JPS58123718A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS58123718A JPS58123718A JP626082A JP626082A JPS58123718A JP S58123718 A JPS58123718 A JP S58123718A JP 626082 A JP626082 A JP 626082A JP 626082 A JP626082 A JP 626082A JP S58123718 A JPS58123718 A JP S58123718A
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- vacuous
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、プラズーＶＣＶＤ装置Ｋｌｌする。
発明の技術的背景
近年、半導体装置の製造工程で鉱、薄膜形成の九めＫ
ＣＶＤ （Ｃｈ＠ｍｉ＠ｕ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）技術Ｋｆツーｆｑ反応管応用し九所謂デラ
ズｖＣＶＤ法が採用されている・グッズマＣ’ＶＤ 法
によルト半導体装置にシリコンナイトライド膜ｅ／ｆ、
シペ−８／ＩＩン膜として容易に形成することができる
。
ＣＶＤ （Ｃｈ＠ｍｉ＠ｕ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）技術Ｋｆツーｆｑ反応管応用し九所謂デラ
ズｖＣＶＤ法が採用されている・グッズマＣ’ＶＤ 法
によルト半導体装置にシリコンナイトライド膜ｅ／ｆ、
シペ−８／ＩＩン膜として容易に形成することができる
。
プラズマＣＶＤ装置としては、反応ガスの励起方式によ
〕誘導結合方式（コイル結合方式、ｉｍｕｅｔｉｖｅ
ｃｏｕｐｊｉｎｇ方式とも呼ばれる。）のものと、容量
結合方式（ダイオード方式、平行平板方式とも呼ばれる
・）のものが使用されている。
〕誘導結合方式（コイル結合方式、ｉｍｕｅｔｉｖｅ
ｃｏｕｐｊｉｎｇ方式とも呼ばれる。）のものと、容量
結合方式（ダイオード方式、平行平板方式とも呼ばれる
・）のものが使用されている。
前者は、石英製反応管の外部に高周波コイルを巻き、ζ
Ｏコイルによ）管内に導入した反応ガスに高周波電力管
与えてグッズマを発生させる方式のものである・この方
式によるものでは、大きな形状の被処理体の表面には、
ＣＶＤＪ１４’ｉ均一な膜厚で形成することが困難であ
シ、量産に適さない欠点がある。
Ｏコイルによ）管内に導入した反応ガスに高周波電力管
与えてグッズマを発生させる方式のものである・この方
式によるものでは、大きな形状の被処理体の表面には、
ＣＶＤＪ１４’ｉ均一な膜厚で形成することが困難であ
シ、量産に適さない欠点がある。
この欠点を解消するために、後者の容量結合方式０７”
ッズｗ ＣＶＤ装置が使用されている。＃！１図は、そ
の１例である平行平板電極型のグラズマＣＶＤ装置の概
略構成管示す説明図である。
ッズｗ ＣＶＤ装置が使用されている。＃！１図は、そ
の１例である平行平板電極型のグラズマＣＶＤ装置の概
略構成管示す説明図である。
図中１は、陰極２と陽極１とを所定間隔管設けて内部に
対設し九真空容器である。陰極２上には、被処理体４で
ある半導体つ、八が載置されている。真空容器１内には
、陰極２の中央部に先端部が象付けられた反応ガス供給
管Ｉｆ介してガス源ｄからシランガス、アンモニアブス
、キャリアガス等のガスが供給されるようＫなっている
。陽極ＩＫは、陰陽極間に高周波電界を印加するための
高周波電源１が接続されている・真空容器１の底ＩＩＫ
は、排気ダク）ＩＩ−介して排気機構ｔが接続されてい
る。１九、陰極２の下部には、ヒータ１０が内蔵されて
おり、温度調節器１１にようて真空容器１内を所定の温
度に設定されるようにＩｋ５ている。而して、高周波電
源ＩＫよ）陽極１と陰極１閣に、所望の高周波電界を印
加してグルー放電管起こさせ、真空容器１内に導入され
た反応ガスをプラズマ化し、非平衡プラズマ反応によシ
陰極２上の被処理に４にシリコンナイトライｒ膜勢の■
膜を背景技術の問題点 第１１１に示すようなプラズマＣＶＤ装置１ｓでは、Ｃ
ＶＤ膜が被処理体４０表面のみならず陽極ＩＫも形成さ
れる。ヒのため、被処理体４ｔ−設置し九）或は取シ外
す際中、真空容器１を移動して壷郁を開閉する際に、陽
極１上に形成され九〇ＶＤ ＠が雪状に被処理体４の表
面に降下し、欠陥を形成する問題があった。仁の問題を
解消する丸めに、真空容器１内に反応ガスに代えてＣＦ
４とＯ１勢からなるエツチングガスを導入し、陽極１上
に生成するＣＶＤ ＠ ０１會減少させる手段も採用さ
れているが十分な効果が得られず、生産性を低下させる
欠点がある。
対設し九真空容器である。陰極２上には、被処理体４で
ある半導体つ、八が載置されている。真空容器１内には
、陰極２の中央部に先端部が象付けられた反応ガス供給
管Ｉｆ介してガス源ｄからシランガス、アンモニアブス
、キャリアガス等のガスが供給されるようＫなっている
。陽極ＩＫは、陰陽極間に高周波電界を印加するための
高周波電源１が接続されている・真空容器１の底ＩＩＫ
は、排気ダク）ＩＩ−介して排気機構ｔが接続されてい
る。１九、陰極２の下部には、ヒータ１０が内蔵されて
おり、温度調節器１１にようて真空容器１内を所定の温
度に設定されるようにＩｋ５ている。而して、高周波電
源ＩＫよ）陽極１と陰極１閣に、所望の高周波電界を印
加してグルー放電管起こさせ、真空容器１内に導入され
た反応ガスをプラズマ化し、非平衡プラズマ反応によシ
陰極２上の被処理に４にシリコンナイトライｒ膜勢の■
膜を背景技術の問題点 第１１１に示すようなプラズマＣＶＤ装置１ｓでは、Ｃ
ＶＤ膜が被処理体４０表面のみならず陽極ＩＫも形成さ
れる。ヒのため、被処理体４ｔ−設置し九）或は取シ外
す際中、真空容器１を移動して壷郁を開閉する際に、陽
極１上に形成され九〇ＶＤ ＠が雪状に被処理体４の表
面に降下し、欠陥を形成する問題があった。仁の問題を
解消する丸めに、真空容器１内に反応ガスに代えてＣＦ
４とＯ１勢からなるエツチングガスを導入し、陽極１上
に生成するＣＶＤ ＠ ０１會減少させる手段も採用さ
れているが十分な効果が得られず、生産性を低下させる
欠点がある。
発明ＯＩ的
本発明は、高い生産性の下に高品質のｃｖｐ躾會容易に
形成すると：・：、とができるプラズマＣＶＤ装置を提
供することをその目的とするものである。
形成すると：・：、とができるプラズマＣＶＤ装置を提
供することをその目的とするものである。
発明の概要
本発明は、真空容器本体にその内部とＦＭ閉叡【介して
連通した真空予備室を隣接し、この真空予備室内に被処
理体搬送機□構を設けたことにより、高い生産性の下に
高品質ＯＣＶＤ膜を容易に形成できるようにしえプラズ
マＣＶＤ装置である・ 発明の実施例 第２図及びｚｘａは、本発明の一実施例の概略構成を示
す説Ｗｉ４１ｇである０図中１８１１、真空容器本体で
ある。真空容器本体１＃内には、１対の陽陰電極−ｚｘ
ａ、ｚＪｂが所定間隔を設けて対設されている・真！＄
１１本体１０内Ｏ上方に設けられえ陽電極ｘ Ｊ ＊Ｋ
Ｆｉ、図示しない高周波電源が接続されている。陰電極
１１ｂの中央部には、図示しまい反応ガスＩｌ［Ｋ通じ
る反応ガス供給管Ｊ２が取付けられている。１九、陰電
極１１ｂ上には、所定枚数の被処理体１１である半導体
つ、ハが載置畜れるように１に５ている。真空容器本体
２００側部には、−閉１［２４を介して真空容器本体２
０の内部と自由に連通できるように真空予備型１１がＷ
ａ接されている。
連通した真空予備室を隣接し、この真空予備室内に被処
理体搬送機□構を設けたことにより、高い生産性の下に
高品質ＯＣＶＤ膜を容易に形成できるようにしえプラズ
マＣＶＤ装置である・ 発明の実施例 第２図及びｚｘａは、本発明の一実施例の概略構成を示
す説Ｗｉ４１ｇである０図中１８１１、真空容器本体で
ある。真空容器本体１＃内には、１対の陽陰電極−ｚｘ
ａ、ｚＪｂが所定間隔を設けて対設されている・真！＄
１１本体１０内Ｏ上方に設けられえ陽電極ｘ Ｊ ＊Ｋ
Ｆｉ、図示しない高周波電源が接続されている。陰電極
１１ｂの中央部には、図示しまい反応ガスＩｌ［Ｋ通じ
る反応ガス供給管Ｊ２が取付けられている。１九、陰電
極１１ｂ上には、所定枚数の被処理体１１である半導体
つ、ハが載置畜れるように１に５ている。真空容器本体
２００側部には、−閉１［２４を介して真空容器本体２
０の内部と自由に連通できるように真空予備型１１がＷ
ａ接されている。
真空予備室ｌａ内には、被処理体１１を多段に収容し九
カセット２６と、このカセットｚ６と真空容器本体２０
内の陰電極ｘｘｂ間で被処理体ｊＪｌ搬送せしめる被処
理体搬送機構２１が設けられている働被他理体搬送機構
２１社、被処理体ＸＳ（カセ、）２ｇから真空予備室２
６０所定位置まで移送する第１０ホーク１１１と、この
所定位置から陰電極ｚＪｂ上まで被処理体ｊ ’Ｊ ｔ
−移送すみ第２０ホータＪＦｂとで構成されている・な
お、陰電極ｘｓｂの被処理体設置＠ｊ１＠には、被処理
体２１０下面を突き上げて第２０ホークＪＦｂの先端部
が挿入される間隙部を形成するための突起体ｘｘｄが設
けられている。ｔた、真空容器本体２＃には、その内電
極ｚＪｂ上の被処理体ｊＪＫｃＶＤｌｉｏ形成が行われ
ている際には、真空容器本体ＳＯ（密閉するように閉じ
てお〕、被処理体２３の出入れの際ＫＯみ開放されて真
９容器本体２０内と真空予備室２５とを連通させるよう
Ｋなっている。
カセット２６と、このカセットｚ６と真空容器本体２０
内の陰電極ｘｘｂ間で被処理体ｊＪｌ搬送せしめる被処
理体搬送機構２１が設けられている働被他理体搬送機構
２１社、被処理体ＸＳ（カセ、）２ｇから真空予備室２
６０所定位置まで移送する第１０ホーク１１１と、この
所定位置から陰電極ｚＪｂ上まで被処理体ｊ ’Ｊ ｔ
−移送すみ第２０ホータＪＦｂとで構成されている・な
お、陰電極ｘｓｂの被処理体設置＠ｊ１＠には、被処理
体２１０下面を突き上げて第２０ホークＪＦｂの先端部
が挿入される間隙部を形成するための突起体ｘｘｄが設
けられている。ｔた、真空容器本体２＃には、その内電
極ｚＪｂ上の被処理体ｊＪＫｃＶＤｌｉｏ形成が行われ
ている際には、真空容器本体ＳＯ（密閉するように閉じ
てお〕、被処理体２３の出入れの際ＫＯみ開放されて真
９容器本体２０内と真空予備室２５とを連通させるよう
Ｋなっている。
また、カセット１１には、収納された被処理体２３と被
処理体搬送機構２１の搬送面とを同一の平面となるよう
に１力竜、ト２ｃを上下動させる昇降機構２＃が堆付け
られている。を九、真空容器本体２＃及び真空予備室２
ｔｔｉｃは、これらの内部を所定の減圧状ｗＡＫ設定す
る排気機構（図示せず）が接続されている。
処理体搬送機構２１の搬送面とを同一の平面となるよう
に１力竜、ト２ｃを上下動させる昇降機構２＃が堆付け
られている。を九、真空容器本体２＃及び真空予備室２
ｔｔｉｃは、これらの内部を所定の減圧状ｗＡＫ設定す
る排気機構（図示せず）が接続されている。
而して、このように構成されたプラーＩｅ−ｖＣｖＤ装
置土！によれば、昇降機構２１によってカセ、トｚｉ＠
所定位置まで昇降動させてＣＶＤ ［Ｉ！を形成せしめ
る被処理体Ｘ５ｔ−１被処理体搬送機構２１の搬送面の
高さに設定する０次いで、第１のホーク１１ａＫよ）こ
の被処理体２１會所定位置まで移送し先後、開閉板２４
を開放して真空容器本体２＃内と真空予備室ｘｉとを連
通せしめ、第２のホークＩｆｌｂＦＣ・よ＊彼処履体２
１を所定位置から陰電極ＪＪＩ）上の被処理体設定部２
１ｃに移す、なお、被処理体設定部１１ｅは、図示しな
い回転機構により予め陰電極２１ｂを回転させて定位置
に設定しておく。
置土！によれば、昇降機構２１によってカセ、トｚｉ＠
所定位置まで昇降動させてＣＶＤ ［Ｉ！を形成せしめ
る被処理体Ｘ５ｔ−１被処理体搬送機構２１の搬送面の
高さに設定する０次いで、第１のホーク１１ａＫよ）こ
の被処理体２１會所定位置まで移送し先後、開閉板２４
を開放して真空容器本体２＃内と真空予備室ｘｉとを連
通せしめ、第２のホークＩｆｌｂＦＣ・よ＊彼処履体２
１を所定位置から陰電極ＪＪＩ）上の被処理体設定部２
１ｃに移す、なお、被処理体設定部１１ｅは、図示しな
い回転機構により予め陰電極２１ｂを回転させて定位置
に設定しておく。
然る後、反応ガス供給管１１から所望の反応ガスを真空
容器本体２０内に導入し、排気機構にようて所定の減圧
状態に設定する。次いで、高周波電＠によｐ陰陽電極２
Ｊｂ、１１％間に所定の電圧を印加し、反応ガスｆｆラ
ズム化して所望のＣＶＤ ＩＩ を被処理体２１上に形
成する。
容器本体２０内に導入し、排気機構にようて所定の減圧
状態に設定する。次いで、高周波電＠によｐ陰陽電極２
Ｊｂ、１１％間に所定の電圧を印加し、反応ガスｆｆラ
ズム化して所望のＣＶＤ ＩＩ を被処理体２１上に形
成する。
ＣＶＤ１［０形成後、再び開閉板１４ｆ開放して真空容
器本体２＃内と真空予備室２ｊとを連通させると共に、
央起体ｊＪｄＫよｌ ＣＶＤ膜の形成された被処理体２
１をその下面よ〕突き上げ、第２０ホークｘｙｂ＠被旭
履体２１の下部に挿入して、真空予備室ｘｉｏ所定位置
まで引き出す４．然る彼、第２のホークＪＦｂによ〕こ
の被処理体２１をカセット２σＯ所定段のところに戻し
、操作を完了する・ このようにこのｆ１ラズマＣＹＤ装置ｘ ｏ ｏ ｃｖ
Ｄ膜形成操作では、真空容器本体ｚｏ内は常に所定の高
真空状１１に保えれている。また、被処理体２１の真空
容器本体１−内からの出入れ操作は、排気装置によりて
真空予備室２Ｊ内を大気圧状態または真空容器本体２−
と同じ高真空状態に設定して行われる。その結果、真空
容器本体２０内の温度変化は糎とんど攻くなプ、陽電極
２１ａＫ形成されえＣＶＤ膜の温度差による応力に依る
陽極からの脱落がなくなるために陽電＆２１ａ上Ｃ）
ＣＶＤ膜が被処理体２１上に落下するのを防止し、高品
質０ＣＶＤ膜を被処理体２Ｓ上に容易に形成することが
できる。このため、陽電極２１％の洗浄回数が減り、実
稼動時間を大幅に増大して生産性を高めることができる
。
器本体２＃内と真空予備室２ｊとを連通させると共に、
央起体ｊＪｄＫよｌ ＣＶＤ膜の形成された被処理体２
１をその下面よ〕突き上げ、第２０ホークｘｙｂ＠被旭
履体２１の下部に挿入して、真空予備室ｘｉｏ所定位置
まで引き出す４．然る彼、第２のホークＪＦｂによ〕こ
の被処理体２１をカセット２σＯ所定段のところに戻し
、操作を完了する・ このようにこのｆ１ラズマＣＹＤ装置ｘ ｏ ｏ ｃｖ
Ｄ膜形成操作では、真空容器本体ｚｏ内は常に所定の高
真空状１１に保えれている。また、被処理体２１の真空
容器本体１−内からの出入れ操作は、排気装置によりて
真空予備室２Ｊ内を大気圧状態または真空容器本体２−
と同じ高真空状態に設定して行われる。その結果、真空
容器本体２０内の温度変化は糎とんど攻くなプ、陽電極
２１ａＫ形成されえＣＶＤ膜の温度差による応力に依る
陽極からの脱落がなくなるために陽電＆２１ａ上Ｃ）
ＣＶＤ膜が被処理体２１上に落下するのを防止し、高品
質０ＣＶＤ膜を被処理体２Ｓ上に容易に形成することが
できる。このため、陽電極２１％の洗浄回数が減り、実
稼動時間を大幅に増大して生産性を高めることができる
。
因に、実施例のプラズマＣＶＤ装置３０にて被処理体２
１上にシリコンナイトライド膜を形成ン し、その後、ｃｙ４と０２からなる工、チシ′グガスを
真空容器本体２−内に供給し、プツズ！工。
１上にシリコンナイトライド膜を形成ン し、その後、ｃｙ４と０２からなる工、チシ′グガスを
真空容器本体２−内に供給し、プツズ！工。
チングを施して１回の工、チング処理ｔ１サイクルとし
てこのナイクルととＯ〆ダスト被処理体２３上への落下
を調べ九ところ戦４図中曲線■にて示す結果を得え、こ
れと比較するために従来のグツズｗｃＶＤ装置を用いて
同様にＣＶＤ膜の形成、及び工、チング処理を施し、ダ
ストの落下状態を調べたところ、同図中白ＩＩＩにて併
記する結果を得た。同結果から明らかなように実施例の
プラズマＣＶＤ装置１０では、従来の装置に比べて嬉か
にダストの落下数が少なく、高品質ｏ ＣＶＤ膜を形成
できることが判る。
てこのナイクルととＯ〆ダスト被処理体２３上への落下
を調べ九ところ戦４図中曲線■にて示す結果を得え、こ
れと比較するために従来のグツズｗｃＶＤ装置を用いて
同様にＣＶＤ膜の形成、及び工、チング処理を施し、ダ
ストの落下状態を調べたところ、同図中白ＩＩＩにて併
記する結果を得た。同結果から明らかなように実施例の
プラズマＣＶＤ装置１０では、従来の装置に比べて嬉か
にダストの落下数が少なく、高品質ｏ ＣＶＤ膜を形成
できることが判る。
また、実施例のプラズマＣＶＤ装置３０では、被処理体
ＸＳＯ搬送は、すべて機械操作によって自動的に行われ
るので、被処理体２３の搬送に！！する時間は約１５分
以下に抑えることができる。これは、従来の装置のよう
に手動操作で被処理体の搬送を行っていた場合の所要時
間の約捧以下に相幽し、極めて作業性を向上させること
ができるものである・ 発明の詳細 な説明した如く、本発明に係るグラズマｃｖｎ ＠置に
よれば、高い生産性の下に高品質のＣＶＤ膜を容易に形
成て龜る等顕著な効果を奏するものである・
ＸＳＯ搬送は、すべて機械操作によって自動的に行われ
るので、被処理体２３の搬送に！！する時間は約１５分
以下に抑えることができる。これは、従来の装置のよう
に手動操作で被処理体の搬送を行っていた場合の所要時
間の約捧以下に相幽し、極めて作業性を向上させること
ができるものである・ 発明の詳細 な説明した如く、本発明に係るグラズマｃｖｎ ＠置に
よれば、高い生産性の下に高品質のＣＶＤ膜を容易に形
成て龜る等顕著な効果を奏するものである・
第１図は、従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構ｘ ｏ−
・真空容器本体、１１＆−陽電極、２１ｂ・・・陰電極
、２２−・反応ガス供給管、ＪＪ−・被処理体、２４−
開閉板、２５−真空予備室、２６・・・カセット、ｚｒ
−被処理体搬送機構、２１ａ・・・＠ｌのホーク、ｚｒ
ｂ−第２のホーク、２８・・・昇降機構、Ｊ ａ−・プ
ラズマＣＶＤ装置。
・真空容器本体、１１＆−陽電極、２１ｂ・・・陰電極
、２２−・反応ガス供給管、ＪＪ−・被処理体、２４−
開閉板、２５−真空予備室、２６・・・カセット、ｚｒ
−被処理体搬送機構、２１ａ・・・＠ｌのホーク、ｚｒ
ｂ−第２のホーク、２８・・・昇降機構、Ｊ ａ−・プ
ラズマＣＶＤ装置。
Claims (1)
- 所定間隔を設けて対設し九電極を内部に設は九パッチ式
容量結合型のプラズマＣＶＤ装置において、前記電極間
に所定の電圧を印加する電源と、前記真空容器本体内に
連通するように象付けられ九反応ガス供給管と、前記真
空容器本体内と開閉板を介して連通するように前記真空
容器本体Ｋ１１ｌｌされた真空予備室と、鋏真空予備室
内に般けられ九被処理体搬送機構と該真空予備室及び前
記真空容器本体を所定の減圧状態に設定する排気機構と
を具備することｔ特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP626082A JPS58123718A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP626082A JPS58123718A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123718A true JPS58123718A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11633493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP626082A Pending JPS58123718A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123718A (ja) |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP626082A patent/JPS58123718A/ja active Pending
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