JPS58111115A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS58111115A JPS58111115A JP20933581A JP20933581A JPS58111115A JP S58111115 A JPS58111115 A JP S58111115A JP 20933581 A JP20933581 A JP 20933581A JP 20933581 A JP20933581 A JP 20933581A JP S58111115 A JPS58111115 A JP S58111115A
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- Japan
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- magnetic
- thin film
- substrate
- magnetic head
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- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、蒸着、スパッタリング、電着、ホトリックグ
ラフィ等の技術を用いて、磁気コア部分。
ラフィ等の技術を用いて、磁気コア部分。
励磁コイル部分、磁気ギャップ部分等を形成して成る誘
導型磁気ヘッドに係シ、特に磁気ディスク。
導型磁気ヘッドに係シ、特に磁気ディスク。
ＶＴＲ等に好適な薄膜磁気ヘッドに関する。
従来、薄膜磁気ヘッドは、特開昭５５−８４０’１９号
および５５−８４０２０号で述べられているように。
および５５−８４０２０号で述べられているように。
第１図（ａ）、 （ｂ）に示すように、米国コーニング
社製ホトセラム−Ａ−１ｈＯｓ −Ｔｉ Ｃなどの非磁
性基板１１上にＮｉ−Ｆｅ合金、 Ｆｅ −Ａｌ１−
８ｉ合金などよ構成る上部および下部磁気コア１２．１
３およびＡ−ｅ２０ｓ、 ５ｉＯｚなどより成る磁気ギ
ャップ層１４．さらにＣｕ、 Ａ、６゜Ａｕなどよ構成
る導体巻線コイル、１５等をホトリソグラフィ技術で形
成することで作製されていた。
社製ホトセラム−Ａ−１ｈＯｓ −Ｔｉ Ｃなどの非磁
性基板１１上にＮｉ−Ｆｅ合金、 Ｆｅ −Ａｌ１−
８ｉ合金などよ構成る上部および下部磁気コア１２．１
３およびＡ−ｅ２０ｓ、 ５ｉＯｚなどより成る磁気ギ
ャップ層１４．さらにＣｕ、 Ａ、６゜Ａｕなどよ構成
る導体巻線コイル、１５等をホトリソグラフィ技術で形
成することで作製されていた。
一般に、 Ｎｉ−Ｆｅ合金などの磁性薄膜には薄膜面内
に磁気異方性があることが知られておシ１本来。
に磁気異方性があることが知られておシ１本来。
特開昭５５−１０１１２４号にも述べられているように
この異方性を最大限に活用して該磁気ヘッドの構造を決
定することが望まれる。
この異方性を最大限に活用して該磁気ヘッドの構造を決
定することが望まれる。
本発明の目的は、第１図（ｂ）に示すように磁性薄膜を
素子化した場合に生じると考えられる。磁性薄膜素子内
の磁気特性分布を最大限にまで活用できる磁気ヘッド構
造、材料特性を実験的に明らかにすることで、記録−再
生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することである。
素子化した場合に生じると考えられる。磁性薄膜素子内
の磁気特性分布を最大限にまで活用できる磁気ヘッド構
造、材料特性を実験的に明らかにすることで、記録−再
生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することである。
上記目的を達成するために、冒頭に述べた種類の本発明
による薄膜磁気ヘッドは、磁気コア部における励磁コイ
ルの形状を上部および下部磁気コアの少くとも一方Ｑコ
イル部近傍の磁壁形状と略等しくなるように構成するこ
とを要旨とする。
による薄膜磁気ヘッドは、磁気コア部における励磁コイ
ルの形状を上部および下部磁気コアの少くとも一方Ｑコ
イル部近傍の磁壁形状と略等しくなるように構成するこ
とを要旨とする。
前記励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部に略平行で
あり、磁気コア幅が媒体対向部より離れるにしたがい大
きくなるような薄膜磁気ヘッドにおいては、基板上に付
着せしめた該磁性薄膜における残留応力σ（張力を正、
圧縮力を負とする）と該磁性薄膜の磁歪定数λとの積λ
σの絶対値が５Ｘ１Ｇ”ｋＪｊｆ／−以下となるように
、前記励磁コイルの型状が磁気記録媒体対向部に向って
凸状である前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにおいては、
前記λσの値が５Ｘ１０−’に／ｆ／−以上５ Ｘ １
０−’ ｋＪ’ ｆ ／ｒｄ以下となる−ように、前記
励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部に向って凹状で
ある前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにおいては、前記λ
σの値が−５Ｘ Ｉ Ｗ’ ｋＪ’ｆ ／ｍｄ 以上−
５×１０−７に／ｆ／−以下トするように基板、磁性材
、付着法等を選定するのが有利である。成可く、前記λ
の絶対値が４Ｘ１（１−’以下である磁性材とフェライ
ト系基板、 Ａ６ｇＯａ系基板、 ＳｉＣ系基板、 Ｔ
ｉＣ系基板、 ＺｒＣ系基板、 ＷＣ系基板のいずれか
一つの基板が用いられる。
あり、磁気コア幅が媒体対向部より離れるにしたがい大
きくなるような薄膜磁気ヘッドにおいては、基板上に付
着せしめた該磁性薄膜における残留応力σ（張力を正、
圧縮力を負とする）と該磁性薄膜の磁歪定数λとの積λ
σの絶対値が５Ｘ１Ｇ”ｋＪｊｆ／−以下となるように
、前記励磁コイルの型状が磁気記録媒体対向部に向って
凸状である前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにおいては、
前記λσの値が５Ｘ１０−’に／ｆ／−以上５ Ｘ １
０−’ ｋＪ’ ｆ ／ｒｄ以下となる−ように、前記
励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部に向って凹状で
ある前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにおいては、前記λ
σの値が−５Ｘ Ｉ Ｗ’ ｋＪ’ｆ ／ｍｄ 以上−
５×１０−７に／ｆ／−以下トするように基板、磁性材
、付着法等を選定するのが有利である。成可く、前記λ
の絶対値が４Ｘ１（１−’以下である磁性材とフェライ
ト系基板、 Ａ６ｇＯａ系基板、 ＳｉＣ系基板、 Ｔ
ｉＣ系基板、 ＺｒＣ系基板、 ＷＣ系基板のいずれか
一つの基板が用いられる。
第２図に、 Ｃｕ、 Ａ４８ｉ０２．米国コーニング
社製７０５９ガラス、米国コーニング社製ホトセラム。
社製７０５９ガラス、米国コーニング社製ホトセラム。
ステンレスｅ ”１ｌｚｏａ ｅ ＴｓＣ等の非磁性材
料から成る基板上にスパッタリング法、蒸着法、電着法
等により付着せしめたＮｉ−Ｆｅ合金薄膜の透磁率の異
方性の一例を示す、２１．２２’ｈ２３はＡ１３． Ｃ
ｕ。
料から成る基板上にスパッタリング法、蒸着法、電着法
等により付着せしめたＮｉ−Ｆｅ合金薄膜の透磁率の異
方性の一例を示す、２１．２２’ｈ２３はＡ１３． Ｃ
ｕ。
ステンレス基板上に８２Ｎｉ−１８Ｆｅを電着法で１゜
０μｍ付着せしめた後１５０℃で５００ｅの磁場中熱処
理した場合、２４，２５，２６，２７は８２．５Ｎｉ
−１７，５Ｆｅを８ｉ０□、７０５９ガラス、ＳｉＣ，
ＴｉＣ基板上に６５０℃で５００ｅの磁場中蒸着法によ
り１．５μｍ付着せしめた場合、２８．２９，５０，３
１．３２は８３．０Ｎｉ−１７，０Ｆｅを５００℃で３
００ｅの磁場中スパッタリンク法によりそれぞれのホト
セラム、 Ａ／ｈＯａ、 ＴｉＣ。
０μｍ付着せしめた後１５０℃で５００ｅの磁場中熱処
理した場合、２４，２５，２６，２７は８２．５Ｎｉ
−１７，５Ｆｅを８ｉ０□、７０５９ガラス、ＳｉＣ，
ＴｉＣ基板上に６５０℃で５００ｅの磁場中蒸着法によ
り１．５μｍ付着せしめた場合、２８．２９，５０，３
１．３２は８３．０Ｎｉ−１７，０Ｆｅを５００℃で３
００ｅの磁場中スパッタリンク法によりそれぞれのホト
セラム、 Ａ／ｈＯａ、 ＴｉＣ。
フェライ）、 ＺｒＣ，ＷＣ基板上に０．５μｍ付着
せしめた場合の透磁率の異方性であシ、いずれの場合も
、１８０°の磁壁と直角の方向で最も高い′透磁率を示
すことが見い出された。７９．５Ｎｉ−２０，５Ｆｅ。
せしめた場合の透磁率の異方性であシ、いずれの場合も
、１８０°の磁壁と直角の方向で最も高い′透磁率を示
すことが見い出された。７９．５Ｎｉ−２０，５Ｆｅ。
８３．５Ｎｉ−１６，５Ｆｅ組成のＮｉＦｅ合金を３０
０℃でｐ蒸着法で作製すると、透磁率の異方性の様子は
第２図に示した場合と同様であるが、絶対値が１０００
程度以下と小さく、高性能な磁気ヘッドを作製するため
の材料としては向いていない。これは１両材料の磁歪定
数の絶対値が５Ｘ１０−’と大きいためである。
０℃でｐ蒸着法で作製すると、透磁率の異方性の様子は
第２図に示した場合と同様であるが、絶対値が１０００
程度以下と小さく、高性能な磁気ヘッドを作製するため
の材料としては向いていない。これは１両材料の磁歪定
数の絶対値が５Ｘ１０−’と大きいためである。
ところが、前記高透磁率磁性薄膜をホトリソグラフィ技
術を用いて微細素子化して磁壁の様子を観察すると１例
えば第３図に示すようになる場合があることが見い出さ
れた。該薄膜は、米国コーニング社製の７０５９ガラス
基板に、３５０℃で８２Ｎｉ−１８Ｆｅを５００ｅの磁
場中電子ビーム蒸着法で付着せしめたもので、厚さは１
．５μｍである。微細素子化前の磁壁は直線状でその方
向は、同図（ｂ）に示した磁壁の方向と同じである。素
子の形状が第１１Ｎ（ｂ）に示した様な場合には、その
磁壁の形状は素子化前と比べて変化し、第３図（ａ）に
示すようになった。すなわち後でよシ詳細に述べるが９
本例の場合のように適当に磁性材料、基板、付着条件を
選定すると、特開’［５５−１０１１２４号に示されて
いるように直線的な磁壁だけが出現するのではなく、素
子幅が変化するに伴い、素子幅が広く力る方向に磁壁が
曲がる場合もあることが見い出された。
術を用いて微細素子化して磁壁の様子を観察すると１例
えば第３図に示すようになる場合があることが見い出さ
れた。該薄膜は、米国コーニング社製の７０５９ガラス
基板に、３５０℃で８２Ｎｉ−１８Ｆｅを５００ｅの磁
場中電子ビーム蒸着法で付着せしめたもので、厚さは１
．５μｍである。微細素子化前の磁壁は直線状でその方
向は、同図（ｂ）に示した磁壁の方向と同じである。素
子の形状が第１１Ｎ（ｂ）に示した様な場合には、その
磁壁の形状は素子化前と比べて変化し、第３図（ａ）に
示すようになった。すなわち後でよシ詳細に述べるが９
本例の場合のように適当に磁性材料、基板、付着条件を
選定すると、特開’［５５−１０１１２４号に示されて
いるように直線的な磁壁だけが出現するのではなく、素
子幅が変化するに伴い、素子幅が広く力る方向に磁壁が
曲がる場合もあることが見い出された。
上記現象は、微細素子化によシ、磁性薄膜に当初一様に
残留していた応力が異方的に解放されるために惹き起こ
されていることが、計算機シミュレーションによる詳細
な残留応力解析によって明らかになった。第４図（ａ）
、 （ｂ）に７０５９ガラス基板上に５００℃で８２Ｎ
ｉ−１８Ｆｅを蒸着したと想定した場合の結果を示す。
残留していた応力が異方的に解放されるために惹き起こ
されていることが、計算機シミュレーションによる詳細
な残留応力解析によって明らかになった。第４図（ａ）
、 （ｂ）に７０５９ガラス基板上に５００℃で８２Ｎ
ｉ−１８Ｆｅを蒸着したと想定した場合の結果を示す。
第４１ＳＵ（ａ）は、薄膜を一方向だけ微細化した時に
、薄膜素子幅方向の残留応力σが緩和されて行く様子を
示し、同図（ｂ）は１例えば長軸、短軸比を３＝１とし
た時に、矩形状素子の長手方向に正の残留応力Δσ（張
力）が異方的に残留する様子を示す。素子形状が第３図
（ａ）に示すように複雑な場合には、張力がほぼ同図の
磁壁曲線に舶直な方向に残留することが明らかになった
。
、薄膜素子幅方向の残留応力σが緩和されて行く様子を
示し、同図（ｂ）は１例えば長軸、短軸比を３＝１とし
た時に、矩形状素子の長手方向に正の残留応力Δσ（張
力）が異方的に残留する様子を示す。素子形状が第３図
（ａ）に示すように複雑な場合には、張力がほぼ同図の
磁壁曲線に舶直な方向に残留することが明らかになった
。
微細素子化によシ、上記のように異方的に残留応力Δσ
が発生すると、逆磁歪効果によって磁化。
が発生すると、逆磁歪効果によって磁化。
したがって磁壁の形状が変化することになる。すなわち
、薄膜の磁気異方性エネルギーをＥｋ、 磁歪定数をλ
とすると、（３／２）λ・Δσの絶対値がＥｋに比べて
同等程度に大きくなると、磁化、したがって磁壁・の方
向は、λσ（λΔσ）が正の場合には異方的残留応力Δ
σにほぼ垂直となり、λσ（λΔσ）が負の場合にはΔ
σにほぼ平行となる。この関係を構図的に第５図に示す
。ただし、λΔσの値が大きすぎると、特開昭５５−１
０１１２４号にも述べられているように、磁化容易軸の
方向、すなわち磁壁の方向まで変化したり、磁気特性が
大きく劣化するので好ましくない。このためには２通常
Ｅｋの大きさが５Ｘ１０’ ｅｒｌ／ｃｃ （５Ｘ１０
”ｋｌｆ／ｍｄに相当）であることから、λσの大きさ
は５Ｘ１（ｒ’ｋｌｆ／−以下にすることが望ましい。
、薄膜の磁気異方性エネルギーをＥｋ、 磁歪定数をλ
とすると、（３／２）λ・Δσの絶対値がＥｋに比べて
同等程度に大きくなると、磁化、したがって磁壁・の方
向は、λσ（λΔσ）が正の場合には異方的残留応力Δ
σにほぼ垂直となり、λσ（λΔσ）が負の場合にはΔ
σにほぼ平行となる。この関係を構図的に第５図に示す
。ただし、λΔσの値が大きすぎると、特開昭５５−１
０１１２４号にも述べられているように、磁化容易軸の
方向、すなわち磁壁の方向まで変化したり、磁気特性が
大きく劣化するので好ましくない。このためには２通常
Ｅｋの大きさが５Ｘ１０’ ｅｒｌ／ｃｃ （５Ｘ１０
”ｋｌｆ／ｍｄに相当）であることから、λσの大きさ
は５Ｘ１（ｒ’ｋｌｆ／−以下にすることが望ましい。
実際、Ｃｕ、Ａｌ１．ステンレス、５ｉ０２．米国コー
ニング社製７０５９ガラス、同”ホトセラム、フエライ
） 、 Ｍ２ｏ２−’ｒｔｃ、 ＳｉＣ，ＴｉＣ，Ｚｒ
Ｃ，ＷＣ，基板上に８１．６Ｎｉ −１ａ４Ｆｅ、 ８
２１Ｎｉ −１７，９Ｆｅ、 ８２．６Ｎｉ −１７、
４Ｆｅを電着法、３５０℃での蒸着、スパッタリング法
によって付着せしめ、素子化して詳細に磁壁を観察した
ところ、第６図に示す図表にまとめるような結果を得た
。ただし、 Ａ、 Ｂ、 Ｃの記号は第５図に示したも
のである。λσの絶対値が５×１０−’ｋＪ’ｆ／−以
下のステンレス、７０５９．ホトセラム、およびフェラ
イト基板の場合には第５１ｉ１Ｂのタイプの磁区が、λ
σの絶対値が５Ｘ１０ ｋＪｌｆ／−以上、 ５Ｘ
１０−’ｋＪｌｆ／−以下で符号が正および負の場合に
はそれぞれＣおよびＡのタイプの磁区が認められた。７
ａ５Ｎｉ−２１，５Ｆｅを８ ｉ ０． 、 ｕ＊ｏ
ａ −ＴｉＣ基板に３５０℃で付着せしめてλσを５×
１０−’ｋｐｆ／−よ）大きくした場合（Ｉ Ｘ １０
−３．５．５ Ｘ１０−’ｋｌｆ／ａｄ ）には、磁
壁の向きが９チ変化してしまうため、磁気ヘッドには使
用できない。８５．５Ｎｉ−１６，５Ｆｅを８ｉ０２．
Ｉ’−ｅｚＯｓ−ＴｉＣ基板に３５０℃で付着せしめ
てλσを−５Ｘ １０””’ ｋＰｆ／−より小さくし
た場合（−１Ｘｌ ０−”、 −５，５Ｘ１０−’ｋＪ
’ｆ ／ｍｔ ）にも部分的に同様の現象がおきた。基
板温度を変えて残留応力の大きさを変えた場合も全く同
様の結果が得られた。
ニング社製７０５９ガラス、同”ホトセラム、フエライ
） 、 Ｍ２ｏ２−’ｒｔｃ、 ＳｉＣ，ＴｉＣ，Ｚｒ
Ｃ，ＷＣ，基板上に８１．６Ｎｉ −１ａ４Ｆｅ、 ８
２１Ｎｉ −１７，９Ｆｅ、 ８２．６Ｎｉ −１７、
４Ｆｅを電着法、３５０℃での蒸着、スパッタリング法
によって付着せしめ、素子化して詳細に磁壁を観察した
ところ、第６図に示す図表にまとめるような結果を得た
。ただし、 Ａ、 Ｂ、 Ｃの記号は第５図に示したも
のである。λσの絶対値が５×１０−’ｋＪ’ｆ／−以
下のステンレス、７０５９．ホトセラム、およびフェラ
イト基板の場合には第５１ｉ１Ｂのタイプの磁区が、λ
σの絶対値が５Ｘ１０ ｋＪｌｆ／−以上、 ５Ｘ
１０−’ｋＪｌｆ／−以下で符号が正および負の場合に
はそれぞれＣおよびＡのタイプの磁区が認められた。７
ａ５Ｎｉ−２１，５Ｆｅを８ ｉ ０． 、 ｕ＊ｏ
ａ −ＴｉＣ基板に３５０℃で付着せしめてλσを５×
１０−’ｋｐｆ／−よ）大きくした場合（Ｉ Ｘ １０
−３．５．５ Ｘ１０−’ｋｌｆ／ａｄ ）には、磁
壁の向きが９チ変化してしまうため、磁気ヘッドには使
用できない。８５．５Ｎｉ−１６，５Ｆｅを８ｉ０２．
Ｉ’−ｅｚＯｓ−ＴｉＣ基板に３５０℃で付着せしめ
てλσを−５Ｘ １０””’ ｋＰｆ／−より小さくし
た場合（−１Ｘｌ ０−”、 −５，５Ｘ１０−’ｋＪ
’ｆ ／ｍｔ ）にも部分的に同様の現象がおきた。基
板温度を変えて残留応力の大きさを変えた場合も全く同
様の結果が得られた。
上記現象はＮｉ−Ｆｅ合金のみには限らず、Ｃｏ−Ｆｅ
、 Ｎｉ −Ｃｏ、 Ｆｅ −Ａｌ１−８ｉ、 Ｆｅ−
８ｉ、 Ｃｏ−Ｔｉなどの軟磁性合金でも認められた。
、 Ｎｉ −Ｃｏ、 Ｆｅ −Ａｌ１−８ｉ、 Ｆｅ−
８ｉ、 Ｃｏ−Ｔｉなどの軟磁性合金でも認められた。
以上のように磁壁の形状が微細素子化によって複雑□に
変化する場合には、第２図に示した。透磁率と磁壁との
方向の関係を考慮すると、該磁気素子を励磁する導体コ
イ、ルは該磁壁に沿って形成することが望ましいことが
明らかである。
変化する場合には、第２図に示した。透磁率と磁壁との
方向の関係を考慮すると、該磁気素子を励磁する導体コ
イ、ルは該磁壁に沿って形成することが望ましいことが
明らかである。
本発明は、塊部述べた素子化により磁壁の形状が複雑に
変化するという本発明者等の知見に基っいて成されたも
のである。
変化するという本発明者等の知見に基っいて成されたも
のである。
以下１本発明の一実施例を第７図、第８図、第９図によ
り説明する。第７図、第８図、第９図に示した磁気ヘッ
ドはそれぞれ媒体対向面に対してフィル形状が磁気コア
部近傍で凹、平行、凸となっているもので、 ６ｆ、
７ｆ、ａｔは非磁性フェライト基板、６５，７５．８５
は厚さ５μｍ９幅約りｍ１ピッチ５ｐｍのＭ導体コイル
、’６４，７４，８４は８ｉ０２よ９成るギャップ（ギ
ャップ長０．５μｍ）、６３゜７３．８３は膜厚１．５
μｍの下部磁性層、６２，７２゜８２は膜厚２μｍの上
部磁性層である。ただし、６グ。
り説明する。第７図、第８図、第９図に示した磁気ヘッ
ドはそれぞれ媒体対向面に対してフィル形状が磁気コア
部近傍で凹、平行、凸となっているもので、 ６ｆ、
７ｆ、ａｔは非磁性フェライト基板、６５，７５．８５
は厚さ５μｍ９幅約りｍ１ピッチ５ｐｍのＭ導体コイル
、’６４，７４，８４は８ｉ０２よ９成るギャップ（ギ
ャップ長０．５μｍ）、６３゜７３．８３は膜厚１．５
μｍの下部磁性層、６２，７２゜８２は膜厚２μｍの上
部磁性層である。ただし、６グ。
６３は８２．４Ｎｉ−１７，６Ｆｅを、７２，７３は８
ｔ９Ｎｉ −１ａｉＦｅを、８２，８５は８１．４Ｎｉ
−１ａ６Ｆｅ全６Ｆｅヲでスパッタリング法により付着
せしめたものである。
ｔ９Ｎｉ −１ａｉＦｅを、８２，８５は８１．４Ｎｉ
−１ａ６Ｆｅ全６Ｆｅヲでスパッタリング法により付着
せしめたものである。
本実施例によれば、６２．６５は第５図人の、７２゜７
５ＪｒｉｔｊＮ５図Ｂ（Ｄ、８２．８３は第５図Ｃ（Ｄ
タイ−１の磁壁となるため、磁壁と導体コイル形状とが
一歳し磁気コアの能率を最大限にまで活用できる効果が
ある。
５ＪｒｉｔｊＮ５図Ｂ（Ｄ、８２．８３は第５図Ｃ（Ｄ
タイ−１の磁壁となるため、磁壁と導体コイル形状とが
一歳し磁気コアの能率を最大限にまで活用できる効果が
ある。
第１０図に、第７図、第８図、第９図に示した構造で、
それぞれ８２．４Ｎｉ−１７，６Ｆｅ、 ８１．９Ｎｉ
−Ｉ Ｂ、９ Ｆｅ、 ８ ｔ４Ｎｉ −１ａ６ Ｆ
ｅを３５０℃で２バツタリングして付着せしめた磁性膜
を使用した場合の記録再生特性を示す。記録ビット長は
１μｍ２周速２０ｍ／Ｓである。９１，９２．９５はそ
れぞれ第６図、第７図、第８図に示した本発明によるな
る磁気ヘッドの特性’、９４．９８は第６図の構造でそ
れぞれ８１．９Ｎｉ −１ａＩ Ｆｅ、 ８１．４Ｎｉ
−１ａ６Ｆｅ 〕組成。
それぞれ８２．４Ｎｉ−１７，６Ｆｅ、 ８１．９Ｎｉ
−Ｉ Ｂ、９ Ｆｅ、 ８ ｔ４Ｎｉ −１ａ６ Ｆ
ｅを３５０℃で２バツタリングして付着せしめた磁性膜
を使用した場合の記録再生特性を示す。記録ビット長は
１μｍ２周速２０ｍ／Ｓである。９１，９２．９５はそ
れぞれ第６図、第７図、第８図に示した本発明によるな
る磁気ヘッドの特性’、９４．９８は第６図の構造でそ
れぞれ８１．９Ｎｉ −１ａＩ Ｆｅ、 ８１．４Ｎｉ
−１ａ６Ｆｅ 〕組成。
ｑ ｓ、 ９９ ｔｒｉ第８ 図ノｍ造Ｃソレソれ８１
．９Ｎｉ −１１１１Ｆｅ、 ８２．４Ｎｉ −１７，
６Ｆｅの組成、９６．９７Ｆｉ第７図の構造でそれぞれ
８２．４Ｎｉ−１７，６Ｆｅ、 ８１．４Ｎｉ −１ａ
６Ｆｅの組成の磁性コアよりなる磁気ヘッドの特性曲線
である。なお、第１図に示した従来型ヘッド構造の最高
特性を同図に９０として示すが。
．９Ｎｉ −１１１１Ｆｅ、 ８２．４Ｎｉ −１７，
６Ｆｅの組成、９６．９７Ｆｉ第７図の構造でそれぞれ
８２．４Ｎｉ−１７，６Ｆｅ、 ８１．４Ｎｉ −１ａ
６Ｆｅの組成の磁性コアよりなる磁気ヘッドの特性曲線
である。なお、第１図に示した従来型ヘッド構造の最高
特性を同図に９０として示すが。
本発明によ９成るヘッドの特性９１，９２，９３が優れ
ていることが萌らがである。第７図から第９図までの構
造でも、λσの絶対値が５ Ｘ １０−’ ｋｌ ｆ／
ａｄ以上である材料を用いた磁気ヘッドでは（Ｓ ｉ
０２基板、 ７ａ５Ｎｆ−２１５Ｆｅ、 ８Ａ５Ｎｉ−
１６，５Ｆｅ）第１゜図９９で示した性能の１層２程度
しか得られなかった。
ていることが萌らがである。第７図から第９図までの構
造でも、λσの絶対値が５ Ｘ １０−’ ｋｌ ｆ／
ａｄ以上である材料を用いた磁気ヘッドでは（Ｓ ｉ
０２基板、 ７ａ５Ｎｆ−２１５Ｆｅ、 ８Ａ５Ｎｉ−
１６，５Ｆｅ）第１゜図９９で示した性能の１層２程度
しか得られなかった。
以上の効果は磁性層を多層としたり、基板をＡＩＪｔＯ
ｓ−Ｔ ＩＣ，Ｚ ｒ Ｃ、ＷＣ−Ａ１３ｚＯｓ、 Ｓ
ｒ Ｃトシｆｃ ’） 。
ｓ−Ｔ ＩＣ，Ｚ ｒ Ｃ、ＷＣ−Ａ１３ｚＯｓ、 Ｓ
ｒ Ｃトシｆｃ ’） 。
下部磁性性層の代わりに磁性基板を代用しても同様であ
った。ただしλが４ Ｘ １０”−’よシ大きい場合に
は、ノイズが多くなり、出方ノイズ比で従来ヘッドより
特性が劣化するので望ましくない。さらに磁性膜として
、 Ｃｏ −Ｆｅ、 Ｎｉ −Ｃｏ、 Ｆｅ−８ｉ、
Ｃ。
った。ただしλが４ Ｘ １０”−’よシ大きい場合に
は、ノイズが多くなり、出方ノイズ比で従来ヘッドより
特性が劣化するので望ましくない。さらに磁性膜として
、 Ｃｏ −Ｆｅ、 Ｎｉ −Ｃｏ、 Ｆｅ−８ｉ、
Ｃ。
−Ｔｉ、 Ｆｅ−８ｉ−ｋ１３合金を用いても同様の効
果が得られた。
果が得られた。
上記実施例では、絶縁層を５ｉ０２．導体をＭとした場
合について述べたが、それぞれＡｌ３２０ｓなどの絶縁
物、 Ｃｕ、 Ａｕなどの導電体であれば良いことは言
うまでもない。また９巻４ｇ！数については、上”記実
施例では４のものについて示したが２巻ｓ！ｔを１層８
，１６としても、あるい杖、２層１６としても同様の結
果が認められた。
合について述べたが、それぞれＡｌ３２０ｓなどの絶縁
物、 Ｃｕ、 Ａｕなどの導電体であれば良いことは言
うまでもない。また９巻４ｇ！数については、上”記実
施例では４のものについて示したが２巻ｓ！ｔを１層８
，１６としても、あるい杖、２層１６としても同様の結
果が認められた。
以上説明した通シ１本発明によれば、磁性薄膜素子内の
磁気特性分布ｇ！！Ｌメー限にまで活用でき、−記録・
再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
磁気特性分布ｇ！！Ｌメー限にまで活用でき、−記録・
再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ従来型磁気ヘッド
の外観を示す断面図および正面図、第２図は磁性薄膜内
の透磁率の異方性を示す図、第３図は微細素子に見られ
る磁区構造を示す図、第４図は微細素子の残留応力を示
す図、第５図は磁性膜の磁歪と残留応力によシ微細素子
内の磁壁の形状が変化することを示す図、第６図は磁壁
の形状と磁歪定数、基板との関係をまとめた図表、第一
７図、第８図、第９図は本発明による３種類の磁気ヘッ
ドを示す断面図および正面図、第１０図は磁気ヘッドの
特性を比較して示した図である。 ６１．７１，８１・・・・・・非磁性フェライト基板６
２．７２．８２−・−上部磁性層 ６５．７３．８３・
・門下部磁性層６４．７４，８４−・四ギャップ
６５，７５，８５・・・・・・導体コイル９０〜９９
・−・−・−記録再生特性曲線代理人弁理士 申 村
純之助 ′ＩＦ２図 ｔｔｉｏ′ｍ讐Ｌ ｑ ｔ”ｉ 書−１ｔ（ｎ）才３
図 １’４図 ５ｔ’７図 −＋８図 １−９図 才１０図 手続補正書（方式） ％式％ 事件の表示 昭和５６年特許Ｍ ２０９３３５号発明
の名称 薄膜磁気、ラド 補正をする者 事件との関係 特許出願人代理人 補正命令の日付 昭和５７年４月２７日補正の対象
図面の簡単な説明の欄および図面。 ！ （α）
の外観を示す断面図および正面図、第２図は磁性薄膜内
の透磁率の異方性を示す図、第３図は微細素子に見られ
る磁区構造を示す図、第４図は微細素子の残留応力を示
す図、第５図は磁性膜の磁歪と残留応力によシ微細素子
内の磁壁の形状が変化することを示す図、第６図は磁壁
の形状と磁歪定数、基板との関係をまとめた図表、第一
７図、第８図、第９図は本発明による３種類の磁気ヘッ
ドを示す断面図および正面図、第１０図は磁気ヘッドの
特性を比較して示した図である。 ６１．７１，８１・・・・・・非磁性フェライト基板６
２．７２．８２−・−上部磁性層 ６５．７３．８３・
・門下部磁性層６４．７４，８４−・四ギャップ
６５，７５，８５・・・・・・導体コイル９０〜９９
・−・−・−記録再生特性曲線代理人弁理士 申 村
純之助 ′ＩＦ２図 ｔｔｉｏ′ｍ讐Ｌ ｑ ｔ”ｉ 書−１ｔ（ｎ）才３
図 １’４図 ５ｔ’７図 −＋８図 １−９図 才１０図 手続補正書（方式） ％式％ 事件の表示 昭和５６年特許Ｍ ２０９３３５号発明
の名称 薄膜磁気、ラド 補正をする者 事件との関係 特許出願人代理人 補正命令の日付 昭和５７年４月２７日補正の対象
図面の簡単な説明の欄および図面。 ！ （α）
Claims (5)
- （１）基板上に磁性材、絶縁材、導電材等を蒸着法、ス
パッタリング法、メッキ法あるいは印刷法等により付着
せしめ、化学腐蝕法１反応性スパッタリング法あるいは
イオンミリング法等により所定の形状を作製する誘導型
磁気ヘッドにおいて。 磁気コア部における励磁コイルの形状を上部および下部
磁気コアの少くとも一方のコイル部近傍の磁壁形状と略
等しくなるように構成することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - （２） 前記励磁コイルの形状が磁、気記録媒体対向
部に略平行であシ、磁気コア幅が媒体対向部よシ離れる
にしたがい大きくなるような薄膜磁気ヘッドにおいて、
基板上に付着せしめた該磁性薄膜における残留応力σ（
張力を正、圧縮力を負とする）と該磁性薄膜の磁歪定数
λとの積λσの絶対値が５Ｘ １０−” ｋＰｆ／−以
下となるように基板、磁性材。 付着法等を選定することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の薄膜磁気ヘッド。 - （３） 前記励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部
に向って凸状である前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記λσの値が５ Ｘ １０−’ ｋ７ ｆ ／
ｍ４以上５ Ｘ Ｉ Ｆ’ ｋＰｆ／−以下となるよ
うに基板、磁性材、付着法等を選定することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 - （４） 前記励磁コイルの形状が磁気記録媒体対向部
に向って凹状である前記コア形状の薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記λσの値が一５×１０″ｋｌ ｆ ／ １１
１以上−ｓ×ｔｏ−’ｋｐｆ／−以下となるよう基板、
磁性材、付着法等を選定することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 - （５）前記λの絶対値が４Ｘ１０−’以下である磁性材
とフェライト系基板、 Ａｇ２０Ｂ系基板、 ＳｉＣ
系基板、 ＴｉＣ系基板、 ＺｒＣ系基板、ＷＣ系基板
のいずれか一つの基板を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第１項、第２項、第３項および第４項のいずれ
か一つに記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20933581A JPS58111115A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20933581A JPS58111115A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111115A true JPS58111115A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16571239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20933581A Pending JPS58111115A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8403951A (nl) * | 1983-12-29 | 1985-07-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Werkwijze en inrichting voor het reproduceren van magnetische informatie. |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP20933581A patent/JPS58111115A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8403951A (nl) * | 1983-12-29 | 1985-07-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Werkwijze en inrichting voor het reproduceren van magnetische informatie. |
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