JPS58111085A - Manufacture of liquid crystal panel - Google Patents
Manufacture of liquid crystal panelInfo
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- JPS58111085A JPS58111085A JP56214730A JP21473081A JPS58111085A JP S58111085 A JPS58111085 A JP S58111085A JP 56214730 A JP56214730 A JP 56214730A JP 21473081 A JP21473081 A JP 21473081A JP S58111085 A JPS58111085 A JP S58111085A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属−絶縁体−金属の三層構造からなる非線
形抵抗素子、すなわちMIMを有する筐晶パネルの製造
方法に間するものであり、その目的は、液晶パネル製造
における歩留りを向上させて品質の高い液晶パネルを低
価格で製造する方法を提供することである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a housing crystal panel having a nonlinear resistance element having a three-layer structure of metal-insulator-metal, that is, MIM, and its purpose is to manufacture a liquid crystal panel. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing high-quality liquid crystal panels at low cost by improving manufacturing yield.
液晶パネルは、小型・軽量であること低消費電力である
こと等の特長を持ち、時計、電卓等を中心とする電子機
器の表示素子としてひろく用いられている。その反面、
液晶パネルを表示素子として用いる場合には、一般に表
示情報量が小さいという欠点がある。この欠点は、液晶
は印加電圧−コントラスト特性の急しゅん性が悪くマル
チプレックス駆動にあまり適さないということに帰因し
ている。現在、液晶をマルチプレックス駆動する場合の
限界値は20〜sO桁程度であると考えられている。こ
のマルチプレックス特性t#cllし、表示情報量を増
すための方法として、いくつかの方法が考案されている
。その方法のひとつの流れとして、トランジスタ、ダイ
オード、その他などの電気的特性が非S形であるところ
の素子を液晶と組み合せることによって液晶のマルチプ
レックス特性を掖正し、数百桁あるいはそれ以上の多桁
マルチプレックス駆動を可能化するという方法がある。Liquid crystal panels have features such as small size, light weight, and low power consumption, and are widely used as display elements in electronic devices such as watches and calculators. On the other hand,
When using a liquid crystal panel as a display element, there is a drawback that the amount of displayed information is generally small. This drawback is attributable to the fact that liquid crystals have poor applied voltage-contrast characteristics and are not well suited for multiplex driving. Currently, the limit value for multiplex driving of liquid crystals is considered to be about 20 to sO digits. Several methods have been devised to improve the multiplex characteristic t#cll and increase the amount of displayed information. One approach is to modify the multiplex characteristics of liquid crystals by combining elements with non-S-type electrical characteristics, such as transistors, diodes, etc. There is a method to enable multi-digit multiplex driving.
その中で、金属−絶縁体−金属の三層構造からなるMI
Mを用いた液晶表示装置は、数百桁程度の多桁マルチプ
レックス駆動が可能であるうえに構造が比較的簡単で製
造しやすいという特長をもっており、現在特に注目され
ているもののひとつである。Among them, MI, which has a three-layer structure of metal-insulator-metal,
A liquid crystal display device using M is one of the devices that is currently attracting particular attention because it is capable of multi-digit multiplex driving of several hundred digits, has a relatively simple structure, and is easy to manufacture.
さて、MIMを用いた液晶パネルにおけるMIV部分の
製造方法の従来例を述べると以下のとおりである。第1
図は絶縁基板1上に金属薄膜を形成し該金属薄膜をパタ
ーニングすることによりて信号電極2.MxM構成部3
.および端子部4を形成した様子の1例を示している。Now, a conventional example of a method for manufacturing an MIV portion in a liquid crystal panel using MIM is as follows. 1st
The figure shows signal electrodes 2 formed by forming a metal thin film on an insulating substrate 1 and patterning the metal thin film. MxM configuration part 3
.. and shows an example of how the terminal portion 4 is formed.
絶縁基板1としては、一般にガラス基板を用いる。また
金属薄膜の材質の例としては、タンタル、チッ化タンタ
ル、アルミニウムなどが挙げられるが、基本的には酸化
絶縁膜を形成できる金属なら何でもよい。As the insulating substrate 1, a glass substrate is generally used. Further, examples of the material of the metal thin film include tantalum, tantalum nitride, aluminum, etc., but basically any metal that can form an oxide insulating film may be used.
金属薄膜の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法など
がある。次に電気化学的方法によって端子部4を除く金
属電極の表面を酸化処理する。本質的にはM工部構成部
30表面だけを酸化処理すればよいのである途、信号電
極2の表面が酸化処理されることは重りた(かまわない
。それに対し端子部4は外部との電気的接続をとるもの
であるからその表面を酸化処理することは許されない。Methods for forming the metal thin film include sputtering, vapor deposition, and the like. Next, the surface of the metal electrode except for the terminal portion 4 is oxidized using an electrochemical method. Essentially, it is necessary to oxidize only the surface of the M section component 30, but it is important that the surface of the signal electrode 2 is oxidized. Since the surface is to be electrically connected, oxidation treatment on its surface is not permitted.
第2図は、電気化学的方法として陽極増化法を用いて酸
化処理する場合の例を示している。第2図にiいて、電
気的な回路系は電圧電源5.絶縁基板1、陽極酸化液6
.および金属板7によって構成される。この場合、電圧
は、絶縁基板1に形成された金属電極が正、金属板7が
負となるように印加される。絶縁基板1に形成された各
々の金属電極はすべて陽極酸化されなければならないの
で、端子114の各々は適当な方法によって電気的にひ
とつにまとめて電圧電極5の正極−に接続する必要があ
る。なお陽極畿化液60例としては、タエン酸水溶液が
挙げられる。また金属板70例とCては、プラチナ板が
挙げられる。以上のようにして金属電極および陵化絶縁
膜が形成された絶縁基板1に、もう一度金属薄膜を形成
してパターニングを施すことによってMIMが完成する
。第swiは、完成した1個のMIMの外観を示してお
り、最初に形成された金属のMIM構成部3に、後から
形成された上部金属電極8が交差する形になっている。FIG. 2 shows an example of oxidation treatment using an anodic enhancement method as an electrochemical method. In FIG. 2, the electrical circuit system is voltage power source 5. Insulating substrate 1, anodic oxidation solution 6
.. and a metal plate 7. In this case, the voltage is applied such that the metal electrode formed on the insulating substrate 1 is positive and the metal plate 7 is negative. Since each metal electrode formed on the insulating substrate 1 must be anodized, each of the terminals 114 must be electrically connected together to the positive electrode of the voltage electrode 5 by a suitable method. Note that 60 examples of the anode aqueous solution include a taenoic acid aqueous solution. Further, as an example of the metal plate 70, a platinum plate can be mentioned. The MIM is completed by forming a metal thin film once again on the insulating substrate 1 on which the metal electrodes and the ridged insulating film have been formed as described above and performing patterning. swi shows the appearance of one completed MIM, in which the first formed metal MIM component 3 is intersected by the later formed upper metal electrode 8.
この後、画素電極を上部金属電極8と電気的に接続する
ように形成し、その後は通常の液晶パネルとまったく同
様の方法で組立てられる。Thereafter, a pixel electrode is formed so as to be electrically connected to the upper metal electrode 8, and thereafter it is assembled in exactly the same manner as a normal liquid crystal panel.
以上が、MIMを用いた液晶パネルにおける誠工V部分
の従来の製造方法の概略である。この■遣方法におい七
問題となるひとつの点は、下部金属電極を陽極酸化法な
どの電気化学的方法によ゛りて酸化する場合に、該金属
電極の各々を電気的に接続しなければならないことであ
る。電気的接続の方法としては、導電性塗料を塗布する
方法、金属板や導電性のゴムを端子部に密着させる方法
などがある痴、前者は塗料が汚れとなって絶縁基板上に
残りMIMの特性や液晶パネルの特性に悪影蕃をおよぼ
す可能性があり、また後者は金属板や導電性あゴムと端
子部分の接触の信頼性が悪いという欠点を持つている。The above is an outline of the conventional manufacturing method of the Seiko V portion in a liquid crystal panel using MIM. One problem with this method is that when the lower metal electrode is oxidized by an electrochemical method such as anodic oxidation, each of the metal electrodes must be electrically connected. It must not happen. Electrical connection methods include applying conductive paint and attaching a metal plate or conductive rubber to the terminals.The former method can cause the paint to become dirty and remain on the insulating substrate, resulting in the MIM being damaged. This may adversely affect the characteristics of the liquid crystal panel and the characteristics of the liquid crystal panel, and the latter has the disadvantage of poor contact reliability between the metal plate or conductive rubber and the terminal portion.
このように金属電極の各々を電気的に接続する方法は何
らかの欠点を持っており、製造の歩留りの低下や、液晶
パネルにした場合の品質の低下をひき起こす原因となる
。This method of electrically connecting each of the metal electrodes has some drawbacks, and causes a decrease in manufacturing yield and a decrease in quality when used as a liquid crystal panel.
本発明はかかる欠点を取り除き、製造歩留りの向上とパ
ネル品質の向上を提供するものである。The present invention eliminates these drawbacks and provides improved manufacturing yield and improved panel quality.
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明していく。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
94図は、本発明の実施例のひとつにおける下部金属電
極のパターニング形状を示している。第4wJOバター
ニング形状において第1図のパターニング形状と興なる
点は各金属電極間を連結する電極!が設けられているこ
とである。この電極9によって下部金属電極は電気的に
はすべて連結された電極になる。したがって第4図に示
すパターニング形状の金属電極を陽極酸化などの電気化
学的方法を用いて酸化処理をおこなう場合、端子部の各
々のうち任意のひとつだけを電圧電源に接続すればよく
、方法が簡単でかつ信頼性の高い酸化処理が可能となる
。ところで、端子部の各★には興なりた信号電圧が印加
されるわけであるから、酸化処理が施された後、各信号
電極がそれぞれ°すべて電気的に独立した電極になるよ
うに電極9を切断することが必要である。第5図は、本
実施例において10が切断部分の場所を示しており、図
中において10が切断部分の場所を示している。FIG. 94 shows the patterning shape of the lower metal electrode in one of the embodiments of the present invention. The difference between the 4th wJO patterning shape and the patterning shape in Figure 1 is the electrode that connects each metal electrode! is provided. This electrode 9 makes all the lower metal electrodes electrically connected. Therefore, when oxidizing a metal electrode having the patterned shape shown in Fig. 4 using an electrochemical method such as anodic oxidation, it is only necessary to connect any one of the terminal parts to a voltage power source, and the method A simple and highly reliable oxidation treatment becomes possible. By the way, since a different signal voltage is applied to each of the terminals, after the oxidation treatment, the electrodes 9 are connected so that each signal electrode becomes an electrically independent electrode. It is necessary to cut the In FIG. 5, numeral 10 indicates the location of the cut portion in this embodiment, and in the figure, 10 indicates the location of the cut portion.
切断の方法の例としては、レーザー光線を照射して焼き
切る方法などが挙げられる。Examples of the cutting method include a method of irradiating a laser beam and burning it off.
次に、第6図は1本発明の他の実施例における下部金属
電極のパターニング形状を示している。Next, FIG. 6 shows the patterning shape of the lower metal electrode in another embodiment of the present invention.
第6図において、11は液晶パネル完成の時点において
は不要となる部分を有する絶縁基板であり、また12は
端子部の各歳を電気的に接続する電極である。さらに、
直線ムム′は電極を酸化処理後に絶縁基板11を切断す
る場合の切断線であり、図に示される絶縁基板11にお
いて直線ムム′より上の部分が不要部分となる。電気化
学的方法を用いて酸化処理をおこなう場合には、電極1
2あるいは端子部のどこか1ケ所に電圧電源を接続すれ
ばよい。そして酸化処理後に直線ムム′に泊りて絶縁基
板11を切断すれば、各信号電極力5それぞれすべて電
気的に独立、した電極になる。なお、この実施例では、
端子部の上部に絶縁基板の液晶パネル完成の時点におい
ては不要となる部分−b5設けられ、該部分において各
電極が電極12によって電気的に接続されているが、こ
の部分&よ、端子部の上側にあると限られるものではな
く、たとえば信号電極の下部の下側に設けてもより)。In FIG. 6, numeral 11 is an insulating substrate having portions that are unnecessary at the time of completion of the liquid crystal panel, and numeral 12 is an electrode for electrically connecting each terminal portion. moreover,
The straight line Mu' is a cutting line used to cut the insulating substrate 11 after the electrode has been oxidized, and the portion of the insulating substrate 11 shown in the figure above the straight line Mu' becomes unnecessary. When performing oxidation treatment using an electrochemical method, electrode 1
It is sufficient to connect a voltage power source to either one of the terminals or one of the terminals. After the oxidation treatment, if the insulating substrate 11 is cut along the straight lines, each signal electrode force 5 becomes an electrically independent electrode. In addition, in this example,
At the top of the terminal part, there is a part -b5 which is unnecessary at the time of completion of the liquid crystal panel of the insulated substrate, and each electrode is electrically connected by the electrode 12 in this part. It is not limited to being located on the upper side; for example, it may be provided on the lower side of the lower part of the signal electrode).
以上、本発明における実施例ふたつを図面を用いて説明
してきた。これらの実施例において41、下部金属電極
のうち、端子部の下側にある電極のすべてが酸化処理さ
れるが、一部の電極が酸化処理される必要がない場合に
は、その電極を酸化処理されるべき電極と電気的接続が
ないようにあら力)じめパターニングしておくことによ
りて酸化処理されることを防止することができる。Two embodiments of the present invention have been described above using the drawings. In these Examples 41, among the lower metal electrodes, all of the electrodes below the terminal portion are oxidized, but if some electrodes do not need to be oxidized, that electrode is oxidized. Oxidation treatment can be prevented by pre-patterning so that there is no electrical connection with the electrode to be treated.
本発明においては、下部金属電極あるいは絶縁基板自身
の切断という工程が、従来の製造工程に付は加わること
になる。しかし、従来の製造工程には酸化処理前に電極
のすべてを電気的に接続する作業があることを考慮すれ
ば、工程全体としては、本発明における製造方法が従来
の方法と比較して複雑化しているというわけではない。In the present invention, the step of cutting the lower metal electrode or the insulating substrate itself is added to the conventional manufacturing process. However, considering that the conventional manufacturing process involves electrically connecting all electrodes before oxidation treatment, the manufacturing method of the present invention is more complicated than the conventional method as a whole. That's not to say that there are.
以上に述べてきたように、本発明によれば高い品質のM
工Mを用いた液晶パネルを高い歩留りで製造することが
可能になり、特に表示情報量が大きくu工Mを有する金
属電極の数が多い液晶パネルの製造に本発明を適用すれ
ばその効果は非常に大きい。As described above, according to the present invention, high quality M
It is now possible to manufacture liquid crystal panels using U-M at a high yield, and in particular, if the present invention is applied to the manufacture of liquid crystal panels with a large amount of display information and a large number of metal electrodes with U-M, the effect will be greater. Very large.
第1図は、従来の下部金属電極の形状を示す間第2図は
、下部金属電極を陽極酸化する様子を示す図。
第3図は、M工Mの構成を示す図。
第4図は、本発明のひとつの実施例における下部金属電
極の形状を示す図。
第5図は、本発明のひとつの実施例において、下部金属
電極を電気化学的方法によって醗化処理した後、各信号
電極がそれぞれ電気的に独立になるように下部金属電極
の一部を切断した様子を示す図。
第6v!Jは、本発明の他の実施例における下部金属電
極め形状を示す図。
1・・・・・・絶縁基板
2・・・・・・信号電極
3・・・・・・MXM構成部
4・・・・・・端子部
S・・・・・・電圧電源
6・・・・・・陽極酸化液
7・・・・・・金属板
8・・・・・・上部金属電極
9・・・・・・各信号電極間を連結する電極10・・・
金属電極の切断部分
1唱・・・液晶パネル完成の時点では不要となる部□
分を有する絶縁基板FIG. 1 shows the shape of a conventional lower metal electrode, and FIG. 2 shows how the lower metal electrode is anodized. FIG. 3 is a diagram showing the configuration of M-work M. FIG. 4 is a diagram showing the shape of the lower metal electrode in one embodiment of the present invention. FIG. 5 shows that in one embodiment of the present invention, after the lower metal electrode is electrochemically treated, a portion of the lower metal electrode is cut so that each signal electrode is electrically independent. FIG. 6th v! J is a diagram showing the shape of the lower metal electrode in another embodiment of the present invention. 1... Insulating substrate 2... Signal electrode 3... MXM component part 4... Terminal part S... Voltage power supply 6... ...Anodic oxidation solution 7...Metal plate 8...Top metal electrode 9...Electrode 10 connecting each signal electrode...
Cutting part of metal electrode 1 piece...Insulating substrate with parts that will be unnecessary at the time of completion of the liquid crystal panel
Claims (1)
一方の基板の液晶層と接する側の基板面上に、金属電極
を形成し、該金属電極の少(とも一部な電気化学的方法
によりて酸化処理することによって絶縁膜を形成し、さ
らに金属電極を少くともその一部が該絶縁膜と重なる様
に形成して得られる金属、絶縁属および金属の三層構造
からなる非線形抵抗素子(以下、M@tal−工n5u
lator −M・talの頭文字を取って「MIM」
と略称する。 )を有する液晶パネルの製造方法において、最初に形成
される金属電極(以下「下部電極」と呼称する)のうち
酸化絶縁膜を形成することな必要としない電極を除くす
べての電極が電気的に導通するような形状にパターン形
成することを特徴とする液晶パネルの製造方法。 2 最初に形成される金属電極のうち、各電極間の電気
的導通を酸化絶縁膜形成後に切断することを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の液晶パネルの製造方法。 五 MIMを形成する絶縁基板は、最初の金属電極を形
成する時点においては、液晶パネル完成の時点において
は不要になる部分を有し、各電極間の電気的導通部分は
、該不要部分に形成され、酸化絶縁膜形成後に絶縁基板
の該不要部分を切断することを特徴とする特許請求の範
囲第2項記戦の液晶パネルの製造方法。 4、 酸化絶縁膜を形成する電気化学的方法として陽極
酸化法を用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項
、第2項あるいは第3項記載の液晶パネルの製造方法。[Claims] t. A metal electrode is formed on the surface of at least one of the two insulating substrates that is in contact with the liquid crystal layer, and a metal electrode is formed on the surface of at least one of the two insulating substrates supporting the liquid crystal layer, An insulating film is formed by oxidation treatment using a certain electrochemical method, and a metal electrode is formed so that at least a part of the metal electrode overlaps with the insulating film. A nonlinear resistance element consisting of a layered structure (hereinafter referred to as M@tal-techn5u)
lator - “MIM” is an acronym for M・tal
It is abbreviated as. ), all the metal electrodes formed first (hereinafter referred to as "lower electrodes"), except those that do not require the formation of an oxide insulating film, are electrically A method for manufacturing a liquid crystal panel characterized by forming a pattern in a conductive shape. 2. The method of manufacturing a liquid crystal panel according to claim 1, wherein the electrical continuity between the metal electrodes formed first is cut after the oxide insulating film is formed. (v) The insulating substrate forming the MIM has a portion that will be unnecessary when the liquid crystal panel is completed at the time of forming the first metal electrode, and the electrically conductive portion between each electrode is formed in the unnecessary portion. 3. The method of manufacturing a liquid crystal panel according to claim 2, wherein the unnecessary portion of the insulating substrate is cut after the oxide insulating film is formed. 4. The method for manufacturing a liquid crystal panel according to claim 1, 2, or 3, wherein an anodic oxidation method is used as the electrochemical method for forming the oxide insulating film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56214730A JPS58111085A (en) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | Manufacture of liquid crystal panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56214730A JPS58111085A (en) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | Manufacture of liquid crystal panel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58111085A true JPS58111085A (en) | 1983-07-01 |
Family
ID=16660653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56214730A Pending JPS58111085A (en) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | Manufacture of liquid crystal panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58111085A (en) |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP56214730A patent/JPS58111085A/en active Pending
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