JPS5811781A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS5811781A JPS5811781A JP11038481A JP11038481A JPS5811781A JP S5811781 A JPS5811781 A JP S5811781A JP 11038481 A JP11038481 A JP 11038481A JP 11038481 A JP11038481 A JP 11038481A JP S5811781 A JPS5811781 A JP S5811781A
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- JP
- Japan
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- plasma cvd
- cvd apparatus
- gas
- reaction chamber
- uniformly
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に非晶質シリコン、窒化シリコン、炭化
シリコンなどの薄膜を形成させるために使用されるプラ
ズマＣＶＤ装置に関する。
シリコンなどの薄膜を形成させるために使用されるプラ
ズマＣＶＤ装置に関する。
プラズマＣＶＤ装置は真空下の反応室中に設けた対向電
極にガス流を与え、電極間に電圧を印加しプラズマ反応
を発生せしめて、ＣＹＤにより基板上に薄膜を形成させ
るためのものである。
極にガス流を与え、電極間に電圧を印加しプラズマ反応
を発生せしめて、ＣＹＤにより基板上に薄膜を形成させ
るためのものである。
プラダｆｆ ＣＶＤ装置は従来より各種の層成のものが
提案されている。例えば、管路中に管軸と平行に電極面
を配置し、かつ管軸に沿ってガス流を与える温式のもの
が提案されているが、ガス流に対して垂直方向の面の薄
膜の形成が良好でない欠点がある。又、管路中に電極を
配置するためＫ、大館な基板に薄膜を形成させるためＫ
は、大径の管路を使用しなければならず電極面の裏側と
管壁との間にガス流がまわり込み、電極面間にガス流を
分布させるのに非効率的である。
提案されている。例えば、管路中に管軸と平行に電極面
を配置し、かつ管軸に沿ってガス流を与える温式のもの
が提案されているが、ガス流に対して垂直方向の面の薄
膜の形成が良好でない欠点がある。又、管路中に電極を
配置するためＫ、大館な基板に薄膜を形成させるためＫ
は、大径の管路を使用しなければならず電極面の裏側と
管壁との間にガス流がまわり込み、電極面間にガス流を
分布させるのに非効率的である。
円筒状の反応’１ｊｌＫ電極面が円筒軸と直交するよう
に電極を配置し１反応家内に接地電極の下側からガス流
を導入し、接地電極の上側より接地電極自体に設けられ
た排出孔を通してガス流を排気する型式のＣＶＤ装置も
提案されている。このＣＶＤ装置ではガス流の流れがあ
る程度薄膜形成に効果的になるようＫされているが、電
極自体にガス流の排出孔を有するため、大きな基板での
薄膜形成にはあまり適していない。
に電極を配置し１反応家内に接地電極の下側からガス流
を導入し、接地電極の上側より接地電極自体に設けられ
た排出孔を通してガス流を排気する型式のＣＶＤ装置も
提案されている。このＣＶＤ装置ではガス流の流れがあ
る程度薄膜形成に効果的になるようＫされているが、電
極自体にガス流の排出孔を有するため、大きな基板での
薄膜形成にはあまり適していない。
大きな基板に薄膜を形成するものとして、円筒状の反応
室に上記と同様に電極面が円筒軸と直交するように電極
を配置し、電圧印加側電極に多数の孔を設け、この孔を
通して電極間にガス流を導き、電極間側方よりガス流を
排出させるようになったＣＶＤ装置を提案されている。
室に上記と同様に電極面が円筒軸と直交するように電極
を配置し、電圧印加側電極に多数の孔を設け、この孔を
通して電極間にガス流を導き、電極間側方よりガス流を
排出させるようになったＣＶＤ装置を提案されている。
このＣＶＤ装置において、大きな基板に薄膜を形成させ
ることは可能であるが、ガスの分解割合が７０チ以下で
あり。
ることは可能であるが、ガスの分解割合が７０チ以下で
あり。
かつ基板に対しての薄膜の付着力が弱いなどの欠点があ
る。
る。
本発明は上述の電極面に沿ってガスを流す温式のＣＶＤ
装置に係る上記欠点を解消するＣＶＩ）装置を提供する
ことを目的とする。
装置に係る上記欠点を解消するＣＶＩ）装置を提供する
ことを目的とする。
本発明によれば、ガス流の入口と出口が設けられた反応
室に平行に対向して平板電極を設け、ガス流入口と出口
には整流装置を設けるようになし。
室に平行に対向して平板電極を設け、ガス流入口と出口
には整流装置を設けるようになし。
ガス流を平板電極の表面に沿って生じさせるべく構成し
たプラズマＣＶＤ装置が提供される。
たプラズマＣＶＤ装置が提供される。
以上のごとく反応室の入口と出口に整流装置が設けられ
たために、電極面間のスペースにはガス流が均一に分布
して生じせしめることが可能とな １す、ガス流
と垂直の方向に一様に安定した薄膜の形成が可能とされ
る。
たために、電極面間のスペースにはガス流が均一に分布
して生じせしめることが可能とな １す、ガス流
と垂直の方向に一様に安定した薄膜の形成が可能とされ
る。
さらに本発明の一実施例によれば１反応室は矩形状箱型
とされ、゛よって大面積の基板の薄膜形成を可能として
いる。
とされ、゛よって大面積の基板の薄膜形成を可能として
いる。
さらに本発明の実施例によれば、電極と反応室の間のス
ペースを絶縁物質で充填することＫより、ガスのまわり
とみを防ぎ、ガスの効率的な利用を可能としている。
ペースを絶縁物質で充填することＫより、ガスのまわり
とみを防ぎ、ガスの効率的な利用を可能としている。
本発明を以下に実施例の形で詳細に説明する。
第１龜図と第１ｂ図を参照して１本発明の第１実施例を
説明する。
説明する。
第１＆図はプラズマＣＶＤ装置の反応容器１０の断面図
を概略的に図示したものであり、第１ｂ図はその上面図
を示すものである。
を概略的に図示したものであり、第１ｂ図はその上面図
を示すものである。
反応客器１０にはガス流入管１８とガス流出管１９が接
続されていて、反応容器１０ヘガス流を与えるようｋな
っている。反応容器１０はほぼ四角形の箱型形状の反応
室１０．と１反応室１０＆の対向両側に一体に設けられ
、それぞれ流入管１８と流出管１９に接続された入ロデ
イフユーデ１８ｓＬと出ロデイフユーデ１９＆とで主に
構成されている０反応室ｔＯａの頂壁には開口１０りが
設けられ、この開口１０ｂの周囲を取囲むようＫＯ−リ
ング１７が頂壁に設けられている。この−口１０ｂＫは
、蓋体１３がかぶせられる。Ｏ−リング１Ｔがあるため
、蓋体１３を閉じれば反応容器１０内は大気に対して密
閉される。蓋体１３にはテフロン板１４を介してこれＫ
より蓋体１３とは電気的に絶縁された平板陽電極１２が
設けられている。この平板陽電極１２には高周波電源２
２が接続されている。又反応室１ｅａの底部には平板陰
電極２１が取り付けられており、この平板陰電極２１に
シースヒータ１６が埋めこまれている。
続されていて、反応容器１０ヘガス流を与えるようｋな
っている。反応容器１０はほぼ四角形の箱型形状の反応
室１０．と１反応室１０＆の対向両側に一体に設けられ
、それぞれ流入管１８と流出管１９に接続された入ロデ
イフユーデ１８ｓＬと出ロデイフユーデ１９＆とで主に
構成されている０反応室ｔＯａの頂壁には開口１０りが
設けられ、この開口１０ｂの周囲を取囲むようＫＯ−リ
ング１７が頂壁に設けられている。この−口１０ｂＫは
、蓋体１３がかぶせられる。Ｏ−リング１Ｔがあるため
、蓋体１３を閉じれば反応容器１０内は大気に対して密
閉される。蓋体１３にはテフロン板１４を介してこれＫ
より蓋体１３とは電気的に絶縁された平板陽電極１２が
設けられている。この平板陽電極１２には高周波電源２
２が接続されている。又反応室１ｅａの底部には平板陰
電極２１が取り付けられており、この平板陰電極２１に
シースヒータ１６が埋めこまれている。
反応容器１０の外壁はステンレススケール材で構成され
ており、アースされているため、これに直接的に取付け
られた平板陰電極２１はアース電位とされる。蓋体１３
を閉じた時に、平板電極１２．２１は互に平行にかつ対
向して配置されるととｋなる。
ており、アースされているため、これに直接的に取付け
られた平板陰電極２１はアース電位とされる。蓋体１３
を閉じた時に、平板電極１２．２１は互に平行にかつ対
向して配置されるととｋなる。
反応室１ｅａとデイフユーｆ１８ｍ、１９龜とは整流板
１１’、２０によって区画されている。整流板１１，２
０の高さ方向の中間位置は複数の孔１１ｍ、２０ｍが水
平に一列に整列されて設けられている。これらの孔１１
＆、２Ｑ＆は平板電極１２％２１の間の距離を２等分す
る平面と一致する高さである。整流板１１．２０の孔１
１＆、２０ａは整流板１１．２００幅方向に端から端ま
で設けられている。
１１’、２０によって区画されている。整流板１１，２
０の高さ方向の中間位置は複数の孔１１ｍ、２０ｍが水
平に一列に整列されて設けられている。これらの孔１１
＆、２Ｑ＆は平板電極１２％２１の間の距離を２等分す
る平面と一致する高さである。整流板１１．２０の孔１
１＆、２０ａは整流板１１．２００幅方向に端から端ま
で設けられている。
流入管１１Ｈｍはガス供給源（図示せず）が接続され、
流出管１９ｔＣは排出装置２３が接続されている。排出
装置２３は油拡散ポンプ（図示せず）と油回転ポンプ（
図示せず）の組合せで構成されており、油拡散ポンプは
プラズマＣＶＤプロセスを行う前の反応容器１０の作動
前排気のために使用され、プラズマＣＶＤプロセス中は
油回転ポンプが使用される。
流出管１９ｔＣは排出装置２３が接続されている。排出
装置２３は油拡散ポンプ（図示せず）と油回転ポンプ（
図示せず）の組合せで構成されており、油拡散ポンプは
プラズマＣＶＤプロセスを行う前の反応容器１０の作動
前排気のために使用され、プラズマＣＶＤプロセス中は
油回転ポンプが使用される。
以上のよ５に反応室１０＆の入口と出口に整流板１１％
２０が設けられているために流入管１８から入ロディフ
ユーデ１８ａＫ導入されたガスは整流板１１に達するま
でに一様に拡散し、孔１１＆さらに整流板２０の孔２０
ａを通過するため反応室１Ｏａ内で流れをみだしてガス
の分布を不均一とすることは防止される。
２０が設けられているために流入管１８から入ロディフ
ユーデ１８ａＫ導入されたガスは整流板１１に達するま
でに一様に拡散し、孔１１＆さらに整流板２０の孔２０
ａを通過するため反応室１Ｏａ内で流れをみだしてガス
の分布を不均一とすることは防止される。
実験例
平板電極１２．２１の直径！１２０ｍ＋１１とし、薄膜
形成ガラス基板として直径が２２０ｍのものを用いて、
下記条件でプラズマＣＶＤ法による薄膜形成の実験を行
なった。
形成ガラス基板として直径が２２０ｍのものを用いて、
下記条件でプラズマＣＶＤ法による薄膜形成の実験を行
なった。
条件
使用ガス： シランガス
反応容器内圧力 ：０．４〜０．６ Ｔｏｒｒガス流量
＝ ４０〜６０ ａｃｏｖ 電極２１の加熱温度（シースヒータ１６による）：２５
０℃〜６６０°０ 基板加熱温度： ２２０℃〜３００℃ 印加電カニ ２０Ｗ−６０Ｎ （１３，５６ＭＨｍ ）
以上の条件により平板電極１２．２１間にはプラズマが
発生し、シランが分解され【非晶質シリコンがガラス基
板上に薄膜を形成する。形成された薄膜はガス流と垂直
方向においても均一性かたもたれている。これは整流板
１２．２１を設けたためにガスが均一に平板電極１２．
２１間に分布し【流れるための効果であると認められる
。さらに、、ガスの流れ方向の薄膜も均一性を有する安
定性のあるものであった。さらにガスの流量を増大し高
周波電力を低くすると均一性が向上することが判明した
。
＝ ４０〜６０ ａｃｏｖ 電極２１の加熱温度（シースヒータ１６による）：２５
０℃〜６６０°０ 基板加熱温度： ２２０℃〜３００℃ 印加電カニ ２０Ｗ−６０Ｎ （１３，５６ＭＨｍ ）
以上の条件により平板電極１２．２１間にはプラズマが
発生し、シランが分解され【非晶質シリコンがガラス基
板上に薄膜を形成する。形成された薄膜はガス流と垂直
方向においても均一性かたもたれている。これは整流板
１２．２１を設けたためにガスが均一に平板電極１２．
２１間に分布し【流れるための効果であると認められる
。さらに、、ガスの流れ方向の薄膜も均一性を有する安
定性のあるものであった。さらにガスの流量を増大し高
周波電力を低くすると均一性が向上することが判明した
。
第２図は第１実施例の変形態様を示すものであり、入ロ
デイフユーデ１８＆に整流ガイド２４が配列されている
。これＫより上述のガス流の均一性はさらに向上する。
デイフユーデ１８＆に整流ガイド２４が配列されている
。これＫより上述のガス流の均一性はさらに向上する。
８５図は第１実施例のさらに別の変形態様を示すもので
ある。整流板２５にはその高さ方向Ｋ１１Ｉ数の孔２５
＆が設けられている。とれＫより平板電極１２．２１の
間で電極面に垂直な方向にもさらに均一にガス流が分布
される。
ある。整流板２５にはその高さ方向Ｋ１１Ｉ数の孔２５
＆が設けられている。とれＫより平板電極１２．２１の
間で電極面に垂直な方向にもさらに均一にガス流が分布
される。
［４図は本発明の第２実施例を示すものであり、整流板
１２．２１．２５の代りに厚みのある整流部材２６が設
けられている。整流部材２６はＰＴＣ（ＢａＴ１０３を
８０９１、ｐｂ’ｒｉｏ３を１５ ｌｓ、Ｙａｏを３５
−の合成材料）又は８１Ｃ、ＴｉＮ 、 ＴｉＣ等の材
料製であり１反応容器１００本体とは絶縁性物質２７
（例えば雲母板、アルミナ板など）で電気的に絶縁され
ている。図示のごとくこの整流部材２６に電源２８より
電力を与えれば、整流部材２６は発熱し、よって整流部
材２６を通過するガス流は加熱されガスの分解が促進さ
れる。これにより、薄膜の形成が促進される・ 第５図は第４図の実施例の変形でセラセック製の整流部
材２６に発熱線を埋め込んだ構成を示す。
１２．２１．２５の代りに厚みのある整流部材２６が設
けられている。整流部材２６はＰＴＣ（ＢａＴ１０３を
８０９１、ｐｂ’ｒｉｏ３を１５ ｌｓ、Ｙａｏを３５
−の合成材料）又は８１Ｃ、ＴｉＮ 、 ＴｉＣ等の材
料製であり１反応容器１００本体とは絶縁性物質２７
（例えば雲母板、アルミナ板など）で電気的に絶縁され
ている。図示のごとくこの整流部材２６に電源２８より
電力を与えれば、整流部材２６は発熱し、よって整流部
材２６を通過するガス流は加熱されガスの分解が促進さ
れる。これにより、薄膜の形成が促進される・ 第５図は第４図の実施例の変形でセラセック製の整流部
材２６に発熱線を埋め込んだ構成を示す。
この構造においても第４図の構成と同様にガスの分解が
促進され、薄膜の形成が促進される。
促進され、薄膜の形成が促進される。
以上、本発明を実施例の形で説明したが本発明は上記実
施例に限定されるものでなく、特許請求の範１ｆｆｌＫ
記載される範囲で様々に変更可能である。
施例に限定されるものでなく、特許請求の範１ｆｆｌＫ
記載される範囲で様々に変更可能である。
なお以下に本発明の特徴を列記する。
（１）整流板および整流ガイドを設置するととによって
反応ガスを均一に反応容器内に導入でき均一な薄膜が形
成可能となる。
反応ガスを均一に反応容器内に導入でき均一な薄膜が形
成可能となる。
（２）反応容器を箱型にすることＫより、２００ｍ径以
上の比較的面積の大きい薄膜の作成が可能になった。
上の比較的面積の大きい薄膜の作成が可能になった。
（３）電極と反応容器との間に絶縁性物質を充填するこ
とＫより１反応ガスのまわり込みを防ぎ、反応ガスの有
効利用が可能になった。
とＫより１反応ガスのまわり込みを防ぎ、反応ガスの有
効利用が可能になった。
第１１図は本発明の第１実施例である反応容器の断面図
を図示する図・ 第１ｂ図は第１ｓＬ図の反応容器の上面図を示し、上面
の一部を切欠いて示す図。 第２図は泥１実施例の変形を示す反応容器の部分上面図
であり、上面の一部を切欠いて図示する図。 ｔｉｎｓ図は第１実施例の変形態様を示す部分断面図。 第４図及び第５図は本発明の第２実施例を部分断面図で
示す図。 １０・・・・・・・・・反応容器。 ｔＯａ・・・・・・・・・反応室、 １１．２０．２５．２６・・・・・・・・・整流、１２
．２１・・・・・・・・・平板電極、１８・・・・・・
・・・流入管、 １８＆・・・・・・・・・入ロデイフユーデ、１９・・
・・・・・・・流出管、 ｔＳａ・・・・・・・・・出口ディフューザ。 ２４・・・・・・・・・整流ガイド、 ２７．２８．２９・・・・・・・・・加熱装置。 代理人 浅 村 皓 外４名
を図示する図・ 第１ｂ図は第１ｓＬ図の反応容器の上面図を示し、上面
の一部を切欠いて示す図。 第２図は泥１実施例の変形を示す反応容器の部分上面図
であり、上面の一部を切欠いて図示する図。 ｔｉｎｓ図は第１実施例の変形態様を示す部分断面図。 第４図及び第５図は本発明の第２実施例を部分断面図で
示す図。 １０・・・・・・・・・反応容器。 ｔＯａ・・・・・・・・・反応室、 １１．２０．２５．２６・・・・・・・・・整流、１２
．２１・・・・・・・・・平板電極、１８・・・・・・
・・・流入管、 １８＆・・・・・・・・・入ロデイフユーデ、１９・・
・・・・・・・流出管、 ｔＳａ・・・・・・・・・出口ディフューザ。 ２４・・・・・・・・・整流ガイド、 ２７．２８．２９・・・・・・・・・加熱装置。 代理人 浅 村 皓 外４名
Claims (7)
- （１）ガス流の入口と出口とを設けた反応室を有するプ
ラズマＣＶＤ装置にし【、該反応室中に平行に対向し【
設けた平板電極を設け、該平板電極間に電圧を印加しつ
つ該平板電極の電極面に沿５ガス流を生じせしめるべく
構成したプラズマＣＶＤ装置において。 前記ガス流の入口と出口にそれぞれ整流装置を設けたこ
とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - （２） ４Ｉ許請求の範囲の第（１）項に記載のプラ
ズマＣＶＤ装置において、前記整流装置は整流体を有す
るプラズマｃｖｐ装置。 - （３）特許請求の範囲の第（１）項に記載のプラズマＣ
ＶＤ装置において、前記整流装置は 整流体と整流ガイドとを有するプラズマＣＶＤ装置。 - （４） ４１１許請求の範囲の第（１）項から第（３
）項に記載のプラズマＣＶＤ装置において、前記整流装
置は、加熱装置を有するプラズマＣＶＤ装置・ - （５）特許請求の範囲の第（１）項に記載のプラダ１Ｃ
ｖＤ装置において、前記反応室は箱型形状であるプラダ
ｆｆ ＣＶＤ装置。 - （６）特許請求の範囲の第（１）項に記載のプラズマＣ
ＶＤ装置において、前記平板電極と前記反応室壁との間
には絶縁性物質の充填材が挿入されているプラズマＣＶ
Ｄ装置。 - （７）特許請求の範囲の第（６）項に記載のゾＩｆＰツ
マＣＶＤ装置において、前記充填材はテフロン板である
プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038481A JPS5811781A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038481A JPS5811781A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5811781A true JPS5811781A (ja) | 1983-01-22 |
Family
ID=14534434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11038481A Pending JPS5811781A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811781A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267272A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH0468028U (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-16 | ||
| WO2000070662A1 (fr) * | 1999-05-17 | 2000-11-23 | Applied Materials Inc. | Dispositif pour former un depot d'un film |
| WO2024062576A1 (ja) * | 2022-09-21 | 2024-03-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ノズル、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP11038481A patent/JPS5811781A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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