JPS5810990B2 - Manufacturing method for circuit pattern punching mold - Google Patents

Manufacturing method for circuit pattern punching mold

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JPS5810990B2
JPS5810990B2 JP13278578A JP13278578A JPS5810990B2 JP S5810990 B2 JPS5810990 B2 JP S5810990B2 JP 13278578 A JP13278578 A JP 13278578A JP 13278578 A JP13278578 A JP 13278578A JP S5810990 B2 JPS5810990 B2 JP S5810990B2
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JP
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circuit pattern
etching
pattern
resist
etching resist
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JP13278578A
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高瀬喜久
小島邦雄
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はダイスタンプ法により印刷配線板を製造するの
に用いられる回路パターン打抜き用金型の製造方法、特
に金属箔を回路パターン状に打抜くのに好適な刃型を有
する回路パターン打抜き金型の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a circuit pattern punching die used for manufacturing printed wiring boards by a die stamping method, and particularly a blade mold suitable for punching metal foil into a circuit pattern shape. The present invention relates to a method for manufacturing a circuit pattern punching die having a circuit pattern punching die.

例えば、回路パターン打抜き金型の製造方法の1つとし
てエツチング法によるものが従来からよく知られている
For example, etching is a well-known method for manufacturing circuit pattern punching dies.

この方法に基すき、金属箔から有機絶縁基板上に回路パ
ターンを打抜くのに適した刃型を有する回路パターン打
抜き金型の製造方法としては、例えば、特公昭50−3
2651号特開昭48−1864号、特開昭51−32
959号にそれぞれ記載されるように、エツチングレジ
ストの形成に用いられる回路パターンフォトマスクとし
て、所望の配線回路パターンより僅かに広い回路パター
ンの形成されたネガフィルムと僅かに狭い回路パターン
の形成されたポジフィルムを作成し、これらの回路パタ
ーンフォトマスクを用いて、2回エツチングを行ない、
段差をつけて刃型を有する金型を製造している。
Based on this method, a method for manufacturing a circuit pattern punching die having a blade shape suitable for punching a circuit pattern from metal foil onto an organic insulating substrate includes, for example, Japanese Patent Publication No. 50-3.
2651 JP 48-1864, JP 51-32
As described in No. 959, a negative film with a circuit pattern slightly wider than the desired wiring circuit pattern and a negative film with a circuit pattern slightly narrower than the desired wiring circuit pattern are used as a circuit pattern photomask used for forming an etching resist. Create a positive film and perform etching twice using these circuit pattern photomasks.
We manufacture molds with stepped blades.

刃型を有する金型の従来の製造工程の一部を第1図〜第
9図を用いて簡単に説明する。
A part of the conventional manufacturing process of a metal mold having a blade mold will be briefly explained using FIGS. 1 to 9.

所望の配線回路パターンより僅かに広い回路パターン1
を有するネガフィルムA(第1図、第2図)を用いて金
属原板3の上にエツチングレジスト2、(第3図)を形
成し、エツチング法により平型回路パターン4を有する
金属板5(第4図)を製造し、次に金属板5の凹陥部6
に、例えはエポキシ樹脂よりなる耐酸性樹脂9を第7図
のように充填する。
Circuit pattern 1 slightly wider than the desired wiring circuit pattern
An etching resist 2, (Fig. 3) is formed on the metal original plate 3 using a negative film A (Figs. 1 and 2) having a flat circuit pattern 4, and a metal plate 5 (Fig. 4), and then the concave portion 6 of the metal plate 5 is manufactured.
Acid-resistant resin 9 made of, for example, epoxy resin is filled in as shown in FIG.

次に所望の配線回路パターンより僅かに狭い回路パター
ン7を有するポジフィルムB(第5図、第6図)を用い
て、第7図のようにエツチングレジスト8を形成し、エ
ツチング法により、第8図に示すように浅くエツチング
し、耐酸性樹脂9を加熱軟化除去する。
Next, using a positive film B (FIGS. 5 and 6) having a circuit pattern 7 slightly narrower than the desired wiring circuit pattern, an etching resist 8 is formed as shown in FIG. As shown in FIG. 8, shallow etching is performed, and the acid-resistant resin 9 is softened and removed by heating.

このようにして、刃型11を有する金型10(第9図)
が製造される。
In this way, the mold 10 having the blade mold 11 (FIG. 9)
is manufactured.

この従来例にみられる刃型を有する金型の製造工程で重
要な点は2つあり、1つは、金型製造工程中でのエツチ
ングレジストを形成するためのフォトマスクの作成法に
あり、そのフォトマスクとは前述のように僅かに広い回
路パターンを有するネガフィルムAと僅かに狭い回路パ
ターンを有するポジフィルムBである。
There are two important points in the manufacturing process of the mold with the blade type seen in this conventional example. One is the method of creating a photomask for forming the etching resist during the mold manufacturing process. As described above, the photomasks are negative film A having a slightly wide circuit pattern and positive film B having a slightly narrow circuit pattern.

他の1つは、エツチングレジストを形成するための上記
A、82枚のフォトマスクをそれぞれ用いて2回エツチ
ングすることにあり、第1のマスクでエラチンレジスト
を形成した後、深くエツチングを行ない、エツチングし
た箇所に耐酸性樹脂を充填してそれ以上エツチングが進
まないようにし、次に第2のマスクでエツチングレジス
トを形成した後、浅くエツチングすることである。
The other method is to perform etching twice using each of the 82 photomasks described in A above for forming an etching resist, and after forming an etching resist with the first mask, deep etching is performed. First, the etched area is filled with an acid-resistant resin to prevent further etching, and then an etching resist is formed using a second mask, followed by shallow etching.

ここでエツチングレジストの形成に用いられる上記2枚
のフィルムA、Bの作成方法を説明する。
Here, a method for producing the two films A and B used for forming the etching resist will be explained.

まずネガフィルムAは、所望の回路パターンにエツチン
グ化を見込み、作図誤差を押えるため拡大原図(トレー
ス図)を書き、写真縮尺法を用いて原寸(エツチング化
を含んでいるので所望の回路パターンより僅かに広い)
にすることにより作成される。
First, negative film A is prepared with the expectation that the desired circuit pattern will be etched, an enlarged original drawing (trace drawing) is drawn in order to reduce drawing errors, and then the original size (as it includes etching) is drawn using the photographic scale method. slightly wider)
Created by

次にポジフィルムBの作成手順を示す。Next, the procedure for producing positive film B will be described.

先づネガフィルムAを用いて、第3図のようにエツチン
グレジスト2を形成し、エツチング法により深くエツチ
ングし、第4図のような金型を作る。
First, using the negative film A, an etching resist 2 is formed as shown in FIG. 3, and deeply etched by an etching method to form a mold as shown in FIG. 4.

この平型回路パターン4を有する金属板5の凹陥部6に
現像液を満し、その金属板5の平型回路パターン4の表
面に密着するように、完全に感光させた写真フィルムを
置き、前記の凹陥部6の部分のフィルムに現像液を接触
させる。
The concave portion 6 of the metal plate 5 having the flat circuit pattern 4 is filled with a developer, and a fully exposed photographic film is placed so as to be in close contact with the surface of the flat circuit pattern 4 of the metal plate 5. A developing solution is brought into contact with the film in the recessed portion 6 .

どの後、このフィルムを定着、水洗することにより、平
型回路パターン4が正確に複写されたネガフィルムが得
られる。
After that, this film is fixed and washed with water to obtain a negative film in which the flat circuit pattern 4 is accurately copied.

このネガフィルムから普通の写真法によりポジフィルム
を作成する。
A positive film is created from this negative film using ordinary photographic methods.

このポジフィルムを円形の振動運動をする特殊な焼付装
置に装着し、このポジフィルムを僅かにぶらせながら、
写真フィルム焼付けることにより、所望の回路パターン
幅よりも狭い回路幅のネガフィルムが作成される。
This positive film is attached to a special printing device that makes a circular vibration motion, and while the positive film is slightly shaken,
By printing photographic film, a negative film having a circuit width narrower than the desired circuit pattern width is created.

これを写真的に密着反転することにより僅かに狭い回路
パターンを有するポジフィルムBが作成される。
By photographically closely inverting this, a positive film B having a slightly narrower circuit pattern is produced.

次に回路パターンフィルムA、Bの作成方法の第2例に
ついて説明すると次の通りである。
Next, a second example of the method for producing the circuit pattern films A and B will be described as follows.

ネガフィルムAは、所望の回路パターンにエツチング化
を見込み、作図誤差を押えるため1.5〜2倍拡大した
原因(トレース図)を書き、写真縮尺法を用いて原寸(
エツチング化を含んでいるので所望の回路パターンより
僅かに広い)にすることにより作成される。
Negative film A was designed to be etched into the desired circuit pattern, and the cause (trace diagram) was enlarged 1.5 to 2 times in order to reduce drawing errors, and then the original size (
Since it includes etching, it is created by making the circuit pattern slightly wider than the desired circuit pattern.

次に、ポジフィルムBは、所望の回路パターン幅よりも
僅かに狭い回路パターン幅の寸法で、作図誤差を押える
ため15〜2倍拡大した原図(トレース図)を書き、写
真縮尺法を用いて原寸にすることにより作成される。
Next, for positive film B, an original drawing (trace drawing) was drawn with a circuit pattern width slightly narrower than the desired circuit pattern width, enlarged by 15 to 2 times in order to reduce drawing errors, and then the photographic scaling method was used. Created by scaling to original size.

このように従来の金型製造方法においては、次のような
欠点を有している。
As described above, the conventional mold manufacturing method has the following drawbacks.

まずカメラワーク工程でのフォトマスクの作成法である
が、エツチングレジスト2,8を形成するのに必要なネ
ガフィルムA、ポジフィルムBを作成する際、前記第1
の例では、複雑な操作をともなった工程(特に平型回路
パターン4を正確に複写する工程)および特殊な装置(
円形の振動運動をする装置)を必要とし、また前記第2
の例では、所望のパターン幅よりも広めの原図(トレー
ス図)と狭めの原図(トレース図)を書き、普通の写真
法でネガ、ポジフィルムを作成している。
First, regarding the method of creating a photomask in the camera work process, when creating the negative film A and positive film B necessary for forming the etching resists 2 and 8, the first
In the example above, a process involving complicated operations (particularly a process of accurately copying the flat circuit pattern 4) and special equipment (
(a device that performs circular vibration motion), and the second
In this example, an original image (trace image) that is wider than the desired pattern width and an original image (trace image) that is narrower than the desired pattern width are drawn, and negative and positive films are created using ordinary photographic methods.

ところで、複雑な回路パターンを作る場合、所望のパタ
ーンとまったく相似していて所望のパターンよりも少し
広めと少し狭めの2枚の原図(トレース図)を書くこと
は、現在のアートワーク作業では非常に困難であり、非
常に精密な製図機や作業上の配慮、例えば高度な作図技
法と多くの作業時間などを必要とする。
By the way, when creating a complex circuit pattern, it is extremely difficult in current artwork work to draw two original drawings (trace drawings) that are completely similar to the desired pattern, one a little wider and one a little narrower than the desired pattern. It is difficult to draw, and requires very precise drafting equipment and special considerations, such as advanced drafting techniques and a lot of time.

次にエツチングレジスト形成工程においては、第1およ
び第2の例のいずれにおいても、広い面積の印刷配線用
の金型を製造するときなどは、第7図のエツチングレジ
スト8の形成時に使用する所望の配線回路パターンより
僅かに狭い回路パターンを有するポジフィルムB(第5
図)の位置あわせが非常に困難であり、エツチングレジ
ストのパターンが数10μのずれで必要としている金型
の刃先(第9図の11)が左右でアンバランスなものと
なり、片側は比較的太いが、別な片側の刃先は非常に細
いという結果になりやすい。
Next, in the etching resist forming step, in both the first and second examples, when manufacturing a mold for printing wiring with a large area, etc., the desired etching resist used when forming the etching resist 8 shown in FIG. 7 is used. Positive film B (No. 5) has a circuit pattern slightly narrower than the wiring circuit pattern of
It is very difficult to align the etching resist pattern, and the required mold cutting edge (11 in Figure 9) is unbalanced on the left and right, and one side is relatively thick. However, the cutting edge on the other side tends to be very thin.

さらに、エツチング工程では、第1のマスクでエツチン
グレジストを形成し深くエツチングした後エツチングさ
れていない部分と同じ高さの平らな表面になるように耐
酸性樹脂を装着充填し、さらにエツチング後またこれを
加熱軟化して除去しなければならないなど工程が複雑に
なっていた。
Furthermore, in the etching process, an etching resist is formed using the first mask, and after deep etching, an acid-resistant resin is applied and filled so as to form a flat surface at the same height as the unetched areas, and then after etching, this is again etched. The process was complicated, as it had to be removed by heating and softening.

以上のように従来の製造方法においては少なくとも三つ
の大きな欠点があった。
As described above, the conventional manufacturing method has at least three major drawbacks.

本発明は従来の回路パターン打抜き金型の製造方法にお
ける以上のような欠点を除去すべく改良したものであり
、より簡単な方法により、常に安定した高品質の金型を
容易に作製することの可能な回路パターン打抜き金型の
製造方法を提供するものである。
The present invention has been improved in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional circuit pattern punching mold manufacturing method, and it is possible to easily manufacture stable and high-quality molds using a simpler method. The present invention provides a method for manufacturing a circuit pattern punching die.

具体的には、従来において、第1、第2の欠点であるマ
スクパターンの作成工程が複雑で特殊な装置、あるいは
、高度の作図技法が必要であること、またエツチング時
のパターンの位置決めの許容差が小さいということに関
しては、1枚の原図(トレース図)、それから普通の写
真技術により作成し、所望の回路パターンの縁取りから
なる回路パターンフォトマスク(ネガフィルム)ト所望
の回路パターンの回路幅よりも広い回路幅を有するパタ
ーンフォトマスク(ネガフィルム)とを用いることによ
り大幅な改善がなされたものである。
Specifically, in the past, the first and second disadvantages are that the mask pattern creation process is complicated and requires special equipment or advanced drawing techniques, and that the pattern positioning tolerance during etching is difficult. As for the difference being small, a circuit pattern photomask (negative film) consisting of one original drawing (trace drawing) and the edges of the desired circuit pattern created using ordinary photographic techniques and the circuit width of the desired circuit pattern. A significant improvement has been made by using a patterned photomask (negative film) having a wider circuit width than the conventional one.

第3の欠点である耐酸性樹脂を用いるため工程が複雑で
あるという点については、従来のエツチング技術を詳細
に検討し、印刷工業界では、ドライオフセット版の特に
精度の良い版を必要とするときに用いられている製版法
として、感光膜に溶剤による溶解性の異なるものを数種
類用い、各々に対する画線の焼付は幅を変えることによ
ってエツチング時のサイドエッチを防ぐ方法(佐藤敏−
:金属表面工業全書(18)金属エツチング技術、槙書
店、昭和50年6月発行、P、 191〜P、194)
が知られているが、この方法を応用、改良し、前述した
所望の回路パターンの縁俄りからなる回路パターンフォ
トマスクと所望の回路パターンの回晒幅よりも広い回路
幅を有するパターンフォトマスクとを用いる一連の工程
により回路パターン打抜き用金型を作製するのに適した
新しいエツチング方法を見つけ、複雑な作業工程を経づ
に常に一定した金型を得ることができた。
Regarding the third drawback, which is that the process is complicated due to the use of acid-resistant resin, the conventional etching technology was examined in detail, and the printing industry required a particularly precise dry offset plate. A plate-making method that is sometimes used is to use several types of photoresist films with different solubility in solvents, and to prevent side etching during etching by changing the printing width of each print line (Satoshi Sato).
: Metal Surface Industry Complete Book (18) Metal Etching Technology, Maki Shoten, published June 1975, P, 191-P, 194)
However, this method has been applied and improved to produce a circuit pattern photomask consisting of the edge of the desired circuit pattern described above and a pattern photomask having a circuit width wider than the width of the desired circuit pattern. We discovered a new etching method suitable for producing circuit pattern punching molds through a series of processes using a series of processes, and were able to obtain consistently consistent molds without going through complicated work processes.

これは印刷工業界で行なわれているドライオフセット版
の製版法がただ単に第1のレジストと第2のレジストと
を形成してサイドエッチを防ぎパターン幅の減少を少な
くすることのために用いられているのをさらに発展させ
、前述の第1、第2の欠点の改良で述べたような2枚の
マスクパターンノ形状に工夫をし、段差のあるエツチン
グを耐酸性樹脂の埋込み除去などの工程を必要とせずに
行なえるようにしたものである。
This is because the dry offset plate making method used in the printing industry is used simply to form a first resist and a second resist to prevent side etching and reduce pattern width reduction. By further developing this, we improved the shape of the two mask patterns as described in the improvement of the first and second defects above, and removed the etching steps with acid-resistant resin. It is designed so that it can be done without the need for.

エツチングレジストの形成に用いられるフォトレジスト
について次に説明する。
The photoresist used to form the etching resist will now be described.

フォトレジストの実用上の分類としては、次の2つの方
法がある。
There are two practical classification methods for photoresists:

分類1としては、ネガ−ポジタイプ(光のあたった所が
光重合によって硬化し、現像液に不溶性となるもの)と
ポジーポジタイプ(光のあたった所が光分解によって、
現像液に可溶性となるもの)とであり、分類2としては
、水溶性形と有機溶剤性形とに分類される。
Classification 1 includes negative-positive type (where the area exposed to light hardens through photopolymerization and becomes insoluble in the developer) and positive type (where the area exposed to light hardens due to photolysis and becomes insoluble in the developer).
(Soluble in developer) Class 2 is divided into water-soluble form and organic solvent-soluble form.

この分類法に従って本発明に最適なフォトレジストの組
合せを説明する。
The combination of photoresists most suitable for the present invention will be explained according to this classification method.

分類1では、ポジーポジタイプ(例えば商品名で、シプ
レー社AZ−111、富士薬品工業膜のFPPR,イー
ストマンコダック社KAR−3など)は、樹脂の分子鎖
が短いため、柔軟性に欠け、プリント基板のような35
μの銅箔のエツチングでは問題ないが、本発明で得よう
とする金型は深いエツチング(300〜600μ)が必
要なためこのタイプのレジストでは、エツチング中にサ
イドエッチで浮いたレジストが、吹きつけられるエツチ
ング液で折れてサイドエッチがさらに進むという欠点が
あった。
In Category 1, positive-positive types (for example, product names such as Shipley's AZ-111, Fuji Pharmaceutical Membrane's FPPR, Eastman Kodak's KAR-3, etc.) lack flexibility due to the short molecular chain of the resin. 35 like a printed circuit board
There is no problem with etching copper foil of μm, but since the mold to be obtained with the present invention requires deep etching (300 to 600μ), with this type of resist, the resist lifted by side etching during etching may be blown away. It had the disadvantage that the etching solution applied to it would cause it to break and the side etching would proceed further.

しかし、ネガ−ポジタイプ(例えば商品名で東京応化工
業製のTPR、ノンクロン、G−90、富士薬品工業膜
FPER、FR−14、l 5 、 FCR−7、イー
ストマンコダック社製KPR,KTFR1吉谷商会製ア
クアレジスト+100など)は、光重合により分子鎖が
長いためポジーポジタイプに比べ、柔軟性がありエツチ
ングが進み、サイドエッチがおこっても浮いたレジスト
は吹きつけられるエツチング液で折れることなくサイド
エッチをどちらかといえば防ぐようにたれさがる。
However, negative-positive types (for example, trade names such as Tokyo Ohka Kogyo's TPR, Nonchron, G-90, Fuji Pharmaceutical Membrane FPER, FR-14, l5, FCR-7, Eastman Kodak Co., Ltd.'s KPR, KTFR1 Yoshitani Shokai) Aquaresist +100, etc.) are photopolymerized and have long molecular chains, so they are more flexible and can be etched more easily than positive types.Even if side etching occurs, the floating resist can be sprayed onto the sides without breaking due to the etching solution. If anything, it hangs down to prevent sex.

このため深いエツチングにはポジーポジタイプよりも適
している。
For this reason, it is more suitable than the positive type for deep etching.

分類2では有機溶剤性形(例えは、商品名で、東京応化
工業製TPR1富士薬品工業製FPER,イーストマン
コダック社製KPR,KTFR、シプレー社製AZ−1
11など)と水溶性形(例えば東京応化工業膜G−90
、ノンクロン、富士薬品工業製FR−14、15,FC
R−7、吉谷商会製アクアレジスト≠100など)があ
る。
In Category 2, organic solvent-based forms (for example, the product names are TPR1 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo, FPER manufactured by Fuji Pharmaceutical, KPR and KTFR manufactured by Eastman Kodak, and AZ-1 manufactured by Shipley)
11) and water-soluble forms (e.g. Tokyo Ohka Kogyo Membrane G-90)
, Nonkron, Fuji Pharmaceutical Co., Ltd. FR-14, 15, FC
R-7, Aquaresist≠100 manufactured by Yoshitani Shokai, etc.).

この場合、下層のレジストとして有機溶剤性形のフォト
レジストでパターンを形成し、上層のレジストにも有機
溶剤性形のフォトレジストを用いると下層のレジストは
耐有機溶剤性があまりないため、上層レジストのコーテ
ィング時あるいは現像時あるいはエツチング後の剥離時
に下層のレジストが溶けたりピンホールが発生したりす
る。
In this case, if a pattern is formed using an organic solvent-based photoresist as the lower layer resist, and an organic solvent-based photoresist is also used as the upper layer resist, the lower layer resist will not have much resistance to organic solvents, so the upper layer resist will During coating, development, or peeling off after etching, the underlying resist may melt or pinholes may occur.

たとえば、下層にネガ−ポジタイプの有機溶剤性形フォ
トレジストとしてイーストマンコダック社製の商品名K
TFRを用いてレジストパターンを形成し、上層に、ポ
ジーポジタイプの有機溶剤性フォトレジストとしてシプ
レー社製の商品名AZ−Illを用いてレジストパター
ンを形成し、第1回のエツチング後有機溶剤であるメチ
ルエチルケトンで剥離して、第2回のエツチングを行な
う方法はKTFRのレジスト層に完全に損傷(ピンホー
ルなど)を与えずに操作することは困難であり、またA
Z−IIIがポジーポジタイプであるために、深いエツ
チング(300〜600μ)はできないことがわかった
For example, as a negative-positive type organic solvent-based photoresist for the lower layer, Eastman Kodak Company's product name K is used.
A resist pattern is formed using TFR, and a resist pattern is formed on the upper layer using a positive type organic solvent photoresist (trade name AZ-Ill manufactured by Shipley). After the first etching, a resist pattern is formed using an organic solvent photoresist. The method of stripping with methyl ethyl ketone and performing a second etching is difficult to operate without completely damaging the KTFR resist layer (pinholes, etc.), and
It was found that deep etching (300 to 600 μm) was not possible because Z-III is a positive type.

また下層のレジストにネガ−ポジタイプの有機溶剤性形
のフォトレジストを用い、上層のレジストに、ポジーポ
ジタイプの有機溶剤性のフォトレジストを用い、下層の
レジストが上層のレジストの剥離液に耐性がなければ第
1回のエツチングが終った後で上層のポジーポジタイプ
のレジスト膜に全面露光し、アルカリ可溶にして上層の
レジストをアルカリで剥離する方法も考えられるが、工
程数がふえるのとポジーポジタイプで深いエツチングに
適さないのとやはりもともと有機溶剤タイプなので下層
のレジストに完全に損傷を与えずに操作することは困難
である。
In addition, a negative-positive type organic solvent-based photoresist is used for the lower layer resist, and a positive-positive type organic solvent-based photoresist is used for the upper layer resist, so that the lower layer resist is resistant to the stripping solution of the upper layer resist. Otherwise, after the first etching is completed, the upper layer of the positive type resist film is entirely exposed to light, made alkali soluble, and then the upper layer of resist is removed with alkali. However, this method increases the number of steps and increases the number of steps. It is a positive type and is not suitable for deep etching, and since it is originally an organic solvent type, it is difficult to operate without completely damaging the underlying resist.

そこで、下層のレジストとしては、ネガ−ポジタイプの
有機溶剤性形フォトレジスト(特にポリ桂皮酸系…KP
R,TPRなど、環化ゴム系…KTFRなと)を、上層
のレジストとしてはネガ−ポジタイプの水溶性形フォト
レジスト0特にアジド系(FCR−7など)がよい。
Therefore, as the resist for the lower layer, a negative-positive type organic solvent type photoresist (especially polycinnamic acid type...KP
As the upper layer resist, a negative-positive type water-soluble photoresist, especially an azide type (such as FCR-7) is preferable.

重クロム酸塩−天然コロイド系、重クロム酸塩−合成コ
ロイド系(G−90、FR−14、FR−15など)も
使用できるが、公害の面で難点がある。
Dichromate-natural colloid systems and dichromate-synthetic colloid systems (G-90, FR-14, FR-15, etc.) can also be used, but they have drawbacks in terms of pollution.

)を用い性質の完全に異なる2種類のフォトレジストを
組合せることで上記の欠点をなくすことができた。
) and by combining two types of photoresists with completely different properties, the above drawbacks could be eliminated.

このように本発明は工程の簡略化を計るとともに品質が
一定し段差のある刃型を有する金型を容易に製造する方
法を提供するものである。
As described above, the present invention provides a method of simplifying the process, and easily manufacturing a mold having a uniform quality and having a stepped blade mold.

以下に本発明の一実施例を図面を用いて説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

説明に際しては(イ)カメラワーク工程と(ロ)エツチ
ングレジスト形成工程と(ハ)エツチング工程の3つに
分けて行なう。
In the explanation, the process will be divided into three parts: (a) camera work process, (b) etching resist forming process, and (c) etching process.

(イ)カメラワーク工程 最初に作図誤差を押えるため作図精度、寸法許容値、エ
ツチング工程におけるサイドエッチ量を見込んだエツチ
ング化等を考慮し、所望の回路パターンの拡大原図(ト
レース図:第10図の12)を作成する。
(B) Camera work process First, in order to suppress drawing errors, an enlarged original drawing of the desired circuit pattern (trace drawing: Fig. Create 12).

この拡大原図12を普通の写真製版用カメラで第11図
のように原寸(エツチング化を見込んだ所望の印判配線
用回路パターン13の大きさ)に縮小したネガフィルム
A1を作成する。
A negative film A1 is produced by reducing this enlarged original drawing 12 to the original size (the size of the desired stamp wiring circuit pattern 13 considering etching) as shown in FIG. 11 using an ordinary photolithography camera.

次に普通の写真製版用のガラスのついている真空焼枠あ
るいは、スプリングで圧力をかける密着焼枠を用いて、
第16図の様に未露光フィルム18を置きその上に原稿
19(第11図の如く原寸に縮小したネガフィルムAI
)を、そしてその上に密着用ガラス20を重ねて密着し
、その上方から点光源(密着焼付用ランプ)21で露光
する。
Next, use a vacuum printing frame with glass for ordinary photolithography or a contact printing frame that applies pressure with a spring.
Place the unexposed film 18 as shown in Fig. 16, and place the original 19 on top of it (the negative film AI reduced to the original size as shown in Fig. 11).
), and a contact glass 20 is stacked and brought into close contact therewith, and exposed from above with a point light source (contact printing lamp) 21.

未露光フィルム18にネガ−ネガ(ポジーポジ)タイプ
の写真フィルム、例えばコダックスーパースピードデュ
ープリケーテイングフイルムNo2551を用いると、
第17図に示すように露光量(露光時間)を変えること
により光の拡散量が変り、原稿19の線幅を所望の線幅
に太らすことができる。
When a negative-negative (positive-positive) type photographic film, such as Kodak Super Speed Duplicating Film No. 2551, is used as the unexposed film 18,
As shown in FIG. 17, by changing the exposure amount (exposure time), the amount of light diffusion changes, and the line width of the original 19 can be increased to a desired line width.

このことは、実際の結果から確認済みである。This has been confirmed by actual results.

そこで原稿19として第11図のネガフィルムA1を装
着し、露光時間を太り量が第14図の幅aに相当するよ
うになる時間にしてネガ−ネガタイプの未露光フィルム
18に露光し、現像、定着、水洗すれは、少し太った回
路パターン(第13図の15)を有するネガフィルムA
2を得る。
Therefore, the negative film A1 shown in FIG. 11 is mounted as the original 19, and the negative-negative type unexposed film 18 is exposed to light at a time such that the amount of thickening corresponds to the width a shown in FIG. 14. After fixing and washing with water, negative film A has a slightly thicker circuit pattern (15 in Figure 13).
Get 2.

−力筒11図のネガフィルムA1から適正露光を与えて
密着反転でネガフィルムA1の回路パターン13と同寸
の回路パターン(第12図の14)を有するポジフィル
ムB1を作成しておく。
- A positive film B1 having a circuit pattern (14 in FIG. 12) having the same size as the circuit pattern 13 of the negative film A1 is prepared by applying proper exposure to the negative film A1 shown in FIG.

次に第16図における未露光フィルム18としてネガ−
ネガタイプの写真フィルム(例えはコダック製リスフィ
ルムA2551)を用い、原稿19として第12図のポ
ジフィルムB1と第13図のネガフィルムA2とを重ね
て密着し、適性露光を与え、現1象定着、水洗処理する
ことにより、所望の回路パターンの縁取りからなる回路
パターン(第14図の16)を有するネガフィルムA3
が作成される。
Next, as the unexposed film 18 in FIG.
Using a negative type photographic film (for example, Kodak Lisfilm A2551), stack the positive film B1 shown in FIG. 12 and the negative film A2 shown in FIG. By washing with water, a negative film A3 having a circuit pattern (16 in FIG. 14) consisting of a border of a desired circuit pattern is obtained.
is created.

次に真空焼枠などを用いて、第16図の様に未露光フィ
ルム18としてネガ−ネガタイプの写真フィルムを置き
、その上に原稿19として、前記の原寸に縮小した第1
1図のネガフィルムA+を置き、露光時間は、回路パタ
ーンの線巾が金型の刃型をおおうたけの量例えば露光時
間が第11図のパターンと同じものがそれよりも太くな
るように第17図を参照し、選んで決める。
Next, using a vacuum printing frame or the like, place a negative-negative type photographic film as the unexposed film 18 as shown in FIG.
Place the negative film A+ shown in Figure 1, and set the exposure time so that the line width of the circuit pattern covers the blade of the mold. Refer to the diagram and make your selection.

露光後、現1紙定着、水洗処理すると所望の回路パター
ンの回路幅よりも広い回路パターンを有するネガフィル
ム(第15図の17)が作成される。
After exposure, the film is fixed on a sheet of paper and washed with water to produce a negative film (17 in FIG. 15) having a circuit pattern wider than the circuit width of the desired circuit pattern.

(0)エツチングレジスト形成工程 第18図のように金属原板22(炭素工具鋼、機械構造
用炭素鋼、合金工具鋼、などの低炭素鋼材かこれに焼入
れ処理したもの)に下層のエツチングレジスト23とし
てネガ−ポジタイプの有機溶剤性形フォトレジスト(例
えば東京応化工業製TPR、イーストマン・コダック製
KPR,KTFR富士薬品工業製EPERなと)をボイ
ラーで塗布焼付し、その上に浅くエツチングするための
パターンを有するフォトマスクとして、前記所望の回路
パターンの縁取りからなる回路パターンネガフィルムA
3(第14図)を置き、上から紫外線(例えば、高圧水
銀灯、メタルハライドランプなどを照射源とする)を照
射した後、現像し、水洗し、ポストベークする。
(0) Etching resist forming process As shown in FIG. 18, a lower layer etching resist 23 is formed on a metal original plate 22 (low carbon steel material such as carbon tool steel, carbon steel for mechanical structures, alloy tool steel, etc., or a hardened material). A negative-positive type organic solvent type photoresist (for example, Tokyo Ohka Kogyo's TPR, Eastman Kodak's KPR, KTFR Fuji Pharmaceutical's EPER, etc.) is coated and baked in a boiler, and then shallowly etched on top. As a photomask having a pattern, a circuit pattern negative film A consisting of the border of the desired circuit pattern is used.
3 (FIG. 14), irradiation with ultraviolet rays (for example, using a high-pressure mercury lamp, metal halide lamp, etc. as an irradiation source) from above, development, washing with water, and post-baking.

つぎに、その上に上層のエツチングレジスト24として
、ネガ−ポジタイプの水溶性フォトレジスト(例えば、
富士薬品工業FCR−7゜FR−14、FR−15、東
京応化工業製ノンクロンG−90など)をボイラーで塗
布焼付し、その上に深くエツチングするためのパターン
を有するフォトマスクとして前記所望の回路パターンの
回路幅よりも広い回路パターンネガフィルムA4(第1
5図)を前記下層のエツチングレジスト23のパターン
に重なるようにして置き、上から紫外線を照射した後、
現像、水洗し、ポストベークする。
Next, a negative-positive type water-soluble photoresist (for example,
Fuji Pharmaceutical Co., Ltd. FCR-7° FR-14, FR-15, Tokyo Ohka Kogyo Nonkron G-90, etc.) is coated and baked in a boiler, and then the desired circuit is formed as a photomask having a pattern for deep etching. Circuit pattern negative film A4 (first
5) is placed so as to overlap the pattern of the lower layer etching resist 23, and after irradiating ultraviolet rays from above,
Develop, wash, and post-bake.

その結果、金属原板22の上に下層と上層の2層からな
るエツチングレジスト23と24が形成される。
As a result, etching resists 23 and 24 consisting of two layers, a lower layer and an upper layer, are formed on the metal original plate 22.

(3)エツチング工程 上記の方法で作成した下層のエツチングレジスト23(
ネガ−ポジタイプの有機溶剤性形フォトレジストTPR
,KPR,KTFR,EPERなど)と上層のエツチン
グレジスト24(ネガ−ポジタイプの水溶性形フォトレ
ジストFCR−7、FR−14、FR,−15、ノンク
ロン、G−90などが形成された金属原板22を第1回
目の工゛ンチングとして35°Be′〜42°Be’の
塩化第2鉄液で深くエツチングすると第19図のように
なる。
(3) Etching process The lower layer etching resist 23 (
Negative-positive type organic solvent type photoresist TPR
. When this is deeply etched with a ferric chloride solution of 35°Be' to 42°Be' as the first etching, the result is as shown in FIG. 19.

この時エツチングされた部分は、第2回目のエツチング
時にもエツチングされるのでその分浅くエツチングを行
なっておく。
The portion etched at this time will also be etched during the second etching, so the etching should be made shallower.

第1回目のエツチングが終った後、剥離液(5〜20%
の水酸化ナトリウム水溶液など)を用いて第20図に示
されるように上層のエツチングレジスト24を剥離する
After the first etching is completed, remove the remover (5-20%
As shown in FIG. 20, the upper layer of etching resist 24 is peeled off using an aqueous solution of sodium hydroxide, etc.).

次にこのようにして得られた金属板25に第2回目のエ
ツチングを35〜42°Beの塩化第2鉄液で行なうと
第21図のようになる。
Next, the metal plate 25 thus obtained is etched a second time using a ferric chloride solution of 35 to 42 DEG Be, resulting in the result as shown in FIG.

その後下層のエツチングレジスト23を剥離液(それぞ
れのフォトレジストの専用剥離液)を用いて剥離する。
Thereafter, the underlying etching resist 23 is removed using a removal solution (a removal solution dedicated to each photoresist).

このようにして、第22図に示されるように刃型27を
有する金型26が製造される。
In this way, a mold 26 having a blade 27 is manufactured as shown in FIG. 22.

なお、浅くエツチングするためのパターンを有するフォ
トマスク(第14図に示すように所望の回路パターンの
縁取りからなる回路パターンネガフィルムA3)の幅a
を変えることにより鈍い刃型のもの、鋭い刃型のもの、
さらに尖鋭な刃型をもった印刷配線用回路パターン打抜
き金型が製造される。
Note that the width a of the photomask (circuit pattern negative film A3 consisting of the edging of the desired circuit pattern as shown in FIG. 14) having a pattern for shallow etching is
By changing the blade shape, you can choose between a blunt blade type and a sharp blade type.
Furthermore, a circuit pattern punching die for printed wiring with a sharp blade is manufactured.

以上の説明から明らかなように、従来の製造方法に比べ
て、本発明の製造方法を用いると、1枚の原図から普通
の写真製版用カメラや光源などを用いるだけで、従来の
様な複雑なテクニックと手順さらには特殊な装置を用い
ずに、また非常に高精度な作図技法や作図作業上の非常
に細かい配慮を必要とせずに、エツチングレジストを形
成するための縁取りからなる回路パターンネガフィルム
と所望の回路パターンの回路幅よりも広い回路パターン
を有するネガフィルムとを簡単に作成することができる
As is clear from the above explanation, compared to the conventional manufacturing method, the manufacturing method of the present invention allows the manufacturing method of the present invention to be used from a single original drawing, by simply using an ordinary photolithography camera and light source, and without the complicated conventional methods. A circuit pattern negative consisting of a border for forming an etching resist without the use of special techniques and procedures, and without the use of special equipment, very precise drafting techniques, or very careful attention to detail in the drafting process. It is possible to easily create a film and a negative film having a circuit pattern wider than the circuit width of the desired circuit pattern.

また、縁俄りからなる回路パターンネガフィルムは、金
型の刃先を形成するための縁取り線であるためにパター
ンの位置決めの許容差が大きく、またエツチングレジス
ト形成工程で、性質の異る下層、上層のエツチングレジ
ストが形成されているので、従来の製造方法のように、
エツチング段差をつけるために、1回目と2回目のエツ
チングの間に耐酸性樹脂を付着し、再びエツチングレジ
ストを形成し、2回目のエツチングを行ない最後に加熱
軟化して耐酸性樹脂を除去するなど複雑な工程がなくな
り、エツチング工程が非常に簡略化されるなどその効果
は犬である。
In addition, circuit pattern negative films consisting of edges have large tolerances in pattern positioning because the edges are used to form the cutting edge of a mold, and in the etching resist forming process, lower layers with different properties, Since the upper layer of etching resist is formed, unlike the conventional manufacturing method,
In order to create an etching step, an acid-resistant resin is attached between the first and second etching, an etching resist is formed again, a second etching is performed, and the acid-resistant resin is removed by heating and softening. The effects are outstanding, such as eliminating complicated processes and greatly simplifying the etching process.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図から第9図までは従来の製造方法について説明す
るための図で、このうち第1図、第2図はそれぞれ所望
の配線回路パターンより僅かに広い回路パターンを有す
るネガフィルムの平面図および断面図、第3図および第
4図は金属原板上に第1図のネガフィルムの回路パター
ンをエツチングにより得る手順を示す断面図、第5図、
第6図はそれぞれ所望の配線回路パターンより僅かに狭
い回路パターンを有するポジフィルムの平面図および断
面図、第7図、第8図、第9図は、第4図に示した金属
板をエツチング処理し、刃型回路パターンを有する金型
を製造する手順を示す断面図である。 また第10図から第22図は本発明による製造方法を説
明するための図で、このうち第10図から第15図まで
は所望の回路パターンの縁取りからなるパターンフォト
マスク(ネガフィルム)と所望の回路パターンの回路幅
よりも広い回路幅を有するパターンフォトマスク(ネガ
フィルム)を作成する手順を示す平面図、第16図は前
記2種のフォトマスクを作成するときの装置について説
明するための図、第17図は前記装置における露光時間
と線幅の太り量との関係を示す曲線図、第18図から第
22図は金属原板をエツチング処理し、刃型回路パター
ンを有する金型を製造する手順を示すための断面図であ
る。 13……工ツチング代を見込んだ所望回路パターン、1
5……所望の回路パターン13より少し太った回路パタ
ーン、16……所望の回路パターンの縁取りからなる回
路パターン、17……所望の回路パターンの回路幅より
も広い回路幅を有する回路パターン、22……金属原板
、23,24……エツチングレジスト、26……金型、
A3……所望の回路パターンの縁取りからなる回路パタ
ーンフォトマスク(ネガフィルム)、A4……所望の回
路パターンの回路幅よりも広い回路幅を有するパターン
フォトマスク(ネガフィルム)。
Figures 1 to 9 are diagrams for explaining the conventional manufacturing method, of which Figures 1 and 2 are plan views of negative films each having a circuit pattern slightly wider than the desired wiring circuit pattern. 3 and 4 are sectional views showing the procedure for obtaining the circuit pattern of the negative film shown in FIG. 1 on a metal original plate by etching, and FIG.
FIG. 6 is a plan view and a cross-sectional view of a positive film having a circuit pattern slightly narrower than the desired wiring circuit pattern, and FIGS. 7, 8, and 9 are etching of the metal plate shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a procedure for processing and manufacturing a mold having a blade-shaped circuit pattern. 10 to 22 are diagrams for explaining the manufacturing method according to the present invention. Among these, FIGS. 10 to 15 show a patterned photomask (negative film) consisting of a border of a desired circuit pattern and a FIG. 16 is a plan view showing the procedure for creating a patterned photomask (negative film) having a circuit width wider than the circuit width of the circuit pattern of FIG. 17 is a curve diagram showing the relationship between the exposure time and the amount of line width thickening in the above-mentioned apparatus, and FIGS. 18 to 22 show an etching process for a metal original plate to produce a mold having a blade-shaped circuit pattern. FIG. 13... Desired circuit pattern including engineering cost, 1
5... A circuit pattern slightly thicker than the desired circuit pattern 13, 16... A circuit pattern consisting of the border of the desired circuit pattern, 17... A circuit pattern having a circuit width wider than the circuit width of the desired circuit pattern, 22... ...Metal original plate, 23, 24...Etching resist, 26...Mold,
A3...Circuit pattern photomask (negative film) consisting of a border of a desired circuit pattern, A4...A pattern photomask (negative film) having a circuit width wider than the circuit width of the desired circuit pattern.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 金属箔を回路パターンに打抜くのに適した刃型を有
し、上記刃型の内側は浅く陥没し、またその外側は深く
陥没した回路パターン打抜き金型を製造する方法におい
て、上記刃のパターン対応した回路パターン形状を有し
、所望の回路パターンのエツチング化を見こんだ縁取り
からなる第1のフォトマスクと第1のフォトマスクの縁
取りパターンを覆うようにつくられた所望の回路パター
ンの回路幅よりも広い回路幅を有する第2のフォトマス
クを作成する第1工程と、第1のフォトマスクで金属板
上に上記刃のパターンに対応するようにしてネガ−ポジ
タイプの有機溶剤性形のフォトレジストで下層のエツチ
ングレジストを形成する第2工程と、第2のフォトマス
クを用いて、上記下層のエツチングレジストのパターン
に対応するようにしてネガ−ポジタイプの水溶性形のフ
ォトレジストで上記金型の深く陥没した部分を形成する
ための上層のエツチングレジストを形成する第3工程と
、第2工程においてエツチングレジストが設けられた上
記金属板を深くエツチングする第4工程と、こうして得
られた金属板表面の上記第2工程で形成された上層のエ
ツチングレジストを剥離する第5工程と、上記第1工程
においてエツチングレジストが設けられた上記金属板を
浅くエツチングすることにより、上記金型の浅く陥没し
た部分を形成する第6エ程と、こうして得られた金属表
面の上記第1工程で形成された下層のエツチングレジス
トを剥離する第7エ程からなることを特徴とする回路パ
ターン打抜き金型の製造方法。
1. A method for manufacturing a circuit pattern punching die having a blade suitable for punching metal foil into a circuit pattern, the inside of the blade being shallowly recessed, and the outside thereof being deeply recessed. A first photomask having a circuit pattern shape corresponding to the pattern and consisting of an edging that allows etching of the desired circuit pattern; and a desired circuit pattern formed to cover the edging pattern of the first photomask. A first step of creating a second photomask having a circuit width wider than the circuit width, and applying a negative-positive type organic solvent-based mold onto the metal plate in the first photomask so as to correspond to the pattern of the blade. a second step of forming a lower layer etching resist using a photoresist; and using a second photomask, forming a lower layer etching resist using a negative-positive type water-soluble photoresist in a manner corresponding to the pattern of the lower layer etching resist. a third step of forming an upper layer of etching resist to form a deeply recessed part of the mold; a fourth step of deeply etching the metal plate on which the etching resist was provided in the second step; A fifth step of peeling off the upper layer of etching resist formed in the second step on the surface of the metal plate, and a shallow etching of the metal plate on which the etching resist was provided in the first step, A circuit pattern punching mold comprising a sixth step of forming a depressed portion and a seventh step of peeling off the underlying etching resist formed in the first step on the metal surface thus obtained. manufacturing method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62181628U (en) * 1986-05-02 1987-11-18

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JPS62181628U (en) * 1986-05-02 1987-11-18

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