JPS5810466B2 - Manufacturing method for circuit pattern punching mold - Google Patents

Manufacturing method for circuit pattern punching mold

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JPS5810466B2
JPS5810466B2 JP13278378A JP13278378A JPS5810466B2 JP S5810466 B2 JPS5810466 B2 JP S5810466B2 JP 13278378 A JP13278378 A JP 13278378A JP 13278378 A JP13278378 A JP 13278378A JP S5810466 B2 JPS5810466 B2 JP S5810466B2
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JP
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pattern
photomask
etching
width
blade
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JP13278378A
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Japanese (ja)
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高瀬喜久
小島邦雄
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は例えばダイススタンプ法により印刷配線板を製
造するのに用いられ金属箔を回路パターンに打抜くのに
好適な刃型を有する回路パターン打抜き金型のように、
金属箔を所望のパターンに打抜くのに適した刃型を備え
、その刃型で囲んだその内側は金属箔を押圧するのに適
するように浅く陥没し、またその外側は打抜いたあとの
不用な金属箔が逃げられるように深く陥没して段差を有
する回路パターン打抜き金型の製造方法に関し、簡単な
方法にして精度が高く高品質になった打抜き金型を容易
に製造できるようにすることを目的とする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a circuit pattern punching die having a blade suitable for punching out a circuit pattern from metal foil, which is used for manufacturing printed wiring boards by the die stamp method, for example.
It is equipped with a blade suitable for punching metal foil into a desired pattern, and the inside surrounded by the blade is shallowly recessed to be suitable for pressing the metal foil, and the outside is suitable for punching the metal foil after punching. To easily manufacture a high-precision, high-quality punching mold using a simple method regarding a method for manufacturing a circuit pattern punching mold that is deeply depressed and has a step so that unnecessary metal foil can escape. The purpose is to

従来上述のように刃型の内側と外側との間に段差が生ず
るようにするエツチング技術は、金属箔から印刷配線板
のベースとなる有機絶縁基板上に回路パターンを打抜く
のに適した刃型を有する回路パターン打抜き用金型の製
造方法(例えは、特公昭50−32651号、特開昭4
8−1864号、特開昭51−3295号)に含まれる
1つの工程に応用されており、エツチングレジストの形
成に用いられる回路パターンフォトマスクとして所望の
配線回路パターンより僅かに広い回路幅を有する回路パ
ターンネガフィルムNと僅かに狭い回路幅を有する回路
パターンポジフィルムPとの2種のフォトマスクを用い
て、段差エツチングを行なっている。
Conventionally, the etching technology that creates a step between the inside and outside of the blade mold as described above is a blade suitable for punching circuit patterns from metal foil onto organic insulating substrates that serve as the base of printed wiring boards. A method of manufacturing a circuit pattern punching die having a mold (for example, Japanese Patent Publication No. 50-32651, Japanese Patent Application Laid-open No. 4
8-1864, JP-A No. 51-3295), and has a circuit width slightly wider than the desired wiring circuit pattern as a circuit pattern photomask used for forming an etching resist. Step etching is performed using two types of photomasks: a circuit pattern negative film N and a circuit pattern positive film P having a slightly narrower circuit width.

ここで従来の上記2種のフォトマスクN、Pを用いて、
前述のような刃型を有する金型の製造工程の一部を第1
図〜第9図を用いて簡単に説明する。
Here, using the above two conventional photomasks N and P,
A part of the manufacturing process of a mold having a blade type as described above is explained in the first step.
This will be briefly explained using FIGS.

所望の配線回路パターンより僅かに広い回路パターン1
を有するネガフィルムN(第1図、第2図)を用いて金
属原板3の上にエツチングレジスト2(第3図)を形成
し、エツチング法により平型回路パターン4を有する金
属板5(第4図)を製造し、次に該金属板5の凹陥部6
に、例えばエポキシ樹脂よりなる耐酸性樹脂9を第7図
に示すように充填する。
Circuit pattern 1 slightly wider than the desired wiring circuit pattern
An etching resist 2 (Fig. 3) is formed on the metal original plate 3 using a negative film N (Figs. 1 and 2) having a flat circuit pattern 4, and a metal plate 5 (Fig. 4) is manufactured, and then the concave portion 6 of the metal plate 5 is manufactured.
is filled with acid-resistant resin 9 made of, for example, epoxy resin as shown in FIG.

次に所望の配線回路パターンより僅かに狭い回路パター
ン7を有するポジフィルムP(第5図、第6図)を用い
て、第7図のようにエツチングレジスト8を形成し、エ
ツチング法により第8図に示すように浅くエツチングし
、耐酸性樹脂9の加熱軟化除去する。
Next, using a positive film P (FIGS. 5 and 6) having a circuit pattern 7 slightly narrower than the desired wiring circuit pattern, an etching resist 8 is formed as shown in FIG. As shown in the figure, shallow etching is performed to heat and soften the acid-resistant resin 9 and remove it.

このようにして刃型11を有する金型10(第9図)が
製造される。
In this way, a mold 10 (FIG. 9) having a blade 11 is manufactured.

ここで、刃型を有する金型の製造工程での重要な点は、
エツチングレジストを形成するための2種のフォトマス
クにあり、この従来例において示したように所望の配線
回路パターンより僅かに広い回路幅を有する回路パター
ンNと僅かに狭い回路幅を有する回路パターンPとの2
種のフォトマスクでは、前記金型製造工程中の樹脂埋込
み後のフォトレンスト形成工程に際し、広い面積の印刷
配線用金型を製造するときなどは特にそうであるが、第
1回目のエツチングで形成した平面金型上にエツチング
レジスト(第7図の8)を形成するための所望の配線回
路パターンより僅かに狭い回路幅を有する回路パターン
P(第5図)が正確に位置決めされ、かつ中心があうよ
うに、注意深く位置決めしなければならず、金属板上で
は、相当の熟練を必要とし、この2種のフォトマスクN
、Pの位置の合せ方で刃先の形状が左右され数10μの
ずれでも必要としている金型の刃先(第9図の11)が
、左右でアンバランスなものとなり、片側の刃先は比較
的太いが片側の刃先は非常に細いという結果になりやす
いなど所望品質の金型を得ることは、頗る困難であった
Here, the important points in the manufacturing process of a mold with a blade are:
There are two types of photomasks for forming an etching resist, and as shown in this conventional example, a circuit pattern N has a slightly wider circuit width than the desired wiring circuit pattern, and a circuit pattern P has a slightly narrower circuit width than the desired wiring circuit pattern. Tono 2
In the case of a seed photomask, during the photoresist formation process after resin filling in the mold manufacturing process, this is especially true when manufacturing a mold for printing wiring with a large area. The circuit pattern P (Fig. 5) having a slightly narrower circuit width than the desired wiring circuit pattern for forming the etching resist (8 in Fig. 7) on the flat mold was accurately positioned and centered. They must be carefully positioned so that they match, and considerable skill is required on the metal plate.
The shape of the cutting edge depends on how the position of P is aligned, and even if there is a deviation of several tens of microns, the required cutting edge of the mold (11 in Figure 9) will be unbalanced on the left and right, and the cutting edge on one side will be relatively thick. However, the cutting edge on one side tends to be very thin, making it extremely difficult to obtain a mold of desired quality.

本発明は、金属板の表面に所望の回路パターンを形成す
る為に必要なエツチングレジストパターンを簡単に形成
することができ、しかも回路パターンフォトマスクの位
置合せ等も迅速に行なえるような新規なパターン形状の
フォトマスクを用いることにより、従来の回路パターン
打抜き金型の製造方法における上述のような欠点を改良
し、常に一定した高品質の金型が容易に得られるように
するもので、以下に図面を用いその実施例を説明する。
The present invention is a novel method that allows easy formation of the etching resist pattern necessary to form a desired circuit pattern on the surface of a metal plate, and also enables quick alignment of a circuit pattern photomask. By using a pattern-shaped photomask, the above-mentioned drawbacks of the conventional circuit pattern punching mold manufacturing method are improved, and a consistently high-quality mold can be easily obtained. The embodiment will be explained using the drawings.

まず本発明において用いられる新規なパターン形状のフ
ォトマスクは、1枚の原図(トレース図)から普通の写
真技術で作成した所望の回路パターンの縁に金型の刃を
形成するための縁取り線を有した縁取りパターンフォト
マスクA3(第14図。
First, the novel pattern-shaped photomask used in the present invention has border lines for forming mold blades at the edges of a desired circuit pattern created from a single original drawing (trace drawing) using ordinary photographic technology. edging pattern photomask A3 (FIG. 14).

第15図)とこの縁取りパターンを覆うようにつくられ
たカバー用パターンフォトマスクA4(第16図、第1
7図)との2種のフォトマスクの組合せよりなり、以下
本発明によるフォトマスクの形状について詳細に説明す
る。
(Fig. 15) and cover pattern photomask A4 (Fig. 16, 1) made to cover this border pattern.
The shape of the photomask according to the present invention will be explained in detail below.

たとえは、第24図に示すように、所望の回路幅がa(
刃の外側で金属箔が切れることは、実験的に確認してい
る。
For example, as shown in FIG. 24, the desired circuit width is a(
It has been experimentally confirmed that metal foil can be cut by the outside of the blade.

)、刃27の幅がV、金属箔を押圧するための浅い溝2
8の深さがd、金属箔を逃がすための深い溝29がDで
ある金属箔を所望のパターン伏に打抜くのに適した刃型
を有する金型26を製造する場合について説明する。
), the width of the blade 27 is V, and the shallow groove 2 for pressing the metal foil
A case will be described in which a mold 26 having a blade suitable for punching out a desired pattern from a metal foil having a depth d and a deep groove 29 for letting the metal foil escape will be described.

2種のフォトマスクの組合せで、第1の実施例における
組合せとしては、一方のフォトマスクが、刃部27と金
属箔を押圧するための浅い溝28を形成するための縁取
りパターンフォトマスクA3(14図、第15図)であ
る。
In the combination of two types of photomasks, in the first embodiment, one photomask has an edging pattern photomask A3 (for forming a shallow groove 28 for pressing the blade part 27 and the metal foil). 14 and 15).

このフォトマスクA3は、所望のパターンに対応する縁
取り線を有し、この場合の寸法関係についていうと、縁
取り線の内側の=a1は所望の回路幅aから金型の刃型
の幅■に2を乗じたものと金属箔を押圧するのに適する
ように浅くエツチング(深さd)したときのサイドエッ
チ量(2d/E、F、、但しE、F、は金属板をエツチ
ングするときのエッチファクターであり、深さdのエツ
チングしたときレジスト画線部よりbだけサイドエッチ
が行なわれたとすると、E、F、=2d/bで表わされ
ん。
This photomask A3 has an edging line corresponding to a desired pattern, and in terms of the dimensional relationship in this case, =a1 on the inside of the edging line is from the desired circuit width a to the width 2 of the mold blade. 2 multiplied by the amount of side etching when shallowly etching (depth d) suitable for pressing the metal foil (2d/E, F, where E, F is the amount of side etching when etching the metal plate) The etch factor is E, F, which is expressed as 2d/b, assuming that when etching is performed to a depth d, side etching is performed by a distance b from the resist image area.

とに2を乗じたものを減じたものに等しくしてあり、縁
取り線の外側の幅a2は、所望の回路幅aに打抜いた金
属箔が逃げられるように深くエツチングしたときのサイ
ドエッチ量(2D/E、F、)を加えたものに等しくし
である。
The outer width a2 of the border line is the amount of side etching when etching is deep enough to allow the metal foil punched to the desired circuit width a to escape. It is equal to the sum of (2D/E, F,).

これらの関係を第15図、第24図にそって式で表わす
と、a、=a−2(v+d/E、F、) a2=a+2D/E、F−(但しD>d)となる。
When these relationships are expressed by formulas according to FIGS. 15 and 24, a,=a-2(v+d/E,F,) a2=a+2D/E,F- (where D>d).

他のもう一方のフォトマスクは、金属箔を逃がすための
深い溝29を形成するためのカバー用パターンフォトマ
スクA4(第16図、第17図)である。
The other photomask is a cover pattern photomask A4 (FIGS. 16 and 17) for forming deep grooves 29 for allowing the metal foil to escape.

このフォトマスクA4は、金属箔を押圧するのに適する
ように浅くエツチングする部分を覆うためのパターン幅
a3を有し、そのパターン巾a3のフォトマスクA3の
縁取り線の外側の幅a2より小さくか又は等しくし、か
つ内側の幅31より大きくか又は等しくしである。
This photomask A4 has a pattern width a3 for covering a shallowly etched portion suitable for pressing metal foil, and the pattern width a3 is smaller than the outer width a2 of the border line of the photomask A3. or equal to and greater than or equal to the inner width 31.

この関係を第17図、第24図にそって式で表わすと、
a1≦a3≦a2つまり a−2(v+d/E−F−)≦a3≦a+2D/E、F
、となる 第2の実施例での組合せとしては、一方のフォトマスク
が、縁取りパターンフォトマスクA3(第14.第15
図)であり、所望のパターンに対応する縁取り線を有す
る。
This relationship is expressed in the formula shown in Figures 17 and 24 as follows:
a1≦a3≦a2, that is, a-2 (v+d/E-F-)≦a3≦a+2D/E, F
, in the second embodiment, one photomask is a border pattern photomask A3 (14th, 15th
) with border lines corresponding to the desired pattern.

この場合の寸法関係についていうと、縁取り線の内側の
幅a1は所望の回路幅aから、金型の刃部の幅■に2を
乗じたものと金属箔を押圧するのに適するように浅くエ
ツチング(深さd)したときのサイドエッチ量(2d/
E、F、)とを閉じたものに等しくしてあり、また縁取
り線の外側の幅a2は、所望の回路幅aに前記のサイド
エッチ量(2a/E、F、)を加えたものに等しくしで
ある。
Regarding the dimensional relationship in this case, the inner width a1 of the edging line is the desired circuit width a, the width of the mold blade section multiplied by 2, and a shallow width suitable for pressing the metal foil. Side etching amount (2d/
E, F, ) are made equal to the closed one, and the outer width a2 of the border line is the desired circuit width a plus the side etching amount (2a/E, F,). Equally good.

これらの関係を第15図、第24図にそって式で表わす
と、al−a2(v+d/E−F−) a2=a+2d/E、F、となる。
When these relationships are expressed by the formulas shown in FIGS. 15 and 24, it becomes al-a2(v+d/E-F-) a2=a+2d/E,F.

他のもう一方のフォトマスクは、金属箔を逃がすための
深い溝29を形成するためのカバー用パターンフォトマ
スクA4(第16図、第17図)である。
The other photomask is a cover pattern photomask A4 (FIGS. 16 and 17) for forming deep grooves 29 for allowing the metal foil to escape.

これは、縁取りパターンフォトマスクA3で形成される
レジストパターンを覆うことができる。
This can cover the resist pattern formed by the border pattern photomask A3.

この場合のパターン幅a3は所望の回路幅aに打抜いた
金属箔が逃げられるように深くエツチングしたときのサ
イドエッチ量(2D/E、F、)を回路幅aに加えたも
のと等しくしている。
In this case, the pattern width a3 is equal to the side etch amount (2D/E, F,) added to the circuit width a when deep etching is performed so that the metal foil punched to the desired circuit width a can escape. ing.

この関係を第17図と第24図にそって式%式%8 次に以上のような2種の組合せからなるフォトマスクを
用いて金型を製造する方法についてやはり図面を用いて
説明する。
This relationship is shown in FIGS. 17 and 24 using the formula % formula %8 Next, a method for manufacturing a mold using a photomask consisting of the above two types of combinations will be explained using the drawings as well.

なお説明を、(イ)カメラワーク工程と(ロ)エツチン
グ工程の2つに分けて行なう。
The explanation will be divided into two parts: (a) camera work process and (b) etching process.

(イ)カメラワーク工程 最初に作図誤差を押えるため作図精度、寸法許容値等を
考慮し、拡大率を決め、所望のパターンに対応する縁取
り線の内側にあたるところを拡大して第10図のように
パターン12の画かれた拡大原図B1を作成する。
(B) Camera work process First, in order to reduce drawing errors, consider drawing accuracy, dimensional tolerances, etc., decide on the magnification ratio, and enlarge the area inside the border line corresponding to the desired pattern as shown in Figure 10. An enlarged original drawing B1 on which the pattern 12 is drawn is created.

次にこの拡大原図B1を普通の写真製版用カメラで原寸
に縮少して第11図のように幅が前記内側の幅a1(a
1=a−2(v+d/E、F−))になった回路パター
ン13を有するネガフィルムA1を作成する。
Next, this enlarged original drawing B1 is reduced to the original size using an ordinary photolithography camera, and the width is changed to the inner width a1 (a
A negative film A1 having a circuit pattern 13 in which 1=a-2(v+d/E,F-)) is created.

次に普通の写真製版用のガラスのついている真空焼枠あ
るいはスプリングで圧力をかける密着焼枠を用いて、第
18図のように未露光フィルム18を置き、その上に原
稿19(前記の原寸に縮小した第11図の如きネガフィ
ルムA1)を、そしてその上に密着用ガラス20を重ね
て密着し、その上方から点元源(密着焼付用ランプ)2
1で露光する。
Next, using a vacuum printing frame with glass for ordinary photolithography or a contact printing frame with pressure applied by a spring, place the unexposed film 18 as shown in Fig. 18, and place the original 19 (the original size A negative film A1) as shown in FIG.
Expose at 1.

未露光フィルム18にネガ−ネガ(ポジーポジ)タイプ
の写真フィルム、例えはコダックスーパースピードデュ
プリケーテイングフイルムNo、2551を用いると、
第19図に示すように露光量(露光時間)を変えること
により元の拡散量が変り、原稿19の線幅を所望の線幅
に太らすことができる。
When a negative-negative (positive-positive) type photographic film, for example Kodak Super Speed Duplicating Film No. 2551, is used as the unexposed film 18,
As shown in FIG. 19, by changing the exposure amount (exposure time), the original amount of diffusion changes, and the line width of the original 19 can be increased to a desired line width.

このことは実験の結果から確認済みである。This has been confirmed from the results of experiments.

そこで原稿19として第11図のネガフィルムA1を装
着し、露光時間を太り量が第14図、第15図のa2−
alに相当する時間でネガ−ネガタイプの未露光フィル
ム18に露光し、現像、定着、水洗すれば少し太った回
路パターン(第12図の14)を有するネガフィルムA
2を得る。
Therefore, the negative film A1 shown in FIG. 11 was mounted as the original 19, and the exposure time was adjusted to the amount of thickening shown in FIGS. 14 and 15.
By exposing a negative-negative type unexposed film 18 for a time corresponding to al, developing, fixing, and washing with water, a negative film A having a slightly thicker circuit pattern (14 in FIG. 12) is obtained.
Get 2.

一方策11図のネガフィルムA1から適正露光を与えて
密着反転で該ネガフィルムA1の回路パターン13と同
寸の回路パターン(第13図の15)を有するポジフィ
ルムB2を作成しておく。
On the other hand, a positive film B2 having a circuit pattern (15 in FIG. 13) having the same size as the circuit pattern 13 of the negative film A1 is prepared by applying proper exposure to the negative film A1 shown in FIG. 11 and inverting the negative film A1.

次に第18図で未露光フィルム18としてネガ−ネガタ
イプの写真フィルム(例えばコダック製すスフィルム別 2551)を用い、公知のレジスターパンチを用いたピ
ン合せ装置により原稿19として第13図のポジフィル
ムB2と第12図のネガフィルムA2とを重ねて用いて
密着し、適性露光を与え、現像、定着、水洗処理するこ
とにより本発明で重要な所望の回路パターンの縁取りか
らなる回路パターン(第14図の16)を有するネガフ
ィルムA3が作成される。
Next, in FIG. 18, a negative-negative type photographic film (for example, Kodak Sufilm 2551) is used as the unexposed film 18, and the positive film of FIG. B2 and the negative film A2 shown in FIG. 12 are stacked and brought into close contact with each other, exposed to appropriate light, developed, fixed, and washed with water to form a circuit pattern (No. 14 A negative film A3 having 16) in the figure is created.

次に真空焼枠などを用いて、第18図のように未露光フ
ィルム18としてネガ−ネガタイプの写真フィルムを置
き、その上に原稿19として原寸に縮小した第11図の
ネガフィルムA1を置き、露光時間は、金属箔を押圧す
るのに適するように浅くエツチングするための部分(a
lの幅を有する部分)を覆う量(a3−al)を、第1
8図を参照し、選んで決める。
Next, using a vacuum printing frame or the like, place a negative-negative type photographic film as the unexposed film 18 as shown in FIG. 18, and place the negative film A1 shown in FIG. The exposure time is set to the area (a) for shallowly etching the metal foil to make it suitable for pressing.
The first
Refer to Figure 8 and make your selection.

露光後、現像、定着、水洗処理すると所望の回路パター
ン形状であるカバー用パターン(第16図の17)を有
するネガフィルムA4が作成される。
After exposure, development, fixing, and washing are performed to produce a negative film A4 having a cover pattern (17 in FIG. 16) having a desired circuit pattern shape.

(ロ)エツチング工程 従来は、第一のマスクでエツチングレジストを形成し、
深くエツチングした後、耐酸性樹脂を装着充填してエツ
チングされていない部分と同じ高さの平らな表面になる
ようにし、さらに第2のマスクによるエツチングを行な
った後またこの耐酸性樹脂を加熱軟化して除去しなけれ
はならず、工程が複雑になるという欠点かあった。
(b) Etching process Conventionally, an etching resist is formed using a first mask,
After deep etching, an acid-resistant resin is installed and filled to create a flat surface at the same height as the unetched area, and after further etching with a second mask, the acid-resistant resin is heated and softened again. This has the disadvantage of complicating the process.

前記のようなフォトマスクを用いると、上記のような耐
酸性樹脂をもちいることもむろん可能であるが、エツチ
ングレジストに、有機溶剤性形と水溶性形との性質の異
なる2種類のフォトレジストを用いた方が工程の簡略化
が計れる。
When using a photomask as described above, it is of course possible to use an acid-resistant resin as described above, but it is also possible to use two types of photoresists with different properties, an organic solvent-based type and a water-soluble type, as an etching resist. The process can be simplified by using

したがってこの実施例では後者のように2種類のフォト
レジストを用いた場合について説明する。
Therefore, in this embodiment, a case will be described in which two types of photoresists are used, such as the latter.

第20図のように金属原板22(炭素工具鋼5に−3な
どの低炭素鋼かこれに焼入れ処理したもの)に第1のエ
ツチングレジスト23として有機溶剤性形のフォトレジ
スト(例えは東京応化工業製TPR、コダック製KPR
なと)をホイラーで塗布焼付し、その上に浅くエツチン
グするためのパターンを有するフォトマスクとして前記
所望の回路パターンの縁取りからなる回路パターンフォ
トマスク(ネガフィルム)A3(第14図)を置き、上
から紫外線(メタルハライドランプなど)を照射した後
、現像し、水洗し、ポストベークする。
As shown in FIG. 20, an organic solvent-based photoresist (for example, Tokyo Ohka Industrial TPR, Kodak KPR
A circuit pattern photomask (negative film) A3 (Fig. 14) consisting of the border of the desired circuit pattern is placed on top of it as a photomask having a pattern for shallow etching, After irradiating it with ultraviolet light (metal halide lamp, etc.) from above, it is developed, washed with water, and post-baked.

次にその上に第2のエツチングレジスト24として水溶
性形フォトレジスト(例えは富士薬品工業製FCR−7
などをホイラーで塗布焼付し、その上に深くエツチング
するためのパターンを有するフォトマスクとして前記カ
バー用パターンフォトマスクA4(ネガフィルム)A4
(第16図)を前記第1のエツチングレジスト23のパ
ターンに重なるようにして置き、上から紫外線(メタル
ハライドランプなど)を照射した後、現像、水洗し、ポ
ストベークする。
Next, a water-soluble photoresist (for example, FCR-7 manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd.) is applied as a second etching resist 24 thereon.
The cover pattern photomask A4 (negative film) A4 is used as a photomask having a pattern to be applied and baked with a wheeler and deeply etched thereon.
(FIG. 16) is placed so as to overlap the pattern of the first etching resist 23, and after irradiating ultraviolet rays (metal halide lamp or the like) from above, it is developed, washed with water, and post-baked.

その結果金属原板22の上に第1と第2の2層からなる
エツチングレジスト23と24が形成される。
As a result, etching resists 23 and 24 consisting of two layers, first and second, are formed on the metal original plate 22.

上記の方法で作成した第1のエツチングレジスト23(
有機溶剤性形フォトレジストTPR)と第2のエツチン
グレジスト24(フォトレジストFCR−7)が形成さ
れた金属原板22を第1回目のエツチングとして35〜
42°Be’の塩化第2鉄液で深くエツチングすると第
21図のようになる。
The first etching resist 23 (
The metal original plate 22 on which the organic solvent-based photoresist TPR) and the second etching resist 24 (photoresist FCR-7) were formed was etched at 35 to 35 as the first etching process.
When deeply etched with 42°Be' ferric chloride solution, the result is as shown in FIG.

この時エツチングされた部分は第2回目のエツチング時
にもエツチングされるので、その分浅くエツチングを行
なっておく。
Since the portion etched at this time will also be etched during the second etching, the etching should be done shallower.

第1回目のエツチングが終った後、剥離液(5〜10%
の水酸化ナトリウム水溶液)を用いて第22図に示され
るように第2のエツチングレジスト24を剥離する。
After the first etching is completed, remove the remover (5-10%
As shown in FIG. 22, the second etching resist 24 is removed using an aqueous sodium hydroxide solution.

次にこのようにして得られた金属板25に第2回目のエ
ツチングを浅く行くようと第23図のようになる。
Next, the metal plate 25 obtained in this manner is etched a second time to be shallower as shown in FIG.

その後第1のエツチングレジスト23を剥離液(TPR
専用剥離液)を用いて剥離する。
Thereafter, the first etching resist 23 is removed using a stripping solution (TPR).
Peel it off using a special stripping solution.

このようにして第24図に示されるように刃型27を有
する金型26が製造される。
In this way, a mold 26 having a blade 27 is manufactured as shown in FIG. 24.

また縁取りパターンフォトマスク(第14図。Also, a border pattern photomask (Fig. 14).

第15図のネガフィルムA3)の(a2−al)の幅を
変えることにより鈍い刃型のもの、鋭い刃型のもの、さ
らに尖鋭な刃型をもった印刷配線用回路パターン打抜き
金型が製造される。
By changing the width of (a2-al) of the negative film A3) in Figure 15, circuit pattern punching dies for printed wiring with blunt blades, sharp blades, and even sharper blades are manufactured. be done.

以上の説明から明らかなように、本発明において重要な
役割をはたす2種のフォトマスクのうちの一方である縁
取りパターンフォトマスクA3は金型の刃先を形成する
ための縁取り線(a2−alが写真的にレジスターパン
チによるピン合せ方式で精度よく形成されているために
、パターンの位置決めの許容差が広くなり、またより簡
単にかつ正確にエツチングレジストの形成が可能なため
、常に一定した高品質の金型を得ることができ、その効
果は極めて犬である。
As is clear from the above description, the edging pattern photomask A3, which is one of the two types of photomasks that play an important role in the present invention, has an edging line (a2-al) for forming the cutting edge of the mold. Because it is formed with high accuracy using a photo-register punch pin alignment method, the tolerance for pattern positioning is widened, and etching resist can be formed more easily and accurately, resulting in consistently high quality. The mold can be obtained and the effect is extremely dog.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図乃至第9図は従来のフォトマスクを用いて金型を
製造する従来の製造方法を説明するための図で、このう
ち第1図、第2図はそれぞれ所望の配線回路パターンよ
り僅かに広い回路パターンを有するネガフィルムの平面
図および断面図、第3図および第4図は金属原板上に第
1図、第2図に示したネガフィルムの回路パターンをエ
ツチングにより得る手順を示す断面図、第5図、第6図
はそれぞれ所望の配線回路パターンより僅かに狭い回路
パターンを有するポジフィルムの平面図および断面図、
第7図乃至第9図は第4図に示した金属板をエツチング
処理し、刃型回路パターンを有する金型を製造する手順
を示す断面図、第10図乃至第24図は本発明の実施例
である回路パターン打抜き金型の製造方法を説明するた
めの図で、このうち第10図、第11図、第12図、第
13図は本発明の実施例において用いられる金型制作用
フォトマスクの作成手順を説明するための平面図、第1
4図、第15図はそれぞれ同フォトマスクの一方の側の
平面図および断面図、第16図。 第17図はそれぞれ同フォトマスクの他方の側の平面図
および断面図、第18図は同フォトマスクを作成すると
きに用いる装置を説明するための図、第19図は上記装
置における露光時間と線幅の太り量の関係を示す曲線図
、第20図乃至第24図は同フォトマスクを用いて金属
原板をエツチング処理し、刃型回路パターンを有する金
型を製造する手順を示すための断面図である。 13.15・・・拡大トレース図から原寸大に終小した
パターン、14・・・原寸大回路パターンより少し太っ
た回路パターン、22・・・金属原板、23゜24・・
・エツチングレジスト、26・・・金型、27・・・刃
型、28・・・金属箔を押圧するための浅い溝、29・
・・金属箔を逃がすための深い溝、A3・・・縁取りパ
ターンフォトマスク(ネガフィルム)、A4・・・カバ
ー用パターンフォトマスク(ネガフィルム。
Figures 1 to 9 are diagrams for explaining the conventional manufacturing method of manufacturing a mold using a conventional photomask. 3 and 4 are cross-sectional views showing the procedure for obtaining the negative film circuit pattern shown in FIGS. 1 and 2 on a metal original plate by etching. 5 and 6 are respectively a plan view and a cross-sectional view of a positive film having a circuit pattern slightly narrower than the desired wiring circuit pattern,
7 to 9 are cross-sectional views showing the steps of etching the metal plate shown in FIG. 4 to manufacture a mold having a blade-shaped circuit pattern, and FIGS. 10 to 24 are cross-sectional views showing the steps for carrying out the present invention. 10, 11, 12, and 13 are photographs for manufacturing molds used in the embodiments of the present invention. Plan view for explaining the mask creation procedure, 1st
4 and 15 are a plan view and a cross-sectional view of one side of the same photomask, and FIG. 16, respectively. Fig. 17 is a plan view and a cross-sectional view of the other side of the photomask, Fig. 18 is a diagram for explaining the apparatus used when making the photomask, and Fig. 19 is a diagram showing the exposure time and the time in the above-mentioned apparatus. A curve diagram showing the relationship between line width and thickening amount, and FIGS. 20 to 24 are cross-sectional views showing the steps for etching a metal original plate using the same photomask and manufacturing a mold having a blade-shaped circuit pattern. It is a diagram. 13.15... Pattern reduced to the original size from the enlarged trace diagram, 14... Circuit pattern slightly thicker than the original size circuit pattern, 22... Metal original plate, 23° 24...
・Etching resist, 26... Mold, 27... Blade mold, 28... Shallow groove for pressing metal foil, 29.
...Deep groove for letting the metal foil escape, A3...Edging pattern photomask (negative film), A4...Pattern photomask for cover (negative film).

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 打抜くべき回路パターンの周縁形状に対応したルー
プ状の刃を有し、上記刃の内側は浅く陥没しかつその外
側は深く陥没した回路パターン打抜き金型の製造方法に
おいて、上記金型の刃を形成するための縁取り線を有す
る第1のフォトマスクを用い金属板上に上記刃のパター
ンに対応するようにしてエツチングレジストを設ける第
1工程と上記第1のフォトマスクの縁取りパターンを覆
うようなパターンを有する第2のフォトマスクを上記エ
ツチングレジスト上に重ね上記金型の深く陥没した部分
を形成するためのエツチングレジストを設ける第2工程
と、上記第2工程においてエツチングレジストが設けら
れた上記金属板を深くエツチングすることにより上記金
型の深く陥没した部分を形成する第3工程と、こうして
得られた金属板表面の上記第2工程において形成された
エツチングレジストを剥離する第4工程と、上記第1工
程においてエツチングレジストが設けられた上記金属板
を浅くエツチングすることにより、上記金型の浅く陥没
した部分を形成する第5工程と、こうして得られた金属
板表面の上記第1工程において形成されたエツチングレ
ジストを剥離する第6エ程とを有し、第1工程で用いら
れるエツチングレジストと第2工程で用いられるエツチ
ングレジストとして、有機溶剤性と水溶性の性質の異な
る2種類のものを用い、第1フオトマスクと第2フオト
マスクのそれぞれのパターンに対向する刃に対応する部
分についていえば、第1フオトマスクのパターンの内側
を形取り、対向する刃のそれぞれの内側の縁に対応する
内側縁取線相互間の幅が、所望の回路幅から刃の幅に2
を乗じたものと第5工程において浅くエツチングしたと
きのサイドエッチ量とを減じたものに等しく、また同じ
く第1フオトマスクのパターンの外側を形取り対向する
刃のそれぞれの外側の縁に対応する外側縁取線相互間の
輻が所望の回路幅に第3工程において深くエツチングし
たときのサイドエッチ量を加えたものより広くなく、か
つ所望の回路幅に第5工程において浅くエツチングした
ときのサイドエッチ量を加えたものより狭くなく、また
第2フオトマスクのパターンを形取りする線の対向する
部分での両者間の縣が第1フオトマスクのパターンの対
応する部分における内側縁取線相互間の幅より狭くなく
、かつ所望のパターン幅に第3工程において深くエツチ
ングしたときのサイドエッチ量を加えたものより広くな
いことを特徴とする回路パターン打抜き金型の製造方法
1. In a method for manufacturing a circuit pattern punching die having a loop-shaped blade corresponding to the peripheral shape of a circuit pattern to be punched, the inside of the blade is shallowly recessed and the outside thereof is deeply recessed, the blade of the mold is A first step of providing an etching resist on a metal plate in a manner corresponding to the pattern of the blade using a first photomask having an edging line for forming a pattern, and a step of forming an etching resist so as to cover the edging pattern of the first photomask. a second step of overlaying a second photomask having a pattern on the etching resist to form an etching resist for forming a deeply recessed portion of the mold; a third step of forming a deeply depressed portion of the mold by deeply etching the metal plate; a fourth step of peeling off the etching resist formed in the second step on the surface of the metal plate thus obtained; A fifth step of forming a shallowly depressed portion of the mold by shallowly etching the metal plate provided with the etching resist in the first step; The etching resist used in the first step and the etching resist used in the second step have two types of etching resists with different properties: organic solvent-based and water-soluble. As for the parts corresponding to the blades facing the respective patterns of the first photomask and the second photomask, the inside of the pattern of the first photomask is cut out, and the inside part corresponding to the inside edge of each of the facing blades is shaped. The width between the border lines is 2 times the width of the blade from the desired circuit width.
equal to the product multiplied by the amount of side etching when shallowly etched in the fifth step, and also the outer side corresponding to each outer edge of the opposing blade that shapes the outer side of the pattern of the first photomask. The convergence between the border lines is not wider than the desired circuit width plus the amount of side etch when etched deeply in the third step, and the amount of side etch when the desired circuit width is shallowly etched in the fifth step. , and the edge between the lines forming the pattern of the second photomask at opposing parts is not narrower than the width between the inner border lines of the corresponding part of the pattern of the first photomask. , and the width of the circuit pattern is not wider than the desired pattern width plus the amount of side etching when deeply etched in the third step.
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