JPS58118940A - レンズのｍｔｆ測定機の測定方法 - Google Patents
レンズのｍｔｆ測定機の測定方法Info
- Publication number
- JPS58118940A JPS58118940A JP100282A JP100282A JPS58118940A JP S58118940 A JPS58118940 A JP S58118940A JP 100282 A JP100282 A JP 100282A JP 100282 A JP100282 A JP 100282A JP S58118940 A JPS58118940 A JP S58118940A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- lens
- mtf
- ccd
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0292—Testing optical properties of objectives by measuring the optical modulation transfer function
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結像のフーリエ変換を利用したレンズのＭＴＦ
測定機による測定方法に関するものである。
測定機による測定方法に関するものである。
レンズのＭＴＦ測定機においてはスリットとして形成さ
れた基準となるチャートを光源により照明し、スリット
の透過光によりスリット、すなわちチャートの像を被検
レンズを用いて結像面に結像する。チャートのスリット
像が１〜２Ｗ程度の広がりであるものを通常は２０ｍ程
度のエレメント長を有するＣＣＤ受光部により検出し、
ＣＣＤよりの信号によりＭＴＦの演算を行なっていた。
れた基準となるチャートを光源により照明し、スリット
の透過光によりスリット、すなわちチャートの像を被検
レンズを用いて結像面に結像する。チャートのスリット
像が１〜２Ｗ程度の広がりであるものを通常は２０ｍ程
度のエレメント長を有するＣＣＤ受光部により検出し、
ＣＣＤよりの信号によりＭＴＦの演算を行なっていた。
このためＣＣＤ受光部のエレメントが実際にスリット像
が存在する部分以外の部分において受けた雑音等をも含
めて演算をすることになり演算精度が悪くしかも演算に
時間がかかり、演算装置に大きな記憶容量を要求するこ
とになった。
が存在する部分以外の部分において受けた雑音等をも含
めて演算をすることになり演算精度が悪くしかも演算に
時間がかかり、演算装置に大きな記憶容量を要求するこ
とになった。
例えば第１図に示すように、光源１によりチャート２の
スリット３を照明し、スリット３の透過光を被検レンズ
４により結像面上に配置されたＣＣＤエレメント５に導
く。スリット３の結像がＣＣＤエレメント４により検出
される。
スリット３を照明し、スリット３の透過光を被検レンズ
４により結像面上に配置されたＣＣＤエレメント５に導
く。スリット３の結像がＣＣＤエレメント４により検出
される。
ＣＣＤエレメント５の長手方向が、チャート２のスリッ
ト３の長手方向と直交するように配置されてスリット３
の線像の幅の変化を検出する。
ト３の長手方向と直交するように配置されてスリット３
の線像の幅の変化を検出する。
スリットヲ透過する光は矩形状であるが、被検レンズ４
を通過することにより、被検レンズ４の解像性能に対応
して矩形の周面にダレを生じた像が作られる。この像の
強度分布’ｅｃ ＣＤエレメント５により読み取りフー
リエ変換を施こして被検レンズのＭＴＦを求める。
を通過することにより、被検レンズ４の解像性能に対応
して矩形の周面にダレを生じた像が作られる。この像の
強度分布’ｅｃ ＣＤエレメント５により読み取りフー
リエ変換を施こして被検レンズのＭＴＦを求める。
第１図におけるＣＣＤエレメント５の長手方向にＸ座標
をとり、空間周波数ｔ Ｕ ｖｍ−’ 、ＣＣＤ出力信
号をＬ （Ｘｋ） ｖｏｌｔ（１＜ ｋ＜ Ｎ） 、Ｃ
ＣＤ ｘレメント数ｔＮ個、スリット幅補正係数全にと
すると、空間周波数ＵのＭＴＦは次式で求められる。
をとり、空間周波数ｔ Ｕ ｖｍ−’ 、ＣＣＤ出力信
号をＬ （Ｘｋ） ｖｏｌｔ（１＜ ｋ＜ Ｎ） 、Ｃ
ＣＤ ｘレメント数ｔＮ個、スリット幅補正係数全にと
すると、空間周波数ＵのＭＴＦは次式で求められる。
（１）式から判るようにＭＴＦの演算の場合にはＣＣＤ
出力信号信号Ｘｋ）が３回演算のために用いられる。
出力信号信号Ｘｋ）が３回演算のために用いられる。
従来ＭＴＦの演算においては第２図に示すような信号処
理が行なわれた。すなわちＣＣＤ５からのアナログ出力
信号をＡ／Ｄ変換器６によりデジタル信号に変換し、そ
のデジタル信号ｆ：ＲＡＭ７にインプットする。コンピ
ュータ８はＲＡＭ７からＬ （Ｘｋ ）ｔ−読み取って
式ｑ）の分母と分子第１項と分子第２項をそれぞれ演算
する。したがってＬ （Ｘｋ ）の個数すなわちＮの値
が多いほど、計算に時間がかかり、ＲＡＭの容量が大き
くなる。第１図に示すように更に別の１つのＣＣＤの出
力信号を入れるには２Ｎの容量が必要となる。更にＲＡ
Ｍ出力時に雑音をひろう確率も大きくなる。
理が行なわれた。すなわちＣＣＤ５からのアナログ出力
信号をＡ／Ｄ変換器６によりデジタル信号に変換し、そ
のデジタル信号ｆ：ＲＡＭ７にインプットする。コンピ
ュータ８はＲＡＭ７からＬ （Ｘｋ ）ｔ−読み取って
式ｑ）の分母と分子第１項と分子第２項をそれぞれ演算
する。したがってＬ （Ｘｋ ）の個数すなわちＮの値
が多いほど、計算に時間がかかり、ＲＡＭの容量が大き
くなる。第１図に示すように更に別の１つのＣＣＤの出
力信号を入れるには２Ｎの容量が必要となる。更にＲＡ
Ｍ出力時に雑音をひろう確率も大きくなる。
ＭＴＦの演算に必要なのはスリット像の信号のみである
が、従来は上記のようにＣＣＤエレメントからの信号す
べて金とり込んで演算しているので時間がかかりしかも
雑音を拾って演算稍度が良くないという欠点がありＲＡ
Ｍの記憶容量も大きくなるという欠点があった。
が、従来は上記のようにＣＣＤエレメントからの信号す
べて金とり込んで演算しているので時間がかかりしかも
雑音を拾って演算稍度が良くないという欠点がありＲＡ
Ｍの記憶容量も大きくなるという欠点があった。
本発明は上記の従来の欠点を解消し、短時間に最小の記
憶容量で正確な演算を行なうことのできるＭＴＦ測定方
法を提供することを目的としている。
憶容量で正確な演算を行なうことのできるＭＴＦ測定方
法を提供することを目的としている。
チャートのスリット幅は製作誤差を考慮−すると可能な
限り小さくするのがよく、一般に１０μｍ付近にスリッ
ト幅が設定されている。検査する被検レンズの倍率が５
０倍程度であることを考慮し、ＣＣＤエレメント５の長
手方向の長さ’に２０ｍとすると１スリツト像は周囲の
タレを考えても第３図に１ 示すようにエレメント長のイ。〜イ。の範囲にあられれ
るだけである。
限り小さくするのがよく、一般に１０μｍ付近にスリッ
ト幅が設定されている。検査する被検レンズの倍率が５
０倍程度であることを考慮し、ＣＣＤエレメント５の長
手方向の長さ’に２０ｍとすると１スリツト像は周囲の
タレを考えても第３図に１ 示すようにエレメント長のイ。〜イ。の範囲にあられれ
るだけである。
スリット像位置は被検レンズの取付状態やピントの合せ
方によって移動するので、ＣＯＤ’（Ｉ：そのたびに動
かしていたのでは大変である。そこでＣＣＤ’に動かす
ことなく常にエレメント部に像ヲ写すためにはエレメン
ト長はある桓度の大きさを必要とする。
方によって移動するので、ＣＯＤ’（Ｉ：そのたびに動
かしていたのでは大変である。そこでＣＣＤ’に動かす
ことなく常にエレメント部に像ヲ写すためにはエレメン
ト長はある桓度の大きさを必要とする。
スリット像検出に寄与しないエレメント部分は従来は上
記の如く演算上いろいろの不具合を生ずる原因となって
いる。
記の如く演算上いろいろの不具合を生ずる原因となって
いる。
本発明はエレメント長を従来の長さに保ったま１、スリ
ット像を検出しているＣＣＤ信号のみをＲＡＭに取り込
み演算を行なう方法を提供することにより前記の目的を
達成した。
ット像を検出しているＣＣＤ信号のみをＲＡＭに取り込
み演算を行なう方法を提供することにより前記の目的を
達成した。
本発明の詳細な説明する。
第４図において第１図のＣＣＤ５からのアナログ出力信
号は１”へ４．変換器６によりデジタル信号に変換され
る。Ａ／′Ｄ変換器６よりのデジタル信号は零比較器９
を通り、零レベル界外の信号がＲＡＭ７にインプットさ
れる。クロックゼネレータ１０により発生するクロック
信号がＣＣＤ５、〜変換器６、零比較器９に動作基準信
号として送られる。
号は１”へ４．変換器６によりデジタル信号に変換され
る。Ａ／′Ｄ変換器６よりのデジタル信号は零比較器９
を通り、零レベル界外の信号がＲＡＭ７にインプットさ
れる。クロックゼネレータ１０により発生するクロック
信号がＣＣＤ５、〜変換器６、零比較器９に動作基準信
号として送られる。
零比較器９の比較レベルはノイズを考慮して零以外の一
定のレベル（ヌレツシホールドレベル］ニ設定すること
ができる。ま７’ｊ、ＣＣＤ自身の熱特性を考慮すると
、ＣＣＤからの基準信号レベルを比較レベルとするのが
良い、ＣＣＤは外囲温度の上昇とともにＣＣＤ出力レベ
ルが全体的に高くなる特性をもっているので、これを打
ち消すためにはそのうちのある信号例えば最端ビットの
信号を比較レベルとするのが良い。
定のレベル（ヌレツシホールドレベル］ニ設定すること
ができる。ま７’ｊ、ＣＣＤ自身の熱特性を考慮すると
、ＣＣＤからの基準信号レベルを比較レベルとするのが
良い、ＣＣＤは外囲温度の上昇とともにＣＣＤ出力レベ
ルが全体的に高くなる特性をもっているので、これを打
ち消すためにはそのうちのある信号例えば最端ビットの
信号を比較レベルとするのが良い。
本発明により零比較器によｐｃｃＤ出力によるデジタル
信号を所定基準レベルと比較するので、ＲＡＭ７にはチ
ャートの線像の検出信号以外は記憶されないので、ＲＡ
Ｍの記憶容量が小さくてすむ。ＲＡＭ７よりコンピュー
タ８が出力信号を読み取って演算する際にはチャートの
線像に関する情報以外は読み取られないので、雑音が少
なく、演讐精度が普く演算時間も少なくなった。
信号を所定基準レベルと比較するので、ＲＡＭ７にはチ
ャートの線像の検出信号以外は記憶されないので、ＲＡ
Ｍの記憶容量が小さくてすむ。ＲＡＭ７よりコンピュー
タ８が出力信号を読み取って演算する際にはチャートの
線像に関する情報以外は読み取られないので、雑音が少
なく、演讐精度が普く演算時間も少なくなった。
本発明の別の実施例を示す第５図において、第４図の例
の零比較器９が省略され、ＲＡＭ７に一度全信号を取り
込み（第１工程］、それをコンピュータ８で読みと９（
第２工程）、零以外の信号又は前記の比較レベル以下を
除く信号を再度ＲＡＭ７に書き込む（第３工程）。第１
工程と第３エゼ、゛の信号はＲＡＭ７においては番地が
重なるようにする。最後にＲＡＭ７より第１工程と第３
工程で中なった信号を読み取ってＭＴＦ演算をし、表示
する。
の零比較器９が省略され、ＲＡＭ７に一度全信号を取り
込み（第１工程］、それをコンピュータ８で読みと９（
第２工程）、零以外の信号又は前記の比較レベル以下を
除く信号を再度ＲＡＭ７に書き込む（第３工程）。第１
工程と第３エゼ、゛の信号はＲＡＭ７においては番地が
重なるようにする。最後にＲＡＭ７より第１工程と第３
工程で中なった信号を読み取ってＭＴＦ演算をし、表示
する。
第４図の例に比ベコンピュータ８における比較のための
ＩＪｉ〒間が多くなるが、これは零比較器６の処理に灼
応しており、ＲＡＭ記憶容量が第４図の例より多くなる
が第４図の比較器が省略されるので１１４成としては簡
単になる。
ＩＪｉ〒間が多くなるが、これは零比較器６の処理に灼
応しており、ＲＡＭ記憶容量が第４図の例より多くなる
が第４図の比較器が省略されるので１１４成としては簡
単になる。
第１図はレンズのＭＴＦ測定機の略説明図、第２図は従
来の測定方法すなわち信号処理方法を示すブロック図、
第３図はスリット線図の検出信号の説明図、第４図は本
発明に係る方法のブロック図、第５図は別の実施例のブ
ロック図である。
来の測定方法すなわち信号処理方法を示すブロック図、
第３図はスリット線図の検出信号の説明図、第４図は本
発明に係る方法のブロック図、第５図は別の実施例のブ
ロック図である。
Claims (1)
- チャートラ被検レンズにより結像し、該線状結像’ｋｃ
ｃＤエレメントにより検出してＭＴＦ演算するレンズの
ＭＴＦ測定機において、ＣＣＤからの出力信号のうち所
定比較レベル以下の信号を比較処理により除き、線状結
像の出力信号に該当する信号のみｔ［ＡＭに記憶し、Ｒ
ＡＭの記憶信号によりコンピュータにより演算を行なう
ことを特徴とするレンズのＭＴＦ測定機の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP100282A JPS58118940A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | レンズのｍｔｆ測定機の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP100282A JPS58118940A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | レンズのｍｔｆ測定機の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118940A true JPS58118940A (ja) | 1983-07-15 |
Family
ID=11489371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP100282A Pending JPS58118940A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | レンズのｍｔｆ測定機の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118940A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5745609A (en) * | 1995-03-03 | 1998-04-28 | Northrop Grumman Corporation | Fixed pattern compensation with adaptive window for MTF testing |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP100282A patent/JPS58118940A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5745609A (en) * | 1995-03-03 | 1998-04-28 | Northrop Grumman Corporation | Fixed pattern compensation with adaptive window for MTF testing |
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