JPS58114014A - 光導波素子 - Google Patents
光導波素子Info
- Publication number
- JPS58114014A JPS58114014A JP21089181A JP21089181A JPS58114014A JP S58114014 A JPS58114014 A JP S58114014A JP 21089181 A JP21089181 A JP 21089181A JP 21089181 A JP21089181 A JP 21089181A JP S58114014 A JPS58114014 A JP S58114014A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical waveguide
- face
- waveguide element
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は、光導波素子に関し、特に光通信勢において用
いられる光路切換用光スィッチ等に適用することができ
る光導波素子に関する０ （２）発明の背景 従来の光スィッチの構成法の１つに、光ファイバヤプリ
ズム、２ラーを動かして光路を切替える機械式スイッチ
があるが、この種のスイッチは機械的な可動部を含むた
め、＊ａ性が十分でないという欠点があり、また高速性
にも限界がある。一方、可動部のない構成法としては、
外部からの電気信号により結晶の屈折率ｋＫ化させ、そ
れにより光路を制御する方法があシ、例えば電気光学効
果を用いた光スィッチが知られている。一方、この種の
光スィッチとして外部磁界【印加することにより、入射
光と出射光の偏光方向が変るファラデイー素子を用い先
光スイッチがある。
いられる光路切換用光スィッチ等に適用することができ
る光導波素子に関する０ （２）発明の背景 従来の光スィッチの構成法の１つに、光ファイバヤプリ
ズム、２ラーを動かして光路を切替える機械式スイッチ
があるが、この種のスイッチは機械的な可動部を含むた
め、＊ａ性が十分でないという欠点があり、また高速性
にも限界がある。一方、可動部のない構成法としては、
外部からの電気信号により結晶の屈折率ｋＫ化させ、そ
れにより光路を制御する方法があシ、例えば電気光学効
果を用いた光スィッチが知られている。一方、この種の
光スィッチとして外部磁界【印加することにより、入射
光と出射光の偏光方向が変るファラデイー素子を用い先
光スイッチがある。
この光スィッチの基本的１に構成の概費について、第１
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
第１図において、偏光子１１通過した入射光は、直綜偏
光されてファラデイー回転素子意に入夛、外部磁石８に
よって与えられた光の進行方向と同−又は逆方向Ｏｉｌ
場Ｈにより、例えば±４５［偏光する。
光されてファラデイー回転素子意に入夛、外部磁石８に
よって与えられた光の進行方向と同−又は逆方向Ｏｉｌ
場Ｈにより、例えば±４５［偏光する。
この７１ラデイ一回転素子２による偏光は、周知のごと
く磁場Ｈの方向が第１図の状態ムのように、光の進行方
向と同一の場合は時針方向に回転偏光され、状１１１Ｂ
のように、逆方向の場合は反時計方向に回転偏光する。
く磁場Ｈの方向が第１図の状態ムのように、光の進行方
向と同一の場合は時針方向に回転偏光され、状１１１Ｂ
のように、逆方向の場合は反時計方向に回転偏光する。
従って、このムｌＢ２つの状１１に応じて偏光された光
を偏光分離素子４によって分離して取シ出すようにすれ
ば、光路を切替えることが可能となる。
を偏光分離素子４によって分離して取シ出すようにすれ
ば、光路を切替えることが可能となる。
（８） 従来技術と問題点
このような光スィッチにおいて、餉記フ１ラディー回転
素子は、例えばイツトリウム。
素子は、例えばイツトリウム。
鉄、ガーネット（以下ＷＩＧと略記する）から構成され
、伝送される光の波長が１１〔μｍ〕帯の場合伝送方向
の長さが２（鱈つ、厚さが５０Ｃμｍ） ＠Ｃ）個片（
チップ）状基板として形成される。
、伝送される光の波長が１１〔μｍ〕帯の場合伝送方向
の長さが２（鱈つ、厚さが５０Ｃμｍ） ＠Ｃ）個片（
チップ）状基板として形成される。
かかるＹＩＧ基板は、絡２図に示されるように、その一
方端画島から光會受は他方の端面すから光を出力する。
方端画島から光會受は他方の端面すから光を出力する。
ところが、かかるＹＩＧ基板２１に形成する際の加工１
１１Ｋから前記端面ａ及びｂには、例えば円弧状部分２
２．２２’ 、２Ｂ、ｔ、８’が存在する。ああいは図
示されていないが、欠けなども存在す表。
１１Ｋから前記端面ａ及びｂには、例えば円弧状部分２
２．２２’ 、２Ｂ、ｔ、８’が存在する。ああいは図
示されていないが、欠けなども存在す表。
このため、当該ＹＩＧ基板２１の端面１への光入力時あ
るいは端面すからの光出力時に、かかる端面畠及び／又
はｂｒｃｓ−いて、乱反射あゐいは屈折を生じてしまい
、光の偏光状態が変化しクロストークを生じてしまう。
るいは端面すからの光出力時に、かかる端面畠及び／又
はｂｒｃｓ−いて、乱反射あゐいは屈折を生じてしまい
、光の偏光状態が変化しクロストークを生じてしまう。
（（転）発明の目的
本発明はこのような光スイッチ叫１１ｃ＞ける前記光導
波素子において、当該光導波索子の加工精度に基づいて
生ずるタロストークの発生を防止あるいは抑制すること
ができる構成を提供しようとするものである。
波素子において、当該光導波索子の加工精度に基づいて
生ずるタロストークの発生を防止あるいは抑制すること
ができる構成を提供しようとするものである。
（６）発明の構成
このため本発明によれば、外部磁界あるいは外部電界に
よって入射光と出射光との偏光状態管変化せしめる光導
波素子において、前記光導波素子の光入力面の縁部並び
に光出力面の縁部を覆って光遮蔽部材が配設されてなる
光導波素子が提供される。
よって入射光と出射光との偏光状態管変化せしめる光導
波素子において、前記光導波素子の光入力面の縁部並び
に光出力面の縁部を覆って光遮蔽部材が配設されてなる
光導波素子が提供される。
（６）発明の実施例
以下本発明ＩＩ−夾施実施以って詳細に説明する０
＃！８図に本発明による光導波索子の外観を示すＯ
すなわち、本発明によれば、例えばＹＩＧから構成され
るファラデイー素子からなる光導波素子８１の光入力端
面ａ並びに光出力端面すの縁部に光遮蔽膜８２．８２’
、８８゜１１８’が当該光入力端面ａ及び光出力端面
りの幅方向全幅にわたって配設される。
るファラデイー素子からなる光導波素子８１の光入力端
面ａ並びに光出力端面すの縁部に光遮蔽膜８２．８２’
、８８゜１１８’が当該光入力端面ａ及び光出力端面
りの幅方向全幅にわたって配設される。
かかる光遮蔽膜８２．８２’、８ｇ及び８８１紘、例え
ば厚さ８０００（１）のアルｉｘ−ウム（ムｌ）から構
成され、通常の蒸着法あるいはスパッタリング法及びこ
れに続くフォトリングラフィ工程によって形成すること
ができるＯ なお、かかる光遮蔽膜はアル（ニウムに限られず、他の
金属を用いてもよいことはもちろんである。
ば厚さ８０００（１）のアルｉｘ−ウム（ムｌ）から構
成され、通常の蒸着法あるいはスパッタリング法及びこ
れに続くフォトリングラフィ工程によって形成すること
ができるＯ なお、かかる光遮蔽膜はアル（ニウムに限られず、他の
金属を用いてもよいことはもちろんである。
また４かかる光遮蔽膜は、当該光導波素子８讐の導波面
８４．８６の表面に、当該光導波索子Ｂｌ内における内
部反射に基づくＰ偏向成分と８偏向酸分との間の位相ず
れを等しくするために設けられる皮膜が存在する場合に
は、当咳皮膜上に延在して配設されてもよいＯ 更に、前記実施例にあっては、光導波索子として）１°
ラディー素子會掲げたが、本発明はとれに限られるもの
ではなく、外部電界によって偏向状態が変化する電気光
学業子にも適用することができる。
８４．８６の表面に、当該光導波索子Ｂｌ内における内
部反射に基づくＰ偏向成分と８偏向酸分との間の位相ず
れを等しくするために設けられる皮膜が存在する場合に
は、当咳皮膜上に延在して配設されてもよいＯ 更に、前記実施例にあっては、光導波索子として）１°
ラディー素子會掲げたが、本発明はとれに限られるもの
ではなく、外部電界によって偏向状態が変化する電気光
学業子にも適用することができる。
（７） 発明の効果
以上のように、本発明によれば、光導波素子の光入力端
面の縁部並びに光出力端面の縁部に光遮蔽膜を配設する
ことによって、当該光導波索子の光入力部端面並びＣζ
光出力部端面における乱反射、屈折％ｒ防止することが
でき、当該光導波索子ｖＣおけるクロストークの発生を
防止あり仏は抑制することができる。
面の縁部並びに光出力端面の縁部に光遮蔽膜を配設する
ことによって、当該光導波索子の光入力部端面並びＣζ
光出力部端面における乱反射、屈折％ｒ防止することが
でき、当該光導波索子ｖＣおけるクロストークの発生を
防止あり仏は抑制することができる。
ｌｔ図は光スィッチの基本的構成を示す概念図、第２図
は従来の光導線素子の構成を示す外観斜視図、第８図は
本発明による光導波素子の構成を示す外観斜視図である
。 図において、１２１．８１［光導波素子。 ８１！！、８２’ 、８８．８８’は光遮蔽膜。 ￥ １ 目 箋２目 ２２′
は従来の光導線素子の構成を示す外観斜視図、第８図は
本発明による光導波素子の構成を示す外観斜視図である
。 図において、１２１．８１［光導波素子。 ８１！！、８２’ 、８８．８８’は光遮蔽膜。 ￥ １ 目 箋２目 ２２′
Claims (1)
- 外部磁界あるいは外部電界によって入射光と出射光との
偏向状１１’に変化せしめる光導波素子において、１記
光導波素子の光入力面の縁部並ひに光出力面の縁部ｔａ
つて光遮蔽部材が配設されてなることｔ特徴とする光導
波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21089181A JPS58114014A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 光導波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21089181A JPS58114014A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 光導波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114014A true JPS58114014A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16596794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21089181A Pending JPS58114014A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 光導波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193892B2 (en) | 2008-12-25 | 2012-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire-wound coil |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21089181A patent/JPS58114014A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193892B2 (en) | 2008-12-25 | 2012-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire-wound coil |
| DE112009003452T5 (de) | 2008-12-25 | 2012-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Drahtgewickelte Spule |
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