JPS58110832U - 圧力電気変換装置 - Google Patents

圧力電気変換装置

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JPS58110832U
JPS58110832U JP889282U JP889282U JPS58110832U JP S58110832 U JPS58110832 U JP S58110832U JP 889282 U JP889282 U JP 889282U JP 889282 U JP889282 U JP 889282U JP S58110832 U JPS58110832 U JP S58110832U
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JP
Japan
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pressure
package
semiconductor diaphragm
introduction hole
semiconductor
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Pending
Application number
JP889282U
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English (en)
Inventor
中嶋 利廣
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の圧力電気変換装置の一例を示す要部断面
構成図、第2図は本考案による圧力電気変換装置の一実
施例を示す要部断面構成図、第3図は本考案による圧力
電気変換装置の他の実施例を示す要部断面構成図である
。 1・・・・・・半導体ダイヤフラム、3・・・・・・圧
力導入穴、5a・・・・・・ガラスパッケージ、5b・
・・・・・ガラス凸部、7・・・・・・リード、8・・
・・・・金属線、9・・・・・・圧力導入パイプ、1G
、1θa・・・・・・キャップ、11・・・・・・フリ
ットガラス。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)半導体基板の一方の主面部にピエゾ効果を示す領
    域が形成されかつ他の主面部に凹部が形成されて圧カセ
    ンザを構成する半導体ダイヤフラムを、該半導体ダイヤ
    フラムへの圧力導入穴を形成させたパッケージに取り付
    けてなる圧力電気変換装置において、前記パッケージを
    前記半導体ダイヤフラムと同等の線膨張係数を有するガ
    ラス材質で形成したことを特徴とする圧力電気変換装置
  2. (2)前記ガラスパッケージの圧力導入穴形成部と前記
    半導体グイヤフラムとの間に、前記ガラスパッケージよ
    りも同等もしくはそれ以下の線膨張係数の小さい圧力導
    入穴を有する前記半導体ダイヤフラムの台座を前記ガラ
    スパッケージと−一体的に設けたことを特徴とする実用
    新案登録請求の範囲第1項記載の圧力電気変換装置。
JP889282U 1982-01-25 1982-01-25 圧力電気変換装置 Pending JPS58110832U (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5536713A (en) * 1978-09-06 1980-03-14 Hitachi Ltd Semiconductor strain gauge type absolute pressure sensor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5536713A (en) * 1978-09-06 1980-03-14 Hitachi Ltd Semiconductor strain gauge type absolute pressure sensor

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