔ １１ＨｔＯ系エツチング液な
どによる化学エツチングを用いることかできる０このエ
ツチングを充分に行い、パターニング部のうち伸開面形
成用の突出した［有］部は異方性エッチにより基板から
隔離される。さらにマスクを除去する。（ｄ）伸開面形
成用の突出した異方性エツチングにより基板から浮き上
りた形状の［有］部に上から圧力をかけるか或いは超音
波をかけることＫよりて０部を折うて取り除く。これＫ
より端面局部はへき開面によシ構成されることとなる。
ｈａ、ａＡｓ層３２（１〜２ｓｓ＋）、Ｐ−Ａ４．ｔＧ
ａ＊−５Ａａ活性層３３ （０，２〜Ｇ、３ ｊｍ）、
ｐ−ムｊ＠、４Ｇａ＠、＠Ａ、一層３４（ｌ〜ｚｓＩｌ
＆）、Ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層３５（１〜３７１１１
１）を順次液相、分子ビーム、有機金属気相成！ｊ＃、
法等によシエピタキシャル率長し、ｎ−ＧａＡｍ基板１
１を厚さ５０〜１００ｊｓ＠Ｊ［に研摩した後基板側Ｋ
ＡｕＧ＠Ｎｌ０ｎ電極３７及びｐ＋ＧａＡｓ３５ 側に
、ＡｕＺｎのストライプ状ｐｔ極３６を形成したもので
あ七〇 次にへき開面を形成する方法を述べる。′ｍ４図に工程
を示す。第４図（ａ）は半導体レーザの斜視図、第４図
（ｂ）〜（ｄ）ハ平ｉ１図”？”６ル。（Ｉｒ）〜（ｄ
）ハ（ｏ ＹＹ’断面図である６ （ａ） ｐ ｍ ｃ
ｏｎｔａｃｔ １６形成＃（ｂ）マスク形成−！スフ１
フはフォトレジスト又は８１０ｍなどの密着性の嵐い絶
縁膜形成後フォトレジスト工程で形成する。（Ｃ）化学
エツチング。ＧａＡａ組対してはＢｒａメタノールＡ１
［ＨｍＳＯａ・ＨｔＯｔ １１ＨｔＯ系エツチング液な
どによる化学エツチングを用いることかできる０このエ
ツチングを充分に行い、パターニング部のうち伸開面形
成用の突出した［有］部は異方性エッチにより基板から
隔離される。さらにマスクを除去する。（ｄ）伸開面形
成用の突出した異方性エツチングにより基板から浮き上
りた形状の［有］部に上から圧力をかけるか或いは超音
波をかけることＫよりて０部を折うて取り除く。これＫ
より端面局部はへき開面によシ構成されることとなる。
これらの工程の詳細を述べる。電極１６の長さ方向は＜
ｏＴＴ＞方向とする。これＫよプ、化学エツチングによ
る構形状は第４図（−のＡ部で示す如＜、ｔｒｒ面を三
角形状にすることができる。
ｏＴＴ＞方向とする。これＫよプ、化学エツチングによ
る構形状は第４図（−のＡ部で示す如＜、ｔｒｒ面を三
角形状にすることができる。
またエツチング液は、結晶方位依存性をあられすため反
応律速系の液が有利であり、ＧａＡ−の場合１例として
８Ｈ嘗０＊＋ＩＨ＊８０番＋ＩＨ禦Ｏ混液を用いること
ができる。
応律速系の液が有利であり、ＧａＡ−の場合１例として
８Ｈ嘗０＊＋ＩＨ＊８０番＋ＩＨ禦Ｏ混液を用いること
ができる。
第５図はマスクパターン形成後ＧａＡｓ基板（Ｚｏｏ）
を異方性エッチャントとして８Ｈ＊０＊’弓Ｈ會ＳＯ４
・Ｉ Ｈｔ Ｏの混合液を用いて室温でエツチングした
時のエツチング特性を示す図である。
を異方性エッチャントとして８Ｈ＊０＊’弓Ｈ會ＳＯ４
・Ｉ Ｈｔ Ｏの混合液を用いて室温でエツチングした
時のエツチング特性を示す図である。
チング時間でプロットした結晶面方向とエツチング速度
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
第５図（ｂ）、 （ｅ）はＧａＡｓ基板（１００）４１
の選択エツチングにより形成される断面形状を示す。
の選択エツチングにより形成される断面形状を示す。
第５図伽）は（ｏＴＴ）断面でマスク４２の下に台形状
のエツチング断面が形成される。亀はエツチング深さ、
ｂはマスク面からのサイドエッチ量。
のエツチング断面が形成される。亀はエツチング深さ、
ｂはマスク面からのサイドエッチ量。
Ｃは傾斜部の巾を示す。
第５図（ｃ）は（ｏＴＴ）断面で逆台形状のエツチング
断面が形成される。ｆはエツチング深さ、ｇＦｉマスク
面からのサイドエッチ量、ｈａ傾斜部の巾を示す。第５
図（ａ）のパラメータ”＋８ ｆ：ｈ：ｂ。
断面が形成される。ｆはエツチング深さ、ｇＦｉマスク
面からのサイドエッチ量、ｈａ傾斜部の巾を示す。第５
図（ａ）のパラメータ”＋８ ｆ：ｈ：ｂ。
ｇは上記第５図（ｂ）＊ （ｅ）での図に示された記号
を各々示す。
を各々示す。
第５図のエツチング特性から、（ＯＩＴ）断面では２
（ｈ＋ｇ））マスク幅とならたとき棒状部が基板］山 から隔離される・第４図の特性よシこの液においては、
（ｈ ＋ ｇ） ； ｆであるから、マスク幅の半分よ
シ少し深くまでエツチングすれば、これが達成される。
（ｈ＋ｇ））マスク幅とならたとき棒状部が基板］山 から隔離される・第４図の特性よシこの液においては、
（ｈ ＋ ｇ） ； ｆであるから、マスク幅の半分よ
シ少し深くまでエツチングすれば、これが達成される。
実施例においては、マスク幅３０μを用い、深さ２Ｇ１
１エツチングして第６図のような断面を得た。６１は基
板部、６２はメサエッチ、６３はマスク、６鴫は臂−面
形成用の断面が三角形の央出部である。電極幅は７声を
用いているため、電極端部ではへき開＃によｐ光放射面
が形成される。
１エツチングして第６図のような断面を得た。６１は基
板部、６２はメサエッチ、６３はマスク、６鴫は臂−面
形成用の断面が三角形の央出部である。電極幅は７声を
用いているため、電極端部ではへき開＃によｐ光放射面
が形成される。
へき開は第７図のＩｊＩＩ−用に突き出た基板部から浮
いて三角柱状にエツチングされたの部を押えることによ
り行うが、へき開位置を精度良く決定するため１９によ
）示した浅いエツチング溝を予め設けておき、この溝か
らへき開が行われるようＫし友。なお第７図は第４図（
噛）の要部拡大図である。
いて三角柱状にエツチングされたの部を押えることによ
り行うが、へき開位置を精度良く決定するため１９によ
）示した浅いエツチング溝を予め設けておき、この溝か
らへき開が行われるようＫし友。なお第７図は第４図（
噛）の要部拡大図である。
なお、この溝１９形状は第５図から知られる通）、鍔１
９幅ｄよシ深いエツチングを行うことによ１第７図（ｂ
）のクサビとなるＶ形状を実現できるたへへき開位置を
決定するのに都合良い０実施例では婢１ｔ！１ｄ＝２ｊ
＃長さｔ＝５ｐｍで２５秒のエツチングによシ第７図（
ｂ）を実現した。溝１９の深さは第３図のｐＳ Ｑ ＆
Ａ４Ａ Ｉ活性層１３ｓさよりも充分浅くすることがで
きるのでＬＤＯ特性に悪影響はない◎仁れらの工程によ
シ得られた資鄭端−婦を第８図に示す０Ｍはへき開面、
Ｎはエッチ面となっている＠この構造でつくったＬＤＯ
＊性社第２図の従来法でつくり九ＬＤと同じ１１度に＆
好であった。
９幅ｄよシ深いエツチングを行うことによ１第７図（ｂ
）のクサビとなるＶ形状を実現できるたへへき開位置を
決定するのに都合良い０実施例では婢１ｔ！１ｄ＝２ｊ
＃長さｔ＝５ｐｍで２５秒のエツチングによシ第７図（
ｂ）を実現した。溝１９の深さは第３図のｐＳ Ｑ ＆
Ａ４Ａ Ｉ活性層１３ｓさよりも充分浅くすることがで
きるのでＬＤＯ特性に悪影響はない◎仁れらの工程によ
シ得られた資鄭端−婦を第８図に示す０Ｍはへき開面、
Ｎはエッチ面となっている＠この構造でつくったＬＤＯ
＊性社第２図の従来法でつくり九ＬＤと同じ１１度に＆
好であった。
発明の効果
この構造は、第４図の本発明の半導体レーザの製造工ｓ
Ｋ示すように１素子部以外をへき開やスクライブ、ワイ
ヤカッティング等によシ取り除き、チップとすることが
できる０上述の例はこれで行−）九〇チップの大きさは
、素子部の大きさとは無関係に選べるから短い電極長を
有する素子でも、ハンドリングの困嫌のないチップ大き
さとすることができる。を先発光ダイオードにこの構造
を応用する場合は、両方の端面にこれを使うこともでき
るが、光共振器を必要としないため、光放射面としては
用いない方の端面は、へき開以外の方法で形成すること
も可能である。また、この構造が最大の効果を生むのは
、モノリシック集積回路においてである。即ち、基板を
へき開してしまわないで半導体発光装置の端間部分のみ
ｔ−伸開すれば済むため、同一基板上にＬＤ、ＬＥＤ以
外の素子を形成することができる。
Ｋ示すように１素子部以外をへき開やスクライブ、ワイ
ヤカッティング等によシ取り除き、チップとすることが
できる０上述の例はこれで行−）九〇チップの大きさは
、素子部の大きさとは無関係に選べるから短い電極長を
有する素子でも、ハンドリングの困嫌のないチップ大き
さとすることができる。を先発光ダイオードにこの構造
を応用する場合は、両方の端面にこれを使うこともでき
るが、光共振器を必要としないため、光放射面としては
用いない方の端面は、へき開以外の方法で形成すること
も可能である。また、この構造が最大の効果を生むのは
、モノリシック集積回路においてである。即ち、基板を
へき開してしまわないで半導体発光装置の端間部分のみ
ｔ−伸開すれば済むため、同一基板上にＬＤ、ＬＥＤ以
外の素子を形成することができる。
第９図はこのような一実施例を示す斜視図である。８１
は半番体基板部分、「２はエビタキシル成長によシ能動
層形成後不要部を選択エツチング除去し、反射端面を本
発明の方法を用いて部分的伸開によシ形成した半導体レ
ーザ、８３は能動層形成後不要部を選択エツチング除去
して形成した受光装置、 ８４は半導体基板に位置決め
用のマ溝を形成し、このｖ＃ｌ内に、半導体レーザ８２
からの入射が良好になるように位置決め固定された光フ
ァイバーである０ＬＤ８２のｐ出力はファイバ８４への
入力として用い、ｑ出力を用いて受光器８３で検知さら
に同一基板上の又は別の素子へ信号を供給する。もちろ
ん、受光器以外の素子、九とえばＬＤ駆動用トツンジス
タなどと同一基板上に集積する場合も有効である。千の
ように従来法では−しかったモハシックーー積回路の製
作が、ＬＤ。
は半番体基板部分、「２はエビタキシル成長によシ能動
層形成後不要部を選択エツチング除去し、反射端面を本
発明の方法を用いて部分的伸開によシ形成した半導体レ
ーザ、８３は能動層形成後不要部を選択エツチング除去
して形成した受光装置、 ８４は半導体基板に位置決め
用のマ溝を形成し、このｖ＃ｌ内に、半導体レーザ８２
からの入射が良好になるように位置決め固定された光フ
ァイバーである０ＬＤ８２のｐ出力はファイバ８４への
入力として用い、ｑ出力を用いて受光器８３で検知さら
に同一基板上の又は別の素子へ信号を供給する。もちろ
ん、受光器以外の素子、九とえばＬＤ駆動用トツンジス
タなどと同一基板上に集積する場合も有効である。千の
ように従来法では−しかったモハシックーー積回路の製
作が、ＬＤ。
ＬＥＤ（Ｄ％性を、へき開面利用の従来法でりくつた菓
子に比較し１劣化させることなく、可能となる効果があ
る０
子に比較し１劣化させることなく、可能となる効果があ
る０
第１図は光集積回路を説明する斜視図、ｊｇ２図は従来
の半導体レーザの斜視図、第３図は半導体レーザの断面
図、第４図は本発明の半導体レーザの弁開端面形成法を
説明する工程図、第５図はＧａＡｍ半導体の異方性エツ
チング特性を説明する図、第６図は本発明の基板部上に
異方性エツチングによシ、端部のみが基板にささえられ
た三角柱状に形成され九臂開用突出部を説明する断面図
、菓７図は本発明の骨間面形成を説明する図、第８図は
本発明の半導体レーザの伸開端面部の斜視図、第、９図
は本発明の光半導体集積回路の一実施例を示す斜視図で
ある。 １１：ｎ−ＧａＡｓ基板、 １２ 二 １ｌ−Ａｔか
ａＧａｏ、ａＡｓ層、 １３ ： ｐ−Ａ４−ｔＧａ
・、・Ａｓ活性層、 １４ ：ｐ−Ａ４．。 Ｇａ＠４Ａｍ層、 １５ ： ｐ＋ＧａＡｓ ：７ン
タクト層、１６：、ｉ′） ｐ電極、１０：ｎ−電極、１７：マスクパターン。 １８二メナエッチ領域、Ａ：端部Ｏみが基板部でささえ
られた三角柱状の伸開端面形成用の突出部。 Ｌ：レーザ発光を行うｐｎ接合部、１９： ＪＪ開のク
サビ形成用溝、Ｎ’、エツチングによシ形成された趨向
９Ｍ：伸開により形成された端面、８１：光半導体集積
回路の基板部、８２二半導体レーザ。 ８３：半導体受光装置、８４：光７アイノ（０第゛１
図 第２１２１ ６ 円 窮３ 図 第４ｔ２１１ 第５図 集６図
の半導体レーザの斜視図、第３図は半導体レーザの断面
図、第４図は本発明の半導体レーザの弁開端面形成法を
説明する工程図、第５図はＧａＡｍ半導体の異方性エツ
チング特性を説明する図、第６図は本発明の基板部上に
異方性エツチングによシ、端部のみが基板にささえられ
た三角柱状に形成され九臂開用突出部を説明する断面図
、菓７図は本発明の骨間面形成を説明する図、第８図は
本発明の半導体レーザの伸開端面部の斜視図、第、９図
は本発明の光半導体集積回路の一実施例を示す斜視図で
ある。 １１：ｎ−ＧａＡｓ基板、 １２ 二 １ｌ−Ａｔか
ａＧａｏ、ａＡｓ層、 １３ ： ｐ−Ａ４−ｔＧａ
・、・Ａｓ活性層、 １４ ：ｐ−Ａ４．。 Ｇａ＠４Ａｍ層、 １５ ： ｐ＋ＧａＡｓ ：７ン
タクト層、１６：、ｉ′） ｐ電極、１０：ｎ−電極、１７：マスクパターン。 １８二メナエッチ領域、Ａ：端部Ｏみが基板部でささえ
られた三角柱状の伸開端面形成用の突出部。 Ｌ：レーザ発光を行うｐｎ接合部、１９： ＪＪ開のク
サビ形成用溝、Ｎ’、エツチングによシ形成された趨向
９Ｍ：伸開により形成された端面、８１：光半導体集積
回路の基板部、８２二半導体レーザ。 ８３：半導体受光装置、８４：光７アイノ（０第゛１
図 第２１２１ ６ 円 窮３ 図 第４ｔ２１１ 第５図 集６図
Claims (3)
- （１） 半導体基板上に活性層を含む能動層をエピタ
キシャル成長する工程、ストライプ電極を形成する工程
、基板上の半導体発光装置形成領域及びストライプ′Ｉ
Ｌ重延長上の伸開端面形成用領域上に選択エツチング用
のマスクパターンを形成する工程、異方性エッチャント
中で基板をエツチングし、能動′−を汀むメサ状の半導
体発光装置領域及び該半導体発光装置領域の発光端面形
成部からストライプ電極延長上伸状に突出する一開端面
形成領域を形成″ｒる工程、棒状に突出する骨間端面形
成領域で伸開を行ない、半導体発光製蓋の発光端面を形
成する工程を有することを％徴とする光集積回路の線法
。 - （２）半導体基板として（１００）面の鳳−族化合切牛
導体を用い、活性層を含む能動層をエピタキシャル成長
ｆｉ、（０１１＞方向にストライプ状電極を形成し、異
方性エツチングによシ能動４１ｉ−含むメサ状の半導体
発光装置領域及び該発光装置領域の発光端面形成部から
三角柱状に突出する弁開４面形成領域を形成し、ストラ
イプ状電極喝部キルはその延長上で（ｏＴＴ）面の伸開
面を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の元来積回路の製法。 - （３）半導体基板上に、活性層を含む能動ノーから成る
メサ状の半導体発光装置領域と該発光装置ｗ４城の発光
端面形成部で支持される棒状に突出する発゛光！！１面
形成用臂開領域の臂開によ〕形成されに伸開面とを有す
ることを特徴とする光来償回鮎０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005708A JPS58123761A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 光集積回路及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005708A JPS58123761A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 光集積回路及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123761A true JPS58123761A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11618610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57005708A Pending JPS58123761A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 光集積回路及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123761A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254203A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘツド装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50111610A (ja) * | 1973-09-18 | 1975-09-02 | ||
| JPS5451786A (en) * | 1977-10-03 | 1979-04-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of luminous semiconductor device or optical ic |
| JPS54157094A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-11 | Sharp Corp | Semiconductor laser element and its manufacturing method |
| JPS5724588A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Sharp Corp | Semiconductor laser device |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP57005708A patent/JPS58123761A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50111610A (ja) * | 1973-09-18 | 1975-09-02 | ||
| JPS5451786A (en) * | 1977-10-03 | 1979-04-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of luminous semiconductor device or optical ic |
| JPS54157094A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-11 | Sharp Corp | Semiconductor laser element and its manufacturing method |
| JPS5724588A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Sharp Corp | Semiconductor laser device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254203A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘツド装置 |
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