JPS58109617A - ポリオキシメチレンロツドの延伸方法 - Google Patents
ポリオキシメチレンロツドの延伸方法Info
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- JPS58109617A JPS58109617A JP20803281A JP20803281A JPS58109617A JP S58109617 A JPS58109617 A JP S58109617A JP 20803281 A JP20803281 A JP 20803281A JP 20803281 A JP20803281 A JP 20803281A JP S58109617 A JPS58109617 A JP S58109617A
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- rod
- stretching
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- H05B6/788—Arrangements for continuous movement of material wherein an elongated material is moved by applying a mechanical tension to it
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- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Artificial Filaments (AREA)
- Yarns And Mechanical Finishing Of Yarns Or Ropes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、引張弾性率が大きいポリオキクメチレンフィ
ラメントの連続製造方法に関するものである。
ラメントの連続製造方法に関するものである。
従来、フィラメントを製造するにあたっては、結晶部と
非晶部から成る結晶性高分子を溶融状または溶液状にし
て紡糸してフィラメントを形成するが、このようにして
得られたフィラメントにおいては、結晶部が２ンダムに
配向しているので。
非晶部から成る結晶性高分子を溶融状または溶液状にし
て紡糸してフィラメントを形成するが、このようにして
得られたフィラメントにおいては、結晶部が２ンダムに
配向しているので。
引張弾性率は小さい、したがって、引張弾性率を大きく
するためＫは、次にフィラメントを長さ方向に延伸しな
ければならない。フィラメントを延伸すると、結晶の分
子軸（Ｃ軸）が延伸方向に配向するとともに結晶内の折
畳まれた分子鎖かはどけて延伸方向に伸びきる状−で再
配列する（結晶配向）。また、結晶部に挟着れた非晶部
内の餘子鎮にも張力が加わり、延伸方向に配向する（非
晶配向）。結晶配向とともにこの非晶配向が高弾性率化
に大きな寄与をすることが知られている（Ａ。
するためＫは、次にフィラメントを長さ方向に延伸しな
ければならない。フィラメントを延伸すると、結晶の分
子軸（Ｃ軸）が延伸方向に配向するとともに結晶内の折
畳まれた分子鎖かはどけて延伸方向に伸びきる状−で再
配列する（結晶配向）。また、結晶部に挟着れた非晶部
内の餘子鎮にも張力が加わり、延伸方向に配向する（非
晶配向）。結晶配向とともにこの非晶配向が高弾性率化
に大きな寄与をすることが知られている（Ａ。
Ｃ１ｆ＠ｒｒｌ ａｎｄ １． Ｍ、 Ｗａｒｄ （ａ
ｄｓ、 ）ｔ Ｕｌｔｒａ −Ｂｌｇｋ Ｍｏｄｕｌｗ
Ｐｏｌｙｍｅｒｓ、ムｐｐ１． ＬＩＥＳ、 Ｐｕｂｌ
ｉｓｈ＠ｒｓ、 ／ｌｎ ） ＊ この結・果、その極
限として引張弾性率は結晶の縦弾性率の値まで大きくな
るはずである。しかし、従来の延伸方法では専らフィラ
メントを熱板接触や熱風雰囲気等により外部より均一に
加熱（外部加熱）しながら延伸したり、あるいは米国特
許第！７４＠ＪｆＩ１号に見られるように、大径のポリ
エステルトウ（繊維束）では吸湿させ誘電加熱により内
部より均一に加熱しながら延伸していたので、。
ｄｓ、 ）ｔ Ｕｌｔｒａ −Ｂｌｇｋ Ｍｏｄｕｌｗ
Ｐｏｌｙｍｅｒｓ、ムｐｐ１． ＬＩＥＳ、 Ｐｕｂｌ
ｉｓｈ＠ｒｓ、 ／ｌｎ ） ＊ この結・果、その極
限として引張弾性率は結晶の縦弾性率の値まで大きくな
るはずである。しかし、従来の延伸方法では専らフィラ
メントを熱板接触や熱風雰囲気等により外部より均一に
加熱（外部加熱）しながら延伸したり、あるいは米国特
許第！７４＠ＪｆＩ１号に見られるように、大径のポリ
エステルトウ（繊維束）では吸湿させ誘電加熱により内
部より均一に加熱しながら延伸していたので、。
延伸する際に配向結晶化した結晶ｉも均一に加熱される
。その結果、引張弾性率が低下し、非晶都における延伸
応力が不足し、従って、高弾性率化−に重要な役割をす
る非晶配向か充分に行えなかった。このため、引張弾性
率は理論的に期待できる値に比べて満足できるものでは
なかった。
。その結果、引張弾性率が低下し、非晶都における延伸
応力が不足し、従って、高弾性率化−に重要な役割をす
る非晶配向か充分に行えなかった。このため、引張弾性
率は理論的に期待できる値に比べて満足できるものでは
なかった。
そこで１本発明の目的は、上述の欠点を除去し、引張弾
性率が大きいポリオキシメテレンフィ２メントを連続的
に製造する方法を提案することにある。
性率が大きいポリオキシメテレンフィ２メントを連続的
に製造する方法を提案することにある。
そのために、本発明では、外ｓｗＪ熱を併用しなから誘
電加熱により結晶性高分子の非晶部を結晶部よりもより
選択的に加熱しながら延伸し、ここで、結晶性高分子と
して数平均分子量がｊ４０００以下のポリオキシメチレ
ンを用いる。
電加熱により結晶性高分子の非晶部を結晶部よりもより
選択的に加熱しながら延伸し、ここで、結晶性高分子と
して数平均分子量がｊ４０００以下のポリオキシメチレ
ンを用いる。
結晶性高分子には１分子内の極性基に付随する双極子モ
ーメントの運動に基づく各種の誘電緩和吸収か存在する
ことが知られている。低周波側から結晶部内の分子鎖の
動きに起因する結晶吸収（α吸収）、非晶部内の分子鎖
の大きな動きに起因する非晶吸収（β吸収）、主に非晶
部内および結晶欠陥部の分子鎖の局所的な動きに起因す
る吸収（ｒｌ＆収）などである。これらの吸収の起こる
温度９周波数は結晶性高分子の種類により異なるが、大
まかには室温付近ではα吸収°のピークはｌＨｚ以下、
β吸収のピークは／ ｋＨｚ−／ｋｌｌｌｚ ％ ｒ
＠収のピークは／ ＧＨｚ付近にある。これらのＶＩｋ
収は温度とともに大きくなるとともに烏周波側へ移動し
、融点付近では一体となる（ Ｎ、 Ｇ、 ＭｃＣｒｕ
ｍ、 Ｂ。
ーメントの運動に基づく各種の誘電緩和吸収か存在する
ことが知られている。低周波側から結晶部内の分子鎖の
動きに起因する結晶吸収（α吸収）、非晶部内の分子鎖
の大きな動きに起因する非晶吸収（β吸収）、主に非晶
部内および結晶欠陥部の分子鎖の局所的な動きに起因す
る吸収（ｒｌ＆収）などである。これらの吸収の起こる
温度９周波数は結晶性高分子の種類により異なるが、大
まかには室温付近ではα吸収°のピークはｌＨｚ以下、
β吸収のピークは／ ｋＨｚ−／ｋｌｌｌｚ ％ ｒ
＠収のピークは／ ＧＨｚ付近にある。これらのＶＩｋ
収は温度とともに大きくなるとともに烏周波側へ移動し
、融点付近では一体となる（ Ｎ、 Ｇ、 ＭｃＣｒｕ
ｍ、 Ｂ。
ＩＡ、 Ｒ＠ａｄ ａｎｄ Ｇ、 Ｗｉｌ
ｌｌｍｍｇ、 Ａｎｓｌａｓｔｉｃ ａｎｄ
Ｄｉｅｌ＠ｅｔｒｉｓＥｆｆ＠ｃｔｓ １ｎ
Ｐｏｌｙｍ＠ｒｌｅ ８ｏ１１ｄｓ、 Ｊｏｈｎ
Ｗ１１＠ｙ ＆ ８ｏｎｓ。
ｌｌｍｍｇ、 Ａｎｓｌａｓｔｉｃ ａｎｄ
Ｄｉｅｌ＠ｅｔｒｉｓＥｆｆ＠ｃｔｓ １ｎ
Ｐｏｌｙｍ＠ｒｌｅ ８ｏ１１ｄｓ、 Ｊｏｈｎ
Ｗ１１＠ｙ ＆ ８ｏｎｓ。
／ヂ６７ 〕。
このような吸収は各吸収の周波数に対応する交流電場を
印加することにより励起され発熱源となる（＃電加熱）
。したがって、融点付近では各吸収を選択的に励起する
ことは困難となるが、融点より低くなるとともに周波数
の一択によりβ吸収および／またはｒ吸収を励起し、非
晶部を結晶部に対して選択的に加熱することができる。
印加することにより励起され発熱源となる（＃電加熱）
。したがって、融点付近では各吸収を選択的に励起する
ことは困難となるが、融点より低くなるとともに周波数
の一択によりβ吸収および／またはｒ吸収を励起し、非
晶部を結晶部に対して選択的に加熱することができる。
なお、熱伝導により結晶部も徐々に加熱されていくので
。
。
そのまま放置すれば非晶部および結晶部の全体が均一に
加熱されることは言うまでもない。工業加熱用に割当ら
れている周波数は／７１１Ｈｚ−％−／Ｉ ＧＢｍであ
り、これらの周波数では専ら非晶部がまず選択的に加熱
されることとなる。
加熱されることは言うまでもない。工業加熱用に割当ら
れている周波数は／７１１Ｈｚ−％−／Ｉ ＧＢｍであ
り、これらの周波数では専ら非晶部がまず選択的に加熱
されることとなる。
本発明では、ポリオキシメテレンロウドヲ外部加熱を併
用しなから誘電加熱下で延伸する過程において、非晶部
が結晶部よりもより選択的に加熱される条件下で、すな
わち熱伝導により結晶部まで加熱され、６体が均一加熱
とならないような条件下で延伸することにより、延伸時
の結晶部の引張弾性率の低下を抑制し１分子鎖が動き易
くなっている非晶部に延伸応力を有効に働かせることに
より、高倍率に延伸配向させ、引張弾性率を大きくする
ものである。本発明は、この過程において用いるポリオ
キシメチレンの数平均分子量によりその効果が着しく興
なることを見出してなした賜のである。
用しなから誘電加熱下で延伸する過程において、非晶部
が結晶部よりもより選択的に加熱される条件下で、すな
わち熱伝導により結晶部まで加熱され、６体が均一加熱
とならないような条件下で延伸することにより、延伸時
の結晶部の引張弾性率の低下を抑制し１分子鎖が動き易
くなっている非晶部に延伸応力を有効に働かせることに
より、高倍率に延伸配向させ、引張弾性率を大きくする
ものである。本発明は、この過程において用いるポリオ
キシメチレンの数平均分子量によりその効果が着しく興
なることを見出してなした賜のである。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
ｌｓ１図は本発明の方決を実施するのに用いられる装置
の一例を示し、ここでロンド状のポリオキシメチレンｌ
を繰出ボビンコに巻（９）し【おき、繰出機３により繰
出して誘電加熱装置ダに送り込む。
の一例を示し、ここでロンド状のポリオキシメチレンｌ
を繰出ボビンコに巻（９）し【おき、繰出機３により繰
出して誘電加熱装置ダに送り込む。
誘電加熱装置ｌは、誘輩加熱用円筒導波管ｊ、この導波
管ｊの両端に配置した整合用円筒導波管４Ａ、４Ｂおよ
び７Ａ、７Ｂ、導波！ｆ７ムに結合した発振器接続用矩
形導波管ｌおよび導波管７８に結合したダ（−接続用矩
形導波管デを有し、両端の導波管７Ａおよび７Ｂにはポ
リオキシメチレンロンドの通過する通過孔１０をあけて
おく。通過孔１０を通過したポリオキシメチレンロンド
ｌ゛を引取機／ｌを介して巻取ボビンｌλに巻取る。整
合用円筒導波管４Ａおよび≦Ｂの内径は加熱用円筒導波
管ｊの内径よりも若干大きく定め、さらに整合用円筒導
波管７Ａおよび７Ｂの内径は整合用円筒導波管≦Ａおよ
び６Ｂの内径よりも若干大きく足める。
管ｊの両端に配置した整合用円筒導波管４Ａ、４Ｂおよ
び７Ａ、７Ｂ、導波！ｆ７ムに結合した発振器接続用矩
形導波管ｌおよび導波管７８に結合したダ（−接続用矩
形導波管デを有し、両端の導波管７Ａおよび７Ｂにはポ
リオキシメチレンロンドの通過する通過孔１０をあけて
おく。通過孔１０を通過したポリオキシメチレンロンド
ｌ゛を引取機／ｌを介して巻取ボビンｌλに巻取る。整
合用円筒導波管４Ａおよび≦Ｂの内径は加熱用円筒導波
管ｊの内径よりも若干大きく定め、さらに整合用円筒導
波管７Ａおよび７Ｂの内径は整合用円筒導波管≦Ａおよ
び６Ｂの内径よりも若干大きく足める。
従って１発振器接続用矩形導波管ｌより入射されたマイ
クロ波（周波数２．参ｊ ＧＨｚ ）は反射されること
なく加熱用円筒導波管ｊ Ｋ ’Ｉ’ＭＯ，モードで効
率よく導４１れる。また、余剰のマイクロ波は整合用円
筒導波管≦Ａ、４Ｂおよび７Ａ、７Ｂおよびダイ−接続
用矩形導波管９を通ってマイクロ波吸収用タイ−（図示
せず）へ導かれて吸収されるので。
クロ波（周波数２．参ｊ ＧＨｚ ）は反射されること
なく加熱用円筒導波管ｊ Ｋ ’Ｉ’ＭＯ，モードで効
率よく導４１れる。また、余剰のマイクロ波は整合用円
筒導波管≦Ａ、４Ｂおよび７Ａ、７Ｂおよびダイ−接続
用矩形導波管９を通ってマイクロ波吸収用タイ−（図示
せず）へ導かれて吸収されるので。
発振源に戻って発振器を損傷することはない、また、Ｓ
電加熱用円筒導波管ｊの外周面にはバンドヒーターを取
付けて管内の外部加熱による雰囲気ｍ匿を所定の温にと
なるようにする。この装置を動作させるにあたっては、
ポリオキシメチレンロッドＩを繰出ボビンコより繰り出
し、繰出機３から誘電加熱延伸参を通して引取機ｌ／で
引取り１次いで巻取ボビン／２に巻取る。ここで、引取
機／Ｉの速度を繰出機１０の速度よりも速くすることに
よりポリオキシメチレンロッド／に任意の張力が働き、
ポリオキシメチレンロッドＩは誘電加熱用円筒導波管ｊ
の内部で連続的に加熱延伸され、目的とするポリオキク
メチレンフィラメントｌ′が得られる。
電加熱用円筒導波管ｊの外周面にはバンドヒーターを取
付けて管内の外部加熱による雰囲気ｍ匿を所定の温にと
なるようにする。この装置を動作させるにあたっては、
ポリオキシメチレンロッドＩを繰出ボビンコより繰り出
し、繰出機３から誘電加熱延伸参を通して引取機ｌ／で
引取り１次いで巻取ボビン／２に巻取る。ここで、引取
機／Ｉの速度を繰出機１０の速度よりも速くすることに
よりポリオキシメチレンロッド／に任意の張力が働き、
ポリオキシメチレンロッドＩは誘電加熱用円筒導波管ｊ
の内部で連続的に加熱延伸され、目的とするポリオキク
メチレンフィラメントｌ′が得られる。
本発明を以下実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例にのみ限定される４ので畔ない。
実施例にのみ限定される４ので畔ない。
実施例１
この実施例では、ポリオキシメチレンロッドｌの材料と
して数平均分子量が７４００（Ｘ以上のポリオキクメチ
レン（密［／ｌコ１１／ｃｄ、融点７７？ Ｃ）を用い
、誘電加熱装ｆＩＬ４Ｉにおいて、外部加熱を併用しな
から誘電加熱延伸を行った。
して数平均分子量が７４００（Ｘ以上のポリオキクメチ
レン（密［／ｌコ１１／ｃｄ、融点７７？ Ｃ）を用い
、誘電加熱装ｆＩＬ４Ｉにおいて、外部加熱を併用しな
から誘電加熱延伸を行った。
かかるポリオキシメチレンから成る直径／、Ｏｍの未延
伸ロッドｌを誘電加熱装置！ＩＬダ（発伽周波数コＪｊ
ＧＨｚ 、 ＠大出力／、ｊｋＷ、加熱用円筒導波管
長０．１％、内径ｑｓ、ａ ｍ ）に導き、外部加熱に
−よる雰囲気温ｆｉ ／４１９ ℃の下で、引取機／／
の引取速度を／、 ０１１１／分に設定して延伸を開始
した。発振器の出力を徐々に増加するとと−に繰出機３
０繰出速度を遅くして延伸倍率を上げ、発振出力が最大
出力／、ｊｋＷＫ到達した後は、この最大出力で繰出速
度をさらに遅くシ、ポリオキシメチレンロッドＩが破断
するまで延伸倍率を上げていった。この場合の実験条件
および結果を第１表に示す。この結果かられかるように
、本実施例によれば１、延伸倍率がＸ以上、引張弾性率
がＪｆｆＧＰａ以上のポリオキクメチレンフィラメント
が容易に得られた。
伸ロッドｌを誘電加熱装置！ＩＬダ（発伽周波数コＪｊ
ＧＨｚ 、 ＠大出力／、ｊｋＷ、加熱用円筒導波管
長０．１％、内径ｑｓ、ａ ｍ ）に導き、外部加熱に
−よる雰囲気温ｆｉ ／４１９ ℃の下で、引取機／／
の引取速度を／、 ０１１１／分に設定して延伸を開始
した。発振器の出力を徐々に増加するとと−に繰出機３
０繰出速度を遅くして延伸倍率を上げ、発振出力が最大
出力／、ｊｋＷＫ到達した後は、この最大出力で繰出速
度をさらに遅くシ、ポリオキシメチレンロッドＩが破断
するまで延伸倍率を上げていった。この場合の実験条件
および結果を第１表に示す。この結果かられかるように
、本実施例によれば１、延伸倍率がＸ以上、引張弾性率
がＪｆｆＧＰａ以上のポリオキクメチレンフィラメント
が容易に得られた。
第 ｌ 表
比較８１１
この比較例では数平均分子量がｚｒ、ｏｏｏのポリオキ
シメチレン（密［／、匂１／ａｉｌ、融点１７デ℃）を
用い、外部加熱を併用しなから誘電加熱延伸を行った。
シメチレン（密［／、匂１／ａｉｌ、融点１７デ℃）を
用い、外部加熱を併用しなから誘電加熱延伸を行った。
上記ポリオキシメチレンから成る直径／、Ｏｍの未延伸
ロッドｌを実施例１と同じ節電加熱装置ｌＩＫ導いて延
伸した。その際に、実施例１と同様に外部加熱による＄
１！ｓ気Ｓ度１０℃で引取速度を／、０＠／分に設定し
、発振出力を徐々に上げなから繰出速度を遅くシ、最大
出力／、ｊｋＷでロッドｌが破断するまで延伸倍率を上
げていった。この場合の実験条件および結果を第２表に
示す。この結果かられかるように、この比較例では、延
伸倍率は！５以下−引張弾性率はａＧＰａ以下のポリオ
キ７メテレンフイラメントしか得られなかった。
ロッドｌを実施例１と同じ節電加熱装置ｌＩＫ導いて延
伸した。その際に、実施例１と同様に外部加熱による＄
１！ｓ気Ｓ度１０℃で引取速度を／、０＠／分に設定し
、発振出力を徐々に上げなから繰出速度を遅くシ、最大
出力／、ｊｋＷでロッドｌが破断するまで延伸倍率を上
げていった。この場合の実験条件および結果を第２表に
示す。この結果かられかるように、この比較例では、延
伸倍率は！５以下−引張弾性率はａＧＰａ以下のポリオ
キ７メテレンフイラメントしか得られなかった。
第２表
以上説明したように、本発明では外部加熱を併“用しな
から誘電加熱により結晶性高分子の非晶部を結晶部より
４一層選択的に加熱しながら延伸するにあたって、結晶
性高分子として数平均分子量がｊｏ、ｏｏｏ以下のポリ
オキシメチレンロッドを延伸に用いることによって引張
弾性率が大きいポリオキシメチレンフィラメントを連続
的に製造できる利点がある。
から誘電加熱により結晶性高分子の非晶部を結晶部より
４一層選択的に加熱しながら延伸するにあたって、結晶
性高分子として数平均分子量がｊｏ、ｏｏｏ以下のポリ
オキシメチレンロッドを延伸に用いることによって引張
弾性率が大きいポリオキシメチレンフィラメントを連続
的に製造できる利点がある。
本発明によって得たフィラメントは多くの用途に使用で
きる。例えば、本発明により製造したフィラメントを、
繊維、またはフィラメント補強材として使用する種々な
材料の補強材として適用で館るとと４に、軽量であり引
張弾性率が大きいことが値ましいすべての用途にも適用
できる。特に光フアイバ用の被ｌｌｌ１ｒやその補強材
として使用すれば効果的である。
きる。例えば、本発明により製造したフィラメントを、
繊維、またはフィラメント補強材として使用する種々な
材料の補強材として適用で館るとと４に、軽量であり引
張弾性率が大きいことが値ましいすべての用途にも適用
できる。特に光フアイバ用の被ｌｌｌ１ｒやその補強材
として使用すれば効果的である。
第１ＷＡは本発明の方法の実施に用いられる装置の一実
施例のＩ５！明図である。 Ｉ・・・ロンド状のポリオキシメチレン、コ・・・繰出
ボビン、 ３・・・繰出機、ダ・・・誘電加熱装
置、 ｊ −・・誘電加熱用円筒導波管、≦Ａ、≦
８．７Ａ、 ７Ｂ・・・整合用円筒導波管。 ｌ・・・発振器接続用矩形導波管。 ９・・・ダイ−接続用矩形導波管、 １０・・・通過孔、 ｌ／・・・引取機、１
２・・・巻取ボビン。 特許出願人 日本電信電話公社
施例のＩ５！明図である。 Ｉ・・・ロンド状のポリオキシメチレン、コ・・・繰出
ボビン、 ３・・・繰出機、ダ・・・誘電加熱装
置、 ｊ −・・誘電加熱用円筒導波管、≦Ａ、≦
８．７Ａ、 ７Ｂ・・・整合用円筒導波管。 ｌ・・・発振器接続用矩形導波管。 ９・・・ダイ−接続用矩形導波管、 １０・・・通過孔、 ｌ／・・・引取機、１
２・・・巻取ボビン。 特許出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 数平均分子量がｚａ ｏｏｏ以下のポリオキシメチレン
により形成したポリオキシメチレンリッドを外部加熱を
併用しなから誘電的に加熱しながら連続的に延伸するこ
とを特徴とするポリオキシメチレンロクドの延伸方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803281A JPS58109617A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ポリオキシメチレンロツドの延伸方法 |
| EP82307041A EP0084274B1 (en) | 1981-12-24 | 1982-12-22 | Process for the production of ultrahigh-modulus polymers |
| DE8282307041T DE3278134D1 (en) | 1981-12-24 | 1982-12-22 | Process for the production of ultrahigh-modulus polymers |
| CA000418315A CA1197966A (en) | 1981-12-24 | 1982-12-22 | Process for the production of ultrahigh-modulus polymers |
| US06/452,862 US4497759A (en) | 1981-12-24 | 1982-12-23 | Drawing of polyoxymethylene using dielectric heating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803281A JPS58109617A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ポリオキシメチレンロツドの延伸方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58109617A true JPS58109617A (ja) | 1983-06-30 |
| JPS6135281B2 JPS6135281B2 (ja) | 1986-08-12 |
Family
ID=16549536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20803281A Granted JPS58109617A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ポリオキシメチレンロツドの延伸方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58109617A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173114A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-06 | Toyobo Co Ltd | ゲル状成形体の処理方法 |
| JPS60183121A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高弾性率ポリアセタ−ル成形材料 |
| JPS6198320U (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-24 | ||
| JPS61152889A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-11 | 旭化成株式会社 | ポリアセタ−ルロ−プ |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP20803281A patent/JPS58109617A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173114A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-06 | Toyobo Co Ltd | ゲル状成形体の処理方法 |
| JPS60183121A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高弾性率ポリアセタ−ル成形材料 |
| JPH0257011B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1990-12-03 | Asahi Chemical Ind | |
| JPS6198320U (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-24 | ||
| JPS61152889A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-11 | 旭化成株式会社 | ポリアセタ−ルロ−プ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6135281B2 (ja) | 1986-08-12 |
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