JPS58111115A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS58111115A JPS58111115A JP20933581A JP20933581A JPS58111115A JP S58111115 A JPS58111115 A JP S58111115A JP 20933581 A JP20933581 A JP 20933581A JP 20933581 A JP20933581 A JP 20933581A JP S58111115 A JPS58111115 A JP S58111115A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- thin film
- substrate
- magnetic head
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、蒸着、スパッタリング、電着、ホトリックグ
ラフィ等の技術を用いて、磁気コア部分。
ラフィ等の技術を用いて、磁気コア部分。
励磁コイル部分、磁気ギャップ部分等を形成して成る誘
導型磁気ヘッドに係シ、特に磁気ディスク。
導型磁気ヘッドに係シ、特に磁気ディスク。
VTR等に好適な薄膜磁気ヘッドに関する。
従来、薄膜磁気ヘッドは、特開昭55−840’19号
および55−84020号で述べられているように。
および55−84020号で述べられているように。
第1図(a)、 (b)に示すように、米国コーニング
社製ホトセラム−A−1hOs −Ti Cなどの非磁
性基板11上にNi−Fe合金、 Fe −Al1−
8i合金などよ構成る上部および下部磁気コア12.1
3およびA−e20s、 5iOzなどより成る磁気ギ
ャップ層14.さらにCu、 A、6゜Auなどよ構成
る導体巻線コイル、15等をホトリソグラフィ技術で形
成することで作製されていた。
社製ホトセラム−A−1hOs −Ti Cなどの非磁
性基板11上にNi−Fe合金、 Fe −Al1−
8i合金などよ構成る上部および下部磁気コア12.1
3およびA−e20s、 5iOzなどより成る磁気ギ
ャップ層14.さらにCu、 A、6゜Auなどよ構成
る導体巻線コイル、15等をホトリソグラフィ技術で形
成することで作製されていた。
一般に、 Ni−Fe合金などの磁性薄膜には薄膜面内
に磁気異方性があることが知られておシ1本来。
に磁気異方性があることが知られておシ1本来。
特開昭55−101124号にも述べられているように
この異方性を最大限に活用して該磁気ヘッドの構造を決
定することが望まれる。
この異方性を最大限に活用して該磁気ヘッドの構造を決
定することが望まれる。
本発明の目的は、第1図(b)に示すように磁性薄膜を
素子化した場合に生じると考えられる。磁性薄膜素子内
の磁気特性分布を最大限にまで活用できる磁気ヘッド構
造、材料特性を実験的に明らかにすることで、記録−再
生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することである。
素子化した場合に生じると考えられる。磁性薄膜素子内
の磁気特性分布を最大限にまで活用できる磁気ヘッド構
造、材料特性を実験的に明らかにすることで、記録−再
生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することである。
上記目的を達成するために、冒頭に述べた種類の本発明
による薄膜磁気ヘッドは、磁気コア部における励磁コイ
ルの形状を上部および下部磁気コアの少くとも一方Qコ
イル部近傍の磁壁形状と略等しくなるように構成するこ
とを要旨とする。
による薄膜磁気ヘッドは、磁気コア部における励磁コイ
ルの形状を上部および下部磁気コアの少くとも一方Qコ
イル部近傍の磁壁形状と略等しくなるように構成するこ
とを要旨とする。
前記励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部に略平行で
あり、磁気コア幅が媒体対向部より離れるにしたがい大
きくなるような薄膜磁気ヘッドにおいては、基板上に付
着せしめた該磁性薄膜における残留応力σ(張力を正、
圧縮力を負とする)と該磁性薄膜の磁歪定数λとの積λ
σの絶対値が5X1G”kJjf/−以下となるように
、前記励磁コイルの型状が磁気記録媒体対向部に向って
凸状である前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにおいては、
前記λσの値が5X10−’に/f/−以上5 X 1
0−’ kJ’ f /rd以下となる−ように、前記
励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部に向って凹状で
ある前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにおいては、前記λ
σの値が−5X I W’ kJ’f /md 以上−
5×10−7に/f/−以下トするように基板、磁性材
、付着法等を選定するのが有利である。成可く、前記λ
の絶対値が4X1(1−’以下である磁性材とフェライ
ト系基板、 A6gOa系基板、 SiC系基板、 T
iC系基板、 ZrC系基板、 WC系基板のいずれか
一つの基板が用いられる。
あり、磁気コア幅が媒体対向部より離れるにしたがい大
きくなるような薄膜磁気ヘッドにおいては、基板上に付
着せしめた該磁性薄膜における残留応力σ(張力を正、
圧縮力を負とする)と該磁性薄膜の磁歪定数λとの積λ
σの絶対値が5X1G”kJjf/−以下となるように
、前記励磁コイルの型状が磁気記録媒体対向部に向って
凸状である前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにおいては、
前記λσの値が5X10−’に/f/−以上5 X 1
0−’ kJ’ f /rd以下となる−ように、前記
励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部に向って凹状で
ある前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにおいては、前記λ
σの値が−5X I W’ kJ’f /md 以上−
5×10−7に/f/−以下トするように基板、磁性材
、付着法等を選定するのが有利である。成可く、前記λ
の絶対値が4X1(1−’以下である磁性材とフェライ
ト系基板、 A6gOa系基板、 SiC系基板、 T
iC系基板、 ZrC系基板、 WC系基板のいずれか
一つの基板が用いられる。
第2図に、 Cu、 A48i02.米国コーニング
社製7059ガラス、米国コーニング社製ホトセラム。
社製7059ガラス、米国コーニング社製ホトセラム。
ステンレスe ”1lzoa e TsC等の非磁性材
料から成る基板上にスパッタリング法、蒸着法、電着法
等により付着せしめたNi−Fe合金薄膜の透磁率の異
方性の一例を示す、21.22’h23はA13. C
u。
料から成る基板上にスパッタリング法、蒸着法、電着法
等により付着せしめたNi−Fe合金薄膜の透磁率の異
方性の一例を示す、21.22’h23はA13. C
u。
ステンレス基板上に82Ni−18Feを電着法で1゜
0μm付着せしめた後150℃で500eの磁場中熱処
理した場合、24,25,26,27は82.5Ni
−17,5Feを8i0□、7059ガラス、SiC,
TiC基板上に650℃で500eの磁場中蒸着法によ
り1.5μm付着せしめた場合、28.29,50,3
1.32は83.0Ni−17,0Feを500℃で3
00eの磁場中スパッタリンク法によりそれぞれのホト
セラム、 A/hOa、 TiC。
0μm付着せしめた後150℃で500eの磁場中熱処
理した場合、24,25,26,27は82.5Ni
−17,5Feを8i0□、7059ガラス、SiC,
TiC基板上に650℃で500eの磁場中蒸着法によ
り1.5μm付着せしめた場合、28.29,50,3
1.32は83.0Ni−17,0Feを500℃で3
00eの磁場中スパッタリンク法によりそれぞれのホト
セラム、 A/hOa、 TiC。
フェライ)、 ZrC,WC基板上に0.5μm付着
せしめた場合の透磁率の異方性であシ、いずれの場合も
、180°の磁壁と直角の方向で最も高い′透磁率を示
すことが見い出された。79.5Ni−20,5Fe。
せしめた場合の透磁率の異方性であシ、いずれの場合も
、180°の磁壁と直角の方向で最も高い′透磁率を示
すことが見い出された。79.5Ni−20,5Fe。
83.5Ni−16,5Fe組成のNiFe合金を30
0℃でp蒸着法で作製すると、透磁率の異方性の様子は
第2図に示した場合と同様であるが、絶対値が1000
程度以下と小さく、高性能な磁気ヘッドを作製するため
の材料としては向いていない。これは1両材料の磁歪定
数の絶対値が5X10−’と大きいためである。
0℃でp蒸着法で作製すると、透磁率の異方性の様子は
第2図に示した場合と同様であるが、絶対値が1000
程度以下と小さく、高性能な磁気ヘッドを作製するため
の材料としては向いていない。これは1両材料の磁歪定
数の絶対値が5X10−’と大きいためである。
ところが、前記高透磁率磁性薄膜をホトリソグラフィ技
術を用いて微細素子化して磁壁の様子を観察すると1例
えば第3図に示すようになる場合があることが見い出さ
れた。該薄膜は、米国コーニング社製の7059ガラス
基板に、350℃で82Ni−18Feを500eの磁
場中電子ビーム蒸着法で付着せしめたもので、厚さは1
.5μmである。微細素子化前の磁壁は直線状でその方
向は、同図(b)に示した磁壁の方向と同じである。素
子の形状が第11N(b)に示した様な場合には、その
磁壁の形状は素子化前と比べて変化し、第3図(a)に
示すようになった。すなわち後でよシ詳細に述べるが9
本例の場合のように適当に磁性材料、基板、付着条件を
選定すると、特開’[55−101124号に示されて
いるように直線的な磁壁だけが出現するのではなく、素
子幅が変化するに伴い、素子幅が広く力る方向に磁壁が
曲がる場合もあることが見い出された。
術を用いて微細素子化して磁壁の様子を観察すると1例
えば第3図に示すようになる場合があることが見い出さ
れた。該薄膜は、米国コーニング社製の7059ガラス
基板に、350℃で82Ni−18Feを500eの磁
場中電子ビーム蒸着法で付着せしめたもので、厚さは1
.5μmである。微細素子化前の磁壁は直線状でその方
向は、同図(b)に示した磁壁の方向と同じである。素
子の形状が第11N(b)に示した様な場合には、その
磁壁の形状は素子化前と比べて変化し、第3図(a)に
示すようになった。すなわち後でよシ詳細に述べるが9
本例の場合のように適当に磁性材料、基板、付着条件を
選定すると、特開’[55−101124号に示されて
いるように直線的な磁壁だけが出現するのではなく、素
子幅が変化するに伴い、素子幅が広く力る方向に磁壁が
曲がる場合もあることが見い出された。
上記現象は、微細素子化によシ、磁性薄膜に当初一様に
残留していた応力が異方的に解放されるために惹き起こ
されていることが、計算機シミュレーションによる詳細
な残留応力解析によって明らかになった。第4図(a)
、 (b)に7059ガラス基板上に500℃で82N
i−18Feを蒸着したと想定した場合の結果を示す。
残留していた応力が異方的に解放されるために惹き起こ
されていることが、計算機シミュレーションによる詳細
な残留応力解析によって明らかになった。第4図(a)
、 (b)に7059ガラス基板上に500℃で82N
i−18Feを蒸着したと想定した場合の結果を示す。
第41SU(a)は、薄膜を一方向だけ微細化した時に
、薄膜素子幅方向の残留応力σが緩和されて行く様子を
示し、同図(b)は1例えば長軸、短軸比を3=1とし
た時に、矩形状素子の長手方向に正の残留応力Δσ(張
力)が異方的に残留する様子を示す。素子形状が第3図
(a)に示すように複雑な場合には、張力がほぼ同図の
磁壁曲線に舶直な方向に残留することが明らかになった
。
、薄膜素子幅方向の残留応力σが緩和されて行く様子を
示し、同図(b)は1例えば長軸、短軸比を3=1とし
た時に、矩形状素子の長手方向に正の残留応力Δσ(張
力)が異方的に残留する様子を示す。素子形状が第3図
(a)に示すように複雑な場合には、張力がほぼ同図の
磁壁曲線に舶直な方向に残留することが明らかになった
。
微細素子化によシ、上記のように異方的に残留応力Δσ
が発生すると、逆磁歪効果によって磁化。
が発生すると、逆磁歪効果によって磁化。
したがって磁壁の形状が変化することになる。すなわち
、薄膜の磁気異方性エネルギーをEk、 磁歪定数をλ
とすると、(3/2)λ・Δσの絶対値がEkに比べて
同等程度に大きくなると、磁化、したがって磁壁・の方
向は、λσ(λΔσ)が正の場合には異方的残留応力Δ
σにほぼ垂直となり、λσ(λΔσ)が負の場合にはΔ
σにほぼ平行となる。この関係を構図的に第5図に示す
。ただし、λΔσの値が大きすぎると、特開昭55−1
01124号にも述べられているように、磁化容易軸の
方向、すなわち磁壁の方向まで変化したり、磁気特性が
大きく劣化するので好ましくない。このためには2通常
Ekの大きさが5X10’ erl/cc (5X10
”klf/mdに相当)であることから、λσの大きさ
は5X1(r’klf/−以下にすることが望ましい。
、薄膜の磁気異方性エネルギーをEk、 磁歪定数をλ
とすると、(3/2)λ・Δσの絶対値がEkに比べて
同等程度に大きくなると、磁化、したがって磁壁・の方
向は、λσ(λΔσ)が正の場合には異方的残留応力Δ
σにほぼ垂直となり、λσ(λΔσ)が負の場合にはΔ
σにほぼ平行となる。この関係を構図的に第5図に示す
。ただし、λΔσの値が大きすぎると、特開昭55−1
01124号にも述べられているように、磁化容易軸の
方向、すなわち磁壁の方向まで変化したり、磁気特性が
大きく劣化するので好ましくない。このためには2通常
Ekの大きさが5X10’ erl/cc (5X10
”klf/mdに相当)であることから、λσの大きさ
は5X1(r’klf/−以下にすることが望ましい。
実際、Cu、Al1.ステンレス、5i02.米国コー
ニング社製7059ガラス、同”ホトセラム、フエライ
) 、 M2o2−’rtc、 SiC,TiC,Zr
C,WC,基板上に81.6Ni −1a4Fe、 8
21Ni −17,9Fe、 82.6Ni −17、
4Feを電着法、350℃での蒸着、スパッタリング法
によって付着せしめ、素子化して詳細に磁壁を観察した
ところ、第6図に示す図表にまとめるような結果を得た
。ただし、 A、 B、 Cの記号は第5図に示したも
のである。λσの絶対値が5×10−’kJ’f/−以
下のステンレス、7059.ホトセラム、およびフェラ
イト基板の場合には第51i1Bのタイプの磁区が、λ
σの絶対値が5X10 kJlf/−以上、 5X
10−’kJlf/−以下で符号が正および負の場合に
はそれぞれCおよびAのタイプの磁区が認められた。7
a5Ni−21,5Feを8 i 0. 、 u*o
a −TiC基板に350℃で付着せしめてλσを5×
10−’kpf/−よ)大きくした場合(I X 10
−3.5.5 X10−’klf/ad )には、磁
壁の向きが9チ変化してしまうため、磁気ヘッドには使
用できない。85.5Ni−16,5Feを8i02.
I’−ezOs−TiC基板に350℃で付着せしめ
てλσを−5X 10””’ kPf/−より小さくし
た場合(−1Xl 0−”、 −5,5X10−’kJ
’f /mt )にも部分的に同様の現象がおきた。基
板温度を変えて残留応力の大きさを変えた場合も全く同
様の結果が得られた。
ニング社製7059ガラス、同”ホトセラム、フエライ
) 、 M2o2−’rtc、 SiC,TiC,Zr
C,WC,基板上に81.6Ni −1a4Fe、 8
21Ni −17,9Fe、 82.6Ni −17、
4Feを電着法、350℃での蒸着、スパッタリング法
によって付着せしめ、素子化して詳細に磁壁を観察した
ところ、第6図に示す図表にまとめるような結果を得た
。ただし、 A、 B、 Cの記号は第5図に示したも
のである。λσの絶対値が5×10−’kJ’f/−以
下のステンレス、7059.ホトセラム、およびフェラ
イト基板の場合には第51i1Bのタイプの磁区が、λ
σの絶対値が5X10 kJlf/−以上、 5X
10−’kJlf/−以下で符号が正および負の場合に
はそれぞれCおよびAのタイプの磁区が認められた。7
a5Ni−21,5Feを8 i 0. 、 u*o
a −TiC基板に350℃で付着せしめてλσを5×
10−’kpf/−よ)大きくした場合(I X 10
−3.5.5 X10−’klf/ad )には、磁
壁の向きが9チ変化してしまうため、磁気ヘッドには使
用できない。85.5Ni−16,5Feを8i02.
I’−ezOs−TiC基板に350℃で付着せしめ
てλσを−5X 10””’ kPf/−より小さくし
た場合(−1Xl 0−”、 −5,5X10−’kJ
’f /mt )にも部分的に同様の現象がおきた。基
板温度を変えて残留応力の大きさを変えた場合も全く同
様の結果が得られた。
上記現象はNi−Fe合金のみには限らず、Co−Fe
、 Ni −Co、 Fe −Al1−8i、 Fe−
8i、 Co−Tiなどの軟磁性合金でも認められた。
、 Ni −Co、 Fe −Al1−8i、 Fe−
8i、 Co−Tiなどの軟磁性合金でも認められた。
以上のように磁壁の形状が微細素子化によって複雑□に
変化する場合には、第2図に示した。透磁率と磁壁との
方向の関係を考慮すると、該磁気素子を励磁する導体コ
イ、ルは該磁壁に沿って形成することが望ましいことが
明らかである。
変化する場合には、第2図に示した。透磁率と磁壁との
方向の関係を考慮すると、該磁気素子を励磁する導体コ
イ、ルは該磁壁に沿って形成することが望ましいことが
明らかである。
本発明は、塊部述べた素子化により磁壁の形状が複雑に
変化するという本発明者等の知見に基っいて成されたも
のである。
変化するという本発明者等の知見に基っいて成されたも
のである。
以下1本発明の一実施例を第7図、第8図、第9図によ
り説明する。第7図、第8図、第9図に示した磁気ヘッ
ドはそれぞれ媒体対向面に対してフィル形状が磁気コア
部近傍で凹、平行、凸となっているもので、 6f、
7f、atは非磁性フェライト基板、65,75.85
は厚さ5μm9幅約りm1ピッチ5pmのM導体コイル
、’64,74,84は8i02よ9成るギャップ(ギ
ャップ長0.5μm)、63゜73.83は膜厚1.5
μmの下部磁性層、62,72゜82は膜厚2μmの上
部磁性層である。ただし、6グ。
り説明する。第7図、第8図、第9図に示した磁気ヘッ
ドはそれぞれ媒体対向面に対してフィル形状が磁気コア
部近傍で凹、平行、凸となっているもので、 6f、
7f、atは非磁性フェライト基板、65,75.85
は厚さ5μm9幅約りm1ピッチ5pmのM導体コイル
、’64,74,84は8i02よ9成るギャップ(ギ
ャップ長0.5μm)、63゜73.83は膜厚1.5
μmの下部磁性層、62,72゜82は膜厚2μmの上
部磁性層である。ただし、6グ。
63は82.4Ni−17,6Feを、72,73は8
t9Ni −1aiFeを、82,85は81.4Ni
−1a6Fe全6Feヲでスパッタリング法により付着
せしめたものである。
t9Ni −1aiFeを、82,85は81.4Ni
−1a6Fe全6Feヲでスパッタリング法により付着
せしめたものである。
本実施例によれば、62.65は第5図人の、72゜7
5JritjN5図B(D、82.83は第5図C(D
タイ−1の磁壁となるため、磁壁と導体コイル形状とが
一歳し磁気コアの能率を最大限にまで活用できる効果が
ある。
5JritjN5図B(D、82.83は第5図C(D
タイ−1の磁壁となるため、磁壁と導体コイル形状とが
一歳し磁気コアの能率を最大限にまで活用できる効果が
ある。
第10図に、第7図、第8図、第9図に示した構造で、
それぞれ82.4Ni−17,6Fe、 81.9Ni
−I B、9 Fe、 8 t4Ni −1a6 F
eを350℃で2バツタリングして付着せしめた磁性膜
を使用した場合の記録再生特性を示す。記録ビット長は
1μm2周速20m/Sである。91,92.95はそ
れぞれ第6図、第7図、第8図に示した本発明によるな
る磁気ヘッドの特性’、94.98は第6図の構造でそ
れぞれ81.9Ni −1aI Fe、 81.4Ni
−1a6Fe 〕組成。
それぞれ82.4Ni−17,6Fe、 81.9Ni
−I B、9 Fe、 8 t4Ni −1a6 F
eを350℃で2バツタリングして付着せしめた磁性膜
を使用した場合の記録再生特性を示す。記録ビット長は
1μm2周速20m/Sである。91,92.95はそ
れぞれ第6図、第7図、第8図に示した本発明によるな
る磁気ヘッドの特性’、94.98は第6図の構造でそ
れぞれ81.9Ni −1aI Fe、 81.4Ni
−1a6Fe 〕組成。
q s、 99 tri第8 図ノm造Cソレソれ81
.9Ni −1111Fe、 82.4Ni −17,
6Feの組成、96.97Fi第7図の構造でそれぞれ
82.4Ni−17,6Fe、 81.4Ni −1a
6Feの組成の磁性コアよりなる磁気ヘッドの特性曲線
である。なお、第1図に示した従来型ヘッド構造の最高
特性を同図に90として示すが。
.9Ni −1111Fe、 82.4Ni −17,
6Feの組成、96.97Fi第7図の構造でそれぞれ
82.4Ni−17,6Fe、 81.4Ni −1a
6Feの組成の磁性コアよりなる磁気ヘッドの特性曲線
である。なお、第1図に示した従来型ヘッド構造の最高
特性を同図に90として示すが。
本発明によ9成るヘッドの特性91,92,93が優れ
ていることが萌らがである。第7図から第9図までの構
造でも、λσの絶対値が5 X 10−’ kl f/
ad以上である材料を用いた磁気ヘッドでは(S i
02基板、 7a5Nf−215Fe、 8A5Ni−
16,5Fe)第1゜図99で示した性能の1層2程度
しか得られなかった。
ていることが萌らがである。第7図から第9図までの構
造でも、λσの絶対値が5 X 10−’ kl f/
ad以上である材料を用いた磁気ヘッドでは(S i
02基板、 7a5Nf−215Fe、 8A5Ni−
16,5Fe)第1゜図99で示した性能の1層2程度
しか得られなかった。
以上の効果は磁性層を多層としたり、基板をAIJtO
s−T IC,Z r C、WC−A13zOs、 S
r Cトシfc ’) 。
s−T IC,Z r C、WC−A13zOs、 S
r Cトシfc ’) 。
下部磁性性層の代わりに磁性基板を代用しても同様であ
った。ただしλが4 X 10”−’よシ大きい場合に
は、ノイズが多くなり、出方ノイズ比で従来ヘッドより
特性が劣化するので望ましくない。さらに磁性膜として
、 Co −Fe、 Ni −Co、 Fe−8i、
C。
った。ただしλが4 X 10”−’よシ大きい場合に
は、ノイズが多くなり、出方ノイズ比で従来ヘッドより
特性が劣化するので望ましくない。さらに磁性膜として
、 Co −Fe、 Ni −Co、 Fe−8i、
C。
−Ti、 Fe−8i−k13合金を用いても同様の効
果が得られた。
果が得られた。
上記実施例では、絶縁層を5i02.導体をMとした場
合について述べたが、それぞれAl320sなどの絶縁
物、 Cu、 Auなどの導電体であれば良いことは言
うまでもない。また9巻4g!数については、上”記実
施例では4のものについて示したが2巻s!tを1層8
,16としても、あるい杖、2層16としても同様の結
果が認められた。
合について述べたが、それぞれAl320sなどの絶縁
物、 Cu、 Auなどの導電体であれば良いことは言
うまでもない。また9巻4g!数については、上”記実
施例では4のものについて示したが2巻s!tを1層8
,16としても、あるい杖、2層16としても同様の結
果が認められた。
以上説明した通シ1本発明によれば、磁性薄膜素子内の
磁気特性分布g!!Lメー限にまで活用でき、−記録・
再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
磁気特性分布g!!Lメー限にまで活用でき、−記録・
再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
第1図(a)および(b)はそれぞれ従来型磁気ヘッド
の外観を示す断面図および正面図、第2図は磁性薄膜内
の透磁率の異方性を示す図、第3図は微細素子に見られ
る磁区構造を示す図、第4図は微細素子の残留応力を示
す図、第5図は磁性膜の磁歪と残留応力によシ微細素子
内の磁壁の形状が変化することを示す図、第6図は磁壁
の形状と磁歪定数、基板との関係をまとめた図表、第一
7図、第8図、第9図は本発明による3種類の磁気ヘッ
ドを示す断面図および正面図、第10図は磁気ヘッドの
特性を比較して示した図である。 61.71,81・・・・・・非磁性フェライト基板6
2.72.82−・−上部磁性層 65.73.83・
・門下部磁性層64.74,84−・四ギャップ
65,75,85・・・・・・導体コイル90〜99
・−・−・−記録再生特性曲線代理人弁理士 申 村
純之助 ′IF2図 ttio′m讐L q t”i 書−1t(n)才3
図 1’4図 5t’7図 −+8図 1−9図 才10図 手続補正書(方式) %式% 事件の表示 昭和56年特許M 209335号発明
の名称 薄膜磁気、ラド 補正をする者 事件との関係 特許出願人代理人 補正命令の日付 昭和57年4月27日補正の対象
図面の簡単な説明の欄および図面。 ! (α)
の外観を示す断面図および正面図、第2図は磁性薄膜内
の透磁率の異方性を示す図、第3図は微細素子に見られ
る磁区構造を示す図、第4図は微細素子の残留応力を示
す図、第5図は磁性膜の磁歪と残留応力によシ微細素子
内の磁壁の形状が変化することを示す図、第6図は磁壁
の形状と磁歪定数、基板との関係をまとめた図表、第一
7図、第8図、第9図は本発明による3種類の磁気ヘッ
ドを示す断面図および正面図、第10図は磁気ヘッドの
特性を比較して示した図である。 61.71,81・・・・・・非磁性フェライト基板6
2.72.82−・−上部磁性層 65.73.83・
・門下部磁性層64.74,84−・四ギャップ
65,75,85・・・・・・導体コイル90〜99
・−・−・−記録再生特性曲線代理人弁理士 申 村
純之助 ′IF2図 ttio′m讐L q t”i 書−1t(n)才3
図 1’4図 5t’7図 −+8図 1−9図 才10図 手続補正書(方式) %式% 事件の表示 昭和56年特許M 209335号発明
の名称 薄膜磁気、ラド 補正をする者 事件との関係 特許出願人代理人 補正命令の日付 昭和57年4月27日補正の対象
図面の簡単な説明の欄および図面。 ! (α)
Claims (5)
- (1)基板上に磁性材、絶縁材、導電材等を蒸着法、ス
パッタリング法、メッキ法あるいは印刷法等により付着
せしめ、化学腐蝕法1反応性スパッタリング法あるいは
イオンミリング法等により所定の形状を作製する誘導型
磁気ヘッドにおいて。 磁気コア部における励磁コイルの形状を上部および下部
磁気コアの少くとも一方のコイル部近傍の磁壁形状と略
等しくなるように構成することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - (2) 前記励磁コイルの形状が磁、気記録媒体対向
部に略平行であシ、磁気コア幅が媒体対向部よシ離れる
にしたがい大きくなるような薄膜磁気ヘッドにおいて、
基板上に付着せしめた該磁性薄膜における残留応力σ(
張力を正、圧縮力を負とする)と該磁性薄膜の磁歪定数
λとの積λσの絶対値が5X 10−” kPf/−以
下となるように基板、磁性材。 付着法等を選定することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の薄膜磁気ヘッド。 - (3) 前記励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部
に向って凸状である前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記λσの値が5 X 10−’ k7 f /
m4以上5 X I F’ kPf/−以下となるよ
うに基板、磁性材、付着法等を選定することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の薄膜磁気ヘッド。 - (4) 前記励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部
に向って凹状である前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記λσの値が一5×10″kl f / 11
1以上−s×to−’kpf/−以下となるよう基板、
磁性材、付着法等を選定することを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の薄膜磁気ヘッド。 - (5)前記λの絶対値が4X10−’以下である磁性材
とフェライト系基板、 Ag20B系基板、 SiC
系基板、 TiC系基板、 ZrC系基板、WC系基板
のいずれか一つの基板を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第1項、第2項、第3項および第4項のいずれ
か一つに記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20933581A JPS58111115A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20933581A JPS58111115A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58111115A true JPS58111115A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16571239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20933581A Pending JPS58111115A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58111115A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8403951A (nl) * | 1983-12-29 | 1985-07-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Werkwijze en inrichting voor het reproduceren van magnetische informatie. |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP20933581A patent/JPS58111115A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8403951A (nl) * | 1983-12-29 | 1985-07-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Werkwijze en inrichting voor het reproduceren van magnetische informatie. |
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